近日，俄罗斯科学院微结构物理研究所（IPM RAS）通过计算机与数据科学博士德米特里 ・ 库兹 涅佐夫（ Dmitrii Kuznetsov）在X平台公布了一项关于本土11.2纳米波长极紫外（EUV）光刻工 具的长期路线图，引发全球半导体行业的广泛关注。 根据最新公布的路线图，俄罗斯的 EUV光刻机 项目将从2026年开始，初期采用40纳米制造技术， 并计划延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。这一路线图分为三个主要阶段： 1. 第一阶段（2026-2028年） ：推出支持40纳米工艺的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精 度达10纳米，曝光场最大3×3毫米，每小时吞吐量超5片晶圆。 2. 第二阶段（2029-2032年） ：推出支持28纳米（可向下兼容14纳米）的扫描式光刻机，采用 四反射镜光学系统，套刻精度提升至5纳米，曝光场26×0.5毫米，每小时吞吐量超50片晶圆。 3. 第三阶段（2033-2036年） ：面向亚10纳米制程，搭载六反射镜配置，套刻精度达2纳米，曝 光场最大26×2毫米，每小时吞吐量超100片晶圆。 值得注意的是，俄罗斯的EUV光刻机技术路径与全球主流采用13.5纳米波长 ...

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