会议概况 - 会议主题为"异质异构集成开启芯片后摩尔时代"，聚焦Chiplet技术、异质异构集成及先进封装技术的产业化突破 [22] - 由势银(TrendBank)联合甬江实验室主办，宁波电子行业协会支持，将于2025年4月29日在宁波甬江实验室A区举办 [19] - 会议包含上午专题论坛（异构集成研究中心成立仪式及技术演讲）和下午供应链论坛，总时长8小时（09:00-17:00）[7][9][10] 核心议程 上午议程 - 09:00-09:10 异构集成研究中心成立仪式及领导致辞 [7] - 09:20-10:40 技术专题： - 爵江实验室分享混合键合在先进封装中的应用 [7] - 比昂芯科技探讨Chiplet EDA全流程设计及多物理验证 [7] - 珠海硅芯科技解析2.5D/3D先进封装EDA平台创新 [7] - 11:00-12:00 前沿技术： - 三星前主任工程师蒲菠讲解AI时代Chiplet互连设计优化 [8] - 奇异摩尔展示AI算力时代的先进封装技术 [8] - 图灵智算量子科技深度解析光子芯片技术生态 [8] 下午议程 - 13:30-16:10 供应链专题： - 甬江实验室万青探讨大尺寸晶圆临时键合技术 [10] - 长川科技分析Chiplet异构集成对测试技术的挑战 [10] - 齐力半导体提出AI智算芯片的先进封装发展路径 [10] - 三叠纪科技讨论TGV技术及玻璃基异构集成机遇 [10] 参会机构 - 覆盖全产业链：包括甬江实验室、长川科技、比昂芯科技、奇异摩尔等68家机构 [12][13][14][15][16][17][18] - 核心参与方： - 科研机构：甬江实验室（主任及4名核心成员参会）、浙江大学、中山大学等 [12][14][16] - 企业代表：三星前主任工程师、珠海硅芯科技创始人、三叠纪科技董事长等 [8][10][13] 产业背景 - 半导体技术趋势：制程微缩放缓背景下，Chiplet和异质异构集成成为延续摩尔定律的关键路径 [22] - 宁波产业定位：作为全国制造业单项冠军第一城，依托甬江实验室攻坚异质异构集成产业化难题 [22] - 技术挑战：需解决Chiplet IP物理化互联、先进封装供应链革新等系统性问题 [22] 会议服务 - 报名费用：早鸟价600元/人（3月21日前），含会议资料及午餐 [18] - 增值服务：提供中试线及产研成果参观（12:00-13:30）[8]

报告行业投资评级 未提及相关内容 报告的核心观点 报告围绕光刻机展开，阐述光刻工艺是芯片制造关键且难度大的环节，介绍光刻机部件、市场格局及国内供应链情况，指出海外三强垄断市场，国产光刻机虽有进展但国产化率低，在美日荷出口限制下国产化势在必行 [7][107][140] 根据相关目录分别进行总结 光刻工艺：芯片制造技术难度最大环节 - 光刻工艺是芯片制造中技术难度最大、成本最高、周期最长的环节，光刻技术水平决定芯片最小线宽、制程和性能水平，先进技术节点芯片制造需60 - 90步光刻工艺，光刻成本占比约30%，耗费时间占比约40 - 50% [7] - 光刻核心工具包括光掩膜、光刻机和光刻胶，光刻工艺一般经历表面处理、旋转涂胶、前烘、对准曝光、后烘、显影、坚膜烘焙和检测八道工序 [10][13] - 分辨率、套刻精度为光刻工艺关键参数，光刻分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定，改善分辨率可通过缩短光源波长、增大数值孔径、降低工艺因子实现 [14][19] - 套刻指光刻中每层图形精确转移到硅片正确位置，投影光刻机不同层误差取决于对准精度，套刻误差允许在光刻分辨力的1/3 - 1/5范围以内，对准误差在套刻误差的1/3以内 [32] - 产能是衡量光刻机生产效率的核心指标，当前ASML的NXT系列高端浸入式光刻机NXT2150i产能≥310WpH，NXT：2100i≥295WpH [37] 光刻机部件：光源、照明系统、投影物镜为核心组件 - 光刻机主要由光源系统、照明系统、曝光物镜系统、对准系统、硅片传输系统、环境控制系统、计算机控制系统等部分组成，光源系统、照明系统、曝光物镜系统为核心组件 [43] - 