公司产品线 - 产品包括嵌入式存储、移动存储、固态硬盘、内存条等 [1] - 产品线情况为公开信息 [1] 行业技术发展 - 半导体存储行业持续发生各类相关技术创新 [1] - 公司将持续关注及引领产业技术发展趋势 [1]

行业投资评级 - 报告对HBM行业给予"强于大市"评级 [1] 核心观点 - AI算力需求激增推动HBM市场规模快速增长，预计2026年将达460亿美元，占DRAM市场35% [3][5] - HBM技术持续迭代，从HBM1到HBM3E容量提升36倍，带宽提升9倍 [8][19] - AI服务器渗透率预计2025年达15%以上，带动HBM需求数倍增长 [6][23] 行业概况 - 全球HBM市场呈现寡头垄断格局，SK海力士/三星/美光CR3达100% [6][54] - 存储行业具有3-4年周期性特征，当前处于上行周期 [3] - 每投资1美元算力需配套0.5美元存储，AI发展直接拉动存储需求 [3] 供需格局 需求侧 - AI服务器单机存储容量需求将翻8-16倍 [6] - 北美四大CSP厂商2025年资本开支预计同比+52%至3294亿美元 [6][33] - 2026年AI服务器出货量预计达251万台，同比增长17.2% [6][32] 供给侧 - 三大原厂2025年HBM产能已全部售罄 [66] - 2025年HBM总位元供给量预计29.5亿GB，同比增长84% [48][67] - 2026年TSV月产能预计达48万片，同比+23% [50][73] 技术演进 - HBM3E 12hi成为当前主流产品，占比超95% [58][60] - HBM4预计2026年下半年成为市场主流 [58] - 堆叠层数从4Hi发展到16Hi，单Die密度从2Gb提升至32Gb [19][20] 价格趋势 - 2025年HBM ASP预计达1.76美元/Gb，同比+17.7% [79] - 高端产品迭代是价格上涨主要驱动力 [79] - 2026年HBM均价预计达1.84美元/Gb [11][79] 竞争格局 - SK海力士2025年市占率预计达52%，保持领先地位 [54][56] - 美光市场份额快速提升，2026年预计达27% [54][66] - 国内长鑫存储计划2026年量产HBM3 [55] 投资机会 - AI服务器存储价值量提升显著，HBM单机价值达1.8万美元 [3][6] - 存储产业链国产替代加速，重点关注关键材料及设备企业 [15] - NAND/DRAM价格预计延续上涨趋势，25Q3涨幅5-20% [17]

财务表现 - 上半年营业总收入6.59亿元 同比增长18.46% [1] - 期间费用率从上年同期5.53%降至3.55% 销售和管理费用同比下降 [3] - 资产负债率降至21.54% 较期初下降5.42个百分点 [3] 半导体存储业务 - 半导体存储业务营收6.08亿元 同比增长40.77% 占总营收比重92.16% [1] - LPDDR4X产品打入国内运营商供应体系 出货量逐月显著增长 [1] - 大容量eMMC产品实现稳定交付 LPDDR5产品完成主流SoC平台认证进入试产阶段 [1] - 采用长江存储NAND方案与长鑫存储DRAM方案 加速利基市场国际品牌替代 [1] - DDR4/LPDDR4X芯片通过飞腾等国产CPU平台认证 覆盖高端工业和AIoT领域 [2] 新能源与锂电业务 - 郴州锂电项目累计投入15024.10万元 探明长石矿20953.3万吨伴生锂32.37万吨 [2] - 创新联合工艺实现锂精矿高效回收 同时产出光伏级高纯石英与长石粉 [2] - 碳酸锂业务通过双渠道采购与金融对冲 上半年实现营收904.25万元 [2] 汽车业务 - 汽车业务营收3245.28万元 延续增长态势 [3] - 电涡流缓速器与液力缓速器稳固宇通客车等头部客户 贡献超60%销量 [3] - 在新能源客车领域完成批量供货 海外市场获头部主机厂订单并拓展至特种车辆 [3] - EC13/V3.0控制器完成试制 EC16控制器国产化芯片替代使信号传输效率提升30% [3] 战略规划 - 未来聚焦高端存储 新能源汽车 锂电资源综合利用三大高增长赛道 [3] - 深化与三星 SK海力士国际厂商合作 加强长江存储 长鑫存储等本土企业合作 [1] - 通过提前锁定铜价 优化库存管理对冲原材料价格波动 [3]

