证券代码：688147 证券简称：微导纳米 公告编号：2025-073 转债代码：118058 转债简称：微导转债 江苏微导纳米科技股份有限公司 关于 2025 年限制性股票激励计划内幕信息知情人 买卖公司股票情况的自查报告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 2、本激励计划的内幕信息知情人均填报了《内幕信息知情人登记表》； 3、公司向中国证券登记结算有限责任公司上海分公司（以下简称"中登公 司"）就核查对象在自查期间买卖公司股票情况进行了查询确认，并由中登公司 出具了书面的查询证明。 二、核查对象买卖公司股票的情况说明 根据中登公司 2025 年 9 月 30 日出具的《信息披露义务人持股及股份变更查 询证明》及《股东股份变更明细清单》，共有 3 名核查对象存在买卖公司股票的 行为，经公司核查并与上述人员沟通确认，上述核查对象在自查期间进行的股票 交易行为均基于自身对公司已公开披露信息的分析、对二级市场交易情况的独立 判断而进行的操作，在买卖公司股票前，并未知悉本次激励计划的相关信息，亦 未通过其他内幕信息知 ...

公司治理与激励 - 公司于2025年10月14日召开第二届董事会第二十七次会议及第二届监事会第二十五次会议 [1] - 会议审议通过向2025年限制性股票激励计划激励对象首次授予限制性股票的议案 [1] - 确定以2025年10月14日为首次授予日，授予价格为24.30元/股 [1] 激励计划具体内容 - 本次激励计划首次授予的激励对象总数为420名 [1] - 首次授予的第二类限制性股票总数量为332.76万股 [1]

股价与市场交易表现 - 10月10日公司股价下跌6.08%，成交额为7.06亿元 [1] - 当日融资买入额为1.13亿元，融资偿还额为1.21亿元，融资净买入为-873.66万元 [1] - 截至10月10日，公司融资融券余额合计为4.67亿元，其中融资余额为4.66亿元，占流通市值的8.37%，该余额水平超过近一年90%分位，处于高位 [1] 融券交易情况 - 10月10日公司融券偿还2400股，融券卖出800股，卖出金额为4.40万元 [1] - 当日融券余量为2.58万股，融券余额为141.73万元，该余额水平同样超过近一年90%分位，处于高位 [1] 公司基本信息与业务构成 - 公司成立于2015年12月25日，于2022年12月23日上市，总部位于江苏省无锡市 [1] - 公司主营业务以ALD技术为核心，专注于先进微、纳米级薄膜沉积设备的研究与产业化，服务于光伏、集成电路等半导体与泛半导体行业 [1] - 主营业务收入构成为：光伏设备76.54%，半导体设备18.43%，配套产品及服务3.07%，其他1.89%，其他(补充)0.07% [1] 股东户数与持股变化 - 截至6月30日，公司股东户数为1.09万户，较上期增加15.68% [2] - 同期人均流通股为9300股，较上期减少10.47% [2] 2025年上半年财务业绩 - 2025年1月至6月，公司实现营业收入10.50亿元，同比增长33.42% [2] - 同期实现归母净利润1.92亿元，同比增长348.95% [2] 分红与机构持仓动态 - 公司A股上市后累计派发现金分红5896.22万元 [3] - 截至2025年6月30日，银华中小盘混合（180031）为第二大流通股东，持股352.11万股，较上期增加16.30万股 [3] - 光伏ETF（515790）为第六大流通股东，持股160.32万股，较上期减少2746股 [3] - 南方中证1000ETF（512100）为新进第九大流通股东，持股127.34万股 [3] - 博时上证科创板100ETF联接A（019857）退出十大流通股东之列 [3]

回购金额 - 预计回购4000万元至8000万元[3][4] - 累计已回购79526891.92元[3] 回购股份 - 累计已回购2901842股，占总股本0.63%[3] - 公司总股本为461157283股[6] 回购价格 - 实际回购23.66元/股至30.70元/股[3] - 2024年二期上限调为不超42.72元/股[5] 回购进展 - 截至2025年9月30日符合既定方案[6]

回购方案概述 - 公司于2024年11月15日首次披露以集中竞价方式回购股份的方案 [1] - 回购方案实施期限至2025年11月14日 [1] - 预计回购总金额为4000万元至8000万元 [1] - 回购股份拟用于员工持股计划或股权激励 [1] 回购进展详情 - 截至2025年9月30日，公司累计回购股份2901842股 [1] - 累计回购股份数量占总股本的0.63% [1] - 累计已支付总金额为79526891.92元 [1] - 实际回购价格区间为23.66元/股至30.70元/股 [1] - 回购进展符合既定方案 [1] 后续安排 - 公司将根据相关规定择机继续实施回购 [1] - 公司将及时履行后续信息披露义务 [1]

