核心观点 报告认为，在AI浪潮驱动下，中国半导体行业正迎来由“国产替代”和“AI算力需求”双轮驱动的黄金发展期[4][5][6] 行业将沿着“算力芯片自主可控”、“制造环节自主可控”、“底层硬科技自主可控”三个层次递进发展[5][6] 在政策强力支持与外部技术封锁的背景下，国产AI芯片、先进制造、存储、设备材料等全产业链将迎来历史性机遇[4][6][7] 半导体板块行情回顾 - 2025年初至10月28日，国内电子与半导体指数在“国补刺激+AI算力+国产替代”驱动下显著跑赢沪深300，累计涨幅分别达54.46%和54.51%[16] - 同期，费城半导体指数和台湾半导体指数涨幅分别为44.5%和31.4%[16] - 细分板块中，数字芯片设计（+75.3%）和半导体设备（+56.3%）领涨[21] - 2025年上半年，数字芯片设计板块收入同比增长30.0%，归母净利润同比增长44.0%，毛利率达36.3%[28][30] - 半导体设备行业在2025年Q1和Q2收入分别创历史同期新高，同比增长37.6%和33.5%[31] AI算力：云侧AI芯片 - **市场空间**：根据弗若斯特沙利文预测，中国AI芯片市场规模将从2024年的1,425.37亿元激增至2029年的13,367.92亿元，2025-2029年CAGR为53.7%[4][42] 2024年中国GPU市场规模约1,073亿元，同比增长32.96%[40] - **全球需求**：2024年全球GPU市场规模为773.9亿美元，预计2030年达4,724.5亿美元，2024-2030年CAGR为35.19%[37] 2026财年Q1英伟达数据中心业务收入同比增长69%至441亿美元[37] - **资本开支**：北美四大云服务提供商（亚马逊、谷歌、微软、Meta）2025年资本支出计划合计突破3,150亿美元[44] 国内云厂商与运营商算力投资占比显著提升，如阿里巴巴计划未来三年投入3,800亿元用于云计算和AI基础设施[45] - **竞争格局**：国产AI芯片从华为、寒武纪、海光信息“三足鼎立”向沐曦股份、摩尔线程等“群雄逐鹿”演变[7][55] 2025年10月，黄仁勋称英伟达中国市场份额从95%降到0%[55] - **公司进展**：华为已规划昇腾950PR、960、970等多款芯片路线图[58] 寒武纪2025年上半年营收28.81亿元，同比增长4,347.82%，实现扭亏为盈[59] 海光信息DCU已在智算中心、AI等领域实现规模化应用[59] AI算力：端侧AI芯片与交换芯片 - **端侧AI芯片**：受益于智能家居、智能电车等AI终端需求，国内AIoT芯片企业（如瑞芯微、恒玄科技、晶晨股份）业绩进入高速增长阶段[62] - **交换芯片**：超节点+大集群推动运力市场规模提升，Scale-up交换芯片已成为数据中心主力需求，预计2030年全球市场规模接近180亿美元，2022-2030年CAGR约28%[64][66] 目前交换芯片国产化率极低，博通、Marvell占据全球90%以上份额，国产厂商（如数渡科技、盛科通信）正从产品化走向商业化[69] AI存力：存储产业链 - **需求驱动**：AI Capex投入推动服务器需求，同时HDD缺货涨价加速企业级SSD在冷存储领域占比提升[70][72] Offloading技术将部分KV-cache卸载到SSD中成为未来趋势，进一步拉动SSD需求[75] - **市场规模**：测算2025年AI Capex水平可带来约213亿美元DRAM增量市场（不含HBM）和约366亿美元NAND增量市场[76] - **国产模组**：2023年全球DRAM模组市场营收125亿美元，前十大厂商占93%份额，金士顿以68.8%市占率排名第一[79][83] 国产模组厂商市场占比仍低，替代空间广阔[82] - **技术趋势**：HBM是目前主流的近存计算方案[86] 华邦Cube方案有望在端侧算力中应用[90] DRAM架构正从2D转向3D，以提升存储密度和性能[92] - **国产存储**：长鑫存储2025年预计DRAM产量273万片（以晶圆计），同比增长68%，年底市场份额有望增至12%[98] 长江存储总产能约14万片/月，占全球3D NAND市场份额约12%，规划产能达30万片/月[98] AI电力：供电系统 - **GPU功耗**：英伟达GPU功率持续提升，从A100的400W升至B200的1000W，超级芯片GB200功率最高达2700W[101] - **供电架构**：AI服务器需要4颗1800W高功率电源，远超通用服务器的2颗800W电源[101] 英伟达引导数据中心向800V DC供电架构升级，SST（固态变压器）是终极技术形态[105] 巴拿马电源等方案亦为发展方向[106] - **板卡供电**：由多相控制器和DrMOS组成的拓扑架构是GPU/CPU供电的最佳解决方案，可提升供电功率并优化能耗[112] AI底座：晶圆制造与先进封装 - **先进制程**：AI算力扩张是对先进晶圆代工需求的长期、确定性拉动[7][114] 2026年中国智能算力规模预计达1,460.3 EFLOPS，为2024年的两倍[114] - **产能状况**：成熟节点产能利用率企稳回升，行业景气度进入复苏通道[7] “China For China”趋势下，大陆半导体产能扩张已进入快车道[7] - **先进封装**：CoWoS工艺将继续升级，CoWoS-L或成为重要技术路径[7] 高端先进封装是助力算力跃迁的关键[7] AI底层硬科技：设备、材料与EDA/IP - **半导体设备**：国产替代仍是行业大趋势，当前国产化率约21%[7][38] 干法刻蚀、薄膜沉积及CMP或将成为未来4年国产化率迅速提升的领域[6] - **半导体材料**：景气度、自主可控与下游扩产共同推动各领域突破，12英寸硅片、高端光刻胶等材料国产化率亟待提升[7] - **EDA与IP**：作为“芯片之母”，国产化正撕开海外巨头垄断缺口[7] 华大九天、概伦电子等公司有望通过差异化方式竞争[45] RISC-V架构增速将远超传统架构[46]

