中介层技术概述 - 中介层从幕后配角成为产业链争夺焦点 承载GPU和存储芯片并实现互联 材料公司 设备公司和台积电 英伟达等巨头均聚焦于此 [1] - 行业形成两条发展脉络 一是Resonac牵头27家全球材料 设备 EDA巨头组成JOINT3联盟开发面板级有机中介层 二是英伟达推动SiC中介层 台系厂商加码突破功耗与散热极限 [1] 中介层定义与功能 - 中介层是位于芯片与封装基板之间的中间层结构 在先进封装中扮演桥梁角色 连接逻辑芯片与存储芯片 负责高密度互连 供电分布和信号传输 [3] - 主要分为硅中介层和有机中介层两类 硅中介层亦称无机中介层 有机中介层也叫RDL再布线层 [5] 硅中介层发展历程 - 台积电在2000年代末至2010年初率先提出并量产CoWoS工艺 利用硅中介层加TSV硅通孔实现GPU与HBM高带宽互连 [6] - 2012年台积电为赛灵思生产的Virtex-7 FPGA商用上市 成为首个大规模应用硅中介层的产品 奠定其在高性能计算封装中的地位 [6] 有机中介层兴起背景 - 硅中介层制造成本高 良率有限 AI/HPC芯片面积增大导致硅圆片切割损耗严重 市场需要更经济的大规模量产方案 [6] - 有机中介层工艺相对简单 材料和设备成本低 生产成本显著低于硅中介层 但布线精细度不足 线宽线距较大 难以支撑极高密度互连 [6] JOINT3联盟战略布局 - Resonac瑞萨牵头成立27家成员组成的JOINT3联盟 覆盖半导体封装全产业链 包括应用材料 Lam TEL Synopsys 佳能 Ushio 3M AGC 古河电工等 [8] - 联盟在日本茨城县设立高级面板级中介层中心APLIC 计划2026年运营 重点开发515×510mm面板级有机中介层 [11] 面板级生产优势 - 300mm圆片面积约70,685mm² JOINT3面板级目标515×510mm约262,650mm² 单板面积为300mm圆片的3.7倍 有效构图面积显著更大 [12] - 面板级生产可显著提升产能利用率 降低成本 解决硅中介层因尺寸增大导致的几何损耗问题 边角浪费和步进曝光次数上升推高单位良品成本 [11] 市场驱动因素 - 2.5D/3D封装需求飙升 AI/HPC芯片加HBM堆叠成为主流 需要更大面积 更高互连密度的中介层 [15] - Resonac通过JOINT3搭建跨国跨环节的先进封装共研平台 产业协同成为关键 单一企业难以独立突破 需以联盟方式推动事实标准 [15] SiC中介层发展动态 - 英伟达下一代Rubin GPU评估将GPU与HBM互联基底从传统硅中介层换成SiC中介层 以进一步提升效能 [17] - 碳化硅中介层需使用高绝缘单晶碳化硅 与车用功率器件衬底不同 带来新的工艺挑战 [19] 硅中介层优劣分析 - 优势包括工艺成熟 技术路径清晰 是台积电CoWoS 英特尔EMIB等2.5D/3D封装主流方案 在亚10µm互连和多层TSV工艺上积累深厚 [22] - 劣势包括GPU加HBM封装面积增大导致硅晶圆几何损耗问题突出 产能利用率下降 成本急剧上升 硅导热性能有限成为高功耗AI芯片瓶颈 [22] 有机中介层优劣分析 - 优势包括可采用面板级生产PLP大幅提高产能利用率和单片尺寸利用率 显著降低成本 材料配方灵活 层数和布线可根据系统需求定制 [23] - 劣势包括材料热膨胀系数CTE与硅存在差异 翘曲与可靠性问题需长期验证 电性能相比硅存在一定差距 [23] SiC中介层优劣分析 - 优势包括导热性极佳甚至超过铜 能承受未来AI/HPC芯片极端电流与功耗需求 是突破散热瓶颈的关键材料 具备良好电绝缘性支持更紧密的GPU加HBM集成 [24] - 劣势包括制造难度极高 硬度接近钻石导致切割工艺复杂 必须实现≥12寸大尺寸晶圆兼容硅工艺 产业链尚在攻关中 产能和成本仍是巨大挑战 [24] SiC中介层技术挑战 - 碳化硅硬度接近钻石 传统切割方法容易出现波浪纹 日本DISCO正在研发专用激光切割机台 [25] - 为兼容硅工艺需达到12寸以上晶圆 但目前多数中国厂商仍停留在6/8寸阶段 量产能力有限 [25] 性能需求驱动 - 