股价表现与公司概况 - 10月9日公司股价上涨5.05%，报收61.63元/股，成交额6.13亿元，换手率10.27%，总市值284.21亿元 [1] - 公司成立于2015年12月25日，于2022年12月23日上市，专注于以ALD技术为核心的先进微、纳米级薄膜沉积设备的研究与产业化 [1] - 公司主营业务收入构成为：光伏设备76.54%，半导体设备18.43%，配套产品及服务3.07%，其他业务合计约1.96% [1] 主要股东与基金持仓 - 华泰柏瑞基金旗下光伏ETF（515790）位列公司十大流通股东，二季度减持2746股后，持有160.32万股，占流通股比例1.58% [2] - 基于10月9日股价表现，该ETF持仓当日浮盈约474.56万元 [2] - 光伏ETF（515790）最新规模为99.84亿元，今年以来收益率为25.8%，近一年收益率为15.07% [2] 相关基金经理信息 - 光伏ETF（515790）的基金经理为李茜和李沐阳 [3] - 李茜累计任职时间5年341天，现任基金资产总规模393.51亿元，任职期间最佳基金回报99.51% [3] - 李沐阳累计任职时间4年278天，现任基金资产总规模212.73亿元，任职期间最佳基金回报130.71% [3]

本公司监事会及全体监事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 | 证券代码：688147 | 证券简称：微导纳米 | 公告编号：2025-070 | | --- | --- | --- | | 转债代码：118058 | 转债简称：微导转债 | | 江苏微导纳米科技股份有限公司（以下简称"公司"）于 2025 年 9 月 23 日 召开了第二届董事会第二十六次会议、第二届监事会第二十四次会议审议通过了 《关于公司<2025 年限制性股票激励计划（草案）>及其摘要的议案》等相关议 案。根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）《中华人民共和国 证券法》（以下简称"《证券法》"）《上市公司股权激励管理办法》（以下简称"《管 理办法》"）《上海证券交易所科创板股票上市规则》（以下简称"《上市规则》"） 《科创板上市公司自律监管指南第 4 号——股权激励信息披露》等法律、法规及 规范性文件和《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》（以下简称"《公司章程》"） 的相关规定，公司对 2025 年限制性股票激励计划拟首次授予激励对象的名单在 ...

技术突破与设备研发 - 成功研发出国内首台量产型High-k ALD设备，攻克高介电常数栅氧层薄膜工艺的核心难题 [1] - CVD设备在硬掩膜工艺取得突破性进展，成为国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的企业 [1] - 核心技术实现多领域覆盖，精准适配逻辑芯片、存储芯片、先进封装、化合物半导体及新型显示等关键应用场景 [1] 行业影响与战略定位 - High-k ALD设备顺利应用于集成电路制造前道生产线，推动国内半导体产业自主化进程 [1] - 公司持续聚焦半导体先进制程薄膜工艺解决方案，服务并引领半导体新架构、新器件发展 [1] - 打通国内先进半导体下一代技术迭代的需求，引领行业创新发展 [1]

光伏设备板块市场表现 - 光伏设备板块较上一交易日上涨2.24% 领涨个股为易成新能(300080) 涨幅达20.00% [1] - 上证指数报收3862.53点 单日上涨0.9% 深证成指报收13479.43点 单日上涨2.05% [1] - 板块内10只个股涨幅超5% 其中艾罗能源(688717)涨10.53% 上能电气(300827)涨8.94% 微导纳米(688147)涨7.10% [1] 个股交易数据 - 成交额前三分别为阳光电源(300274)164.68亿元 锦浪科技(300763)30.47亿元 上能电气(300827)27.28亿元 [1] - 成交量前三为TCL中环(002129)172.11万手 阳光电源(300274)99.54万手 横店东磁(002056)89.59万手 [1][2] - 跌幅最大个股为通灵股份(301168)下跌1.96% *ST全刚(300093)下跌1.68% 大全能源(688303)下跌1.41% [2] 资金流向情况 - 板块主力资金净流入9.36亿元 游资资金净流出6.34亿元 散户资金净流出3.02亿元 [2] - 资金呈现主力净流入与游资散户净流出的分化态势 净流入规模达9.36亿元 [2]

