文章核心观点 - 高带宽内存是AI算力发展的关键基础设施，其性能直接决定了AI模型训练和推理的速度与效率 [1] - 韩国KAIST大学发布的HBM技术路线图详细规划了从HBM4到HBM8的未来发展蓝图，揭示了HBM技术将持续突破带宽、容量和能效极限，以支撑未来AGI等高级AI应用的需求 [1][15] - HBM通过3D堆叠等核心技术解决了传统内存的带宽瓶颈、高延迟和高功耗问题，已成为AI服务器不可或缺的组件 [4][7][14] HBM技术定义与核心优势 - **技术定义**：HBM是一种采用“三明治式”3D堆叠技术的“超级内存”，通过硅通孔实现数据在堆叠芯片层间的垂直高速传输，解决了传统平面内存的带宽和延迟瓶颈 [7][8][59] - **带宽碾压**：HBM带宽远超传统内存，HBM3带宽为819GB/s，HBM4将达2TB/s，HBM8更将飙升至64TB/s，相当于每秒传输16万部高清电影，这是AI训练速度的关键 [12] - **功耗减半**：HBM的垂直传输设计更省电，传输1TB数据，HBM3功耗是DDR5的60%，HBM4将进一步降至50%，有助于数据中心大幅降低电费 [13] - **体积迷你**：HBM模块体积小，可直接集成在GPU封装旁，使AI服务器能容纳更多GPU，算力密度提升3倍，是高密度AI服务器的必然选择 [10][14] HBM技术发展路线图（2026-2038） - **HBM4**：预计2026年推出，核心创新在于定制化Base Die，可直连低成本LPDDR内存以扩展容量，带宽提升至2TB/s，单模块容量达36-48GB，采用直触液冷散热应对75W功耗 [17][18][22][24] - **HBM5**：预计2029年推出，引入近内存计算技术，在内存堆叠中集成计算单元，可减少GPU 40%的工作量，带宽达4TB/s，容量80GB，采用浸没式冷却应对100W功耗 [27][28][29] - **HBM6**：预计2032年推出，采用“多塔架构”提升吞吐量，使LLM推理吞吐量较HBM5提升126%，带宽达8TB/s，容量96-120GB，并集成L3缓存专门存储KV缓存以降低延迟 [32][35][36][38][40] - **HBM7**：预计2035年推出，实现内存与高带宽闪存的融合，集成容量达2TB的HBF作为低成本大容量存储，系统总内存容量可达17.6TB，带宽24TB/s，采用嵌入式冷却 [41][42][44][46][47] - **HBM8**：预计2038年推出，采用全3D集成技术，将GPU裸片垂直堆叠在HBM之上，实现“算力无瓶颈、数据零等待”，带宽达64TB/s，容量200-240GB，采用双面嵌入式冷却 [49][52][54][56][57] 支撑HBM性能的关键技术 - **硅通孔**：在芯片上制造微米级垂直孔道，使数据能在堆叠芯片层间直接传输，路径缩短90%以上，是3D堆叠的基础，其布局从对称演进到同轴以降低干扰 [59][63][66][67] - **混合键合**：采用铜-铜直接键合工艺连接芯片，相比早期的微凸点技术，电阻降至1/10，连接更牢固密集，使堆叠层数增至24层、I/O数量达16384个成为可能 [68][70][71] - **AI辅助设计**：利用AI模型大幅缩短HBM复杂结构的设计周期，如PDNFormer模型可在1毫秒内完成电源阻抗分析，将设计周期从数月缩短至数周 [72][74][76][77][79] HBM产业格局与挑战 - **市场格局**：2025年全球HBM市场规模达300亿美元，2030年预计突破980亿美元，SK海力士、三星、美光三巨头垄断90%以上产能，订单已排至2026年 [80][81] - SK海力士为行业龙头，占全球HBM3E出货量的55%，其M15X新工厂投产后月产能将提升至17.8万片 [81] -三星的HBM3E产能已被谷歌、博通等头部客户包圆，并与OpenAI签署了713亿美元的四年供应大单 [84] -美光增速快，其HBM3E已通过英伟达认证，目标是在2026年将市场份额从7%提升至24% [85] - **主要挑战**： - **成本**：HBM3每GB成本约为DDR5的5倍，HBM4因工艺复杂成本预计再增30%，需通过提升良率、扩大产能和技术创新来降本 [87] - **散热**：未来HBM8功率可能突破200W，需研发新型散热材料、芯片级冷却方案和智能温控系统来应对 [88] - **生态协同**：需要GPU/CPU硬件接口、AI软件框架及行业标准进行深度适配与优化，以充分发挥HBM性能并降低应用门槛 [88][89]

