核心观点 - 美光科技最新财报及指引远超预期，管理层明确揭示了高带宽内存供不应求、传统存储芯片需求强劲以及资本开支扩张的行业前景，夯实了存储行业超级周期的判断，并点燃了市场热情 [1][2][4] 财务业绩与市场表现 - 2026财年第一财季销售额达136亿美元，同比增长57%，每股收益4.78美元，均超预期 [4] - 对第二财季的营收指引为183亿至191亿美元，远超分析师平均预期的144亿美元，每股盈利指引为8.22至8.62美元，亦远超此前预期的4.71美元 [2] - 财报发布后，公司股价单日收涨超10%，创八个月来最大涨幅，2025年以来股价已飙升近200% [2][7] 高带宽内存业务 - 高带宽内存产品已供不应求至2026年，用于2026年的产能已被客户全部预订一空 [1][4] - 该产品是开发人工智能模型芯片和系统的关键组件，旺盛的AI需求超出供应 [2][4] 传统存储芯片业务 - 面向AI服务器的DRAM芯片营收激增69% [6] - 公司预计2026日历年行业DRAM与NAND需求均将同比增长约20% [7] - DRAM芯片价格较上一季度几近翻倍 [6] - PC厂商戴尔、惠普已预警内存芯片短缺将推高零部件价格 [1][3] 产能与资本开支 - 公司将2026财年资本支出计划从180亿美元上调至200亿美元，以扩张产能满足需求 [1][4] - 公司计划将DRAM与NAND的位元供应量提升20% [7] - 位于博伊西的新工厂将于2027年初提前投产，第二座工厂将于2026年动工，并计划明年在纽约州破土兴建首座工厂 [5] 行业供需与前景 - 管理层认为，从规模和时间跨度看，这是行业25年来经历过的最严重的供需脱节，紧张局面预计将延续至2026年以后 [2][4] - 公司对几家关键客户的需求只能满足约50%到三分之二 [4] - 内存价格上涨势头短期内难以缓解 [4] 华尔街观点 - 摩根士丹利称此次财报可能是除英伟达外美国半导体史上营收和净利超预期幅度最大的一次，将目标价上调至350美元 [5] - 美国银行将2026/27/28财年每股盈利预测大幅上调，并将评级由中性升至买入，目标价上调至300美元 [6] - 多家投行分析师上调目标价并看好公司前景，认为AI基础设施建设至少还会持续一至两年，每股盈利预期仍有上调空间 [6][7]

毋庸置疑，存储超级大周期再次被美光科技的靓丽财报夯实了!智通财经APP注意到，美光这次财报不 仅仅是再度交出一份亮眼业绩，尤其点燃市场热情的是管理层清晰的回答了目前市场最关注的三大焦 点，即HBM、传统DRAM/NAND、资本开支全部明牌化了，意味着接下来的2026年存储行业亦是"万里 乌云"，火力全开。 戴尔科技(DELL.US)、惠普(HPQ.US)等PC厂商已警告投资者，预计来年内存芯片短缺将推高零部件价 格，这在素来波动的行业中让美光对客户更具议价优势。 彭博行业研究分析师杰克.西尔弗曼在报告中写道："短期内，内存价格上涨势头难以缓解。" 作为AI算力基础设施的核心供应商，美光高带宽内存(HBM)产品已供不应求至2026年，资本支出计划同 步从180亿增至200亿美元以扩张产能。与此同时，PC龙头戴尔、惠普预警内存芯片短缺将推高组件价 格，而分析师普遍看好其DRAM(收入激增69%)、NAND芯片需求前景——预计2026年行业需求增长约 20%。 业绩指引远超预期美光股价创八个月最大涨幅 美光科技在公布对当前季度乐观展望后，股价创下八个月来最大单日涨幅，显示需求激增与供应短缺正 推动这家存储芯片巨头实 ...