行业背景与市场格局 - 美国BIS在2024年12月修订出口管制条例，针对高深宽比结构和新金属材料（如钌、钼）的尖端薄膜沉积设备实施新管控，将中国半导体产业链锁定在中低端环节 [2] - 芯片结构根本性变革重塑薄膜沉积设备市场格局，为国产厂商提供换道超车窗口 [3] - 薄膜沉积设备占芯片制造设备资本开支70%-80%，其重要性随制程先进化呈指数级增长：90nm工艺需约40道工序，3nm工艺激增至超100道工序，薄膜材料从6种增至近20种，薄膜颗粒控制要求从微米级跃升至纳米级（≤5nm） [3] - 2023年中国薄膜沉积设备市场规模达479亿元，但国产化率仍低于25% [6][7] - 中国大陆连续五年成为全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.5亿美元，占比42% [55][62] 薄膜沉积设备国产化现状 - 国内薄膜沉积设备主要厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、盛美上海、微导纳米、晶盛机电 [7][58] - 其他设备国产化率：光刻机<1%、刻蚀设备>25%、量测设备<5%、清洗设备>30%、CMP设备>30%、离子注入机<10% [7][58] - 全球薄膜沉积设备市场高度垄断，应用材料、泛林集团、TEL等国际巨头占据主导地位：CVD市场CR3达70%，PVD市场应用材料占比85%，ALD市场ASMI和TEL合计占比75% [72][76] 技术演进与创新方向 - 芯片制造从2D平面走向3D立体，驱动薄膜沉积设备技术重心与市场结构变革 [9] - PVD技术通过离子化升级应对高深宽比结构，国产PVD设备已实现逻辑/存储芯片金属化制程28nm至3nm节点全覆盖，并在钨栓塞黏附层（钛离子PVD）和隔离层（氮化钛CVD）等关键工艺批量应用 [10][11] - PECVD占薄膜沉积设备市场33%，因其低温沉积（400℃ vs LPCVD 700℃）特性适配28nm以下节点介质薄膜要求 [13][87] - 专用CVD成为突破利器：HDPCVD通过"沉积-刻蚀-沉积"循环实现高深宽比（<5:1）沟槽无孔洞填充，是3D NAND层数突破关键；SACVD在次常压环境下通过臭氧/TEOS反应实现<7:1深宽比填充，是45nm以下逻辑电路制造关键 [15][16] - ALD需求受三大引擎驱动：逻辑芯片GAA结构需要沉积High-K栅介质（如HfO₂）、金属栅极（如TiN）及内侧墙Low-K介质；DRAM电容深宽比达100:1，需均匀填充ZAZ电介质叠层；3D NAND千层堆叠使ALD设备需求增长7倍以上 [19][20][22][26] - 国产ALD设备已在28nm产线实现High-K介质沉积，并在存储芯片钨填充、DRAM电容结构等细分领域批量应用 [24] 国产厂商发展策略 - 采用差异化切入策略：在巨头垄断的通用型PECVD市场，从3D NAND所需HDPCVD、SACVD等专用设备切入；在逻辑芯片金属栅极竞争红海，聚焦存储芯片钨沉积应用 [25] - 技术卡位下一代工艺节点：提前布局PEALD和Thermal ALD，在GAA、3D DRAM等新兴结构研发中与晶圆厂共同开发工艺 [27] - 平台化延伸提升客户粘性：从单一PVD或CVD设备向PVD/CVD/ALD/外延/电镀全产品线扩展，提供一站式解决方案 [27] - 产业链协同创新：设备厂商与上游材料、零部件企业（靶材、前驱体、射频电源）联合攻关，实现整体解决方案性能提升 [27] 投资逻辑与关键赛道 - 投资核心逻辑是寻找能在特定先进工艺窗口实现闭环而不仅是单机替代的公司 [28] - 关键赛道包括：ALD集成商（具备PEALD与Thermal ALD双线能力并能提供工艺配方）、专用CVD专家（在HDPCVD、FCVD等填充工艺具有know-how积累）、前驱体与材料伙伴（共同开发新型High-K材料、金属有机前驱体） [29][30][31] - 延伸投资机会：量测与过程控制设备（晶圆缺陷检测、薄膜量测）、集成式解决方案（沉积+刻蚀+退火多工艺集成）、技术可迁移性（从光伏、显示、功率器件向集成电路迁移） [32] - 核心零部件卡脖子环节：等离子体源/射频电源（技术壁垒极高）、真空系统与部件、精密陶瓷件（静电吸盘、气体分配盘） [34][35][36] - 零部件投资视角：验证壁垒形成护城河、平台型零部件公司（横跨沉积/刻蚀/离子注入等多类设备）、材料-部件一体化公司（掌握特种陶瓷材料到精密加工全流程） [36][37] 产能与需求增长驱动 - 全球晶圆厂产能稳步增长，25Q1产能达4270万片/季度（约当12英寸），半导体Capex在24Q3反弹后预计25Q1同比增长16%，其中WFE季度支出达260亿美元 [51][62] - 2018-2025年全球新建晶圆厂项目171座，中国大陆占74座（43%），其中53座为12英寸项目 [68] - 以中芯国际产线为例，薄膜沉积设备数量占比约20%，12寸产线占比更高（23.74%） [66][67][69] - 工艺进步驱动设备需求：3D NAND层数从128层向1000+层迈进，薄膜沉积设备占产线资本开支比例从2D时代18%增长至3D时代26% [81][86]