大宗交易概况 - 2025年11月20日，天岳先进发生大宗交易，总成交量183.76万股，总成交金额1.29亿元，占该股当日总成交额的9.39% [1] - 本次大宗交易的成交价格为每股70元，较当日市场收盘价79.98元折价12.48% [1] 交易明细分析 - 当日共发生多笔大宗交易，单笔成交金额从280万元至5600万元不等 [2] - 多笔交易的买方营业部显示为“机构专用”，表明有机构投资者在接盘 [2] - 成交价格统一为70元，显示交易各方对此次大宗交易的定价达成一致 [2]

半导体板块整体表现 - 2023年11月20日，半导体板块整体下跌1.24%，表现弱于大盘，当日上证指数下跌0.4%，深证成指下跌0.76% [1] - 板块内资金流向分化，主力资金净流出55.4亿元，而游资和散户资金分别净流入20.1亿元和35.3亿元 [2] 领涨个股及资金情况 - 大为股份(002213)领涨板块，单日涨幅为10.00%，收盘价36.64元，成交金额为19.61亿元 [1] - 天岳先进(688234)涨幅5.77%，收盘价79.98元，获得主力资金净流入6840.84万元，净占比5.51% [1][3] - 宏微科技(688711)涨幅5.12%，收盘价23.59元，主力资金净流入3847.29万元，净占比高达13.04% [1][3] - 航宇微(300053)涨幅2.01%，主力资金净流入4078.08万元，净占比7.92% [1][3] 领跌个股情况 - 艾森股份为板块领跌股 [1] - 文森股份(688720)跌幅6.29%，收盘价54.65元 [2] - 德明利(001309)跌幅6.16%，收盘价247.46元 [2] - 神工股份(688233)跌幅5.99%，收盘价66.33元 [2] - 中微公司(688012)跌幅5.01%，收盘价283.55元，成交金额32.87亿元 [2] 个股资金流向亮点 - 大港股份(002077)获得主力资金净流入9334.85万元，净占比5.70% [3] - 紫光国微(002049)获得主力资金净流入7174.08万元，净占比6.89% [3] - 赛微电子(300456)同时登上涨幅榜和资金流入榜，涨幅1.59%，主力资金净流入7355.10万元 [1][3]

行业技术趋势 - 英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，预计最晚将在2027年导入 [1] - 采用12英寸碳化硅作为中介层材料，能显著提升散热效率、提高集成密度，并能缩小封装尺寸、降低成本 [1] 公司产品与技术 - 公司已推出12英寸全系列衬底，包括半绝缘、导电P型和导电N型 [1] - 公司已关注到行业关于采用12英寸碳化硅衬底的相关信息 [1]

公司股价表现 - 天岳先进盘中涨幅超过8%，截至发稿时上涨5.79%，报53港元 [1] - 成交额达到1.51亿港元 [1] 行业需求前景 - 英伟达新一代GPU芯片的先进封装环节计划采用12英寸碳化硅衬底，预计最晚于2027年导入 [1] - 解决CoWoS封装散热问题是AI算力芯片发展的重要课题，若将Interposer替换为碳化硅，按CoWoS在2028年后35%的复合增长率和70%的替换率推演，2030年将需要超过230万片12英寸碳化硅衬底 [1] - 2030年230万片12英寸碳化硅衬底需求等效约为920万片6英寸衬底，远超当前产能供给 [1] 公司技术进展与业务动态 - 天岳先进作为碳化硅半导体材料行业领军企业，已实现全系列12英寸碳化硅衬底的技术攻关 [1] - 公司已发布全系列12英寸碳化硅产品矩阵，包括12英寸导电性、半绝缘型及P型碳化硅衬底 [1] - 公司目前正与下游客户积极对接，并已获得全球头部客户的多个12英寸碳化硅产品订单 [1]

公司股价表现 - 天岳先进盘中涨超8%，截至发稿涨5.79%，报53港元，成交额1.51亿港元 [1] 行业需求前景 - 英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入 [1] - 解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题，如CoWoS未来将Interposer替换为SiC [1] - 按CoWoS 28年后35%复合增长率和70%替换SiC来推演，则30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万片6吋，远超当前产能供给 [1] 公司技术进展与订单 - 天岳先进目前已实现全系列12英寸碳化硅衬底的技术攻关，把碳化硅衬底行业带入12英寸时代 [1] - 公司已经发布了全系列12英寸碳化硅产品矩阵，包括12英寸导电性碳化硅衬底、12英寸半绝缘型碳化硅衬底以及12英寸P型碳化硅衬底 [1] - 公司已经与下游客户积极对接中，并已取得相关全球头部客户的多个12英寸SiC产品订单 [1]