据行业追踪机构 Counterpoint Research 称，由于内存芯片短缺导致成本上升和产能下降，明年全球智能 手机出货量可能下降 2.1%。这标志着今年预计3.3%的增幅将出现大幅逆转，该知名研究公司将2026年 的预期增幅从此前预测的0.45%大幅下调。Counterpoint周二发布的研究报告称，受电子元器件整体成本 上涨10%至25%的影响，明年全球手机平均售价预计将上涨6.9%。 今年，全球人工智能的快速发展促使半导体生产商优先生产用于英伟达加速器的先进内存芯片，而非更 基础的产品。这反过来又加剧了DRAM芯片的短缺，而DRAM芯片对于从笔记本电脑、电动汽车到医疗 设备和家用电器等电子产品都至关重要。 本月初，美国存储芯片巨头美光科技表示，计划停止向PC/DIY市场的个人消费者们销售存储产品，以 便该公司能够将产能专注于为高性能AI芯片驱动的算力集群提供足够的存储类产品。美光最新动态可 谓凸显出存储类产品领域的长期以来最强劲盈利板块以及定价权正在从PC/智能手机增长周期，转移到 由大型AI数据中心主导的"存储行业超级周期"。 其次，SK海力士在10月表示，其明年的全部存储芯片订单已经售罄，而美 ...

业绩预期与市场观点 - 美光科技计划于12月17日美股盘后公布第一财季业绩，市场普遍预期调整后每股收益为3.83美元，营收预期为127.2亿美元 [1] - Wedbush Securities重申“增持”评级，并将目标价从220美元上调至300美元，分析师将本季度预期上调至略高于公司最初预测的上限 [1] - 德意志银行重申“买入”评级，并将目标价从200美元上调至280美元，同时将公司2026财年每股收益预期上调近26%至20.63美元，全年营收预期上调12%至596.6亿美元 [2] - 汇丰银行首予美光科技“买入”评级，目标价定为330美元，认为近期股价回落是积累的好时机 [2] - 高盛预测其业绩将高于华尔街普遍预期，摩根士丹利也表达了看涨论调 [2] 股价表现与行业地位 - 公司股价今年迄今已上涨176%，表现优于纳斯达克指数（上涨22%）[1][2] - 美光科技已成为存储股中的佼佼者，部分原因在于其在DRAM和HBM芯片市场的地位，这两个市场目前价格高企且需求旺盛 [1] 存储芯片价格与市场动态 - Wedbush分析师预计美光第二财季将受益于内存价格大幅上涨，预计第一财季DRAM价格最终将至少上涨30%，NAND价格将至少上涨20% [1] - 分析师指出，如果NAND和DRAM价格只上涨高个位数或低两位数，预计第二财季会有更显著的增长 [1] - 内存瓶颈已被指出是包括戴尔在内的高端AI服务器供应商面临的日益严重的问题，戴尔表示内存价格上涨正增加其成本，且内存短缺正带来挑战 [1] - 戴尔副董事长表示，DRAM和NAND成本正以前所未有的速度上涨 [1]

