公司主营业务与核心竞争力 - 公司专注于IGBT和FRD功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产和销售，并提供解决方案，产品核心为自研芯片，模块以自研芯片为主、外购芯片为辅 [2] - IGBT和FRD是电气与自动化、电力传输与信息通信系统的核心器件，推动功率半导体国产化进程具有重大战略意义 [2] - 产品覆盖新能源汽车、新能源发电、储能、工业控制、AI电源和机器人等领域，持续创新超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术 [3] 财务表现与经营目标 - 报告期内归属于上市公司股东的净利润为297.8万元，同比增长18.45% [3] - 公司通过加码前瞻性研发投入、丰富产品矩阵、提升市场拓展能力和精细化管理，夯实核心竞争力并推动持续健康发展 [3] 研发投入与创新成果 - 研发人员数量为220人，同比增长4.76%，其中硕士和博士共46人，占比20.91% [3] - 2025年上半年研发投入5856.61万元，占营业收入比例8.61%，同比增长15.23% [3] - 累计获得发明专利83项、实用新型专利83项、外观设计专利10项 [3] - 首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片和车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片研制成功并通过可靠性验证 [3] - SiC SBD芯片通过多家终端客户可靠性和系统级验证，部分产品已批量出货 [4] - GaN 650V 75mohm芯片研制成功并通过内部可靠性验证，正进入客户导入和送样阶段，为拓展AI服务器电源和人形机器人市场奠定基础 [4] 技术战略与产业化布局 - 公司通过技术迭代与产线协同优化提升产品竞争力，构建以SiC和GaN为主、兼顾第四代半导体的多元化技术体系 [4] - 加速SiC和GaN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI电源、机器人、先进能源与新型电力系统等应用场景 [4] 募投项目与资金管理 - 公司将可转换公司债券募投项目"车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）"达到预定可使用状态的时间调整至2027年6月30日 [5] - 加强募集资金使用的监督和管理，确保合法有效，并提高资金使用效率 [5] 公司治理与ESG管理 - 公司首次编制并披露《环境、社会及治理（ESG）报告》，获得Wind A级评价，彰显ESG管理良好基础和未来发展潜力 [5] - 持续深化ESG理念融入经营管理各环节，提升管理水平和信息披露质量，追求经济、社会和环境价值的统一 [5] 人才激励与股权计划 - 发布《2025年限制性股票激励计划（草案）》，向121名激励对象授予295.07万股第二类限制性股票，激励对象包括董事、高管和核心技术人员 [6] - 股权激励计划有效保留和激励核心骨干，增强团队凝聚力和战斗力，为持续创新和高质量发展奠定人才基础 [6] 信息披露与投资者沟通 - 2025年上半年披露定期报告2份、临时公告40份，信息内容客观、准确、完整 [6] - 通过投资者专线、邮箱、"上证e互动"和"上证路演中心"等平台与投资者沟通，问题回复率100% [7] - 召开2025年度科创板芯片设计环节行业集体业绩说明会，加深投资者对公司经营情况的了解 [7] 股东回报与股份回购 - 自2021年上市以来累计派发现金红利4249.17万元（含税） [8] - 2024年8月完成第一期股份回购159.80万股，金额2549.62万元；2024年12月实施第二期回购，截至2025年7月末回购119.86万股，金额2001.31万元 [9] - 公司坚持"长期、稳定、可持续"的股东回报机制，探索多次分红的可行性，与股东共享发展成果 [9]