未来高性能芯片设计功耗可能突破1000V 特斯拉快充电压仅350V 极端电流对中介层承载力提出前所未有挑战 [25] - Si导热能力有限难以满足极端电流下的热管理需求 SiC导热系数超过铜能显著缓解芯片运行高热压力 [25] - Rubin依赖NVLink技术要求GPU与HBM紧密耦合实现最大带宽和最低延迟 SiC因优越绝缘性和散热性成为几乎唯一解决方案 [25] 技术发展时间线 - 短期1-2年硅中介层仍是市场主流 支撑AI/HPC量产 中期3-5年有机中介层凭成本与规模优势在HPC与AI训练芯片中大规模落地 [26] - 长期5年以上碳化硅中介层一旦突破量产瓶颈 或将成为最尖端AI/HPC封装的标准配置 [26] 产业竞争格局 - 日本JOINT3代表合作造标准路径 英伟达推动SiC中介层是应用驱动新材料典型 两条路线殊途同归 中介层将决定未来AI芯片性能极限 [28] - 硅 有机 碳化硅中介层各有优劣 未来十年大概率形成分工互补格局 [28]

英伟达技术路线更新 - 英伟达计划在新一代Rubin处理器中将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅替换为碳化硅（SiC）以提升性能 [1] - 由于芯片发热量超过极限，碳化硅最晚将于2027年进入先进封装环节 [1] - 碳化硅热导率达500W/mK，显著高于硅的150W/mK，更适合高散热要求环境 [1] 台积电技术布局 - 台积电计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板，取代传统氧化铝、蓝宝石或陶瓷基板 [1] - 碳化硅中介层可缩小散热片尺寸，优化整体封装结构，适用于高功率GPU芯片 [1] 碳化硅产业链公司概览 - 瑞纳智能（流通市值10.28亿元）子公司推进8英寸碳化硅衬底送样验证 [3] - 锆威特（流通市值13.50亿元）拥有短沟道碳化硅MOSFET器件制造技术 [3] - 宇环数控（流通市值23.16亿元）碳化硅设备用于晶锭加工工序，正推进打样销售 [3] - 派瑞股份（流通市值26.12亿元）IPO募投项目包含碳化硅器件研发 [3] - 温州宏丰（流通市值26.84亿元）研发高纯碳化硅粉体及碳化硅项目 [3] - 欣锐科技（流通市值28.10亿元）基于碳化硅方案的车载电源支持800V需求并量产 [4] - 银河微电（流通市值32.15亿元）车规级生产线包含碳化硅MOSFET功率器件 [4] - 民德电子（流通市值32.85亿元）在碳化硅器件领域布局供应链自主可控 [4] - 立霸股份（流通市值33.69亿元）参股瞻芯电子提供碳化硅功率器件解决方案 [4] - 德龙激光（流通市值36.36亿元）产品用于碳化硅晶圆划片和切割 [4] - 蓝海运营（流通市值39.11亿元）参与比亚迪碳化硅IGBT模块电控项目 [4] - 得润电子（流通市值44.07亿元）量产22kW 800V平台碳化硅高频器件 [4] - 甘化科工（流通市值45.64亿元）参股公司锆威特碳化硅功率器件已产业化 [4] - 智光电气（流通市值50.60亿元）参股粤芯半导体布局碳化硅芯片制造 [4] - 英杰电气（流通市值52.08亿元）电源产品用于碳化硅生长炉并量产 [4] - 宏微科技（流通市值53.12亿元）1200V SiC MOSFET芯片研制成功 [4] - 科创新源（流通市值53.74亿元）通过持股布局碳化硅衬底项目 [5] - 国星光电（流通市值56.03亿元）产品线包含SiC功率模块 [5] - 柘中股份（流通市值59.67亿元）参投天岳先进从事碳化硅衬底材料 [5] - 东尼电子（流通市值60.39亿元）年产12万片碳化硅半导体材料项目2023年投产 [5] - 金博股份（流通市值63.08亿元）为碳化硅半导体提供热场材料 [5] - 中天火箭（流通市值74.51亿元）碳化硅产品用于航空航天和新能源涂层 [5] - 高测股份（流通市值74.71亿元）6寸及8寸碳化硅切片机实现大批量交付 [5] - 珂玛科技（流通市值77.32亿元）超高纯碳化硅产品纯度达99.99% [5] - 