行业与公司 * **行业**：半导体存储行业，具体为DRAM与NAND Flash领域[1] * **公司**：国内厂商包括长鑫存储（DRAM）、长江存储（NAND Flash）、晶合集成、中芯国际、华虹等代工厂，以及拓荆科技、百奥化学、华创、中微、微导纳米、晶智达、中科飞测等设备厂商[4][19]；海外厂商包括三星、海力士、美光、凯霞[1][2][8][13] 核心观点与论据 * **技术演进趋势**：全球DRAM发展正转向 **4F²架构** 与 **CBA（Chip-By-Chip Assembly）技术** 相结合的道路，以提升存储密度、突破制程微缩瓶颈[1][2][6] * **4F²架构**：通过将晶体管从水平改为垂直方向，使存储单元占用面积减少约30%，从而提升单位面积内的存储密度[10] * **CBA技术**：将存储单元阵列和外围逻辑电路分别制造在不同晶圆上，然后通过键合工艺结合，可避免高温损害逻辑电路、减小芯片面积、缩短生产周期并降低成本[3][12] * **国内厂商地位**：国内厂商在此技术路径上进展超前，显示出领先地位[2][4] * 长鑫存储正积极推进4F²与CBA相结合的DRAM技术路径[4] * 长江存储率先在NAND Flash中应用CBA技术（X-Tacking工艺），是该领域的全球领先者[1][12][13] * **技术优势与挑战**： * **优势**：4F²架构能提升电子进出效率、减少漏电干扰并降低EUV光刻成本[10]；CBA技术预计可提升约30%的芯片密度[14] * **挑战**：4F²架构需要将水平晶体管改为垂直晶体管，对高深宽比蚀刻设备提出更高要求[11]；DRAM制程微缩在10纳米及以下面临电容器和感应放大器微缩的难题，影响电连接稳定性、读取速度和可靠性[9] * **全球进展**： * **DRAM**：三星、海力士、美光及长鑫均在推进4F²与CBA技术[8]；三星计划2025年发布CF Square DRAM样品，海力士计划2025年发布4F²键合工艺论文[16][17]；预计海外将在2027至2028年间取得显著进展[16] * **NAND Flash**：更早采用CBA技术，长江存储的128层和232层产品表现突出；凯霞、三星、海力士等厂商也在跟进，并向300层以上发展[1][2][13] 其他重要内容 * **DRAM芯片构成**：存储单元阵列约占芯片面积50%，外围逻辑电路约占25%至30%[5]；关键性能参数包括容量、带宽和功耗[5] * **技术路径背景**：由于光刻机技术达到瓶颈，以及国内在获取先进制程关键设备上面临困难，架构创新（4F²+CBA）成为提升存储密度的关键路径[6][16] * **具体技术细节**： * **CF Square**：一种采用CBA技术的具体结构，存储单元在下，逻辑电路在上，间距更短，能降低对逻辑电路的耐高温要求[3][15] * **键合方式**：主要分为混合键合和熔融键合，国内企业主要使用混合键合[18] * **产业链影响与投资机会**： * **产业链机遇**：新路径将带来逻辑晶圆代工和相关设备需求的大幅增加[2] * **投资建议**：可关注国内DRAM逻辑晶圆代工产业链、核心设备厂商（特别是新增的混合键合设备），以及受益于整体扩产和刻蚀/沉积设备需求增加的国产设备链[19]

行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期 行业正加剧迈入分析师所称的超级周期 [1][4] - DRAM和NAND正步入历史性上升周期 预计本轮上升周期对DRAM和NAND都将更具持续性 [1][2] 价格趋势与预测 - 消费级DRAM和NAND TLC现货价格在11月同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35% 2026年第一季度预计环比上涨10% NAND第四季度价格预计上涨15% 下一季度预计上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月 平均售价较谷底上涨55% NAND上升周期进入第4个月 平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差 DDR4为45% DDR5为89% 256Gb TLC为47% 512Gb TLC为9% 这预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例 现货市场从今年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上 上涨3至4倍 以64G eMMC闪存为例 从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上 涨幅接近1.5倍 [3] 市场供需与竞争格局 - 供应持续紧张是价格上涨的主要原因 [1] - 自1999年以来 DRAM的平均上升周期持续8个月 平均售价从低谷到高峰上涨53% 而NAND的平均上升周期通常持续6个月 平均售价上涨40% [2] - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮 促使内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 来自中国竞争对手的成熟芯片竞争日益激烈 促使三星和SK海力士加速向高端芯片转移 这两家公司控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产 将产能全面转向利润更高 技术更先进的DDR5 HBM等产品 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片 客户普遍采取了双倍/三倍下单策略 [4] 下游需求驱动 - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1] - 包括谷歌 亚马逊 Meta 微软和CoreWeave在内的科技巨头 今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 加上手机销量超预期 共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加 推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 过去一两个月需求激增 市场变化快得惊人 抢购行为正在加剧且将持续升级 [4] 受益公司 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于人工智能推动的内存行业上升周期 [1]

美光科技(MU.US)已成为存储股中的佼佼者，部分原因在于其在DRAM和HBM芯片市场的地位，这两 个市场目前价格高企且需求旺盛。这促使多家华尔街投行在美光科技公布最新的季度业绩之前，重申看 好观点。美光科技计划于12月17日美股盘后公布其第一季度业绩。市场普遍预期调整后每股收益为3.83 美元。营收预期为127.2亿美元。 内存瓶颈已被指出是包括戴尔(DELL.US)在内的高端AI服务器供应商面临的日益严重的问题。戴尔在其 第三季度财报电话会议中表示，内存价格上涨正增加其成本，且内存短缺正带来挑战。戴尔副董事长杰 弗里.克拉克表示："我们处在一个非常独特的时期。这是前所未有的。我们从未见过成本以如此速度上 涨。而且，不仅仅是DRAM，NAND也是如此。" 德意志银行分析师重申其"买入"评级，并将目标价从200美元上调至280美元。 周二，汇丰银行也首予美光科技"买入"评级，并将其目标价定为330美元。 汇丰银行分析师Ricky Seo在给客户的报告中写道："美光科技的股价今年迄今已上涨172%，表现优于纳 斯达克指数(上涨22%)，但近期股价有所回落，因为市场似乎过度担忧来自新云服务提供商的财务风险 以及' ...

