公司上市审核进展 - 中国证监会于11月28日对晶存科技等5家企业出具境外发行上市备案补充材料要求 [1] - 证监会要求公司就股权变动、股东情况、业务经营及规范运作等事项进行补充说明 [1][2] - 公司需聘请律师对相关事项进行核查并出具明确法律意见 [1] 股权结构核查要求 - 证监会要求公司核查历史上存在的股份代持情形 [1] - 需说明员工持股计划的价格公允性及是否存在利益输送 [1] - 需结合一致行动人安排说明认定文建伟为单一实际控制人的具体依据 [1] 股东与合规性事项 - 需说明本次发行完成前后是否可能导致公司控制权发生变化 [1] - 需说明东证创新国有股东标识办理进展 [1] - 需说明公司及下属公司经营范围是否涉及外商投资准入限制或禁止领域 [2] 业务经营与规范运作 - 需说明客户委托第三方付款的安排是否对日常经营造成不利影响 [2] - 需说明公司及子公司未足额缴纳社会保险及住房公积金的具体情况是否构成重大违法违规 [2] - 需说明诉讼案件最新进展及其对公司运营和偿债能力的影响 [2] 公司主营业务 - 晶存科技是一家专注于嵌入式存储产品及其他存储产品的研发、设计、生产和销售的独立厂商 [3] - 嵌入式存储产品包括基于DRAM的产品和基于NAND Flash的产品以及多芯片封装嵌入式存储产品 [3] - 其他产品主要包括固态硬盘和内存条 公司还为部分客户提供测试及存储技术服务 [3]

公司定位与技术能力 - 公司为全球领先的半导体存储品牌企业 [1] - 公司在芯片设计、固件算法开发、存储器设计及封测制造等关键环节构建起系统化技术能力 [1] 业务发展突破 - 公司在企业级存储、高端消费类存储、海外业务拓展以及自研主控芯片等领域持续实现突破 [1] - 公司多维发力提升全球综合竞争力 [1]

文章核心观点 - 江波龙推出全球首款基于mSSD的AI Storage Core产品，旨在解决AI终端设备在数据实时吞吐、小数据块随机读写及复杂环境可靠性等方面面临的挑战 [1] - 该创新产品开辟了端侧AI存储的全新技术路径，为AI电脑、游戏主机、摄影设备、智能驾驶和机器人五大核心场景提供高性能、高可靠性、高灵活性的存储解决方案 [1][10][11] - mSSD作为高速核心存储介质，通过定制化硬件、固件和封装设计，实现了从传统存储形态到AI存储卡等多元形态的创新拓展，未来公司将深化与AI终端的协同创新 [17] 基于mSSD高速存储介质拓展新形态 - AI Storage Core基于mSSD集成封装技术，在形态与性能上实现全新拓展，并非对现有产品的简单升级 [3][4] - 产品延续mSSD的高性能、高品质、高可靠性基因，并通过创新封装设计提升灵活性与环境适应性 [4] 三大优势助力AI终端 高性能 - 通过自主研发的固件算法与硬件优化，提供远超常规SD存储卡与CFexpress Type B存储卡的顺序读写速度 [6] - 未来将深化针对512B小数据块的I/O优化技术，提升AI大模型加载、图像生成等任务的实时处理效率 [6] 高可靠性 - 采用Wafer级系统级封装技术，一次性整合主控、NAND、PMIC等元件，避免阻焊异物、撞件隐患、高温高湿等可靠性问题 [8] - 具备优异防水、防尘、抗震及抗辐射特性，支持Opal、Pyrite、SM4等通用加密协议 [8] - 可为特定客户提供-40℃~85℃工业宽温支持，满足智能辅助驾驶、户外机器人等极端环境需求 [8] 高灵活性 - 新增热插拔特性，支持系统运行时安全安装或移除设备，确保性能稳定 [9] - 依托高效散热方案与PCIe总线，可直接运行Windows操作系统及应用程序，实现跨设备无缝数据调用与协作 [9] 新存储品类赋能五大核心场景 AI电脑与工作站 - 凭借超大容量与超高读写性能，实现大语言模型快速加载与高效运行，支持系统便携部署及热插拔功能 [12] AI游戏主机 - 具备高IOPS与卓越随机读取性能，有效降低游戏卡顿与载入延迟，支持高帧率渲染及实时AI交互 [13] AI摄影设备 - 满足4K/8K高分辨率视频持续高速写入需求，为实时AI分析提供稳定数据流，抗冲击与抗震设计增强户外拍摄可靠性 [14] AI智能驾驶 - 实时处理多路传感器采集的海量数据，部分待发布型号具备宽温域与抗震特性，可在-40℃至85℃极端环境稳定运行 [15] AI机器人 - 采用紧凑型集成封装适配有限空间，部分待发布型号符合工业级宽温与抗震标准，通过直接拔插实现机器人记忆能力与学习成果的便捷移植与升级 [16] 未来发展规划 - Lexar AI Storage Core只是mSSD作为核心介质灵活拓展的第一步，未来将持续深化存储硬件与AI终端的协同创新 [17] - 凭借在散热设计、掉电保护、热插拔等领域的技术积累，进一步衍生更多形态、更细分场景的集成封装创新存储产品矩阵 [17] - 通过开放生态合作，联动产业链伙伴拓展至端侧AI、智能车载、工业物联网等多元场景 [17]