苏州固锝（流通市值79.64亿元）小批量生产碳化硅肖特基产品 [5] - 芯朋微（流通市值81.66亿元）推出车规级SiC器件和电源产品 [5] - 海特高新（流通市值84.38亿元）参股公司华芯科技开展碳化硅技术迭代 [5] - 台基股份（流通市值91.77亿元）研发碳化硅技术但未形成产品 [6] - 天富能源（流通市值93.87亿元）为天科合达第二大股东，天科合达为全球碳化硅主要生产商 [6] - 英唐智控（流通市值96.31亿元）向客户提供碳化硅基功率半导体 [6] - 京运通（流通市值99.24亿元）碳化硅炉产出合格晶体但未销售 [6] - 力合科创（流通市值102.95亿元）投资孵化的基本半导体从事碳化硅功率器件产业化 [6] - 东微半导（流通市值104.96亿元）布局SiC MOSFET并申请相关专利 [6] - 燕东微（流通市值124.19亿元）6英寸SiC生产线产能达2000片/月 [6] - 天通股份（流通市值135.68亿元）主营产品包含碳化硅晶体生长炉 [6] - 新洁能（流通市值136.44亿元）持有常州臻晶股权，专注碳化硅液相法晶体 [6] - 楚江新材（流通市值147.98亿元）子公司为碳化硅单晶生产提供装备和原料 [6] - 露笑科技（流通市值156.23亿元）业务包含碳化硅衬底片和长晶炉销售 [7] - 云南锗业（流通市值174.82亿元）与中科院合作研究碳化硅单晶材料 [7] - 国科微（流通市值176.89亿元）参股公司森国科主营碳化硅功率器件销售 [7] - 中瓷电子（流通市值186.37亿元）子公司碳化硅汽车芯片用于比亚迪汽车 [7] - 捷捷微电（流通市值223.19亿元）拥有碳化硅专利并从事封测 [7] - 斯达半导（流通市值240.46亿元）实现SiC模块大规模生产和销售 [7] - 振华科技（流通市值256.55亿元）碳化硅产品应用于半导体功率器件 [7] - 时代电气（流通市值292.35亿元）研发高压大功率碳化硅油冷电驱总成 [7] - 天岳先进（流通市值295.05亿元）为国内最早碳化硅材料产业化企业 [7] - 深圳华强（流通市值304.39亿元）为全球最大碳化硅生产商Wolfspeed主要代理商 [7] - 扬杰科技（流通市值326.26亿元）碳化硅系列产品获国内top客户认可并批量出货 [8] - 麦格米特（流通市值334.22亿元）参股瞻芯电子聚焦碳化硅芯片 [8] - 晶盛机电（流通市值364.54亿元）为长晶设备龙头，开发碳化硅长晶设备 [8] - 士兰微（流通市值473.76亿元）6吋SiC生产线产能3000片/月，正扩建产线 [8] - 通富微电（流通市值482.85亿元）具备碳化硅封测能力，为汽车电子客户开发产品 [8] - 闻泰科技（流通市值489.12亿元）旗下安世半导体投资2亿美元研发碳化硅等宽禁带产品 [8] - 华润微（流通市值633.10亿元）SiC MOS和JBS产品覆盖650V至1700V电压平台 [8] - 三安光电（流通市值688.48亿元）为碳化硅全产业链龙头 [8] - 北方华创（流通市值2530.43亿元）碳化硅外延设备实现批量销售，市占率国内前列 [8]

半导体装备战略价值 - 电子终端产品年产值在全球总产值中占据重要地位 大数据和AI等产业的爆发依赖芯片支撑 而芯片制造离不开半导体装备[2] CMP技术重要性 - CMP是集成电路制造五大关键技术之一 通过平坦化晶圆表面为光刻等工序奠定基础[2] - CMP在芯片生产中的工序数量大幅增加 在先进制程中不可或缺[2] CMP技术挑战 - 晶圆纳米级尺度抛平要求12英寸晶圆全局平整度小于5nm 相当于标准足球场上任意两点起伏不得超过0.25μm[2] - 晶圆纳米污染物洗净要求28nm以上细微污染物颗粒严格限制在30颗以内[2] - 快速抛光纳米级停准和整机工艺运行高效跑稳是主要技术难点[2] CMP市场机遇 - 先进封装领域折合12英寸晶圆需求量将迅速攀升[3] - TSV和3D封装等技术的快速发展推动CMP应用需求显著增长[3] - 第三代半导体从多片晶圆抛光转向单片晶圆抛光 对CMP装备需求持续上升[3] 华海清科业务发展 - 公司起源于清华大学摩擦学国家重点实验室 2013年正式成立 2022年上市[3] - 从CMP装备供应商发展为平台化企业 业务涵盖减薄 划切 湿法 离子注入 边缘抛光等装备[3] - 扩展至晶圆再生和耗材维保业务 成为国内领先的半导体装备供应商[3] - 以多年技术积累为基础持续创新 助力中国半导体产业突破[3]

