台积电业务调整 - 台积电将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务 关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂[2] - 公司预计整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂 以弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[2] - 6英寸工厂将被改造成CoPoS面板级封装工厂 8英寸晶圆厂将转向内部生产EUV掩膜保护膜以减少对ASML供应链的依赖[4] EUV技术战略 - EUV光刻机成本高昂：ASML EUV设备价格约1.5亿美元 最新High NA EUV系统价格超过3.5亿美元[4] - 台积电减少High NA订单 通过内部研发保护膜技术提高EUV良率并控制成本[4] - Fab 3晶圆厂将成为内部EUV保护膜研发中心 预计投产以减少对ASML供应商依赖并提高成本效益[4] 技术背景与行业影响 - EUV需采用新掩模版和保护膜方法 传统有机保护膜缺乏所需透明度和稳定性 导致晶圆厂需频繁检查缺陷[5] - 台积电自有保护膜技术将优化工作流程、提高良率、扩大产能并降低成本 提升盈利能力并扩大领先地位[5] - 设备和材料供应商可能受益于台积电转型带来的新基础设施需求[5] 产业竞争格局 - 台积电退出GaN领域凸显中国大陆竞争对手在第三代半导体市场的激烈价格竞争[6] - 瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN 中国大陆企业加速GaN项目 全球IDM厂商如德州仪器和英飞凌也在扩大内部GaN产能[6] - 台积电向世界先进（VIS）和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元设备[5]

行业政策与投资 - 深圳设立50亿元半导体与集成电路产业投资基金，支持全产业链优化提质[5][6] - 上海对集成电路等重点产业链实施联合体支持政策，给予最高产业政策支持[5] - 香港首座8英寸碳化硅晶圆厂获批，将兴建第三代半导体生产设施[5] 全球半导体产能与市场 - 中国大陆预计2030年超越中国台湾成为全球最大半导体晶圆代工中心，份额达30%[7][8] - 2024年中国大陆以21%的全球代工产能份额位居第二，仅次于中国台湾（23%）[8] - 韩国6月半导体出口额同比增加11.6%至149.7亿美元，刷新历史纪录[7] 技术与工艺进展 - 东京大学研发掺镓氧化铟晶体材料，有望取代硅材料延续摩尔定律[19] - 三星确认LPDDR6将于2025年下半年量产，高通率先搭载[19] - 英特尔考虑以14A（1.4纳米）工艺直接对标台积电与三星的2纳米技术[14][15] 企业动态与市场表现 - 三星电子晶圆代工部门上半年绩效奖金为零，存储器部门获25%奖金[11] - 高通剔除三星2纳米代工名单，由台积电独吞旗舰大单[11] - 三星美国泰勒芯片厂因客户短缺推迟投产[12] - 摩尔线程和沐曦股份同日科创板IPO获受理，拟募资总额119.04亿元[12] 存储芯片市场 - 16Gb DDR4现货价格持续上涨，PC级DRAM价格失去动力[16] - DDR4价格或在Q4触顶回落，DDR5价格趋势稳定[17] - LPDDR4X价格预计Q3环比上涨20%以上，LPDDR5X小幅上扬[17] 消费电子市场 - 中国Q2智能手机销量预计增长1%，华为销量份额同比增12%[20][21] - 2025年全球TWS耳机销量预计同比增长3%，入门级产品为主要动力[21] - 中国电视市场2025年预计出货3830万台，同比增长3.2%，大屏需求强劲[22] 设备与材料 - 2026年日本半导体设备销售额预计突破5万亿日元[8] - 美国半导体企业新厂建设投资税收抵免比例有望升至35%[7][8]