公司战略与业务布局 - 公司筹划发行H股股票并在香港联交所上市 以推进"清洁能源+泛半导体"双轮驱动发展战略[1] - 公司主业聚焦新兴产业领域 为光伏电池片行业提供高效电池核心装备及智能化整厂解决方案[1] - 在泛半导体领域通过收购ficonTEC提供光子元器件的微组装及测试设备产品 客户包括Intel Cisco Broadcom NVIDIA等行业龙头企业[2] 海外市场拓展 - 公司积极拓展海外清洁能源业务 包括增长强劲的印度市场 计划推出竞争性高效电池配套核心装备及整体解决方案[2] - 公司正积极整合ficonTEC以持续拓展光电子业务板块[2] - 赴港上市目的包括加速产能提升 全球服务能力提升和夯实全球化战略发展[1] 资本市场表现 - 公司股价处于2019年上市以来历史性高位 截至9月5日总市值超400亿元 8月底股价刷新历史最高纪录达293.88元/股[2] - 2025年上半年A+H上市项目占香港总集资额逾七成 推动香港跃升为全球IPO集资排行榜之首[3] - 44家A+H上市申请公司中43家为市值逾100亿元的大型A股企业 香港主板上市申请宗数达逾200宗历史高位[3] 行业背景与趋势 - 香港作为连接东西方桥梁作用更为重要 A+H及高科技公司上市驱动市场显著增长[3] - 2025年上半年完成7宗A+H上市案例 创下历史新高[3] - 毕马威预期香港IPO市场强劲势头将持续至2025年下半年[3]

评级与目标价 - 东吴证券给予中微公司买入评级 最新股价200.01元 [1] 刻蚀设备技术进展 - 刻蚀新品高深宽比CCP与金属刻蚀ICP有望充分受益于制程演进 [1] - 新品ALD覆盖多种先进制程金属 [1] - 双腔EPI满足客户降本增效需求 [1] 公司战略布局 - 平台化布局加速落地 [1]

市场整体表现 - 欧洲主要股指周五收跌 斯托克欧洲600指数最终收跌0.2% 盘中涨幅一度达0.5%但尾盘回吐[1][3] - 斯托克600指数周线微跌0.2% 本周曾因降息预期反弹但未能维持涨势[3] 宏观经济数据影响 - 美国8月非农就业人数增幅远低于预期 失业率升至近两年高位引发经济放缓担忧[3] - 互换市场交易员已完全定价美联储本月降息25个基点 但降息50个基点预期未显著升温[3] - 经济学家认为就业报告"从各个维度看都偏弱" 但失业率仅小幅上升使大幅降息可能性较低[3] 板块与个股表现 - 半导体设备龙头阿斯麦股价逆势上涨1.9% 瑞银集团上调评级推动资金流入[3] - 能源 金融等周期性板块承压 反映投资者对经济前景疑虑[3] 市场预期与风险 - 投资者在美联储降息预期与经济衰退风险之间展开博弈[1] - 债券市场若因通胀预期升温而波动 股市可能面临回调压力[3] - 市场对降息的兴奋可能被通胀担忧抵消[3]

行业技术发展趋势 - 集成电路创新路径需从平面走向三维以突破存储墙与I/O带宽限制 [1] - 三维集成技术可将I/O带宽提升千倍以上 [1] - HBM结构和背面供电技术成为三维集成的重要发展方向 [1] 关键技术突破点 - 原子级制造技术（ALD/ALE）与前道器件密度提升是解决带宽与密度问题的关键 [1] - 键合技术与后道先进封装技术共同构成三维集成的核心解决方案 [1]

公司战略与股东回报 - 公司致力于通过主业优化和盈利能力提升实现持续稳定的股东回报 结合未来业绩 现金流和发展战略开展利润分配 [1] - 公司已完成向半导体设备领域的转型 形成工业杀菌剂和半导体设备双主业发展新格局 [1] 业务结构与经营表现 - 公司控股子公司芯慧联主要从事半导体专用设备研发 生产和销售 参股公司芯慧联新主要从事晶圆键合设备业务 [2] - 上半年实现营业收入7.49亿元 同比增长28.42% 但归属于上市公司股东的净利润9178.85万元 同比下降44.22% [2] - 化工业务受市场需求疲软和价格低迷影响盈利能力承压 半导体业务处于技术积累和竞争优势构建阶段 [2] 工业杀菌剂业务 - 产品主要出口至亚洲 欧洲 美国 南美等区域 各区域销售相对稳定 [2] - 第二季度杀菌剂产品平均销售价格环比上升7.69% 主要原材料综合采购成本环比下降21.37% 毛利率有望改善 [2] 半导体设备业务 - 芯慧联是公司核心战略方向 重点围绕技术研发 市场拓展和产业链协同展开 [3] - 目前生产经营正常 在手订单较为充足 同时积极拓展意向订单 [3]

