权益变动情况 - 因发行H股行使超额配售权，国材基金持股被动稀释及主动减持[4][7][8] - 变动后持股数量38,173,994股，比例降至7.88%[4][5][7] - 变动前持股数量38,673,994股，比例8.10%[7] 其他要点 - 2025年9月17日收到告知函，不触及要约收购[4][7] - 不导致控股股东及实控人变化，减持计划未实施完毕[4][8]

投资评级 - 行业投资评级为优于大市（维持）[2] 核心观点 - 功率半导体行业业绩回暖 收入与盈利能力逐步修复改善 汽车与数据中心仍为主要增长方向[4] - 行业步入改善阶段 整体利润为近8个季度新高 市场份额持续做大[6] - 需求端数据中心 新能源汽车保持加速增长 汽车智能化与功率段持续提升带来功率器件用量增长[6] - 汽车中低压功率器件国产替代空间仍大 汽车仍为最主要增量市场[6] - 数据中心用电量指数型增加 功率器件需求加速提升 SiC/GaN迎来增量空间[6] - 随着电动化单品红利逐步释放 产业增量主要来自于碳化硅等器件应用在汽车 数据中心打开增量空间[6] - 产能扩展回归理性 结构向BCD工艺等电源管理产品过渡 产品从单一功率半导体逐步向产品解决方案发展[6] - 覆盖市场从国内逐步向海外扩展[6] - 在需求温和复苏背景下 价格企稳 随着头部公司市占率提升整体有望保持稳步增长[6] 功率半导体业绩回顾 - 2Q25行业营收基本实现同环比增长 收入体量进一步提升[7] - 工控与消费等传统应用领域保持平稳 新能源汽车应用仍为主要增长领域 服务器电源需求增速最快[7] - 中低压功率器件如MOS 二极管等在国产份额提升 汽车智能化及整车增长推动下加速渗透[7] - 高压超结MOS及IGBT基本进入同比低基数改善阶段 二季度光伏抢装拉动营收 数据中心功耗增加带动MOS需求增长[7] - 整体功率公司基本实现同环比增长 营收持续增加对应国产市场份额持续提升[7] - 功率公司利润端进入改善阶段 整体利润为过去8个季度新高[14] - 二季度随着行业需求回暖 受益于汽车 算力等高门槛市场渗透率提升 价格基本稳定 行业盈利情况持续改善[14] - 中低压器件延续稳定态势 扬杰科技 捷捷微电实现同环比增长[14] - 高压器件随价格企稳 需求增加 相关厂商斯达半导 东微半导实现同环比增长[14] - 回顾过去两年 行业经历了需求调整 供给释放带来价格竞争 整体利润水平下降[14] - 进入2025年 需求改善 由供给带来的价格竞争逐步放缓 头部厂商份额持续增加 头部厂商利润走向改善[14] - 行业各公司毛利率与存货周转天数基本保持改善[20] - 剔除产品结构 折旧等因素影响各公司毛利率基本保持稳定[20] - 库存端 行业存货水位保持健康 随需求回暖 部分公司周转加快[20] - 当前行业企稳明确 产品价格逐步稳定 消费 工业等基本盘平稳 汽车 算力相关应用打开增量市场 行业走向回暖[20] 新能源汽车领域 - 我国7月新能源汽车单月销量126万辆(YoY+27.4% MoM-5.0%) 产量124万辆(YoY+26.3% MoM-2.0%) 单月新能源车渗透率为48.7%[5] - 我国新能源汽车峰值功率200kW以上的主驱占比由22年的9%提升至25年1-7月的25% 100kW以下的低功率车型占比由22年的26%降低至22%[33] - 电驱最高峰值功率由22年255kW升至25年7月的580kW[33] - 我国25年1-7月新能源上险乘用车主驱模块中SiC MOSFET占比为17.9%[36] - SiC MOSFET模块电控搭载量占比由22年10.2%增加至25年1-7月的17.9%[36] - Si MOSFET电控搭载量占比由22年12.2%下降至至25年1-7月的1.4%[36] - 我国25年1-7月新能源上险乘用车主驱模块中IGBT模块国产供应商占比约87.0%[36] - 主驱IGBT模块主力厂商芯联集成 时代电气 士兰微 斯达半导领先优势逐步确立 海外厂商份额逐步下降[5] - 25年1-7月比亚迪半导体累计主驱电控搭载量约占24.6% 时代电气占16.0% 芯联集成约占10.2% 斯达半导占10.8% 士兰微约占14.1% 宏微科技约占2.8%[36] - 800V车型中碳化硅车型渗透率由23年20%不到增至25年1-7月的76% 而目前800V车型渗透率尚未超过15%[40] - 25年1-7月碳化硅车型中10-18万车型占比提升至8.1% 25万以下车型占比超43%[47] 数据中心应用 - 预计未来五年全球服务器市场复合年增长率为18.5%[62] - 加速服务器需求增长和非加速服务器的强劲复苏将推动市场规模在2029年达到5920亿美元[62] - 北美大型CSP仍是AI Server需求同步增长[62] - 随着中国CSP厂商进入资本开支扩张期 国内市场有望复制北美数据中心增长路径[62] - 随着数据中心扩建 电源需求指数型增加 有望带动功率器件[62] - SiC GaN加速渗透[59] 新能源发电与光储应用 - 8月20kW 50kW 110kW光伏逆变器价格保持稳定[71] - 8月逆变器出口台数为548万台 同比+31% 环比-1%[71] - 8月出口金额为8.88亿美元 同比+20% 环比+9%[71] - 随着高功率逆变器占比提升单价有所修复[71] - 国内储能从强制配走向市场化 海外大储需求走强 功率器件同步受益[5] - 25年8月国内储能招标同环比超预期[71] - 根据CESA统计 1H25中国企业新获海外储能订单/合作规模同比增长220.28% 大储需求旺盛[71] 交期与价格跟踪 - 库存回归健康水位 海外厂商产品交期拉长 价格逐步企稳 行业陆续走向改善期[5] - 根据TTI 除部分IGBT产品外 大部分品类产品近半年交期稳定 供给端基本触底企稳[77] - 低压MOSFET 高压MOSFET产品 小信号晶体管及小信号二极管基本保持稳定[77] - 2Q25后海外厂商产品交期逐步拉长[77] - 随着下游库存去化基本完成 补库需求带来市场温和复苏[77] 投资建议 - 建议关注相关公司扬杰科技 新洁能 华润微 士兰微 东微半导 斯达半导 捷捷微电 芯联集成 华虹半导体在新器件 新工艺及新市场的拓展[6] - 碳化硅下游加速渗透 衬底进入6英寸向8英寸转换阶段 头部衬底企业有望受益 建议关注产业上游的天岳先进等公司[6]