行业核心观点 - 封测技术成为突破半导体产业"物理极限"和"产业断链"双重挑战的核心环节 [1] - 先进封装成为延续摩尔定律的核心路径 包括2.5D/3D、Chiplet、Fan-Out等技术与设计制造融合加速 [1] - 地缘政治重塑供应链 自主化与全球化"双轮驱动"成为中国封测产业必须应对的时代命题 [1] 中国封测产业现状 - 中国封测产业实现从跟跑到并跑 长电、通富、华天跻身全球前列 [1] - 国产封装设备与材料"卡脖子"问题不断突破 [1] - 2024年国内集成电路行业销售额达10458亿元 同比增长18% [3] - 2025年国内集成电路市场规模有望突破13000亿元 [3] 区域产业格局 - 江苏封测产能占全国半壁江山 长三角地区封测产业规模占全国81%以上 [2] - 2024年江苏省封测营收超过1700亿元 [2] - 江苏重点企业突破系统级封装、2.5D封装等关键技术 具备高性能芯片封装能力 [2] - 江苏在先进封测、EDA工具、第三代半导体等领域建设国家级高能级创新平台和省级特色创新载体 [2] 技术创新方向 - 封测创新本质是"场景驱动" 瞄准AI、车规、第三代半导体等高端领域 [2] - 突破Chiplet、异构集成等前沿技术 推进全系统性价比创新 [2] - 先进封装市场规模增速持续超过传统封装 [3] - 先进封装技术通过横向扩展、堆叠释放多芯片系统集成潜力 满足异构集成需求 [3] 产业发展挑战 - 集成电路产业链在关键领域和环节存在突出"卡脖子"问题 [3] - 需要保持封装产业技术相对竞争优势 谋求新的创新发展思路 [3] - 需要构建需求与供求的良性循环 [2]

展会与行业趋势 - SEMICON Taiwan 2025展会将于9月10-12日举行 聚焦AI CoWoS先进封装与测试量产进度[1] - 半导体制程微缩遇瓶颈 异质整合与先进封装成为突破方向 AI HPC与HBM需求大增推动3D IC及面板级扇出封装技术发展[1] - 3D IC和面板级扇出封装成为驱动半导体创新的核心技术 是展会关注焦点[1] 台积电先进封装技术布局 - 台积电主导CoWoS InFO SoIC三大先进封装技术 均适用于AI和HPC芯片 其中CoWoS量产已具规模[1] - NVIDIA和AMD对CoWoS需求持续强劲 苹果高阶处理器需要InFO技术 AMD是SoIC先进封装首要客户[1] - 台积电2024年10月宣布与Amkor深化合作 在美国亚利桑那州扩展InFO及CoWoS产线[1] - Amkor亚利桑那州新建先进封测厂已于8月下旬动工 预计2028年初开始生产[1] 产能扩张与投资计划 - 台积电2024年3月宣布增加1000亿美元投资美国半导体制造 总投资达1650亿美元 包括2座先进封装设施[2] - 台积电在台湾地区共有5座先进封测厂 同时在美国积极扩充CoWoS和InFO产线[1][2] - 公司正缩小CoWoS先进封装供给吃紧与市场需求强劲之间的不平衡差距[2] 产能规划与客户分配 - 预计2026年底台积电CoWoS月产能超过9万片 上看9.5万片[2] - 非台积电体系CoWoS明年底月产能预估1.2万片[2] - 整体年产能近60%比重仍主要供应NVIDIA[2]