公司业务合作 - 公司与全球主要晶圆原厂建立长期稳定紧密的业务合作关系 [1] 存货运营效率 - 公司存货运营效率处于业内较为优秀的水平 [1] 研发投入与创新 - 公司持续关注半导体存储创新机会并投入研发资源 [1] - 新产品开发计划以公司相关公告披露信息为准 [1]

行业市场规模与增长 - 2025年二季度全球DRAM市场规模达321.01亿美元 环比增长20%创历史季度新高 [1] - AI驱动HBM3E和高容量DDR5等高价值DRAM需求持续增长 [1] - 存储原厂二季度EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升 [1] 长期发展趋势与技术方向 - DRAM市场在AI和云计算驱动下长期增长确定性强 [1] - 全球DRAM市场规模2030年有望突破1.5万亿美元 [1] - 中国DRAM市场2030年规模预计达4150亿元人民币 [1] - HBM DDR5渗透和3D架构创新成为技术发展主线 [1] 本土企业发展机遇 - 国家产业扶持政策 税收优惠及补贴措施推动本土DRAM企业发展 [1] - 供应链安全考量促使终端厂商采用国产+国际双源供应策略 [1] - 本土厂商有望逐步提升市场份额 [1]

DRAM市场规模与增长 - 2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321 01亿美元 创历史季度新高 [1] - 增长驱动因素包括AI驱动的HBM3E和高容量DDR5需求增长 以及传统DDR4/LPDDR4X因EOL通知导致的价格与需求攀升 [1] - 2030年全球DRAM市场规模有望突破1 5万亿美元 中国市场预计达4150亿元人民币 [1] 技术发展趋势 - HBM DDR5渗透和3D架构创新将成为DRAM行业技术主线 [1] 本土厂商机遇 - 国家产业扶持政策 税收优惠及补贴措施推动本土DRAM企业发展 [1] - 供应链安全考量促使终端厂商采用"国产+国际"双源供应策略 为本土厂商提供市场份额提升机会 [1] A股相关概念股 - 深科技 兆易创新等公司为A股DRAM概念股 [2]

HBM市场动态 - HBM定价环境快速变化 2026年将出现重大份额转移和竞争加剧[1] - HBM3E 12hi合约定价谈判区间为每立方440美元左右(1.69美元/Gb) 尚未最终确定[3] - HBM4定价敲定在590-600美元区间(2.3-2.34美元/Gb) 但不太可能是全年承诺合同[3] - 若三星通过HBM4资格认证 定价将面临进一步折扣压力 季度谈判模式可能成为常态[3] - SK海力士在英伟达市场份额将从2025年85-90%下降至2026年50%以上[4] - 三星已向主要客户发送HBM4早期样品 预计8月底前向英伟达提交最终产品[4] - 三星1c制程工艺爬坡顺利 良率显著改善 为打破SK海力士垄断创造条件[4] 传统DRAM市场 - 第三季度合约定价涨幅收窄 DDR5服务器客户接受2-3%季度环比涨幅[5] - 第四季度合约定价涨幅预计进一步放缓 DDR5价格可能保持平稳[7] - AI需求支撑服务器客户价格实现低至中个位数涨幅[7] - 客户对第三季度DDR5合约5-10%涨价要求表示抵制 交易多在中低个位数水平[7] - 供应商库存相对精简 但客户升级规格并已建立部分库存[7] NAND闪存市场 - 第三季度合约定价环比上涨3-5% 低于市场预期5-10%涨幅[7] - PC客户面临5-10%涨价 智能手机UFS/eMMC基本持平 eSSD需求环比上升3-5%[7] - 第四季度综合ASP预计环比下降0-5% 受PC和智能手机消费需求疲软拖累[10] - 企业级SSD定价预计第四季度上涨0-5%[10] - 企业级SSD强劲需求有望延续至2026年上半年[10] - QLC NAND替代HDD进程可能在2026年下半年加速 Meta引领采用更多企业级SSD[10] - HDD交货周期延长至约一年 服务器客户正寻求近线QLC企业级SSD解决方案[10] 市场趋势与资金流向 - 云服务资本开支数据向好以及关税缓解预期 为HBM收益回归正常创造条件[1] - 美国CPI数据温和推高降息预期 市场资金从AI驱动内存股转向对经济敏感的传统内存板块[1] - 若美联储降息且经济增长预期改善 偏好传统商品内存而非HBM[1][10] - 传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续的增长[1]