交易所警示与股价波动 - 韩国交易所在约一个月内第二次对SK海力士股票发布为期一天的“投资警示”，引发对股价可能过热的担忧[1] - 该警示发布后，SK海力士股价在早盘交易中下跌近2%[1] - 此类警示通常在股票成交量或价格出现突然或无法解释的重大变动时触发，SK海力士股价在警示前一日（周一）上涨了6.1%[3] - 此前在11月3日，韩国交易所也曾发布类似警示，次日（11月4日）该股票跌幅高达5.3%[3] - 对大型上市公司而言，此类交易所警示较为罕见，是触发更高级别警报前的预警信号，并将限制保证金交易[3] 股价飙升原因与市场动态 - 市场猜测SK海力士正计划发行美国存托凭证，但公司回应称ADR相关事宜“尚未有任何确认”[3] - SK海力士作为英伟达重要的高带宽内存供应商，其股价今年以来已上涨了两倍多[3] - 交易所投资警报的触发标准包括：股票在三个交易日内上涨100%，或在两个交易日内上涨40%（将导致交易暂停一天）[3] 财务表现与AI驱动需求 - 受全球AI基础设施建设热潮提振，SK海力士第三季度销售额达24.5万亿韩元，营业利润创纪录，达11.4万亿韩元[4] - 公司计划在明年投入更多资金以提高产能，以赶上由OpenAI、Meta等行业领军企业引领的大规模投资浪潮[4] - 公司高管表示，HBM芯片自2023年起就已售罄，预计到2027年供应仍将紧张，并认为内存市场已进入超级周期[4] 产品进展与市场展望 - SK海力士将于本季度开始向客户供应下一代HBM4组件，并计划于2026年全面开展销售业务[4] - 分析指出，2026年SK海力士的销售额和利润预计将大幅增长，得益于对DRAM和NAND芯片的需求[5] - 公司预计DRAM位需求（总量）明年可能增长超过20%，同时预计2026年NAND位需求将增长17%-19%[5] - 更高的需求有望提高销售价格，从而提升公司利润[5] - 许多投资者和科技公司坚信，人工智能的出现将引发内存市场的“超级周期”，这对HBM行业领军者SK海力士构成重大利好[5]

市场表现 - 11月14日A股存储芯片板块大幅下跌，佰维存储、江波龙、普冉股份等多只个股跌幅超过10%，跌幅超过7%的个股多达13只 [1][2] - 具体个股表现：同有科技跌12.08%至22.20元，佰维存储跌10.96%至127.08元，江波龙跌10.77%至291.07元 [2] - 板块大跌的直接诱因是铠侠控股第二财季业绩不及预期，其美股ADR暴跌引发美股存储板块连锁反应，西部数据跌5.39%、希捷科技跌7.31%、美光科技跌3.25% [2][3] 业绩与价格动态 - 铠侠控股第二财季营收4483亿日元，低于市场预期的4611亿日元，同比下滑6.8%，调整后净利润407亿日元，同比骤降超60%，低于市场预期的474亿日元 [3] - 业绩不及预期可能源于其向苹果供应移动NAND芯片的固定价格协议，在现货价格大幅上涨背景下未能受益 [5] - 存储原厂自9月份起开启全面大幅涨价，但铠侠第二财季对应7月至9月，涨价未反应在当期业绩中 [5] - 三星电子本月因数据中心需求旺盛、供应紧张，提高了部分内存芯片价格，相较于9月份价格上涨最多达60% [3][10] 行业前景与分歧 - AI发展带动全球存储进入新一轮高景气周期，存储芯片价格节节高涨，铠侠控股年初至今股价涨幅仍超过470%，A股存储芯片指数年初至今涨幅接近60% [3][7][10] - 铠侠预计第三财季所有应用领域NAND产品销售价格均会提升，营业收入预计在5000亿至5500亿日元区间，Non-GAAP营业利润将达1000亿至1400亿日元 [10] - 业界对后续价格走势及市场需求产生分歧，供应端eMMC和DDR5依然紧张，但需求端终端需求似乎没有那么火热 [11] - 全球唱空AI声浪加大，市场担心AI行业泡沫，北美数据中心建设进度受限于电力供应和空间，影响存储需求预期 [11]