资金管理 - 公司面临资金来源、使用及评估等方面问题[12] - 公司存在资金分配、使用效率等管理问题[12] - 公司资金受市场环境、政策等因素影响[12] - 公司涉及短期、长期等不同类型资金管理[12] - 公司资金管理与业务运营、项目投资等业务相关[12] - 公司资金管理面临资金短缺、资金风险等挑战[12] - 公司资金管理需考虑成本、收益等因素[12] - 公司资金管理与投资、融资等决策相关[12] - 公司资金管理需团队合作分享洞察[12] - 公司资金管理需编写和展示深度研究报告[12] 公司优势与业务情况 - 公司是某类别独特参与者，具备特定优势[17] - 公司拥有特定产品和服务，具有相应竞争力[18] - 公司某指标与某类别公司表现相关[19] - 公司在某方面业务具备一定市场份额[19] - 公司某业务与特定市场趋势相契合[19] - 公司在某领域投入带来相应成果[19] - 公司某业务有特定客户群体和市场需求[19] - 公司某方面发展策略取得一定成效[20] - 公司某业务面临特定机遇和挑战[20] - 公司在某市场表现与特定因素相关[20] 指标数据 - 某指标数值为6+[1]

股份数据 - 2025年8月31日已发行股份（不含库存）47,745,700，总数47,745,700[3] - 2025年9月17日因行使超额配股权增加7,161,800，占比15%，每股42.8港元[3] - 2025年9月17日结束时，已发行股份（不含库存）54,907,500，总数54,907,500[3] 其他 - 公司确认股份发行获董事会授权批准，依规进行[4]

公司于2025年9月17日根据悉数行使超额配股权发行及配发716.18万股H股股份[1]

公司股份变动 - 天岳先进于2025年9月17日根据悉数行使超额配股权发行及配发716.18万股H股股份 [1]

碳化硅材料优势与应用前景 - 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有耐高温、耐高压和高频特性，性能显著优于传统硅基器件，已广泛应用于新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域 [1] - 随着AI算力指数级增长，碳化硅成为破解高功耗芯片散热难题的核心材料，支撑数据中心能效升级，产业链上游及技术领先企业将长期受益 [1] AI算力爆发与散热解决方案 - AI芯片功耗持续突破上限：英伟达H100 GPU功耗达700W，下一代Rubin处理器预计突破1000W [2] - 传统硅中介层热导率仅150W/mK，热膨胀系数4.2ppm/℃，导致散热效率低下，引发芯片性能降频和可靠性下降 [2] - 碳化硅热导率达490W/mK（为硅的3倍以上），热膨胀系数4.3ppm/℃，与芯片材料高度契合，保障封装稳定性 [4] - 采用SiC中介层后，H100芯片工作温度从95℃降至75℃，散热成本降低30%，芯片寿命延长2倍，互连距离缩短50%，数据传输速度提升20% [4] 技术发展时间线 - 2025-2026年第一代Rubin GPU仍沿用硅中介层，台积电同步推进SiC封装工艺研发 [6] - 2027年起SiC中介层正式导入CoWoS封装，初期产能预计满足10%的高端GPU需求 [6] 数据中心能源体系升级 - AI服务器电力消耗将增长近100倍，传统54V供电架构无法支撑G瓦级AI算力负载 [7] - 英伟达计划2027年全面量产800V高压直流数据中心架构，采用SiC器件后铜材使用量减少45% [7] - 每10MW规模数据中心年均节电120万度，电费节省超10万美元，显著提升能源利用效率 [7] 