核心观点 - 市场关注美光科技即将发布的2026财年第一季度财报，以判断其高带宽内存业务是否已摆脱传统存储芯片的强周期性，这关系到公司自4月以来增加的2000亿美元市值是否合理 [1] - 公司受益于存储超级周期，HBM业务快速增长，市场份额显著提升，同时行业价格与出货量齐升，单位经济效益出色 [2][3] - 公司战略聚焦高利润的数据中心业务，退出消费级市场，数据中心业务毛利率高达52%，高于公司整体水平，库存管理效率提升 [4] - 市场期待财报中确认HBM产能“售罄”信号并获得上调的资本支出指引，这被视为积极看涨的信号 [6][8] - 多家顶级分析师上调目标价与盈利预期，主要驱动力为内存价格趋势改善及AI带来的HBM需求增强 [10][11] - 公司股价已大幅上涨，估值处于历史高位，市场定价已隐含对营收增长远超普遍预期的乐观展望，财报后的市场反应有待观察 [13][14][16][17] 财务表现与预期 - 华尔街预计公司本季度每股收益为3.93美元，较上年同期的1.79美元大幅增长 [1] - 预计本季度营收为128.2亿美元，同比增长超过45% [1] - 2025财年总营收为374亿美元，其中HBM业务年化收入达80亿美元，占总营收21% [3] - 市场对2026财年营收预期自9月以来已上调8%，目前共识预期为574亿美元，同比增长54% [8] - 德意志银行将2026财年每股收益预期大幅上调近26%至20.63美元，营收预测提高12%至596.6亿美元 [10] - 基于历史估值倍数与当前市场给予的5.1倍远期企业价值/营收比率，市场预期公司2026财年营收增长约63%，高于570亿美元普遍预期约10% [17] HBM业务进展 - 公司在HBM市场增长优势持续扩大，市场份额提升330个基点至25.7%，提前实现原计划明年达成的目标 [2] - 2025财年增长核心动力来自HBM3/HBM3E产能提升，并因竞争对手三星初期产品认证问题而享受了近乎双寡头的市场红利 [3] - 市场热切期盼在财报中听到HBM产能“售罄”的确认，公司此前表示预计在未来几个月内售出2026日历年全部HBM供应的剩余部分 [6] - HBM3E价格已基本锁定，与客户关于HBM4产能的“积极讨论”仍在进行，首批HBM4预计在2026自然年第二季度开始发货 [6] - 花旗指出，公司2026年HBM产能已售罄，并有望获得来自AI客户的大额资金注入 [11] - 从HBM3/HBM3E向16层堆叠的HBM4过渡将推动需求增长，公司增长前景有望超越传统的8-10个季度行业上行周期 [9] 行业与市场动态 - 存储行业正经历超级周期，今年以来存储价格暴涨172% [3] - 今年存储比特出货量预计将跃升约25%或更高，形成平均售价与出货量齐升的强劲组合 [3] - 公司首席财务官指出，当前及2026年以后的存储供应将不足以满足市场需求 [9] - 自9月财报以来，一系列涉及数据中心GPU和XPU的数十亿美元大单宣布，扩大了HBM市场总潜量 [8] - 分析师指出，DRAM价格出现前所未有的涨幅，估算2025年第四季度DRAM价格环比上涨50%，幅度远超预期 [10] 公司战略与运营 - 公司决定退出“英睿达”消费级业务，将全部资源集中于数据中心业务板块 [2][4] - 数据中心业务贡献了总营收的56%，毛利率高达52%，高于公司2025财年第四季度整体毛利率约45%及全年约40%的水平 [4] - 公司库存天数已降至125天，远低于两年前的超过150天 [4] - 公司此前给出的资本支出指引约为180亿美元，基于9月营收预期计算约占2026财年预期营收的34% [8] - 首席财务官暗示将在Q1财报中修订资本支出指引，若上调至接近历史平均占营收36%的水平，将被视为极其看涨的信号 [8][9] 估值与市场情绪 - 公司股价相对于其账面价值的倍数高达5.5倍，处于互联网泡沫时代以来的高位 [14] - 当前估值表明市场预期公司正进入超级周期或业务已摆脱强周期性，转向长期增长 [16] - 多家顶级机构如Stifel、瑞穗、瑞银等上调目标价 [10] - 德意志银行将目标价从200美元上调至280美元，花旗将目标价从275美元上调至300美元 [10] - 历史数据显示，公司2024财年营收实际增长61.6%，2025财年增长48.9%，均超过前期市场预期 [16][17]

