财务表现 - 2024年公司实现营收5.87亿元，同比下滑14.28% [1] - 归母净利润6530万元，同比增长13.85% [1] - 园林工程类收入占比80.42%，其余来自设计业务和苗木销售 [1] 主营业务 - 主营业务为园林工程施工、园林景观设计及苗木种植，提供全产业链服务 [1] - 园林类业务营收5.87亿元，较上年度减少14.28% [1] 战略转型 - 管理层通过并购进入光通信行业应对园林行业下行 [1] - 2024年5月签订收购武汉钧恒30%股权意向协议，6月完成股权转让 [1] - 2024年9月通过增资持有武汉钧恒35%股权 [2] - 2024年12月通过现金增资将持股比例提升至51%，2025年2月初完成重组 [2] 新业务布局 - 武汉钧恒专业从事光模块研发制造，为高新技术企业、国家级专精特新企业 [2] - 产品覆盖10G至800G速率多模光模块，应用于AI、HPC、IDC等领域 [2] - 2024年武汉钧恒实现营收6.67亿元，净利润6966.9万元 [2] - 公司获得投资收益1379.91万元 [2]

公司基本情况 - 公司代码688535，简称华海诚科，主营业务为半导体封装材料环氧塑封料和组装材料电子胶黏剂的研发、生产和销售，是国内少数芯片级固体和液体封装材料研发量产的专业工厂 [8] - 公司主营产品包括环氧塑封料与电子胶黏剂，广泛应用于半导体封装、板级组装等应用场景，产品具有技术含量高、工艺难度大、知识密集型的特点 [9] - 公司采用以销定产和需求预测相结合的生产模式，销售模式以直接客户为主、贸易商客户为辅，已建立华东、西南与华南地区为主的销售布局 [11] 行业情况 - 公司所处行业为半导体材料行业，属于电子专用材料制造，封装材料对半导体产业起至关重要作用 [12] - 随着高性能计算、人工智能和5G通信等技术的发展，先进封装技术如WLCSP、FCCSP、2.5D/3D封装等成为延续摩尔定律的关键路径，带动先进封装材料需求增长 [13] - 行业具有技术创新迭代速度快、门槛高，考核认证周期长（3-6个月至3年以上），难进难出的特点 [14][15] 技术特点 - 环氧塑封料配方体系复杂，需在多项性能需求间实现有效平衡，产品具有高度定制化特点 [16][17] - 新产品开发需匹配下游封装技术持续提升的性能需求，呈现"一代封装，一代材料"的特点 [18] - 先进封装技术对材料性能要求更严苛，需要在各性能指标间进行更复杂的平衡，开发难度加大 [18] 公司地位 - 公司是国家高新技术企业，被工信部认定为专精特新"小巨人"企业，拥有独立自主的系统化知识产权 [19] - 在传统封装领域产品结构全面并已实现产业化，市场份额逐步扩大；在先进封装领域相关产品已陆续通过客户考核验证 [19] - 已与长电科技、通富微电、华天科技等业内领先企业建立稳固合作关系，业务规模持续扩大 [19] 财务数据 - 2024年实现营业收入33,163.49万元，同比增长17.23%；归属于上市公司股东的净利润4,006.31万元，同比增长26.63% [24] - 2024年度现金分红总额24,130,644.9元，占归属于上市公司股东净利润的60.23% [5] - 2024年半年度实施中期现金分红8,069,645.30元，年度利润分配拟每10股派发现金红利2.00元 [5] 募集资金 - 首次公开发行股票募集资金净额为63,293.82万元，截至2024年底累计使用40,401.90万元，余额24,588.02万元 [32][34] - 2024年使用超募资金30,176.12万元认购衡所华威电子有限公司30%股权 [43] - 公司使用部分闲置募集资金进行现金管理，2024年4月获批使用不超过57,400万元进行现金管理 [41] 行业趋势 - 先进封装占比将逐步超越传统封装，预计2023-2029年CAGR达11%，2029年市场规模突破695亿美元 [22] - AI浪潮推动Chiplet等先进封装技术发展，车规级器件对塑封料和胶黏剂要求更严格 [21][22] - 国内封测产业已成为集成电路产业链中最具国际竞争力的环节，有望率先实现国产替代 [20]