碳化硅在数据中心的具体应用 - 服务器电源采用碳化硅MOSFET和二极管，使数据中心功耗降低20%以上 [8] - 不间断电源采用碳化硅器件支持更高功率密度和转换效率，提高AI服务器稳定性 [8] - 高压直流供电采用碳化硅功率器件支持400V-1000V电压，减少转换损耗 [8] - GPU/TPU电源管理采用碳化硅功率器件降低开关损耗，减少热量积累，提高计算性能 [8] - 电压调节模块采用碳化硅MOSFET提高功率转换效率，使AI推理和训练更稳定 [8] - 液冷/风冷系统采用碳化硅器件优化冷却系统能耗 [8] - 储能系统采用碳化硅器件提升BMS和PCS电能管理效率 [8] - 边缘计算设备采用碳化硅电源模块提高功率密度和能效 [8] - 5G基站供电采用碳化硅功率半导体优化AI推理计算能力 [8] - 超级计算机采用碳化硅器件降低开关损耗，提高整体能效 [8] 碳化硅产业链价值分布 - 上游材料环节技术壁垒最高，衬底占器件总成本47%，外延片占比23% [11] 国内碳化硅衬底技术发展 - 国内碳化硅衬底市场正经历6英寸主导→8英寸替代→12英寸探索的技术跃迁 [12] - 6英寸衬底2024年占衬底总出货量70%以上，价格从2022年5000元/片降至2024年2500-2800元/片 [12] - 8英寸衬底国内70%以上车规级MOSFET采用该规格，2024年车规领域需求占8英寸衬底应用60% [12] - 12英寸衬底可适配AI数据中心与新能源汽车下一代平台，比亚迪规划2028年推出基于12英寸衬底的SiC-IGBT模块，目标实现续航提升10%、充电速度加快20% [12] 天岳先进竞争力分析 - 天岳先进国内市占率超50%（稳居第一），全球市占率22.8%（位列第二） [12] - 导电型衬底国内市占率超60%，8英寸及以上产品占主导地位，上海临港基地2024年实现30万片/年8英寸导电型衬底产能 [12] - 半绝缘型衬底国内市占率约40%，主要应用于5G基站与军工雷达，12英寸高纯半绝缘衬底已用于Meta雷鸟X3 Pro AR眼镜 [12] - 2024年11月发布业界首款12英寸碳化硅衬底产品，良率较国内同行高15%，成本低30%，已获梅赛德斯-奔驰、亿航智能等企业订单 [12] 天科合达市场地位与资本动态 - 天科合达2025年国内导电型衬底6英寸市场占比70%（稳居第一），全球市占率17.3% [13] - 8英寸衬底成本仅为国际水平40%，6英寸产品价格较进口低30%-50% [13] - 与华为数字能源、阳光电源合作开发光伏逆变器方案，占国内光伏市场45%份额 [13] - 天富能源直接持有天科合达9.09%股份，大股东天富集团持股11.62%，市场猜测天科合达或借壳天富能源上市 [13] - 2025年8月底天富能源原董事长与原总经理同步辞职，引发为借壳铺路的市场预期 [13] - 若借壳成功，天富能源市值预期达400亿元以上，天科合达2025年目标衬底产能88万片 [14] 晶盛机电技术突破与产能布局 - 晶盛机电实现碳化硅切割、减薄、抛光全链条核心设备国产化替代，支撑衬底加工成本降低30% [16] - 国内主流衬底厂商均采用其SiC单晶炉，8英寸设备交付量占国内新增产能70% [16] - 子公司浙江晶瑞SuperSiC于2025年5月研发出12英寸导电型碳化硅晶体（直径309mm），位错密度达国际主流水平（TSD<10个/cm²，BPD<300个/cm²） [16] - 宁夏56亿元8英寸衬底项目开工，建成后形成60万片/年产能，目标2026年Q2达产 [16] - 被纳入国家大基金三期重点名单，获超20亿元定向投资，用于12英寸设备研发与产能扩张 [16]