核心观点 - 市场关注美光科技即将发布的2026财年Q1财报 焦点在于HBM业务是否具有与传统存储芯片不同的周期性 这关系到公司自4月以来增加的2000亿美元市值是否合理 [1] - 财报将成为验证公司是否处于“存储超级周期”并摆脱传统“繁荣-萧条循环”的试金石 [1][2] 财务表现与市场预期 - 华尔街预计美光Q1每股收益为3.93美元 较上年同期的1.79美元大幅增长 营收预计达128.2亿美元 同比增长超过45% [1] - 市场对美光2026财年营收预期自9月以来已上调8% 目前共识预期为574亿美元 同比增长54% [8] - 德意志银行将美光2026财年每股收益预期大幅上调近26%至20.63美元 营收预测提高12%至596.6亿美元 [10] - 花旗分析师预计美光Q1财报将显著超出市场预期 主要因DRAM价格出现前所未有的涨幅 估算2025年第四季度DRAM价格环比上涨50% [10] HBM业务进展与市场地位 - 美光HBM业务快速增长 2025财年HBM年化收入达80亿美元 约占其374亿美元总营收的21% [3] - 公司在HBM市场份额提升330个基点至25.7% 提前实现原计划明年达成的目标 [2] - 美光受益于HBM3E产能提升 且主要竞争对手三星因散热问题曾未能获得英伟达Blackwell GPU的HBM3认证 使美光与SK海力士在HBM3E爬坡阶段享受近乎双寡头红利 [3] - 市场热切关注管理层是否会在财报中确认2026年HBM产能已“售罄” 花旗指出美光2026年HBM产能已售罄 [6][11] - 公司正与客户就HBM4产能进行积极讨论 首批HBM4预计在2026自然年第二季度开始发货 [6] 业务战略与运营效率 - 美光决定退出“英睿达”消费级业务 将资源集中于数据中心业务 [2] - 数据中心业务贡献了公司总营收的56% 毛利率高达52% 高于公司2025财年第四季度约45%和全年约40%的整体毛利率 [4] - 公司库存天数已降至125天 远低于两年前的超过150天 [4] - 存储行业价格飙升 今年以来价格暴涨172% 同时今年存储比特出货量预计跃升约25%或更高 形成量价齐升组合 [3] 资本支出与增长前景 - 市场关注的另一关键要素是资本支出指引 此前已知指引约为180亿美元 基于9月营收预期计算约占2026财年预期营收的34% [8] - 首席财务官暗示180亿美元的资本支出指引将在Q1财报中进行修订 并指出当前及2026年以后的存储供应将不足以满足市场需求 [9] - 若管理层将资本支出大幅上调至接近往年平均占营收约36%的水平 将被视为极其看涨的信号 [8] - 需求增长很大程度上源于市场从12层堆叠的HBM3/HBM3E向16层堆叠的HBM4过渡 公司增长前景有望超越传统的8-10个季度行业上行周期 [9] 市场情绪与估值 - 财报发布前 包括Stifel、瑞穗、瑞银、德意志银行和花旗在内的多家顶级机构上调了美光目标价或评级 [10] - 德意志银行将目标价从200美元上调至280美元 花旗将目标价从275美元上调至300美元 [10] - 美光股价相对于其账面价值的倍数高达5.5倍 处于互联网泡沫时代以来的高位 [14] - 市场给予美光的估值是2026财年预期营收的5.1倍 这意味着市场预期公司今年最终将实现约63%的增长 比约570亿美元的普遍预期高出10% [17] - 当前估值表明市场预期公司正进入超级周期或业务已摆脱周期性转向长期增长 而非用传统的繁荣-萧条周期理论看待 [16]

组织架构调整 - 三星电子将新成立的高带宽内存开发团队整合至DRAM开发部门下的设计团队 [1] - 团队负责人、副总裁孙英洙被任命为设计团队负责人 [1] - 此举旨在提高下一代产品开发效率并体现对现有HBM业务技术基础的信心 [1] 下一代产品开发 - HBM开发团队将在设计团队指导下继续开发HBM4及HBM4E等下一代产品和技术 [1] - 公司近期加强了与英伟达、AMD和OpenAI等全球科技巨头的合作 [1] - 公司已获得一定程度的HBM4相关技术 [1] 市场战略与前景 - 公司计划利用此次重组机会克服在HBM3和HBM3E领域的经验不足 [2] - 公司目标于明年开始全面扩大市场份额 [2] - 市场研究公司TrendForce预测，在HBM4供应量增加推动下，三星电子到2026年将重新夺回30%以上的全球市场份额 [2]