核心观点 - 2024年AI芯片需求爆发推动半导体行业结构性转型，台积电凭借技术领先、产能扩张和全球战略布局巩固行业领导地位 [2] - 公司全年营收达900亿美元（+30%），净利365亿美元（+35.9%），毛利率56.1%创历史新高，7nm以下先进制程营收占比提升至69% [3] - 技术研发投入占营收7.1%，在2nm及更先进节点取得突破，同时通过3D封装技术延伸摩尔定律极限 [12][13] - 全球产能布局形成"台湾中心+多点扩张"模式，美国N4厂/日本特殊制程厂相继投产，德国车用芯片厂启动建设 [11] 财务与市场表现 - 2024年合并营收900亿美元（同比+30%），税后净利365亿美元（同比+35.9%），毛利率56.1%和营业利益率45.7%均创新高 [3] - IDM 2.0市场份额从28%提升至34%，晶圆出货量达1,290万片12英寸当量（同比+7.5%） [3] - 北美市场贡献70%营收，高效能运算产品占比51%成为最大收入来源，智能手机占35% [3] - 7nm及以下先进制程营收占比从58%提升至69%，3nm制程单独贡献18%晶圆销售额 [3][7] 技术平台布局 逻辑制程 - 3nm平台形成N3E/N3P/N3X产品矩阵，N3X专为AI/服务器设计预计2025年量产 [7] - 4nm节点推出N4C精简版提升晶体管密度，5nm强化版(N5P)持续服务智能终端市场 [7] - 低功耗平台N6e/N12e优化物联网设备能效，22ULL技术支撑蓝牙/Wi-Fi芯片制造 [7] 特殊制程 - 车用领域推出N3A平台（基于N3E）和N5A车规制程，射频技术N4C RF支持5G毫米波需求 [8] - 嵌入式存储器N12e RRAM平衡成本与可靠性，COUPE光子堆叠平台实现三维光互连 [8] - 拓展GaN功率器件、OLED驱动等新兴技术，覆盖AR/VR和智能电源应用 [9] 全球制造能力 - 台湾四座GIGAFAB年产能达1,274万片12英寸晶圆，覆盖0.13μm至3nm全节点 [11] - 美国亚利桑那N4厂良率对标台湾基地，日本熊本特殊制程厂实现优异良率 [11] - 德国德勒斯登车用芯片厂启动建设，智能制造系统延伸至后段封装环节 [11] - SMP超级制造平台统一良率管控，AI/ML技术提升故障预测与制程调整效率 [11] 研发与前沿技术 - 2nm平台完成定义进入良率提升阶段，A16采用晶背供电+纳米片架构，A14兼顾HPC/移动需求 [12] - High NA EUV光刻技术取得突破，优化线宽均匀性至1nm以下节点 [12] - 3DFabric封装平台包含SoIC/CoWoS/InFO等技术，5nm芯片堆叠已量产，3nm方案2025年投产 [13] - 探索碳纳米管晶体管(CNFET)和二维材料MoS₂通道器件，展示p型SnO和n型IWO氧化物晶体管 [16] 战略定位 - 坚持纯代工模式，五大技术平台覆盖HPC/智能手机/物联网/车用/消费电子全领域 [3][4] - 通过开放创新平台和TSMC大同盟强化生态合作，不涉足自有品牌芯片 [14] - 研发投入聚焦逻辑微缩、材料创新和系统集成三大方向，布局5-10年技术储备 [16]