存储行业超级周期与价格动态 - 人工智能需求推动存储行业出现“超级周期”，供应链紧急备货并调整配置，更大力度启用国产存储芯片以保障供货，涨价行情预计延续到明年上半年 [2] - DRAM颗粒现货价格大幅上涨，以4GB DDR4X为例从年初最低7美元/颗涨至11月中旬30美元/颗以上，上涨3-4倍；NAND Flash以64G eMMC为例从年初3.2美元/颗涨至近期8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] - 存储模组厂商面临严重缺货，客户实际到货量仅为下单量的三成，陷入“有钱也买不到货”困境，部分国际电子品牌董事长、总裁亲自出面要货 [3][4] 涨价对产业链各环节的影响 - 算力巨头英伟达因DRAM价格大幅上涨释放显卡涨价预警，计划暂停部分中低端显卡生产；AMD计划对全线GPU产品进行第二次提价，预计涨幅不低于10% [4] - 手机ODM厂商面临供应压力，部分手机厂商暂缓存储芯片采购，甚至通过拆解库存手机弥补新机存储芯片缺口，或计划上调新机价格 [3] - 存储涨价波及端侧算力龙头瑞芯微，第三季度因DDR4芯片供应短缺到价格暴涨，部分客户中高端AIoT产品存储方案从DDR4向DDR5转型，订单节奏受影响 [4] - 联想集团为应对AI引发的内存芯片供应紧张，积极增加芯片库存，零部件库存水平较平时高出约50% [7] - TrendForce集邦咨询因存储器抬升终端定价，下修2026年全球智能手机及笔记本电脑生产出货预测，从原年增0.1%及1.7%调降至年减2%及2.4% [7] 供应链策略与行业格局变化 - 存储模组厂商从过往“去库存”转向“比库存”，江波龙、佰维存储、德明利、东芯股份等公司受益于景气度回升，预计第四季度业绩进一步改善 [5] - 国际存储原厂供应重点围绕北美服务器市场，9月以来加单到爆，导致对华供应受挤兑；有限产能优先保障互联网大厂及头部消费电子厂商 [5] - 中低端手机普遍首当其冲，未来3年DDR4内存在中低端市场仍是主流；中高端产品将全面支持DDR5内存 [6] - 手机品牌厂商通过与存储厂商签订长期供货协议保障供应量，但价格随市场调整；通过提前备货、支付定金锁定货源，并动态调整产品出货价及存储配置 [6] 国产存储芯片的崛起与应对 - 供应链积极启用和适配国产存储芯片，德明利与长江存储、长鑫存储等核心原厂建立深度战略合作，构建多元化供应保障机制 [9] - 国产存储芯片技术与产能提升，已在国内服务器、手机品牌等多个场景实现规模化应用；深圳华强北市场商家推荐国产长鑫存储DDR4内存条作为替代产品 [9] - 长鑫存储DRAM出货量预计同比增长50%，在整体DRAM市场出货份额从第一季度的6%增至第四季度的8；兆易创新从长鑫存储采购代工利基型DRAM产品，关联交易规模持续扩大 [9][10] - 长鑫存储正式发布最新DDR5产品系列；兆易创新明年将实现自研LPDDR4X系列产品量产，并规划LPDDR5X小容量产品研发 [10] 行业前景与驱动因素 - 业界普遍认为存储市场紧张局势将持续，2026年主要北美云服务大厂资本支出推升至6000亿美元以上，同比增长40% [8] - 国际存储原厂投资重心从扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合及HBM等高附加值产品；对中国市场供应量可能略微持平或减少 [8] - 宏碁董事长认为存储涨价是中短期问题，缓解点需观察中国大陆DDR5产能何时实现量产 [8] - 随着智能手机、数据中心及新能源汽车等应用场景持续深化，存储产业迎来新一轮发展机遇；国内厂商在全球产业链话语权增强 [10]