行业技术发展历程 - 中国集成电路技术发展历经六十余年，从1950年代至1978年的技术探索期，到1978年至2000年的引进发展期，再到2000年至2020年的自主突破期，实现了14nm制程等关键突破并形成完整产业链，2020年至今进入第三代半导体、设备材料国产替代及AI芯片等新兴领域局部领跑的新阶段 [1] 产业链核心技术环节 - 集成电路关键技术体系围绕设计、制造、封测三大核心环节 [4] - 设计端核心聚焦EDA工具、芯片架构及半导体IP三大方向 [4] - 制造端重点突破晶圆工艺与先进制程节点 [4] - 封测端以Chiplet芯粒、3D堆叠等先进封装技术为核心发力点 [4] 各环节技术发展现状 - **设计环节**：华大九天等企业已实现成熟制程部分流程工具的自主化，但全流程高端EDA仍依赖海外；芯原微等构建了自主IP库，但高端CPU/GPU核心IP自主化不足；RISC-V布局领先，龙芯LoongArch等自主架构已商用 [9] - **制造环节**：成熟制程（28nm及以上）产能充足，但EUV光刻设备依赖进口；中芯国际实现14nm制程量产、7nm试产，但5nm等先进制程受设备限制尚未突破 [9] - **封测环节**：长电科技、通富微电等龙头已掌握Chiplet、3D堆叠等先进封装技术，全球市场份额居前，是国内产业链的优势环节 [9] - **设备材料环节**：中微公司5nm刻蚀机、北方华创成熟制程沉积设备已商用，但EUV等高端设备依赖进口；沪硅产业12英寸硅片、晶瑞电材成熟制程光刻胶已量产，但高端光刻胶、先进封装材料仍需突破 [9] 不同制程市场发展状况 - **低端市场（45nm及以上）**：自给率超过75%，华虹集团等企业在功率器件、模拟芯片等细分市场占据主导地位，产能全球占比超过30% [10][11] - **中端市场（14-28nm）**：国产化率约35%，中芯国际、华虹集团等企业在逻辑芯片、存储芯片领域加速扩产；长江存储的3D NAND堆叠层数突破500层；长鑫存储的DRAM产能进入全球前十，国产化率提升至25% [10][11] - **高端市场（7nm及以下）**：自给率不足20%，主要依赖台积电、三星等代工厂；华为海思的麒麟系列芯片通过Chiplet封装技术实现等效7nm性能，但7nm及以下制程量产仍处于验证阶段；AI芯片领域，寒武纪、地平线等企业的云端训练芯片国产化渗透率达40%，但高端GPU仍被英伟达垄断 [10][11] 行业当前痛点与未来展望 - 行业当前面临高端技术国产化低、产业安全存在风险、产品质量有待提高的核心痛点 [13] - 未来要紧扣“十五五”规划，以技术层面攻坚破局、生态体系协同合作、加大培养创新人才为三大战略方向，着力突破先进制程、核心设备与材料等技术瓶颈，构建自主可控的产业生态 [13]