存储价格暴涨 - 固态硬盘价格在短短两个月内普遍翻倍，内存条价格同样疯涨，例如16G三星DDR4内存条从9月的200元涨至11月的400元，而去年同款价格仅为100多元 [1] - 服务器厂商表示DDR4或DDR5显存价格基本翻倍，硬盘价格也大幅上涨，导致上游厂商选择停产并停止对外报价 [1] - 第三季度DRAM芯片价格同比上涨171.8%，10月三星电子率先暂停DDR5 DRAM合约报价，SK海力士、美光等原厂随即跟进，11月NAND主要厂商闪迪将合同价上调50% [1] AI需求驱动因素 - 存储涨价潮主要由云服务供应商的大批量采购推动，AI数据中心与云计算巨头成为主要买家，这类用户将存储视为战略必需品且对价格不敏感 [5] - 大模型的参数存储和数据集存储直接引发存储芯片价格波动，下一代HBM等存储器的产线准备导致现有存储器产能不足 [6] - AI服务器对存储需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为传统服务器的3倍 [6] - 生产同等容量HBM所需的晶圆消耗量是标准DRAM的3倍以上，导致相同产能下可交付的HBM存储芯片更少 [6] - 大模型参数规模从7-8B向30B或更大规模发展，模型参数规模越大意味着存储需求越大，因为要实现本地部署及微调 [7] - 企业更倾向于AI应用本地部署，间接带动AI服务器需求上涨，数据存储约占大模型训练整体工程量的20-30% [7] - 科技公司大力投入AI数据中心建设，例如阿里计划未来3年在云计算和AI基础设施上投资超过3800亿元人民币，超过其过去10年在该领域的总投入 [7] 供应链紧张状况 - AI基建需求已远超内存厂商产能，明年甚至2027年的订单已被提前锁定，引发贸易商惜售观望，进一步放大紧缺情绪 [10] - 存储模组厂商威刚科技表示DRAM内存、NAND闪存、SSD固态硬盘、HDD机械硬盘四大类存储产品同时缺货涨价，这种情况在其30多年职业生涯中前所未见，公司自10月起启动限售策略 [10] - HBM产能占全球DRAM总产能的比例预计将从2025年底的20%升至2026年底的25% [6] 对终端厂商的影响 - 手机厂商新款手机出现涨价，例如小米K90系列12GB+512GB版本比12GB+256GB贵了600元，上一代价差为400元，vivo X300系列出现100至300元涨幅，OPPO Find X9系列涨了200至300元不等 [3][11] - 小米集团总裁表示存储成本上涨远高于预期且会持续加剧，小米智能手机毛利率从2023年的14.6%减少至2024年的12.6%，主要由于核心零部件价格上升所致 [10][11] - PC端产品价格同样上涨，有消费者反映一款台式PC在双11期间价格已上涨一两千元 [12] - 行业人士指出屏幕和存储的涨价影响新品首发期价格及全生命周期销售和备货节奏，硬件厂商财报将接受挑战 [12] 行业应对策略 - 手机厂商通过将模型做小来应对存储压力，vivo重点聚焦3B模型并进行多模态实现和聚合，甚至探索部署1B模型，以减少内存占用 [14] - 手机厂商和半导体厂商开发更大、更快的存储芯片及专用内存功能区，例如谷歌Pixel 10系列AI手机标准版的12GB运行内存中，有3.5GB专供AI功能使用 [15] - 在GPU相对不足的背景下，通过提升推理效率、改善算法来破解存储容量压力 [15]