行业整体趋势 - 2025年第三季DRAM产业营收季成长30.9%，达414亿美元，主要受一般型DRAM合约价上涨、出货量季增及HBM出货规模扩张推动 [1] - 预计第四季一般型DRAM合约价将季增45-50%，包含HBM在内的整体合约价将上涨50-55% [1] - 存储芯片价格的持续上涨环境预计将贯穿整个2026年，并有望持续至2027年，本轮存储“超级周期”的持续时间可能远超历史峰值 [1] - 与人工智能训练/推理系统相关的核心存储芯片需求火爆，推动HBM存储系统、服务器级别DDR5与企业级SSD在内的数据中心存储业务营收猛增 [1] 国产存储厂商机遇 - 行业景气持续上行，国产存储厂商迎来发展机遇，龙头公司有望迎来价值重估 [1] - 江波龙公司的DRAM产品以DDR4、DDR5为主，涵盖LPDDR及多种内存条主流产品型态，并推出了多款高速企业级eSSD产品 [1] - 香农芯创作为国内存储分销商龙头，是SK海力士在国内的核心分销商，形成“分销+产品”一体两翼的发展格局，在存储周期上行及企业级存储国产化趋势下，有望凭借授权品牌和客户资源优势实现业绩增长 [2]

行业趋势：AI驱动存储芯片需求爆发 - 全球投资者因AI大模型应用（如谷歌Gemini 3.0、阿里千问）爆发而重拾对AI信心，带动作为AI基础设施的存储芯片再度受青睐 [1] - 存储芯片需求驱动从以往的手机/PC转向AI云服务，AI算力需求持续释放对HBM、DDR5的需求提升 [6] - 端侧AI发展推动NOR Flash容量需求提升，第三方咨询机构将行业复合年均增长率从5%-7%上调至8% [2] 市场供应：全面紧张与产能挤压 - 存储芯片进入供应全面紧张态势，产业链各方处于“找货、备货”状态，客户实际能拿到的量仅为下单量的三成 [2][3] - 存储缺货进入了20年来最严重的局面，产业不存在重复下单问题 [3] - 供应紧张主因海外大厂（三星、SK海力士、美光）将经营重心转向HBM、DDR5等主流产品，挤占了利基型DRAM的产能 [2] - 全球存储芯片供应链高度集中，前三家大厂占据70%市场份额，微小供应变动（短缺或过剩5%）可能给价格带来成倍影响 [6] 价格动态：显著上涨与未来预期 - 业内普遍认为存储芯片涨价空间依然很大，至少将持续至明年年中 [1][5][8] - 相较于9月价格，存储芯片价格至少还有50%的上涨空间 [4] - 从今年初到9月，某国内厂商的DRAM价格已上涨2倍，NAND价格上涨1倍，NOR Flash价格上涨约30% [4] - 三星电子11月部分内存芯片价格较9月上涨最多达60%，闪迪11月NAND合约价格涨幅高达50% [4] - TrendForce将第四季度一般型DRAM价格预估涨幅从8%-13%上调为18%-23% [6] 产品细分：DDR5与NOR Flash表现突出 - DDR5已完全呈现“卖方市场”格局，与DDR4价格倒挂，自9月以来模块价格已上涨高达60% [6] - 