1月6日，通富微电盘中上涨2.30%，截至13:00，报40.45元/股，成交21.06亿元，换手率3.48%，总市值 613.87亿元。 截至9月30日，通富微电股东户数35.07万，较上期增加27.05%；人均流通股4327股，较上期减少 21.29%。2025年1月-9月，通富微电实现营业收入201.16亿元，同比增长17.77%；归母净利润8.60亿元， 同比增长55.74%。 通富微电今年以来股价涨7.29%，近5个交易日涨7.84%，近20日涨10.55%，近60日跌11.29%。 资料显示，通富微电子股份有限公司位于江苏省南通市崇川开发区崇川路288号，成立日期1994年2月4 日，上市日期2007年8月16日，公司主营业务涉及集成电路的封装和测试。主营业务收入构成为：集成 电路封装测试96.98%，模具及材料销售等3.02%。 通富微电所属申万行业为：电子-半导体-集成电路封测。所属概念板块包括：AIPC概念、封测概念、存 储概念、华为海思、汽车芯片等。 分红方面，通富微电A股上市后累计派现4.54亿元。近三年，累计派现2.33亿元。 机构持仓方面，截止2025年9月30日，通富微电十大流通股 ...

通富微电董事长兼京隆科技副董事长石磊；市委常委、苏州工业园区党工委书记沈觅，市政府秘书长徐本，市有关部门主要负责同志参加。 来源：苏报融媒记者朱琦/文 智能产线。苏报融媒记者 濮建明/摄 吴庆文在致辞时表示，近年来，苏州大力培育集成电路领域新质生产力，已集聚集成电路产业链重点企业超380家，形成了从设计、制造、封测到设备材 料的完整产业布局。通富微电是苏州并肩前行的好伙伴，此次投资建设京隆科技高阶半导体新项目，必将为苏州集成电路产业发展跃升注入新的强劲动 能。期待企业家朋友把更多先进技术、高端项目、优质资源带到苏州。苏州将坚持长期主义，一如既往提供细致周到服务，持续营造市场化、法治化、国 际化一流营商环境，陪伴企业成长，共享发展机遇、共创美好未来。 京隆科技（苏州）有限公司扎根苏州工业园区20余年，已发展成为国内最大的高阶芯片专业测试厂商，构建了全流程芯片封测服务体系。2025年，园区产 业基金联合全球封测龙头企业通富微电，完成京隆科技股权重组。此次投用的新工厂位于独墅湖科教创新区（东区），总投资40亿元，占地68亩，其搭载 的智能产线涵盖人工智能、车规级、工业级等高阶芯片测试领域。预计达产后，将进一步扩大企 ...