玻璃基板技术优势 - 玻璃基板具有超低凹凸度、更好的热稳定性和机械稳定性，比树脂基板更耐用、更稳定，可实现更高的互连密度 [2] - 玻璃基板比传统基板翘曲更小，更容易实现精确的信号传输路径，并可形成大量铜通道，从而实现高功率效率 [3] - 玻璃基板具有优异的耐热性和抗翘曲性，允许在单个基板上堆叠更多芯片，其更光滑的表面允许转移超精细电路图案，可使半导体速度提升高达40%，同时功耗降低一半 [3] 三星电机玻璃基板战略 - 三星电机正构建半导体玻璃基板生态系统，计划与多家供应商和技术合作伙伴成立联盟，以降低风险、强化价值链并促进技术进步 [2] - 公司准备于第二季度在其世宗工厂启动玻璃基板试生产线，目标在2027年后实现量产，并计划今年向两到三家客户提供原型 [2][4] - 三星电机不仅瞄准主基板"玻璃芯"市场，也瞄准作为中间基板的"玻璃中介层"市场，该市场被视为与玻璃芯市场同样重要 [3] 行业竞争格局 - SKC股价从1月2日的109,700韩元上涨至158,400韩元，涨幅达44.4%，市场预期其玻璃基板商业化在即 [3] - SKC与Applied Materials合资成立Absolics，后者在佐治亚州建成全球首个玻璃基板量产工厂，并获得美国政府7500万美元生产补贴和1亿美元研发补助 [3] - 英特尔已投资10亿美元用于玻璃基板开发，目标在2030年实现商业化；LG Innotek也在建立试验生产线，计划今年开始小规模生产原型 [3][4] 技术挑战与行业趋势 - 玻璃基板应用面临缺乏统一尺寸、厚度和特性标准的挑战，这给设备制造商和半导体工厂带来兼容性问题 [4] - 玻璃基板将应用于最先进的场景，但随着行业向芯片级封装和3D-IC等先进技术迈进，后端工艺面临变革，光刻技术需实现小于2µm的线距 [4] - 行业趋势正从前端先进芯片转向封装、基板和集成平台，玻璃基板预计未来两到三年内将广泛应用于通信半导体，五年左右成为服务器半导体主流解决方案 [4]

文章核心观点 - 玻璃基板凭借其超低凹凸度、更好的热稳定性和机械稳定性等独特性能，被视为先进芯片封装的技术革新者，尤其适用于AI和数据中心等数据密集型工作负载 [2] - 行业巨头如英特尔、三星、SKC等正加速布局玻璃基板的研发与商业化，竞争加剧，商业化进程可能快于预期 [2][4] - 玻璃基板技术面临标准化缺失、兼容性挑战及高处理难度等技术门槛，但其优势（如半导体速度提升高达40%，功耗降低一半）驱动行业积极寻求解决方案 [4][6] 行业巨头动态与战略 - 英特尔公司承诺到2028年投资1.3万亿韩元（9.431亿美元）实现玻璃基板大规模商业化，目前已投资10亿美元用于开发，目标在2030年实现商业化 [2][4] - 三星电机首次公开其半导体玻璃基板事业生态系统构建战略，计划与多家供应商和技术合作伙伴成立联盟，旨在降低风险、强化价值链并促进技术进步 [2] - 三星电子准备于第二季度在其世宗工厂启动玻璃基板试生产线，量产目标为2027年以后，并注重与Nvidia、英特尔、高通等AI大型科技公司的合作 [2][5] - SKC通过合资公司Absolics领先布局，Absolics在佐治亚州建成全球首个玻璃基板量产工厂，并获得美国政府7500万美元生产补贴和1亿美元研发补助，计划在今年年底前开始大规模生产 [4] - LG Innotek正在其龟尾工厂建立试验生产线，计划今年开始小规模生产原型，预计玻璃基板未来两到三年内将广泛应用于通信半导体，五年左右成为服务器半导体主流解决方案 [5] 玻璃基板技术优势与市场驱动 - 玻璃基板比现有树脂基板更耐用、更稳定，翘曲更小，易于实现精确信号传输路径，并可在基板上形成大量铜通道，实现高功率效率和高互连密度 [2][3] - 其优势使得半导体速度提升高达40%，同时功耗降低一半，专家比喻为从“在沙地上建房”（塑料基板）转变为“在岩石上建房”（玻璃基板） [4] - 高性能计算和人工智能发展导致芯片间数据传输量爆炸式增长，驱动对玻璃基板等新基材的需求，以支持高密度、高性能芯片封装 [2] 当前挑战与技术瓶颈 - 玻璃基板缺乏统一的尺寸、厚度和特性标准，与硅晶圆的精确全球规格不同，这给设备制造商和半导体工厂带来兼容性挑战 [6] - 玻璃独特的电学和热学特性必须与半导体器件精确匹配，兼容性问题涉及不同批次基板之间以及基板与器件之间的配合 [6] - 玻璃基板将应用于最先进的场景（如芯片级封装、3D-IC），但更难处理，光刻工具利用最大化是当前重大挑战之一 [6]