公司基本情况 - 截至2025年11月10日，公司股东户数为230,106户 [2] - 公司为国内高端存储芯片封测的龙头企业，拥有经验丰富的研发和工程团队，具备多层堆叠封装工艺能力和测试软件开发能力 [2][3][4][5] 财务与运营数据 - 截至2025年9月30日，公司存货为24.42亿元，较上年末降低7.15% [3] - 公司深圳、合肥封测产线目前处于满产状态 [3][4] - 公司正根据客户近期需求进行扩产 [3][4] 技术与产能 - 存储芯片封装行业存在较高的技术壁垒 [3] - 公司具备HBM3等高端存储芯片封测能力 [2][4] - 公司基于行业趋势与市场需求动态进行产能布局 [3][4] 客户与市场 - 客户信息属于保密内容，未披露具体客户名单及订单占比 [3][4] - 封测价格根据市场情况进行调整 [4] - 公司密切关注行业发展动态和前沿技术趋势 [2][3] 公司发展策略 - 暂无并购重组或收购沛顿剩余股权的具体计划披露 [3] - 公司通过提升经营质量、优化信息披露、加强投资者沟通等方式进行市值管理 [3][4] - 具体经营业务情况请关注公司公开披露信息 [4][5]

行业与公司 * 纪要主要涉及半导体行业 特别是存储和AI算力产业链 以及中芯国际和工业富联等上市公司[1] 核心观点与论据：AI算力需求与影响 * AI算力需求激增 推动英伟达 台积电 工业富联等产业链公司受益[1][2] * 若AI需求在2025年和2026年保持50%以上的增长 将显著推动算力产业链发展[2] * 预计到2026年 总体机柜交付数量可能超过10万 其中英伟达贡献2000万颗GPU 加上AMD和Google等公司的量 总体规模可能达到13万以上 比2025年增长两到三倍[3][17] * AI消耗全球原材料和半导体材料 台积电四季度最大客户已从苹果变为英伟达[4] * 美国电力系统面临巨大压力 不足以支持快速增长的AI算力需求[4] 核心观点与论据：存储市场动态 * 存储器价格上涨 特别是由AI驱动的存储需求增长 如果DRAM和NAND平均涨价50% 将导致中国手机企业毛利率下降3%至4%[1][2] * 零部件缺货问题影响手机厂商和汽车企业的出货量 尤其是在2025年上半年[1][2] * 存储企业扩产意愿不强 受AI泡沫担忧及过去NAND业务亏损影响[1][5] * 预计2025年上半年NAND价格持续上涨[1][5] * 海外存储企业如美光 海力士等明年营业利润率或达70%[1][8] * HBM3每GB约14美元 LPDDR5每GB约1.5至1.6美元 价差接近10倍 导致厂商倾向于增加HBM生产[10] * 服务器用ESSD价格快速上涨 挤占手机用NAND市场份额 主要NAND厂商扩产意愿不强 供给增速缓慢 问题可能在2026年持续[1][11] * 三星在HBM市场采取降价策略以进入英伟达产业链 美光已宣布2026年HBM全部售罄 并计划将2026年资本开支增加23%[12] 核心观点与论据：重点公司分析 中芯国际 * 公司业务结构将在2026年发生变化 消费类业务受存储器缺货影响 但计算类需求上升或可弥补[1][6] * 公司在先进工艺及国产化方面稳步推进 受益于AI算力相关预期和南方产能释放[1][6] * 中芯国际在国产算力产业链中占据重要地位 南下持股比例约为30% 自2025年初以来持续上升[3][19] * 中芯国际上季度收入环比增长7.8% 毛利率提升至95.8% 40%的收入来自手机相关平台 因存储器缺货面临挑战[15] * 公司少数股东权益已恢复到2025年一季度水平 随着先进工艺产能释放有望继续扩大[15] * 参考台积电和联电等公司的PB倍数 中芯国际估值约4.7倍至5倍PB[20] 工业富联 * 作为英伟达产业链核心标杆 预计2026年销量达10万机柜以上 显著提升盈利能力[1][7] * 工业富联三季度净利润首次超100亿人民币 同比增长30%以上 预计四季度将继续保持高双位数增长[1][14] * 交换机业务增速快于计算业务 其毛利率也更高[14][16] 其他重要内容：产业链与市场影响 * 设备供应商如Lam Research Tokyo Electron受益于存储市场动态[1][8] * 存储板块周期性较强 使用市净率估值 美光PB为5.1倍 海力士为3.7倍 三星为1.x倍 从市盈率看仍具吸引力 海力士PE仅为7倍[13] * 中国本土设备企业资本开支保持强劲 国内设备企业国产化率约为22%-23%[21] * 日本凯霞公司与Sandisk合并后成为全球第三大存储器公司 份额合计约25% 近期业绩低于预期[22] * 各大CSP企业资本支出保持60-70%的高速增长 逐步从股权融资转向债权融资或加杠杆[17] * 预计2026年上半年半导体行业出现波动 但全年收入和2027年收入可能小幅下滑 产品单价有望提升[18]