财务表现 - 2025年上半年营业收入6.80亿元 同比增长6.86% [1] - 归属于上市公司股东的净利润297.80万元 同比增长18.45% [1] - 研发费用5856.61万元 占营业收入比重8.61% 同比增长8.64% [1] 研发与技术布局 - 研发人员总数220人 硕博人才占比超20% 累计专利139项 [1] - IGBT/FRD/SiC/GaN技术获突破 首款1200V40mohm及1200V13mohm SiC MOSFET通过可靠性验证 [2] - 自研SiC SBD芯片通过多家客户系统验证并实现批量出货 [2] - GaN650V75mohm芯片完成内部验证 进入客户导入阶段 瞄准AI服务器电源及人形机器人市场 [2] 战略合作与产业协同 - 与华虹宏力签署五年战略合作备忘录 深化12英寸晶圆工艺联合开发 [2] - 同合肥能源研究院合作推进功率器件可靠性评测技术创新 [3] - 与国家怀柔能源实验室聚焦SiC器件在新型电力系统应用 [3] - 与瀚海聚能前瞻性探索功率半导体在核聚变装置应用场景 [3] 市场与客户拓展 - 在工业控制/新能源汽车/新能源发电领域持续积累优质客户 [1] - 依托龙头客户市场效应向行业其他企业拓展 [1] - 通过"芯片+单管+模块"产品矩阵覆盖新能源汽车/光伏/储能高端应用 [2]

华润微电子及润新微电子氮化镓业务进展 - 华润微电子旗下润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，庆祝GaN芯片成功出货一亿颗[1] - 润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用前沿工艺技术，致力于打造国内一流、国际领先的外延片生产基地[5] - 华润微电子副总裁表示该基地建成标志着公司在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑，未来将助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业[5] 华润微电子与润新微电子战略合作 - 2022年华润微电子通过战略投资控股润新微电子，加速在氮化镓领域的战略布局[6] - 2024年华润微电子投资建设润新微电子外延生产基地，通过垂直整合核心制造环节夯实竞争优势[7] - 润新微电子已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线，曾计划2020年开始持续投入超过10亿元建设年产8万片6寸硅基氮化镓外延片[8] 国内氮化镓厂商产能布局 - 英诺赛科拥有苏州、珠海两大8英寸生产基地，2024年末晶圆产能达1.3万片/月，计划扩充至2万片/月[10] - 士兰微电子8吋硅基GaN功率器件芯片研发量产线已实现通线，年产能预计为1万片[10] - 三安光电湖南基地拥有硅基氮化镓产能2000片/月[10] - 京东方华灿光电GaN生产线2023年全面通线，预计2024年可实现年产1.2万片器件能力[10] - 能华半导体张家港制造中心二期投产后将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力[10] - 方正微电子Fab1目前月产能为4000片氮化镓晶圆[10] - 致能科技徐州工厂月产能为3500-5000片6吋氮化镓，封顶产能为1.5万片[10] - 格晶半导体江西项目总投资25亿元，年产量达20万片[10][11] - 誉鸿锦半导体二期项目全部建成投产后每月产能将达到25万片，将成为全球最大GaN IDM工厂[12] 其他氮化镓厂商动态 - 镓奥科技"中大功率氮化镓芯片及其模组"总部项目已落户浙江德清县[13] - 镓宏半导体年封测氮化镓电子器件8000万颗项目一期工程已通过竣工环境保护验收[13] - 新镓能半导体在无锡惠山投资建设氮化镓功率芯片项目[13]

行业动态 - 上海即将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等多家行业领先企业参与 [1] - 行业观察发现近期有2个氮化镓项目正在加速推进 [1] APRO Semicon项目进展 - 韩国APRO Semicon龟尾新工厂已开始量产8英寸氮化镓外延片 [2][4] - 该工厂于去年12月竣工，生产用于650V功率半导体的硅基氮化镓外延片，年产能2万片 [2] - 预计半年内销售额将达到100亿韩元（约合人民币0.5亿） [2] - 2021年已开发出可应用于1200V GaN器件的外延片，能承受1600V击穿电压，生长厚度及均匀性达99% [2] - 公司正加速GaN业务布局：与DB HiTek等公司合作讨论供应计划，同时设立GaN功率半导体设计团队负责下一代器件开发 [2] - 公司目标是通过大规模设施投资和技术研发跃升为全球GaN功率半导体市场关键公司 [5] Polymatech项目进展 - 印度芯片制造商Polymatech将在恰蒂斯加尔邦投资1.3亿美元（约合人民币9.3亿）建设GaN芯片工厂 [6] - 该项目符合印度"印度制造"和"数字印度"计划，将获得政策支持、税收优惠等 [6] - 公司目标是提升印度半导体和电信制造技术实力，为全球5G和6G生态系统提供解决方案 [6] - 公司成立于2007年，是印度首家半导体芯片制造商 [6] - 2024年9月宣布向巴林投资1600万美元（约合人民币1.1亿）建立半导体制造厂 [6] 行业趋势 - 第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业持续发展 [7] - 行业关注点包括：GaN技术创新、8英寸SiC量产进程推进、12英寸SiC布局加速等 [8]