光源为光刻提供能量，不同制程和芯片类型需匹配特定光源，常见光刻光源包括汞灯、准分子激光和极紫外光，ASML光源供应商主要为Cymer、日本Gigaphoton公司 [45] - 照明系统对光源发出的激光进行扩束，确保光照均匀性和强度，提供特定照明模式，包含传输光路、光束矫正器等组件 [53] - 投影物镜将经过掩模版图案后的衍射光收集并聚焦至晶圆表面光刻胶上，是影响数值孔径的关键，常见像差包括球差、彗差、象散、场曲、畸变、色差，投影物镜结构类型主要有全折射型、折反射型、全反射型 [57][61] - 双工作台光刻机集成两个独立工作台，可同时处理两个硅片或掩模，提高生产效率和设备利用率，面临超高对准精度要求、高速运动与运作稳定挑战 [75][77] - 超精密位移测量系统是光刻机关键分系统，影响工件台位置测量精度和套刻精度，主要有双频激光干涉仪和平面光栅测量系统两种 [78] - 对准系统是套刻精度的核心保障，随着光刻技术发展，对对准精度要求达亚纳米量级，对准技术改进方向包括优化光机结构、引入更多偏振态和波长等 [90][105] 光刻机市场：ASML、Nikon、Canon垄断 光刻机发展历程：步进扫描投影式光刻机为当前主流机型 - 光刻机曝光方式先后经历接触式、接近式和投影式，投影光刻机又经历扫描投影、步进重复投影与步进扫描投影阶段，步进扫描投影光刻机解决大曝光场与高分辨率矛盾，是当前主流机型 [107] - 接触式光刻机掩模与硅片光刻胶直接接触，优点是减小光衍射效应影响，缺点是污染、损坏掩模版和光刻胶层；接近式光刻机在掩模和硅片间留微小间距，减少污染和损坏，但分辨率只能达到3μm左右 [108][109] - 扫描投影光刻机将掩模图形投影成像到硅片面，采用1：1光学镜头，主要应用于中等规模集成电路制造；步进重复式投影光刻机采用缩小倍率投影物镜，降低掩模设计制造难度和成本，主要应用于0.25μm以上工艺 [111][115] - 步进扫描投影光刻机在投影物镜视场一定时通过扫描实现更大曝光场，降低投影物镜研发难度，主要用于高端芯片制造关键层 [121] 千亿级市场，海外三强垄断 - 2024年全球光刻机设备市场规模预计达315亿美元，是市场占比最大的细分设备，全球光刻机出货量持续提升，销量主要集中在中低端产品 [124][126] - 光刻机市场呈寡头垄断格局，由ASML、Nikon和Canon主导，ASML占据绝对主导地位，在超高端光刻机EUV领域独占市场，在高端光刻机ArFi和ArFdry领域也占主导地位 [130] - 中国是半导体设备最大市场，光刻机需求量大，2024年ASML在中国大陆营收占比36.1%；国产光刻机供不应求，国产化率仅为2.5%，整机技术与海外差距较大，未来3 - 5年仍主要依赖进口 [138][140] - 美日荷加强对华先进制程出口限制，光刻机国产化势在必行 [141] 国内供应链厂商梳理 上海微电子：国内光刻机整机制造厂商 - 上海微电子2002年成立，引领国内光刻机制造发展，其光刻机产品可用于平板显示、先进封装等环节，SSX600系列步进扫描投影光刻机可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层光刻工艺需求 [143] 国科精密：专注高端曝光光学系统制造 - 国科精密成立于2014年8月，专注于光刻机投影物镜系统等领域研发、生产和销售，建立超精密光机研发体系，承担多项国家级科研项目 [145] - 公司积极拓展业务布局，在上海设立分公司专注光刻机照明系统研发，提升相关能力 [147] 科益虹源：DUV光源制造商 - 科益虹源2016年7月成立，是中国唯一、全球第三家具备光刻准分子激光技术全链条研发和产业化能力的公司，业务涵盖国产自研光刻曝光光源产品等领域 [148]