HBM技术的重要性与市场地位 - HBM已成为AI革命的核心基础设施 通过垂直堆叠多个内存Die显著提升带宽和数据传输效率 突破传统内存瓶颈 [1] - 与GDDR和LPDDR相比 HBM迭代速度呈飞跃式发展 带宽增长远超历史标准 [1] - 2024年SK海力士占据54%市场份额 三星占39% 美光以7%份额处于追赶地位 [1] 主要厂商技术路线与竞争格局 - SK海力士将HBM定位为"近内存"结构 通过3D TSV堆叠实现高容量 宽通道并行传输实现高带宽 单位比特能耗低于传统DRAM [2] - SK海力士HBM3E到HBM4带宽提升200% HBM4样品整体优势比前代提升60% 容量达36GB 带宽超2TB/s 能效降低40%多 散热提升4% [2][3] - 三星HBM带宽从2018年HBM2的307GB/s提升至2024年HBM3E的1.17TB/s 预计2026年HBM4达2.048TB/s 2027年HBM4E实现更大容量和更高带宽 [4] - 三星HBM能效从HBM2的6.25 pJ/bit持续下降至HBM3E的4.05 pJ/bit HBM4采用FinFET工艺 预计性能提升200% 面积减少70% 功耗减少50% [5][6] - 美光跳过HBM3直接推出HBM3E 成为英伟达H200 GPU供应商 计划2026年推出HBM4 采用12层堆叠 容量36GB 带宽超2TB/s 能效提升超20% [8][9] HBM制造工艺与技术挑战 - HBM生产需经过前端和后端七大步骤 包括硅刻蚀 TSV铜填充 芯片堆叠和封装等复杂工序 [10] - 核心技术通过前端工艺改进提升带宽和单Die密度 需增加TSV和凸点数量 但Die尺寸增大会导致每GB成本更高 [10] - 三大供应商采用不同堆叠技术：SK海力士使用MR-MUF 三星和美光主要使用TC-NCF [10][11] - 16层堆叠需采用混合键合或TC-NCF技术 Die间隙仅5微米 对核心高度要求严格 [11] - 2026年HBM4和HBM4e可能采用新键合技术 2028年HBM5将以晶圆到晶圆混合键合为主流 [12] 市场前景与增长预测 - 全球HBM收入预计从2024年170亿美元增长至2030年980亿美元 复合年增长率33% [16] - HBM在DRAM市场收益份额从2024年18%扩大至2030年50% [16] - 位出货量从2023年1.5B GB增长至2024年2.8B GB 2030年预计达7.6B GB 占DRAM总出货量10% [16] - 晶圆生产量从2023年216K WPM增长至2024年350K WPM 2030年预计达590K WPM 占DRAM总产量15% [16] - HBM每比特成本是DDR的3倍 HBM4时将增至4倍 但定价达DDR的6倍 HBM4为8倍 毛利率高达70% [16] 行业风险与周期性特征 - 主要供应商产能增加可能导致供应过剩 引发市场修正 增长率将从2024/2025年100%下降至2026年20% [17] - 需警惕库存增长 利润增长放缓 供应突然增加等周期性调整信号 [18][20] - 中国正加大HBM生产本地化力度 凭借AI加速器需求 政府支持和产业网络寻求市场立足点 [18]