报告行业投资评级 - 电子行业评级为看好（维持）[4] 报告核心观点 - 碳化硅材料在先进封装中具备较高应用潜力 有望打开产业成长空间[7] - 碳化硅导热性能优异 热导率可达500W/mK 远高于硅的150W/mK[14] - 碳化硅有望在中介层和散热基板环节应用 相关厂商天岳先进和三安光电有望受益[2][19] AI GPU功率提升与散热需求 - 英伟达GPU芯片功率持续提升 从H200的700W提高到B300的1400W[7][8] - AI服务器GPU性能提升导致芯片封装散热要求提高[7][9] - CoWoS封装技术面临散热优化需求 可通过优化热沉片和热界面材料提升散热能力[9] 碳化硅材料特性与应用潜力 - 碳化硅晶体热导率达500W/mK 较硅材料(150W/mK)具有显著优势[14] - 碳化硅中介层可缩小散热片尺寸 优化整体封装尺寸[15] - 台积电计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板 取代传统氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板[7][17] - 主要陶瓷材料热导率均低于单晶碳化硅：Al₂O₃为29W/mk AlN为150W/mk BeO为310W/mk Si₃N₄为106W/mk[18] 重点公司分析 **天岳先进(688234)** - 2024年实现营收17.7亿元 同比增长41%[20] - 2024年归母净利润1.8亿元 同比扭亏为盈[20] - 全球碳化硅衬底市场份额达22.8% 稳居全球第二 较2023年12%大幅提升[23] - 成功研制12英寸半绝缘型、导电型、P型衬底[23] **三安光电(600703)** - 25H1实现营收89.9亿元 同比增长17%[27] - 25H1毛利率15.2% 同比提升3.5个百分点[27] - 重庆三安8英寸衬底产能2000片/月 已于2024年9月通线投产[31] - 规划达产后8英寸衬底产能48万片/年[31] 行业发展趋势 - 碳化硅在先进封装领域的应用尚未完全挖掘 未来成长空间广阔[7] - 头部公司已注意到碳化硅在中介层中的应用潜力[15] - 12英寸大直径晶圆为碳化硅导入中介层提供良好契机[15]

行业收入表现 - 2025年第二季度五大晶圆厂设备制造商收入同比增长20%，主要受尖端工艺、HBM及先进封装需求驱动，中国成熟节点投资亦有贡献 [1] - 同期晶圆代工收入占比66%，内存占比34%，但内存收入环比下降13%，因消费电子市场疲软拖累DRAM和NAND设备销售 [1] - 2025年上半年ASML、Lam Research和KLA收入分别同比增长35%、29%和26%，东京电子因服务收入强劲增长12%，应用材料增长7% [1] - 上半年净收入同比增长21%，系统收入增22%，服务收入增20%，主因客户升级、自动化及设备智能解决方案应用 [3] 技术驱动与市场展望 - 蚀刻、沉积、光刻及工艺控制工具发布将支持代工/逻辑与内存客户技术路线图，先进封装及FinFET向GAAFET过渡助推2025年下半年增长 [3] - 2025年全球WFE收入预计同比增长10%，五大厂商增速超越整体市场，因代工/逻辑、DRAM及NAND领域关键技术变革 [3] - 美国暂缓对华半导体设备关税上调短期缓解需求压力，但长期战略脱钩风险仍存 [3] 战略多元化趋势 - 设备制造商优先推进全球业务多元化，以减少关税和出口管制负面影响，并加速先进封装解决方案出货 [4] - 厂商投资近客户供应链设施以最小化关税冲击，虽短期盈利影响有限，但为长期全球增长奠定基础 [5] - 印度成为战略替代市场，已宣布超100亿美元晶圆厂和OSAT投资，政府批准10家晶圆厂并提供约100亿美元补贴 [6] 印度市场机遇 - 短期（1-2年）印度市场通过研发合作、试点项目及初期设备销售贡献增量收入 [6] - 中长期（3-5年）随本地生态成熟，设备销售及服务收入将显著增长，覆盖沉积、蚀刻、清洁、检测等多类工具 [6][7] - 印度从基础封装向高价值扇出、2.5D/3D及芯片级封装转型，推动设备商扩大技术组合与生态合作 [9][10] - 印度研发中心扩张助力全球创新，涉及AI驱动工艺控制、智能工厂及供应链本地化等领域 [9][10] 先进封装增长引擎 - 先进封装成为行业战略重点，弥补传统工艺缩放放缓，推动性能、功耗及集成度创新 [8] - 代工厂、IDM和OSAT将先进封装作为核心竞争领域，通过系统级创新提升良率并降低成本 [8] - 设备商通过材料工程、集成平台及软件解决方案布局端到端先进封装流程，强化代工与OSAT协同优化 [9] 厂商战略布局 - 应用材料聚焦材料沉积、CMP及封装集成平台，在印度扩大研发以加速产品开发并优化供应链 [9] - Lam Research专注GAAFET原子级处理及智能工厂自动化，在印度设立AI中心并本地化供应链 [9] - 东京电子强化后端工具生态及先进封装，在印度建立全球服务中心支持新兴晶圆厂 [9] - KLA推动前后端AI驱动工艺控制与良率优化，在印度扩展远程诊断及AI故障分析服务 [9]