预计第四季度起DDR5报价涨幅会超过DDR4，明年价格涨幅将更为可观 [6][7] - 由于DDR4短缺，PC厂商等将加速导入DDR5，增加了需求 [6] - NOR Flash涨价最晚，其价格上涨的“滞后效应”显著，预计未来价格将温和上涨 [2][7] 中国厂商：角色日益重要与产能跟进 - 随着技术和产品提升，中国存储企业被视为全球产业中日渐重要的力量，长鑫存储正式发布其最新DDR5产品系列 [1] - 国内存储厂商正在跟进国际大厂的涨价趋势，某国内公司表示会观察、跟上兆易创新的产品涨价趋势 [1][7] - 长江存储、长鑫科技或将成为终结本轮存储涨价的“主力军”，时间节点最早或是明年年中 [8] - 2025年全球DDR5内存产能缺口约为15%，需求在以每年20%的速度增长，中国DDR5产能的释放成为解决缺货问题的关键 [8]

公司定增方案 - 公司披露定增预案，拟募资不超过32亿元，用于固态硬盘(SSD)扩产、内存产品(DRAM)扩产、智能存储管理及研发总部基地项目以及补充流动资金[1] - 本次发行数量不超过发行前公司总股本的30%，发行价格不低于定价基准日前二十个交易日公司股票交易均价的80%，发行对象不超过35名特定对象[1] - 公司业务集中在存储领域，产品线涵盖固态硬盘类、嵌入式存储类、内存条类及移动存储类四个系列，应用于数据中心、手机、车载电子等多元场景[1] - 通过募投项目实施，公司将构建覆盖闪存和内存、企业级和消费级的存储模组产品矩阵，实现从介质分析到智能算法的深度协同[1] 募投项目细节 - 固态硬盘(SSD)扩产项目拟投入资金11.23亿元，预期税后内部收益率为20.66%，税后静态投资回收期为6.91年（含建设期）[3] - 内存产品(DRAM)扩产项目拟投入资金7.47亿元，预期税后内部收益率为24.49%，税后静态投资回收期为6.29年[3] - 上述两个核心募投项目均需要36个月的建设周期，相关备案手续正在办理中[3] 行业市场环境 - 2025年以来全球存储市场呈现前低后高走势，NAND价格指数从9月30日的717.66上涨至11月4日的1,015.38，增幅41.48%[2] - DRAM价格指数从9月30日的902.19上涨至11月4日的1,319.21，增幅46.22%[2] - 人工智能技术爆发式演进带动数据中心建设，刺激大容量、高性能存储需求增长[2] - 智能手机、智能汽车等终端渗透率持续提升，为存储器行业市场规模扩张提供核心支撑[2] 公司市场观点与展望 - 公司认为海外头部科技厂商上调2025财年资本支出预期，算力基础设施持续扩张，服务器和数据中心存储需求提升行业景气度[2] - 预计四季度存储价格有望维持上涨趋势，且本轮存储市场上行周期预计具备较长持续性[2] - 公司展望本次定增将借助资本市场赋能，提高资金实力和抗风险能力，扩大技术领先性与市场覆盖，推动国产存储在高性能AI场景的渗透[3]