会议概况 - 会议名称为"2025势银异质异构集成封装产业大会"，主题为"异质异构集成开启芯片后摩尔时代"，由势银（TrendBank）联合甬江实验室主办，宁波电子行业协会支持 [19][20] - 会议将于2025年4月29日在宁波甬江实验室A区星璨报告厅举办，包含上午专题论坛（09:00-12:00）和下午供应链论坛（13:30-17:00） [1][6][9] - 参会费用分两档：3月21日前600元/人，3月22日后800元/人，含会议资料及自助午餐 [18] 技术议题聚焦 - **上午议程**围绕异构集成技术： - 成立异构集成研究中心并举行仪式 [7] - 探讨混合键合在先进封装中的应用（爵江实验室钟飞）[7] - Chiplet EDA全流程设计（比昂芯吴晨）及2.5D/3D封装EDA平台创新（硅芯科技赵毅）[7] - 硅基光芯片制造挑战（上海微技术工业研究院）及AI时代Chiplet互连优化（爵江实验室蒲菠）[8] - 光子芯片技术演进（图灵智算量子科技金贤敏）[8] - **下午议程**聚焦供应链： - 大尺寸晶圆临时键合技术（甬江实验室万青）及Chiplet测试挑战（长川科技钟锋浩）[10] - AI智算芯片封装路径（齐力半导体谢建友）与三维集成技术进展（中科智芯吕书臣）[10] - TGV技术及玻璃基集成机遇（三叠纪张继华）[10] 参会企业及人员 - **覆盖全产业链**：设计/EDA（清华大学、比昂芯、奇异摩尔等）、制造/封装（荣芯半导体、华虹集团、长电科技等）、供应链（北方华创、盛美半导体等）[22] - **高管与专家阵容**：包括甬江实验室主任、三星半导体前主任工程师、国家重点研发计划首席科学家等 [7][8][10] - **报名企业超100家**：涵盖甬矽电子、中芯国际、矽磐微电子等头部企业，以及浙江大学、武汉大学等高校代表 [13][14][15][16][17] 会议背景与目标 - 半导体技术面临制程微缩放缓挑战，Chiplet和异质异构集成成为延续"摩尔定律"的关键路径 [20] - 宁波作为制造业单项冠军城市，甬江实验室聚焦微电子材料与异质异构集成技术产业化 [20] - 会议旨在推动产学研协同，解决Chiplet互联集成与供应链技术革新问题 [20][21] 主办方信息 - 势银（TrendBank）定位为产业研究与数据公司，提供研究、咨询及会议服务，工商注册实体为宁波膜智信息科技有限公司 [1][27] - 会议商务合作可通过电话0574-87818480或邮箱service@trendbank.com联系 [29]

Apple Silicon发展历程 - 2020年WWDC宣布从英特尔转向自研Apple Silicon芯片，开启两年过渡期[2] - 采用统一内存架构，使GPU可访问比独立显卡更大的内存空间[4] - 神经引擎的引入将移动芯片前瞻性功能引入桌面平台[2][4] 技术架构演进 - M1采用5nm工艺，集成160亿晶体管，神经引擎运算速度11万亿次/秒[10] - M2晶体管增至200亿，神经引擎运算速度提升至15.8万亿次/秒[18] - M3升级3nm工艺，晶体管达250亿，引入动态缓存和硬件级光线追踪[25] - M4晶体管数量增至280亿，神经引擎运算速度达38万亿次/秒[32][34] 性能提升对比 - 单核性能：M4较M1提升60%，M4 Max较M1 Max提升62%[41][43] - 多核性能：M4较M1提升74%，M4 Max较M1 Max提升203%[43][46] - 图形性能：M4 Metal跑分较M1提升74%，Pro/Max系列代际提升约65%[46][49] 产品线扩展 - M1系列从基础版逐步扩展至Pro/Max/Ultra版本，Ultra采用双芯片互联技术[10] - M3系列打破发布节奏，首次同时推出基础/Pro/Max三款芯片[22] - M4 Pro支持Thunderbolt 5，带宽翻倍至80Gbps[36] 行业影响与未来展望 - 芯片设计理念影响整个计算行业处理器选择方向[2] - 预计M5将采用CPU/GPU分离设计，M6可能集成蜂窝调制解调器[53] - 代际性能提升呈现稳定趋势，预示持续创新潜力[49][51]

华硕Eee PC与上网本市场兴起 - 华硕2007年推出首代Eee PC 采用7英寸屏幕/900MHz Intel Celeron处理器/2GB内存/4GB SSD 预装Linux系统 售价仅299美元[1][3][4] - 产品定位"易学易用易娱乐" 以低价策略切入市场 价格仅为同期普通笔记本1/3[1][4] - 上市4个月销量达30万台 2008年全球上网本销量达1080万台 2010年峰值达3940万台 占PC市场10%份额[3][10] 市场爆发驱动因素 - 2007年美国次贷危机导致全球经济放缓 低价上网本成为笔记本电脑的"平替"选择[7] - 