行业背景与战略价值 - 半导体装备在全球电子终端产品年产值中占据重要地位 大数据和AI等产业的爆发依赖于芯片支撑 而芯片制造离不开半导体装备 [4] - CMP（化学机械抛光）作为集成电路制造五大关键技术之一 通过平坦化晶圆表面为光刻等工序奠定基础 [4] - CMP在芯片生产中的工序数量大幅增加 在先进制程中不可或缺 [4] CMP技术挑战 - 晶圆纳米级尺度抛平要求12英寸晶圆全局平整度小于5nm 相当于标准足球场上任意两点起伏不得超过0.25µm [4] - 晶圆纳米污染物洗净要求28nm以上细微污染物颗粒严格限制在30颗以内 [4] - 快速抛光纳米级停准和整机工艺运行高效跑稳构成主要技术挑战 [4] 市场发展机遇 - 先进封装领域折合12英寸晶圆需求量将迅速攀升 TSV和3D封装等技术推动CMP应用需求显著增长 [5] - 第三代半导体正从多片晶圆抛光转向单片晶圆抛光 对CMP装备需求持续上升 [5] 公司业务发展 - 华海清科起源于清华大学摩擦学国家重点实验室 2013年成立 2022年上市 [5] - 公司从CMP装备供应商发展为平台化企业 业务涵盖减薄 划切 湿法 离子注入 边缘抛光等装备及晶圆再生 耗材维保 [5] - 公司是国内领先的半导体装备供应商 以多年技术积累为基础持续创新 [5][6]

固态电池与储能技术 - 公司具备软包半固态电池样品小量交付能力 涉及固态电池、低空经济、储能及数据中心领域 [1] - 液冷集装箱在电网侧储能场景取得技术突破 [1] 人形机器人与智能驾驶 - 公司与智元机器人等头部客户合作 定制化主控板已实现批量供货 [1] - 业务覆盖人形机器人、英伟达、汽车芯片、智能驾驶及华为生态链 [1] AI芯片与半导体技术 - 公司电机驱动控制芯片新产品内部测试成功 [1] - 技术布局涵盖AI芯片、量子科技、数字货币及先进封装领域 [1]

行业地位与规模 - 无锡集成电路产业规模居全国第二 产值达2512亿元 产业链企业数量超600家 [4] - 2025年全球半导体市场规模预计提升至7189亿美元 同比增长13.2% [6] - 2025集成电路创新发展大会参展商数量超1130家 规模创新高 [1][10] 产业发展与增长 - 2024年上半年无锡集成电路产业营收同比增长12% 延续稳中向好势头 [4] - 产业聚焦芯片设计高端化转型与先进封装升级 优化产业结构 [6] - 大会签约57个项目 其中55项为产业项目 总投资177.21亿元 [14] 技术突破与创新 - 无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线填补国内空白 产品涵盖极紫外EUV及深紫外DUV光刻胶 用于亚10纳米先进制程芯片 [9] - 中国开放指令生态联盟江苏省中心落地无锡 共建RISC-V IP资源池与Chiplet技术"芯粒库" [9] - 长三角国家技术创新中心车规级芯片中试服务平台等重磅项目揭牌 [6] 产业链生态建设 - 大会采用"1+5"架构 覆盖人工智能 汽车电子 先进封装 高端装备及关键材料领域 [5] - 半导体设备与核心部件展重点展示光刻 薄膜 刻蚀等晶圆制造设备及封测设备 [10] - 无锡市集成电路人才培养联盟揭牌 集聚东南大学等高校推动产教融合 [14] 企业参与与合作 - 华虹半导体 中微公司 摩尔线程等企业高管围绕集成电路制造与人工智能开展主题演讲 [5] - 产业链供需对接会吸引长电科技 华虹半导体 百度智能云等重点企业参与 [10] - 金融支持项目包括新设金融租赁公司1家 总授信达1000亿元 [14]