玻璃基板的技术优势与市场驱动力 - 玻璃基板具有超低凹凸度、更好的热稳定性和机械稳定性，比树脂基板更耐用、更稳定，可实现更高的互连密度，适用于AI和数据中心等数据密集型工作负载 [2] - 玻璃基板比传统基板翘曲更小，更容易实现精确的电路，并可形成大量铜通道，从而实现高功率效率，使半导体速度提升高达40%，同时功耗降低一半 [5][7] - 高性能计算和人工智能的发展导致芯片间数据传输量爆炸式增长，是推动玻璃基板技术发展的核心驱动力 [5] 三星电机的玻璃基板战略布局 - 三星电机正构建半导体玻璃基板生态系统，计划与供应商和技术合作伙伴成立联盟，以降低风险、强化价值链并促进技术进步 [4] - 公司准备于第二季度在其世宗工厂启动玻璃基板试生产线，目标在2027年后实现量产，并计划今年向客户提供原型机 [4][8] - 三星电机不仅瞄准主基板“玻璃芯”市场，也瞄准连接GPU和HBM的核心基板“玻璃中介层”市场 [5] SKC与Absolics的领先地位与进展 - SKC股价从1月2日的109,700韩元上涨至158,400韩元，涨幅达44.4%，市场预期由其玻璃基板商业化推动 [6] - 通过合资公司Absolics，SKC在佐治亚州建成全球首个玻璃基板量产工厂，并获得美国政府7500万美元生产补贴和1亿美元研发补助 [7] - 分析师认为Absolics凭借研发能力、专利数量、量产能力和潜在客户群，技术领先竞争对手三年多，计划在今年年底前开始大规模生产 [8] 其他行业巨头的参与与规划 - 英特尔承诺投资1.3万亿韩元（约9.431亿美元）实现玻璃基板大规模商业化，目标在2030年实现，目前已投资10亿美元用于开发 [2][7] - LG Innotek正在其龟尾工厂建立试验生产线，计划今年开始小规模生产原型，预计玻璃基板在未来两到三年内将广泛应用于通信半导体，五年左右成为服务器半导体主流解决方案 [8] - 英特尔、AMD和博通已宣布计划在其下一代芯片中采用玻璃基板 [7] 玻璃基板商业化面临的挑战 - 玻璃基板应用面临缺乏统一尺寸、厚度和特性标准的障碍，这给设备制造商和半导体工厂带来兼容性挑战 [10] - 玻璃独特的电学和热学特性必须与半导体器件的特性进行精确匹配，增加了技术难度 [10] - 随着先进封装技术发展，光刻工具需实现小于2µm的线距，对材料承受严格加工条件的能力提出更高要求 [10]

三星德州泰勒工厂投产计划 - 公司否认推迟泰勒工厂投产时间表的传闻 坚持原定2026年投产计划[1][2] - 工厂选址意义重大 将提升半导体解决方案生产能力 支持5G AI HPC等下一代技术[1] - 计划在奥斯汀和泰勒两市创造1万个就业岗位 为当地带来数千个新岗位和培训机会[1][2] 工厂技术挑战 - 此前报道称公司因2nm工艺良率问题从工厂撤出人员 但否认与员工数量有限有关[2] - 下一代工艺节点面临困境 目前不清楚工厂是否能实现2nm晶圆生产[2] 工厂战略意义 - 投资将增强全球半导体供应链稳定性 提升制造能力以满足客户需求[1] - 与奥斯汀现有基地协同 为德州中部居民创造长期发展机遇[2] 行业关注点 - 媒体持续关注工厂进展 未来数月将更新2nm工艺动态[2] - 工厂被视为可能改变半导体产业格局的关键项目[1][2]