文章核心观点 - 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其高耐压、高热导率和低开关损耗等特性，在新能源汽车、光储充、AI数据中心、AR眼镜等新兴领域应用前景广阔，市场处于高速成长期 [2] - 国内碳化硅需求在新能源产业链带动下整体向好，同时受益于AI服务器电源、芯片封装散热、AR眼镜等新增长极的需求爆发，市场空间巨大 [2] - 碳化硅器件国产替代空间广阔，国内企业在衬底等环节已取得突破，但器件市场仍由国际巨头主导，产业链垂直整合的公司发展潜力更大 [117][124][126] 碳化硅概述 - 半导体材料发展历经三代：第一代以硅和锗为主，应用于大规模集成电路；第二代以砷化镓和磷化铟为代表，适用于高频高速环境；第三代以氮化镓和碳化硅为核心，满足高功率、高电压、高频率需求 [6][10][12] - 碳化硅性能优势显著：禁带宽度为3.26eV，是硅的3倍；击穿电场为3MV/cm，是硅的10倍；热导率高达490W/m·K，远高于硅的约150W/m·K [19][26] - 碳化硅适用于高温高压场景，耐压可达1200V以上，可在175℃以上稳定工作，主要应用于电动汽车主驱逆变器、光伏、轨道交通等 [16] 碳化硅应用范围 - **新能源汽车逆变器**：800V高压平台车型加速普及，对逆变器耐压等级要求从650V提升至1200V以上，SiC MOSFET凭借高频低损耗特性成为主流选择，2024年上半年我国新能源汽车碳化硅模块装机量占总功率模块比例超过10%，预计2025年渗透率将达20%以上 [23][29][38] - **工程车电动化**：政策推动下工程车电动化提速，电动装载机10年使用寿命可节省256万元，碳化硅器件通过提升效率、缩小系统体积解决核心痛点，电动取力器（ePTO）为新兴蓝海市场 [40][42] - **光储充领域**：政策要求到2027年大功率充电设施（250kW）超10万台，碳化硅充电桩输出功率较硅基提升30%，损耗减少50%，运营充电桩首年可节省电费4.7万元；光伏领域SiC模块可将逆变器效率提升至98.7%，单日收益提升8.2元 [44][48][55] - **家电、轨交、电网等领域**：碳化硅在家电空调中装机量已突破100万台；轨道交通全碳化硅永磁直驱牵引系统节能10%-20%；电网配网环节SiC器件可减少串联数量3/4，降低能耗 [64][65][70] 碳化硅新增长极 - **芯片封装散热**：英伟达GPU芯片功率从H200的700W提升至B300的1400W，CoWoS封装散热要求提高，碳化硅热导率是硅的2-3倍，可作为中介层或散热载板理想材料，大幅优化封装尺寸 [73][77][80] - **AI数据中心**：全球数据中心市场规模预计从2024年的319.53亿美元增长至2035年的987.68亿美元，SiC应用于UPS与服务器电源，可降低功率损失高达70%，英伟达计划2027年向800V HVDC数据中心过渡，推动SiC需求激增 [87][92][96] - **AR眼镜**：碳化硅作为光波导基材折射率达2.6，支持80°视场角，镜片重量仅2.685g，热导率490W/mK，Meta Orion AR眼镜已验证其可行性，2025年全球AR眼镜销量预计达85万台，2030年AI眼镜出货量有望达8000万副 [99][102][115] 碳化硅市场空间 - 全球碳化硅功率半导体器件市场规模将从2024年的32.4亿美元增长至2030年的197.45亿美元，复合增长率达35.2%，渗透率从2023年的5.8%提升至2030年的22.6% [107][111] - 800V纯电动车出货量占全部纯电动车近10%，预计2030年提升至30%，汽车领域超90%的SiC用于主牵引逆变器 [113] 碳化硅国产替代情况 - 2024年意法半导体、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆五家企业合计占据碳化硅器件市场83%份额，国产替代空间广阔 [117] - 国内企业如芯联集成2024年碳化硅器件收入达1.4亿美元，同比增长188%，增速远高于海外企业 [122] - 全球碳化硅产业链投资规模持续扩大，国内投资额约80亿美元，国内设备公司受益于产能扩张 [124] 碳化硅相关公司 - **天岳先进**：已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，设计年产能超40万片，产品应用于电动汽车、AI数据中心及光伏系统，获得英飞凌、博世等国际客户合作 [129][130] - **三安光电**：碳化硅业务为核心战略，湖南基地具备6英寸产能1.6万片/月，8英寸衬底产能1000片/月，与意法半导体、理想汽车等合作项目已通线 [131][132] - **晶盛机电**：12英寸碳化硅衬底加工中试线实现全线设备自主研发和100%国产化，核心设备性能达行业领先水平 [135]