HBM技术概述 - HBM已成为AI革命的核心基础设施，通过垂直堆叠内存Die大幅提升带宽和数据传输效率，突破传统内存瓶颈 [2] - 与GDDR和LPDDR相比，HBM迭代速度更快，带宽增长惊人 [2] - 2024年SK海力士和三星合计占据HBM市场90%份额（SK海力士54%，三星39%），美光占7% [2] - HBM4被视为下一代里程碑产品，三大巨头正展开战略性竞赛 [2] 市场竞争格局 SK海力士 - 定位HBM为"近内存"，比传统DRAM更接近计算核心，具有更高带宽和更快响应速度 [4] - HBM4带宽比HBM3E提升200%，整体优势提升60%，容量最高达36GB，带宽超2TB/s，能效提升40% [5] - 采用3D TSV堆叠实现高容量，宽通道并行传输实现高带宽，单位比特传输能耗更低 [4] 三星 - HBM带宽持续提升：HBM2(307GB/s)→HBM2E(461GB/s)→HBM3(819GB/s)→HBM3E(1.17TB/s)→HBM4(2.048TB/s) [6] - HBM4采用FinFET工艺，性能提升200%，面积减少70%，功耗减少50% [8] - 推出HCB混合键合技术，支持堆叠层数提升33%，热阻提升20% [9][10] 美光 - 跳过HBM3直接推出HBM3E，成为英伟达H200 GPU供应商 [11] - HBM4计划2026年推出，带宽从HBM3E的1.2TB/s提升至超2TB/s，能效提升超20% [11] - HBM4采用12层堆叠设计，容量36GB [11] HBM技术演进 - 从HBM2到HBM4E，芯片尺寸不断增加（HBM2 121mm²→HBM4E 156.2mm²），功耗从12W增至42.5W [7] - 能效持续提升：HBM2 6.25pJ/bit→HBM3E 4.05pJ/bit [8] - HBM4容量24Gb，带宽2.4TB/s；HBM4E容量32Gb，带宽3.12TB/s [9] - 从标准HBM向定制HBM发展，集成GPU/ASIC功能以提升性能和降低总拥有成本 [16] 市场前景 - 全球HBM收入预计从2024年170亿美元增至2030年980亿美元，CAGR 33% [19] - HBM在DRAM市场收益份额将从2024年18%增至2030年50% [19] - 位出货量从2023年1.5B GB增至2024年2.8B GB，预计2030年达7.6B GB [19] - 晶圆生产量从2023年216K WPM增至2024年350K WPM，预计2030年达590K WPM [20] - HBM每比特成本是DDR的3倍（HBM4将达4倍），但定价是DDR的6倍（HBM4将达8倍），毛利率达70% [20] 制造工艺 - HBM制造需经过前端和后端七大步骤，包括硅刻蚀、TSV铜填充、芯片堆叠等 [14] - 核心发展策略是通过前端工艺改进提升带宽和单Die密度 [14] - 三大供应商采用不同堆叠技术：SK海力士用MR-MUF，三星和美光用TC-NCF [14] - 2026年HBM4/HBM4E可能采用新键合技术，2028年HBM5将采用晶圆到晶圆混合键合 [16]

财务表现 - 2025年上半年营业收入39.12亿元，同比增长13.70%，其中二季度环比增长53.5% [1] - 归属于上市公司股东的净利润为-2.26亿元，上年同期为2.83亿元，同比下降179.68% [1][2] - 经营活动产生的现金流量净额为-7.01亿元，上年同期为6.50亿元，同比下滑207.79% [1][6] - 2022年至2025年上半年，公司综合毛利率分别为13.73%、1.71%、18.19%和9.07%，呈现波动性 [1] - 二季度销售毛利率环比增长11.7个百分点，6月单月销售毛利率回升至18.61% [2] 业务动态 - 受全球宏观经济环境影响，存储价格从2024年第三季度开始逐季下滑，2025年第一季度达到阶段性低点 [2] - 从2025年第二季度开始，存储价格企稳回升，公司重点项目逐步交付，销售收入和毛利率逐步回升 [2] - 公司持续加大芯片设计、固件设计、新产品开发及先进封测的研发投入力度，研发费用同比增加29.77% [2] - 研发投入占营业收入的比例为6.98%，同比增加0.87个百分点 [2] 客户与市场 - 公司存储产品已进入OPPO、VIVO、传音控股、摩托罗拉、联想、小米、Acer、HP等国内外知名企业供应链 [9] - 在国产PC领域，公司是SSD产品的主力供应商，市占率占据优势 [9] - 在智能穿戴领域，产品已被Meta、Google、小米、小天才等应用于AI/AR眼镜、智能手表等设备 [9] - 在企业级领域，已获得AI服务器厂商、头部互联网厂商以及国内头部OEM厂商的核心供应商资质 [9] - 在智能汽车领域，已向头部车企大批量交付LPDDR和eMMC产品 [9] 战略与投资 - 公司完成定向增发，募集资金净额18.71亿元，用于"惠州佰维先进封测及存储器制造基地扩产建设项目"和"晶圆级先进封测制造项目" [10] - 晶圆级先进封测制造项目预计2025年下半年投产 [10] - 公司拟2000万元—4000万元回购股份，回购价格不超过97.9元/股 [12] 员工激励 - 公司向超400名优秀员工发放股票，总计341.59万股，占公告日股本总额的0.74% [3] - 中国台湾籍和其他外籍人员共11人，获授37.38万股，占该次激励计划授予权益总数的10.94% [3] - 2024年，公司限制性股票激励计划计提股份支付金额为3.38亿元 [3] 存货与现金流 - 2022年至2025年上半年，公司存货账面价值分别为19.54亿元、35.52亿元、35.37亿元和43.82亿元，占资产总额的比例分别为44.30%、56.10%、44.43%和37.92% [7] - 经营性现金流降至负值，主要系公司基于业务成长，针对大客户需求进行备货 [6][7]