股价表现 - 港股天岳先进(02631 HK)股价上涨5 17%至62港元[2] - 成交额达2 7亿港元[2]

股价表现 - 天岳先进股价上涨5.17%至62港元 成交额达2.7亿港元 [1] 港股通纳入 - 上交所和深交所将天岳先进调入港股通标的证券名单 自9月15日起生效 [1] 碳化硅技术应用 - 英伟达计划在新一代Rubin处理器中将CoWoS先进封装的中间基板材料由硅替换为碳化硅 [1] - 碳化硅晶体具有优异导热性能 在散热要求更高的环境中具有应用潜力 可能用于中介层和散热基板环节 [1] - 东方证券建议关注天岳先进等碳化硅相关厂商 [1] 公司产品应用 - 天岳先进的碳化硅衬底可广泛应用于功率半导体器件 射频半导体器件 光波导 TF-SAW滤波器 散热部件等下游产品 [1] - 主要应用行业包括电动汽车 光伏及储能系统 电力电网 轨道交通 通信 AI眼镜 智能手机 半导体激光等 [1] - 碳化硅衬底经客户制成电力电子器件 最终应用于电动汽车 AI数据中心及光伏系统等多领域终端产品 [1]

股价表现与交易情况 - 天岳先进股价上涨5.17%至62港元 成交额达2.7亿港元 [1] 港股通纳入与生效时间 - 上交所及深交所将天岳先进调入港股通标的证券名单 自9月15日起生效 [1] 半导体行业技术趋势 - 英伟达计划在Rubin处理器中将CoWoS先进封装的中间基板材料由硅替换为碳化硅 [1] - 碳化硅晶体因优异导热性能 在散热要求高的环境中具应用潜力 可能用于中介层及散热基板环节 [1] 公司产品应用领域 - 天岳先进碳化硅衬底可应用于功率半导体器件、射频半导体器件、光波导、TF-SAW滤波器及散热部件 [1] - 产品最终应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统、储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜及智能手机等领域 [1]