台积电业务调整 - 台积电将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务 关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂[2] - 公司预计整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂 以弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[2] - 6英寸工厂将被改造成CoPoS面板级封装工厂 8英寸晶圆厂将转向内部生产EUV掩膜保护膜以减少对ASML供应链的依赖[4] EUV技术战略 - EUV光刻机成本高昂：ASML EUV设备价格约1.5亿美元 最新High NA EUV系统价格超过3.5亿美元[4] - 台积电减少High NA订单 通过内部研发保护膜技术提高EUV良率并控制成本[4] - Fab 3晶圆厂将成为内部EUV保护膜研发中心 预计投产以减少对ASML供应商依赖并提高成本效益[4] 技术背景与行业影响 - EUV需采用新掩模版和保护膜方法 传统有机保护膜缺乏所需透明度和稳定性 导致晶圆厂需频繁检查缺陷[5] - 台积电自有保护膜技术将优化工作流程、提高良率、扩大产能并降低成本 提升盈利能力并扩大领先地位[5] - 设备和材料供应商可能受益于台积电转型带来的新基础设施需求[5] 产业竞争格局 - 台积电退出GaN领域凸显中国大陆竞争对手在第三代半导体市场的激烈价格竞争[6] - 瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN 中国大陆企业加速GaN项目 全球IDM厂商如德州仪器和英飞凌也在扩大内部GaN产能[6] - 台积电向世界先进（VIS）和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元设备[5]