展会规模与行业地位 - 第十三届半导体设备与核心部件展示会（CSEAC）在江苏无锡举办 展会规模从最初十几个标准展位增长至1130余家参展企业 观展人数从400-500人增长至超过10万人次[1] - CSEAC已成为国内第二大行业展会 重点展示光刻 薄膜 刻蚀 化学机械抛光等晶圆制造设备 划片 键合 晶圆测试等封测设备以及集成电路专用材料[1] 参展企业动态 - 中微公司推出六款半导体设备新产品 覆盖等离子体刻蚀（Etch） 原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺[1] - 盛美上海展出面板级先进封装电镀设备 立式炉管设备 PECVD TRACK等设备[1] - 半导体设备企业新凯来展出刻蚀设备ETCH（武夷山）和ALD（阿里山）等模型 该公司成立刚满4年[1] 行业参与度 - 国内龙头企业北方华创 盛美半导体 中微半导体 拓荆科技 新凯来等悉数参展[1] - 展会自2021年扎根无锡以来规模持续攀升 吸引1130余家参展企业参与[1]

投资评级 - 维持"买入"评级 [8] 核心财务表现 - 2025H1实现营收19.50亿元，同比增长30.28%，归母净利润5.05亿元，同比增长16.82% [2][5] - 2025Q2营业收入10.37亿元，同比增长27.05%，归母净利润2.72亿元，同比增长18.01% [2][5] - 预计2025-2026年归母净利润分别为13.0亿元、16.9亿元，对应PE分别为34倍、26倍 [11] - 2025Q2研发费用投入1.35亿元，研发费用率达13.0%，同比提升1.6个百分点，环比提升1.1个百分点 [11] 业务进展与技术突破 - 先进制程CMP装备订单占比显著提升，Universal-H300获得批量重复订单并实现规模化出货 [11] - 12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300订单量大幅增长，减薄贴膜一体机Versatile-GM300实现批量发货 [11] - 划切装备已发往多家客户验证，边缘抛光装备进入国内头部客户端验证 [11] - 湿法装备布局覆盖大硅片、化合物半导体等领域，SDS/CDS供液系统获批量采购 [11] - 晶圆再生业务扩产昆山项目规划总产能40万片/月，首期建设产能20万片/月 [11] - 子公司芯嵛公司首台12英寸低温离子注入机iPUMA-LT发往逻辑芯片制造龙头企业，实现大束流离子注入机全型号覆盖 [11] 运营与财务指标 - 截至2025H1合同负债达17.55亿元，较2025Q1末的16.41亿元增长6.9% [11] - 存货金额达37.03亿元，较2025Q1末同比增长6.2% [11] - 当前股价126.00元，总股本3.53亿股，每股净资产29.52元 [9]

投资评级 - 维持"买入"评级 [8][11] 核心财务表现 - 2025H1总营业收入49.61亿元，同比增长43.88%，归母净利润7.06亿元，同比增长36.62%，扣非归母净利润5.39亿元，同比增长11.49% [2][5] - 2025Q2营收27.87亿元，同比增长51.26%，环比增长28.25%，归母净利润3.93亿元，同比增长46.82%，环比增长25.47%，扣非归母净利润2.40亿元，同比增长9.16%，环比下滑19.39% [2][5] - 预计2025-2026年营收119亿元、154亿元，归母净利润24.0亿元、33.0亿元，对应PE分别为56倍、41倍 [11] 业务分项表现 - 刻蚀设备销售约37.81亿元，同比增长约40.12% [11] - LPCVD设备销售约1.99亿元，同比增长约608.19% [11] - 高端刻蚀产品新增付运量显著提升，在先进逻辑和存储器件关键刻蚀工艺实现大规模量产 [11] 研发与平台化进展 - 2025H1研发投入14.92亿元，同比增长53.70%，占营业收入比例30.07% [11] - CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台，较2024年同期增长超过900个 [11] - ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台，在50多个客户生产线大规模量产 [11] - MOCVD设备保持氮化镓基市场领先地位，Mini-LED设备国际领先，Micro-LED设备获重复订单 [11] - 薄膜沉积设备已推出六款产品（包括CVD钨、HAR钨、ALD钨、ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽），EPI设备研发进展顺利 [11] 产能扩张计划 - 南昌14万平方米基地和上海临港18万平方米基地已投入使用 [11] - 上海临港滴水湖畔10万平方米总部大楼暨研发中心建设中 [11] - 规划在广州增城区及成都高新区新建生产和研发基地 [11] 运营数据与订单储备 - 存货和合同负债同环比提升，印证订单增长 [11] - 当前股价214.17元，总股本6.26亿股，流通A股6.26亿股 [9]