公司产品定价策略 - 产品价格主要受供需关系及市场竞争等多种因素决定 [1] - 产品价格随行就市 [1] 公司产品应用领域 - 产品可广泛应用于移动智能终端及PC领域 [1] - 产品可广泛应用于行业终端及数据中心领域 [1] - 产品可广泛应用于智能汽车及移动存储等领域 [1]

公司声明 - 公司发布澄清声明 指出互联网传播的官网公告截图系恶意伪造[1] - 公司及旗下致态品牌从未发布过截图中的不实信息[1] 行业动态 - 中国工程院院士倪光南指出 我国数据存储产业已拥有关键核心技术和足够产业规模[1] - 公司232层三维闪存芯片已规模出货 代表业界最先进水平[1] - 首条全国产化产线已启动导入就材[1] - 我国SSD主控厂商迅速崛起 已有十几家厂商自主研发SSD主控芯片并成功商用 用户体验良好[1]

存储芯片价格变动 - 存储大厂更新DDR、LPDDR、NAND、eMMC价格，涨幅20%-46%不等 [1] - DDR4：16Gb最新价格18美元涨幅20%，8Gb最新价格8.1美元涨幅11%，4Gb最新价格3.7美元涨幅19% [1] - LPDDR4/4x最新价格1.1美元/Gb涨幅46.7%，LPDDR5/5x最新价格0.62美元/Gb涨幅29.2% [1] - V-NAND：128GB最新价格11.4美元涨幅30%，64GB最新价格7.2美元涨幅33%，32GB v6最新价格6.5美元涨幅39% [1] - eMMC：64GB最新价格13.2美元涨幅20%，32GB最新价格7.2美元涨幅20%，16GB最新价格6.2美元涨幅29%，8GB最新价格4.55美元涨幅38%，4GB最新价格4.45美元涨幅39% [1] 兆易创新财务业绩 - 第三季度收入同比增长31.4%至26.8亿元，环比增长19.6% [2] - 第三季度单季度归母净利润同比增长61.1%至5.08亿元，环比增长49% [2] - 第三季度单季毛利率环比提升3.7个百分点至40.72% [2] - 利基DRAM产品下半年收入有明显增长，有望超越MCU业务成为第二大产品线 [2] 兆易创新产品与技术进展 - 公司明年将实现自研LPDDR4X系列产品量产，并着手规划LPDDR5小容量产品研发 [1][2] - 存储业务目前并无DDR5产品相关规划 [1][3] - 今年新量产的DDR4 8Gb较快抢占份额，第三季度销量已与DDR4 4Gb基本相当 [2] - 对长鑫科技累计总投资金额23亿元 [3] 存储行业趋势与市场动态 - 利基型DRAM市场呈现明显供不应求，主流应用需求挤占利基型DRAM产能 [4] - 预计涨价趋势在未来两个季度有望延续，并在明年后续几个季度维持较高价格水平 [4] - NOR Flash处于温和涨价周期，行业CAGR从5~7%上调至8% [4] - 海外大厂将经营重心从2D NAND向3D NAND迁移，带来2D NAND相对明显短缺，SLC NAND产品开始涨价 [4] 兆易创新业务发展与客户战略 - 积极与TV客户、工业类客户、AI相关应用等优质客户构建长久稳定的战略合作关系 [3] - 定制化存储解决方案进展顺利，部分项目进入客户送样、小批量试产阶段 [5] - 明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产 [5] - 定制化存储业务下游客户覆盖广泛的端侧客户，包括国内手机厂商 [6] 行业相关传闻 - 长江存储业务调整告知信截图在微信群传播引发业内关注 [7] - 长江存储致态品牌通过官方渠道发布澄清声明对传闻进行辟谣 [9]