高选择比刻蚀设备
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迈为股份:公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM工艺
巨潮资讯· 2025-12-01 16:29
公司技术进展 - 公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备可用于DRAM及HBM工艺 [1] - 相关设备能够覆盖部分先进存储制程需求 为高性能存储领域扩产与技术迭代提供装备支持 [1] - 刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造等领域 在多类晶圆制造产线上实现批量导入和稳定运行 [3] 产品市场定位与影响 - 高选择比刻蚀和混合键合设备体现公司在半导体前道关键工艺装备上的产品覆盖能力 [3] - 设备进入HBM供应链 有望提升本土半导体设备厂商在存储升级周期中的参与度 [3] - HBM作为面向高性能计算、AI训练的关键存储产品 对工艺精度、层间互连和良率控制要求更高 刻蚀与混合键合设备性能直接影响堆叠结构一致性与信号传输效率 [3] 公司战略布局 - 公司在半导体装备领域持续投入 在刻蚀、薄膜沉积等环节形成产品组合和客户基础 [3] - 通过与晶圆厂合作优化工艺适配性和量产稳定性 [3] - 公司将继续围绕存储与逻辑芯片客户需求完善产品线布局 抓住先进制程和新型存储器发展的窗口期 [3]
迈为股份:公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM(高带宽存储器HBM)工艺
格隆汇· 2025-12-01 01:17
公司业务与技术 - 公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于高带宽存储器工艺 [1] - 公司刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片制造领域 [1] - 公司设备已应用于逻辑芯片制造领域 [1]