教育信息化浪潮兴起 印度/越南/巴西等发展中国家大规模采购上网本用于教育[9] - 供应链成本持续下降 宏碁Aspire One价格跌破200美元 华强北出现200余种山寨上网本 价格低至数百元人民币[4][6] 产品技术特征与定位 - 上网本重量仅1公斤多 待机时间长 专为移动上网优化软硬件 弥补传统笔记本便携性不足[25] - 精准定位"移动上网+轻办公"需求 填补低价便携计算设备市场空白[25][38] - 与传统笔记本形成差异化：更轻便/更长续航/更优移动上网体验/更低价格[25] 行业竞争格局演变 - 华硕首创新品类后 宏碁/戴尔/惠普/联想等巨头快速跟进[3] - 二线PC厂商/板卡厂商/家电厂商加入战局 进一步降低行业门槛[6] - 深圳华强北山寨厂商利用MP4/手机产业链转产上网本 加剧价格竞争[6] 技术迭代与产品替代 - 苹果2008年推出MacBook Air（1.36公斤/0.4cm厚度）引领超薄笔记本潮流 侵蚀上网本便携优势[30] - 苹果2010年发布iPad 定位"智能手机与笔记本间第三类设备" 当年平板销量超7000万台[32][34] - 智能手机屏幕扩大/功能增强 分化"移动上网+办公"需求 2012年平板销量达1.2亿台[36][37][34] 市场衰退与退出 - 2011年上网本销量降至2940万台 戴尔/三星率先停产[10][12] - 2012年销量骤降至1413万台 华硕/宏碁2013年停止生产新款[10][12][13] - 产品生命周期仅6年（2007-2013） 经历兴起→顶峰→衰退→淘汰完整周期[13] 产业影响与创新溢出 - 推动笔记本电脑向轻薄/长续航/移动上网体验方向进化[41] - 启发细分市场创新：英特尔超极本/谷歌Chromebook/微软Surface均受上网本理念影响[41] - 以低廉价格加速笔记本电脑普及 尤其在教育市场和发展中国家[9][41]

光刻技术突破 - 初创公司Lace Lithography AS正在开发一种新型光刻技术，使用原子发射来定义特征，分辨率超越极紫外光刻技术（EUV）的极限 [1] - 该技术称为BEUV，理论上可实现更精细的特征，支持晶体管持续小型化并延伸摩尔定律 [1] - 传统EUV系统使用13.5nm波长的光，而原子光刻技术能够实现直接无掩模图案化，分辨率小于EUV系统的波长限制 [1] - 公司声称该技术为芯片制造商提供领先当前技术15年的功能，且成本更低、能耗更低 [1] 公司背景与研发 - 公司由卑尔根大学首席执行官Bodil Holst教授和首席技术官Adria Salvador Palau于2023年7月共同创立 [1] - 首席技术官在卑尔根大学获得博士学位，目前公司在西班牙巴塞罗那运营 [1] - 公司创始人共同撰写了一篇发表在《物理评论A》上的论文，题为《利用中性氦原子进行真实尺寸表面映射》，详细介绍了立体氦显微镜的实现和操作 [1] 欧盟资助项目 - FabouLACE是由欧盟资助的项目，预算为250万欧元，由欧洲创新委员会提供，项目周期为2023年12月1日至2026年11月30日 [2] - 项目采用亚稳态原子和基于色散力的掩模，可实现2纳米工艺 [2] - Lace光刻技术已获授权在2031年前将该技术推向市场，性能将由IMEC研究机构监测和验证 [2] - NanoLACE是欧洲早期的研究项目，于2019年启动，2024年12月31日结束，已获得336万欧元资助，预算为365万欧元 [2] 融资与支持 - Lace Lithography于2023年7月筹集了约450,000欧元的种子轮融资 [2] - 融资由Runa Capital、Vsquared Ventures、Future Ventures、欧洲创新委员会、挪威创新局和挪威研究委员会提供支持 [2]