上证科创板芯片指数及ETF表现 - 截至2025年11月10日，上证科创板芯片指数下跌2.39%，成分股中科蓝讯领涨2.70%，杰华特领跌7.38% [2] - 科创芯片ETF博时下跌2.43%，报价2.41元，近1周累计上涨0.32% [2] - 科创芯片ETF博时盘中换手率6.99%，成交4849.70万元，近1月日均成交1.22亿元 [2] - 该ETF近10个交易日内资金净流入合计2487.06万元，但最新交易日资金净流出494.93万元 [4] 全球及中国半导体行业景气度 - 2025年第三季度全球半导体销售额达2084亿美元，同比增长25.1%，环比增长15.8% [3] - 中国申万半导体板块第三季度归母净利润同比大幅增长76.7%，产能利用率维持高位，毛利改善明显 [3] - SEMI预计全球先进制程产能将持续扩张，2028年月产晶圆规模较2024年增长约69% [3] AI驱动存储芯片需求与价格变化 - 存储芯片龙头企业闪迪表示将在11月大幅上调NAND闪存合约价格，涨幅高达50% [2] - AI服务器对存储需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍 [3] - 2025年AI对存储的需求占比达40%，闪迪公司预计到2026年数据中心将首次超越移动端成为NAND闪存最大需求来源 [2][3] - 三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50% [3] 产业链发展与国产化进程 - 存储芯片涨价、长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品交付有望带动上游材料端需求持续增长 [3] - 在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产创新与自主可控进程或将进一步加速 [3] - 消费电子行业第四季度高景气持续，北美算力和国产算力持续受益AI基建而保持高成长性 [4]

市场整体表现 - 11月10日A股市场震荡下探，创业板指跌逾2%，沪指跌0.03%，深成指跌0.59%，创业板指跌2.13% [3] - 万得全A成交额达1.45万亿元，预测成交额2.28万亿元，增加2629亿元 [4] - 沪深京三市下跌个股近2300只 [4] 板块与行业表现 - 大消费板块盘中异动拉升，食品饮料、免税方向领涨，中国中免涨停，股价创近两年新高 [7][8] - 锂电池板块反复走强，锂电电解液概念指数上涨4.82%，氟化工指数上涨4.51% [4][5] - 化工、半导体、超硬材料等板块表现活跃，磷化工指数上涨3.47%，超硬材料指数上涨3.24% [4][5] - 工程机械、电子元器件、机器人板块走低，工程机械指数下跌2.72%，电子元器件指数下跌2.57% [4][5] - ASIC芯片指数走低，淳中科技跌停，华虹公司跌近7%，寒武纪、江波龙、中芯国际等跟跌 [11][12] 消费行业驱动因素 - 海南离岛免税新政实施首周（11月1日至7日），海口海关监管免税购物金额达5.06亿元，购物人数7.29万人次，同比分别增长34.86%和3.37% [8] - 10月份居民消费价格指数（CPI）环比上涨0.2%，同比上涨0.2%，核心CPI同比上涨1.2%，涨幅连续第6个月扩大 [9] - 财政部将继续实施提振消费专项行动，对重点领域个人消费贷款和相关行业经营主体贷款给予财政贴息，激发养老、托育等服务消费潜力 [10] 半导体行业动态 - 商务部就欧方关于安世半导体问题的声明表示，造成全球半导体供应链混乱的源头和责任在荷方，希望欧方督促荷方尽快撤销相关措施 [13] - 三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%至50% [14] - 存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望带动上游材料端需求增长，外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐 [14]

市场表现 - 11月10日三大指数集体高开，存储芯片概念反复活跃 [1] - 芯片ETF天弘（159310）高开高走，现涨近1% [1] - 科创综指ETF天弘（589860）涨近1%，成分股神工股份“20cm”涨停，华盛锂电涨超10% [2] - 芯片ETF天弘上个交易日（11月7日）净流入417.09万元，近5个交易日累计净流入2864.47万元 [1] - 芯片ETF天弘最新流通份额为6.35亿份，最新流通规模为13.23亿元 [1] 存储芯片价格动态 - 闪存龙头闪迪（SanDisk）11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50% [2] - 涨价消息导致创见、宜鼎国际与宇瞻科技等模组厂暂停出货并重新评估报价 [2] - 创见自11月7日起暂停报价交货，预期市场行情将继续向好 [2] - 三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25% [3] - DDR5季度涨幅或达30%-50% [3] 行业需求与供应 - 英伟达首席执行官黄仁勋表示，由于AI需求强劲，已向台积电要求增加芯片供应 [2] - 英伟达的三家AI存储芯片供应商SK海力士、三星电子和美光科技都已提升巨大产能以支持英伟达 [2] - 存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品交付有望带动上游材料端需求持续增长 [3] - 消费电子行业第四季度高景气持续 [3] - 北美算力和国产算力持续受益AI基建而保持高成长性 [3] 政策与国产替代 - 在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐 [3] - 国产创新与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求 [3] 指数与公司基本面 - 芯片ETF天弘跟踪中证芯片产业指数，该指数2025年上半年归母净利润同比增长37.62% [2] - 科创综指ETF天弘紧密跟踪科创综指，该指数覆盖小市值硬科技企业 [3] - 科创综指前十大权重股包括寒武纪-U、海光信息、中芯国际等科技龙头 [3]

行业动态与市场背景 - 近期A股高带宽内存概念受到市场关注，部分相关概念股获资金抢筹，涨势凌厉 [1] - SK海力士与英伟达敲定HBM4供应协议，单价为560美元，较HBM3E上涨超过50%，且明年产能已售罄 [1] - 机构预测SK海力士2025年营业利润或首次突破70万亿韩元 [1] - HBM4高溢价红利短期由海外寡头独享，国内标的交易逻辑以主题为主 [1] 上市公司HBM业务进展 - 中天精装间接持有深圳远见智存科技有限公司6.71%的股权，远见智存聚焦高带宽存储芯片领域，提供整套HBM/DRAM堆叠及核心IP解决方案，旨在实现HBM芯片国产替代 [1] - 远见智存的HBM2/2e产品已完成终试，HBM3/3e处于研发阶段，目标覆盖大模型训练及AI推理、网络、图形图像、车载以及穿戴等边缘侧和端侧设备的需求 [1] - 紫光国微面向特种行业应用的HBM产品目前处于研发阶段，特种行业新产品用户导入周期较长 [2] - 精测电子拥有HBM存储芯片制程相关的老化测试设备，该产品线在国内一线客户实现批量重复订单，CP/FT产品线相关产品已取得订单并完成交付 [3] - 飞凯材料的先进封装材料如功能性湿电子化学品、锡球、环氧塑封料均可用于HBM制程，公司正与相关厂商合作开发与调试，以提升HBM制程工艺成熟度并加速材料国产化替代 [3] - 艾森股份的先进封装光刻胶、电镀铜基液、铜钛蚀刻液、电镀锡银添加剂等产品可以用于HBM存储芯片封装 [5] - 快克智能在先进封装领域重点推进热压键合设备研发，该设备是HBM封装的关键工艺设备，目前进展顺利 [6] - 龙芯中科协同产业链伙伴在HBM研发上有相应的计划和投入 [4] 相关材料与技术发展 - 三祥新材正在布局的电子级锆及铪材料为锆基及铪基前驱体材料的关键原材料，后者在HBM等高性能存储芯片中有广泛应用，公司部分相关产品已向下游半导体产业链客户送样 [6] - 飞凯材料表示空芯光纤相较于传统光纤是内部光传导结构的升级与优化，但目前尚未大批量投入工业应用，对公司光纤涂覆材料的应用性能要求与使用量影响不大 [3] - 龙芯中科的龙链技术在持续研发迭代中，以带来更高的带宽和更低的延迟，为满足后续GPGPU的需求而继续演进 [4]