半导体行业现状与英国复苏 - 超过四分之三的微芯片产自亚洲，但在20世纪90年代芯片生产分布更广泛，英国苏格兰中部地带曾被称为"硅谷"，电子行业从业人员达5万人[1] - 21世纪初互联网泡沫破裂导致制造业向东亚转移，英国国内产能几乎被摧毁[1] - 英国半导体行业正在复苏，新一波公司专注于清洁能源技术微芯片，包括电动汽车、可再生能源并入电网和数据中心应用[1] 化合物半导体技术优势 - 新型芯片由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)制成，具有高温下有效传导电流的能力，能承受比硅高9倍以上的电场[1] - SiC芯片厚度比同等硅芯片薄九倍，降低电流阻力，提高效率[1] - SiC和GaN器件开关速度更快，废热耗散更少，成为高性能、紧凑且节能充电系统的理想选择[1] - 基于GaN的壁式充电器更小、更轻、更高效[1] 电动汽车与能源应用 - 基于碳化硅的功率转换器可减少能量损失60%以上，使电动汽车续航里程延长5%[3] - 这些芯片对于将可再生能源并入电网至关重要[1] - 华威大学团队开发用于未来火车和轮船的超高压功率器件，以及电网和太空应用[3] 制造工艺与成本挑战 - 生产SiC和GaN需要复杂、昂贵且耗能的制造工艺，直到2010年代才能实现大规模生产[3] - 碳化硅必须在极端温度和压力下生长一周，形成长度不到5厘米的小圆柱形晶体[3] - SiC芯片价格仍比硅芯片高出约三倍[3] 英国半导体产业投资 - Vishay Intertechnology以1.77亿美元收购纽波特晶圆厂，并追加2.5亿英镑投资，保障400个工作岗位[3] - 纽波特工厂每月将生产数千片200毫米直径碳化硅晶圆，每片可为超过15辆电动汽车供电[3] - 英国国防部投资确保砷化镓和氮化镓芯片国内供应，这些芯片对雷达系统和战斗机至关重要[3] 产业发展模式 - Clas-SiC晶圆厂采用代工模式，根据国际客户设计生产器件，将设计和制造环节分离[3] - 英国大学的世界级研究是成功基础，十多年来公共投资帮助建立全球公认的学术专长[3] - 英国政府通过半导体战略支持行业发展，致力于通过清洁能源和先进制造业推动经济增长[3]

芯片制造商Belgan生产基地收购案 - 三名候选人竞购Belgan位于奥德纳尔德的芯片生产基地 涉及两个亚洲组织和一个欧洲组织 潜在收购者包括瑞典Silex Microsystems（隶属中国赛微电子集团）但未获官方证实 [2] - 收购方案均承诺长期就业机会 预计建设期3年并雇佣250人以上 最终接管方将于4月法院批准后确定 [2] - 投标需满足最低价格和付款保证条件 标的物估值约2000万欧元（未获策展人确认） [2] Belgan破产背景与资产状况 - 公司因转型能源应用芯片失败于2023年中破产 导致440人失业 营业额从2021年1.2亿欧元降至2022年7500万欧元 2023年小幅回升至8100万欧元仍不足维持运营 [3] - 破产后80%高科技设备已售出 剩余资产包括4公顷工业用地（含700㎡和3657㎡洁净室）及价值500万欧元未售机器 已拍卖资产筹集2300万欧元 [3][4] - 工厂原属Onsemi 曾专注氮化镓(GaN)汽车芯片开发 但市场推广未达预期 [3] 收购后续计划 - 新业务是否延续GaN技术尚未明确 初期计划雇佣100人 具体项目细节将于数周内披露 商业法庭或于3月批准方案 [4] - 策展人曾尝试整体出售公司未果 已售设备需等待中国买家获取出口许可 [4]