光刻技术突破 - 初创公司Lace Lithography AS正在开发一种新型光刻技术，使用原子发射来定义特征，分辨率超越极紫外光刻技术(EUV)的极限 [2] - 该技术称为BEUV，理论上可实现更精细的特征，支持晶体管持续小型化并延伸摩尔定律 [2] - 原子光刻技术能够实现直接无掩模图案化，分辨率小于受波长限制的EUV系统 [2] 技术优势 - 公司声称该技术为芯片制造商提供领先当前技术15年的功能，且成本更低、能耗更低 [2] - 相关论文《利用中性氦原子进行真实尺寸表面映射》发表在《物理评论A》，详细介绍了立体氦显微镜的实现 [2] - FabouLACE项目采用亚稳态原子和基于色散力的掩模，可实现2纳米工艺 [2] 公司背景与融资 - 公司由卑尔根大学Bodil Holst教授和Adria Salvador Palau博士于2023年7月共同创立 [2] - 2023年7月完成种子轮融资约45万欧元，投资方包括Runa Capital、Vsquared Ventures等机构 [2] - 公司目前在挪威卑尔根和西班牙巴塞罗那运营 [2] 研发项目进展 - FabouLACE项目由欧盟资助250万欧元，2023年12月启动至2026年11月结束 [2] - NanoLACE研究项目于2019年启动，获资336万欧元(总预算365万欧元)，2024年12月结束 [2] - 欧盟委员会授权Lace光刻技术在2031年前推向市场，性能由IMEC研究机构监测验证 [2]

先进的逻辑技术 - 台积电推出全球最先进的2纳米CMOS逻辑平台N2，采用GAA纳米片晶体管，芯片密度增加1.15倍，速度提升15%，功耗降低30% [4] - 英特尔展示栅极长度6纳米、接触式多晶硅间距45纳米的RibbonFET CMOS晶体管，电子迁移率在硅厚度低于3纳米前不会下降 [6][7] - 台积电展示48纳米栅极间距全功能单片CFET反相器，n型和p型器件均具有74-76mV/V的良好亚阈值斜率 [11][13] - 北京大学团队构建100纳米栅长A-CNT MOSFET，饱和通态电流2.45mA/μm，峰值跨导3.7mS/μm，非本征截止频率302GHz [17][19] 存储器技术 - Kioxia团队开发新型4F2 DRAM，采用GAA IGZO垂直沟道晶体管，导通电流超过15μA/单元，关断电流1aA/单元 [27][29] - IMEC研究发现使用贫铟薄膜和限制工作波形占空比可缓解IGZO TFT阈值电压不稳定性 [33][35] - 台湾大学团队构建具有β-W电极的MFM电容器，与HZO表现出2.9%晶格失配度，实现无疲劳耐久性 [38][40] 内存计算 - 清华大学团队开发首款基于金属氧化物CFET的3D集成芯片，与2D CIM电路相比面积、延迟和能耗分别降低55.1%、24.8%和44.9% [41][43] - 3D FeNAND阵列将模拟CIM密度提高4,000倍，计算效率比2D阵列高1,000倍，MAC运算准确率达87.8% [45][47] 高频和功率器件 - 英特尔在300毫米GaN-on-TRSOI衬底上制造GaN MOSHEMT射频晶体管，截止频率fT=190GHz，fMAX=532GHz [47][49] - 弗吉尼亚理工大学团队构建横向Ga2O3 JFET，击穿电压超过10kV，导通电阻703mΩ·cm2，可在250℃下工作 [51][54] 传感与成像 - 首尔国立大学团队开发集成气体、气压和温度传感的智能多模设备，气体检测准确率97.8% [57][59] - 索尼实现单个芯片同时获取RGB图像和测距信息，采用1.0μm拜耳像素和4.0μm测距像素 [60][61] - 台湾清华大学团队构建双换能间隙CMOS-MEMS CMUT阵列，超声发射效率16.7kPa/V/mm²，接收灵敏度57mV/kPa [65][66] 多元化主题 - 三星通过计算机建模从3,888种硫族化物组合中筛选出18种候选材料用于SOM应用 [70][72] - DeepSim公司开发AI加速的多尺度原子到电路热模拟流程，可在10分钟内完成RISC-V内核纳米级温度预测 [72][73]