编译 | 王涵 编辑 | 漠影 智东西4月16日消息，全球人工智能芯片巨头英伟达（Nvidia）官方在15日早些时候表示，在美国政府限制其H20人工智能芯片对中国的出口 后，公司或将承担55亿美元（约合人民币403亿元）的损失。 看来英伟达CEO黄仁勋在海湖庄园的斡旋，只给他争取了7天时间。 ▲英伟达公布文件部分截图 本周二的英伟达向美国证券交易委员会（SEC）提交8-k文件中详细披露了事件经过： 4月9日，美国政府通知英伟达，要求公司在向中国（包括香港和澳门）以及D:5国家出口其H20集成电路芯片时，必须申请许可。即便是向总 部或母公司位于上述地区的企业出售此类芯片，也同样需获得美方特别许可。 本周一（4月14日），美国政府进一步通知英伟达，这一出口许可要求将"在未来无限期内有效"。 美国特朗普政府给出的理由是：许可要求是为了应对相关产品可能被用于或转用于中国超级计算机的风险。 外媒评论这是华盛顿与中国的科技之战的升级。 美国一直试图在全球科技竞争中保持绝对领先，尤其是在人工智能、高性能计算等前沿领域。 而中国近年来在超级计算机技术方面的突飞猛进，已然引起了美国的警惕。 无党派智库进步研究所（Institu ...

华天科技2024年年报及技术进展 - 公司持续进行先进封装技术和产品的研发及量产工作 重点推进Chiplet 汽车电子 板级封装平台相关技术研发 并完成2 5D产线建设和设备调试 [1] - 2 5D封装技术应用于人工智能 大数据 高性能计算等高端产品 目标为提高市场份额 研发项目为"基于Si Interposer的2 5D封装技术研发" [1] - 2025年经营计划包括加强AI XPU 存储器及汽车电子相关产品开发 推进2 5D平台技术成熟转化 布局CPO封装技术 [1] 长电科技2 5D封装技术布局 - 公司XDFOI®Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已进入稳定量产阶段 涵盖2D 2 5D 3D集成技术 实现芯片成品集成与测试一体化 [2] - 2023年研发投入集中在高性能运算2 5D先进封装 射频SiP/AiP 汽车电子等新兴高增长市场 [2] 通富微电技术路线差异 - 公司2023年年报中无2 5D封装相关研发项目 但2024年对大尺寸多芯片Chiplet封装技术升级 开发Corner fill CPB等新工艺提升芯片可靠性 [3] 行业技术竞争格局 - 华天科技与长电科技均重点投入高性能计算2 5D先进封装 前者完成产线建设 后者实现量产技术多样化 [1][2] - 通富微电技术路线侧重大尺寸多芯片Chiplet封装 与两家头部厂商形成差异化竞争 [3]

HBM技术发展现状 - SK海力士在GTC 2025展出了用于AI服务器的12层HBM3E设备，并透露已完成2025年下半年量产的准备工作[1] - 美光科技表示其HBM芯片在AI和HPC应用需求非常强劲，2025年HBM芯片已售罄[1] - HBM采用3D结构将DRAM芯片垂直堆叠在逻辑芯片顶部，利用TSV等先进封装技术，适合HPC/AI工作负载[3] - HBM可同时处理GPU或AI加速器中各核心的多内存需求，支持并行处理，是消除AI工作负载内存瓶颈的主要手段[3] 主要厂商动态 - SK海力士表示由于内存产品需求强劲及HBM4样品提前交付，前景光明[5] - SK海力士即将完成2026年HBM销售谈判，预计明年所有HBM产品将在出厂前售出[5] - SK海力士已出货12层HBM4首批样品，目标2025年下半年完成量产准备[6] - 12层HBM4设计数据处理速度超2TB/s，比HBM3E快60%以上[6] 市场需求与预测 - 近期订单激增，厂商希望赶在美国对进口半导体加征关税前完成订单[5] - SK海力士预计HBM销售将出现"爆炸式"增长[6] - IDTechEx预测到2035年HBM销量将比2024年增长15倍[7] - HBM作为突破AI处理器内存障碍的技术，预计2025年后需求将持续[9] 技术演进趋势 - 当前HBM3E使用微凸块和底部填充热压缩集成DRAM芯片[7] - 主要厂商正向HBM4过渡，采用混合键合和Cu-Cu键合等先进封装技术[7] - 新一代技术将实现更高I/O能力、更低功耗、更好散热和更小电极尺寸[7]