板块表现 - 半导体板块强势反攻，北方华创涨7%，芯源微涨6%，寒武纪涨2% [1] - 科创半导体ETF涨3.19%，芯片ETF涨2.21% [1] 行业动态与价格趋势 - 三星11月部分内存芯片价格环比上调30%-60% [2] - 中芯国际表示存储行业供应存在缺口，预计高价位态势将持续 [2] - SK海力士加快设备投资进度，最快2025年11月开始为12层HBM4订购设备，预计2026年初设备陆续进场 [2] - 长江存储在武汉新建第三座工厂，预计2027年投产，同时提升第二座工厂产能 [2] 市场观点与投资逻辑 - 人工智能推动半导体周期向上，从设计、制造到封装测试以及上游设备材料端均受益 [2] - 建议关注半导体全产业链 [2] 相关产品信息 - 科创半导体ETF(588170)涨3.19%，聚焦科创板半导体国产替代设备与材料，成份股涵盖中微公司、拓荆科技、华海清科、沪硅产业、天岳先进 [3] - 芯片ETF(159995)涨2.27%，为全市场规模最大的芯片行业ETF，最新规模高达279亿元，近10日合计净流入9.07亿元，覆盖芯片全产业链，权重股包括中芯国际、寒武纪、长电科技、北方华创等龙头股 [3]

当日大宗交易概况 - 11月17日大宗交易平台共发生3笔成交，合计成交量43.90万股，成交金额3178.80万元 [1] - 3笔交易的成交价格均为72.41元，相对当日收盘价80.45元折价9.99% [1] - 机构专用席位出现在其中2笔交易的买方或卖方，合计成交金额2968.81万元，净买入2968.81万元 [1] 近期市场表现与资金流向 - 当日公司收盘价为80.45元，上涨5.49%，日换手率为3.20%，成交额为10.80亿元 [2] - 当日主力资金净流入4410.55万元，近5日该股累计上涨15.71%，近5日资金合计净流入2.70亿元 [2] - 近3个月内该股累计发生19笔大宗交易，合计成交金额为2.20亿元 [2] 融资交易情况 - 公司最新融资余额为9.58亿元，近5日增加1207.85万元，增幅为1.28% [2] 详细交易数据 - 第一笔成交30.00万股，金额2172.30万元，买方为机构专用，卖方为招商证券北京建国路营业部 [3] - 第二笔成交11.00万股，金额796.51万元，买方为机构专用，卖方为招商证券北京建国路营业部 [3] - 第三笔成交2.90万股，金额209.99万元，买方为国投证券河源分公司，卖方为招商证券北京建国路营业部 [3]

公司股价与交易表现 - 11月17日公司股价收于80.45元，单日上涨5.49% [1] - 当日发生3笔大宗交易，合计成交量43.9万股，成交总金额3178.8万元 [1] - 3笔大宗交易成交价格均为72.41元，相对当日收盘价均出现9.99%的折价 [1] - 近3个月内公司累计发生19笔大宗交易，合计成交金额达2.2亿元 [1] 资金流向与近期走势 - 公司股票近5个交易日累计上涨15.71% [1] - 近5个交易日主力资金合计净流入2.75亿元 [1] - 在当日大宗交易中，有两笔交易的买方为机构专用席位，合计买入41万股，金额2968.81万元 [1]

大宗交易概况 - 2025年11月17日，天岳先进发生大宗交易，成交43.9万股，成交总额3178.8万元，占该股当日总成交额的2.86% [1] - 本次大宗交易成交价为72.41元，较当日市场收盘价80.45元折价9.99% [1] 交易明细分析 - 当日共发生三笔大宗交易，成交价格均为72.41元 [2] - 第一笔成交30万股，金额2172.3万元，买入方为机构专用席位 [2] - 第二笔成交11万股，金额796.51万元，买入方同样为机构专用席位 [2] - 第三笔成交2.9万股，金额209.99万元，买入方为国投证券股份有限公司河源分公司 [2]