二维半导体技术突破 - 中国科学家成功研制出基于二硫化钼的微芯片RV32-WUJI，包含5931个晶体管，每个仅三个原子厚，是目前二维材料领域最复杂的微处理器 [2] - 该芯片采用RISC-V开源架构，支持32位指令集运算，并构建在绝缘蓝宝石基板上以实现晶体管电子隔离 [2] - 相比此前最大的二维逻辑电路（156个晶体管），新芯片规模扩大38倍 [2] 材料与工艺创新 - 二硫化钼由钼原子层夹在硫原子层间构成，被视为延续摩尔定律的潜在硅替代材料 [2] - 团队开发了包含25种逻辑单元的标准单元库，支持"与/或"等基础功能 [2] - 通过机器学习优化制造流程，在实验室环境下实现99.77%的良率 [2] 性能参数与行业对比 - 晶体管沟道长度当前为3微米，计划通过改进光刻技术进一步缩小尺寸 [3] - 芯片在1kHz频率下功耗仅0.43毫瓦，但晶体管数量和工作频率仍比硅芯片低数百万倍 [3] - 研究人员强调该成果基于大学实验室设备，若获产业界投入有望加速性能追赶 [3] 应用前景 - 重点布局物联网边缘计算芯片和智能传感芯片领域，以快速体现二维半导体竞争力 [2] - 该技术标志着二维材料从实验室研究向工程应用的转变，为后硅时代提供可行替代方案 [2]

先进的逻辑技术 - 纳米片晶体管和3D互补场效应晶体管(CFET)是延续摩尔定律的关键技术，纳米片架构比FinFET具有更好的静电控制、更高驱动电流和可变宽度，CFET通过堆叠n-FET和p-FET使晶体管密度翻倍[3] - 台积电发布2纳米CMOS逻辑平台(N2)，采用GAA纳米片晶体管，芯片密度比3纳米平台(N3)增加1.15倍，速度提升15%同时功耗降低30%，计划2025年下半年量产[3][4] - 英特尔展示栅极长度6纳米、接触式多晶硅间距45纳米的RibbonFET晶体管，电子迁移率在硅厚度低于3纳米前不会下降，研究表明3纳米是RibbonFET的实际缩放极限[8][9] - 台积电构建业界首个48纳米栅极间距的全功能CFET反相器，采用背面接触技术，n型和p型器件均具有74-76mV/V的亚阈值斜率，为未来逻辑技术微缩铺平道路[14][15] 新兴逻辑器件材料 - 北京大学团队采用高密度定向碳纳米管阵列构建100纳米栅长MOSFET，创下2.45mA/μm饱和通态电流和302GHz截止频率的纪录，性能超过硅平面FET[23][25] - 使用钌源漏接触的WSe2 PMOS器件实现156mV/dec亚阈值斜率和132μA/μm漏极电流，展示二维材料在下一代电子器件中的潜力[31][33] 存储器技术突破 - Kioxia团队开发新型4F2 DRAM，采用GAA IGZO垂直沟道晶体管，导通电流超过15μA/单元，关断电流低至1aA/单元，成功构建275Mbit阵列展示高密度潜力[33][35] - IMEC研究发现IGZO TFT阈值电压不稳定性可通过贫铟薄膜和限制工作波形占空比缓解，为未来DRAM可靠性提升提供解决方案[39][41] - 台湾大学团队开发具有β-W电极的金属-铁电-金属电容器，与HZO材料配合实现无疲劳耐久性，为高性能存储器开辟道路[44][45] 内存计算创新 - 清华大学团队开发首款基于金属氧化物CFET的3D集成芯片，包含Si-CMOS逻辑层、RRAM层和OS-CFET层，与2D方案相比面积减少55.1%，延迟降低24.8%，能耗下降44.9%[48][50] - 3D FeNAND阵列将模拟内存计算密度提升4000倍，计算效率比2D阵列高1000倍，在边缘计算应用中实现87.8%准确率的乘法累加运算[50][52] 高频与功率器件 - 英特尔在300毫米GaN-on-TRSOI衬底上制造高性能GaN MOSHEMT晶体管，实现190GHz截止频率和532GHz最大振荡频率，推动6G通信发展[54][56] - 弗吉尼亚理工大学团队开发横向Ga2O3结栅场效应晶体管，击穿电压超过10kV，导通电阻低至703mΩ·cm2，首次展示250℃工作和3kV可靠性数据[58][59] 传感与成像技术 - 首尔国立大学开发集成气体、气压和温度传感的智能多模设备，利用内存计算实现97.8%气体检测准确率[65][67] - 索尼实现单芯片集成RGB像素和近红外测距像素，采用1.0μm拜耳像素和4.0μm测距像素，无视差获取高分辨率图像和深度信息[68][69] - 台湾清华大学团队开发双换能间隙CMOS-MEMS CMUT阵列，实现16.7kPa/V/mm²超声发射效率和57mV/kPa接收灵敏度[73][74] 研发方法创新 - 三星通过计算机建模从3888种硫族化物组合中筛选18种候选材料，加速仅选择器存储器技术开发[78][79] - DeepSim公司开发AI加速的多尺度热模拟流程，可在10分钟内完成从原子到电路级别的温度预测，解决2D/3D IC热管理挑战[81][82]