行业背景与战略价值 - 半导体装备在全球电子终端产品年产值中占据重要地位 大数据和AI等产业的爆发依赖于芯片支撑 而芯片制造离不开半导体装备 [4] - CMP（化学机械抛光）作为集成电路制造五大关键技术之一 通过平坦化晶圆表面为光刻等工序奠定基础 [4] - CMP在芯片生产中的工序数量大幅增加 在先进制程中不可或缺 [4] CMP技术挑战 - 晶圆纳米级尺度抛平要求12英寸晶圆全局平整度小于5nm 相当于标准足球场上任意两点起伏不得超过0.25µm [4] - 晶圆纳米污染物洗净要求28nm以上细微污染物颗粒严格限制在30颗以内 [4] - 快速抛光纳米级停准和整机工艺运行高效跑稳构成主要技术挑战 [4] 市场发展机遇 - 先进封装领域折合12英寸晶圆需求量将迅速攀升 TSV和3D封装等技术推动CMP应用需求显著增长 [5] - 第三代半导体正从多片晶圆抛光转向单片晶圆抛光 对CMP装备需求持续上升 [5] 公司业务发展 - 华海清科起源于清华大学摩擦学国家重点实验室 2013年成立 2022年上市 [5] - 公司从CMP装备供应商发展为平台化企业 业务涵盖减薄 划切 湿法 离子注入 边缘抛光等装备及晶圆再生 耗材维保 [5] - 公司是国内领先的半导体装备供应商 以多年技术积累为基础持续创新 [5][6]

High NA EUV光刻技术发展现状 - ASML确认高数值孔径EUV设备是未来重点 二季度财报显示一台High NA EUV收入确认拉低毛利率 但公司整体毛利率仍达53.7% [1] - 英特尔使用High NA EUV设备在一个季度内曝光超过3万片晶圆 使特定工艺层步骤从40个减少到10个以下 三星同一工艺层周期时间缩短60% 技术成熟速度远超早期低NA EUV设备 [1] 三星High NA EUV布局 - 三星确认Exynos 2600为首款2nm GAA芯片组并开始量产 目标是通过提升良率证明其晶圆代工技术可与台积电竞争 [2] - 三星正从ASML引进更多High NA EUV设备用于2nm GAA制程 尽管设备价格昂贵 但可帮助其将良率从30%提升至量产所需的70%水平 [2][4] - ASML每年仅能生产5-6台High NA EUV设备且受出口管制限制 三星计划2027年在1.4nm节点实现量产应用 [4] SK海力士技术突破 - SK海力士在M16晶圆厂组装业界首台High NA EUV光刻系统Twinscan NXE:5200B 该设备将用于下一代DRAM工艺开发并最终用于量产 [7] - 公司自2021年在10nm DRAM中引入EUV技术后持续扩大应用 High NA EUV将简化现有EUV工艺并加速下一代存储器开发 [7] - 该技术能帮助避免2-3次EUV图案化 首先用于加速DRAM原型设计 预计2030年代全面过渡至High NA EUV生产 [9] 台积电与技术替代路径 - 台积电明确A16（1.6nm）和A14（1.4nm）工艺无需采用High NA EUV设备 技术团队通过创新在1.4nm节点实现8nm分辨率而不依赖该技术 [10][11] - 公司强调只有当High NA EUV带来可衡量效益时才会采用 目前通过延长现有EUV设备寿命获得微缩优势 预计2027-2028年才可能引入 [11] - 行业出现技术架构转变 GAAFET和CFET等新型晶体管设计减少对光刻依赖 更注重蚀刻技术 High NA EUV设备单价高达4亿美元成本高昂 [14][15] 其他厂商动态 - 美光直到2025年才首次将EUV引入DRAM生产 High NA EUV采用计划尚未明确 [12] - 日本Rapidus计划2027年起在新建晶圆厂安装最多10台EUV设备（NXE:3800E型号） 未来可能引入High NA EUV [12]