中国集成电路行业投融资现状 - 行业融资在2021-2022年为高热期，融资事件均突破1000起，2023年事件数回落但融资总额升至1.15万亿元，2024年事件数微降且总额腰斩至5623.92亿元，2025年事件数小幅回升至938起，总额为9110.51亿元 [1] - 近五年来，行业融资轮次以B轮最多，天使轮、PreA轮、A轮等早期轮次融资数量显著高于C轮及以后的中后期轮次，是融资主力，同时战略投资事件也较多 [8] - 行业融资区域分布高度不均衡，广东、江苏、浙江等东部沿海省份是融资主力，其中江苏融资规模尤为突出，山东、河南等省份融资数量大幅递减，吉林、西藏等多数地区融资近乎空白 [9] - 行业细分领域中，存储器以374起融资事件成为绝对主力，逻辑芯片、微处理器融资事件数依次递减，分别为113起和75起，模拟芯片融资事件数相对偏小，仅有18起 [13] 2025年代表性融资事件 - 2025年1月至11月期间，行业发生了多起融资事件，例如：亚年未言体在10月完成1亿人民币B轮融资，江原科技在9月获得1亿人民币战略投资，鸿行智芯在5月获得1.43亿人民币战略投资，力积存储在5月完成1.98亿人民币C轮融资 [5][7] - 融资轮次覆盖天使轮到C轮及战略投资，投资方包括政府背景基金（如锡创投、无锡国联创投）、产业资本（如蚂蚁集团）以及市场化投资机构（如鼎晖投资、启明创投） [5][7] 代表性企业对外投资情况 - 芯原股份对外投资了至少19家企业，投资方式包括设立全资子公司（如芯原科技（上海）有限公司，认缴5亿元）和参股（如威视芯半导体（合肥）有限公司，投资100万美元占5.4022%），布局从设计到应用的多个环节 [16][17] - 寒武纪对外投资了至少18家企业，主要通过设立全资或控股子公司进行地域和业务扩张，例如上海寒武纪信息科技有限公司（认缴27亿元）和寒武纪行歌（南京）科技有限公司（认缴2亿元占56.3222%） [17] - 中芯国际的对外投资聚焦于产业生态构建，例如控股中芯晶圆股权投资（上海）有限公司（认缴34.58亿元），并参股上海集成电路制造创新中心有限公司（投资4999.5万元占33.33%） [17] - 长电科技的对外投资主要用于封装测试主业布局和投资平台搭建，例如全资控股苏州长电新科投资有限公司（认缴75.434亿元）和江阴长电先进封装有限公司（投资约1.96亿美元占99.0939%） [18] 企业横向收购以扩大市场份额 - 2025年行业内发生了多起并购事件，主要以横向整合为主，目的是扩大市场份额、获取技术协同，例如芯原股份在9月100%收购芯来科技，中芯国际在8月收购中芯北方49%股权 [19][20] - 并购类型也包括纵向整合和混合整合，例如概伦电子在9月纵向整合收购纳能微46%股权，英唐智控在10月进行混合整合收购光隆集成 [20]

数据显示，汇添富基金旗下1只基金重仓通富微电。汇添富中证500指数(LOF)A（501036）三季度持有 股数8.77万股，占基金净值比例为0.49%，位居第十大重仓股。根据测算，今日浮盈赚取约4.21万元。 汇添富中证500指数(LOF)A（501036）成立日期2017年8月10日，最新规模2.51亿。今年以来收益 30.14%，同类排名1738/4195；近一年收益26.53%，同类排名1840/4179；成立以来收益41.09%。 汇添富中证500指数(LOF)A（501036）基金经理为吴振翔。 截至发稿，吴振翔累计任职时间15年332天，现任基金资产总规模197.81亿元，任职期间最佳基金回报 202.04%， 任职期间最差基金回报-31.53%。 12月30日，通富微电涨1.28%，截至发稿，报37.88元/股，成交5154.23万元，换手率0.09%，总市值 574.87亿元。 资料显示，通富微电子股份有限公司位于江苏省南通市崇川开发区崇川路288号，成立日期1994年2月4 日，上市日期2007年8月16日，公司主营业务涉及集成电路的封装和测试。主营业务收入构成为：集成 电路封装测试96.9 ...

证券日报网讯 12月29日，通富微电在互动平台回答投资者提问时表示，公司的对外投资，均围绕封测 主业以及相关上下游产业链，具有较强的产业逻辑；对外投资项目将按照信息披露要求履行信披义务。 （编辑 丛可心） ...

与会代表以举手表决的方式审议通过了《关于选举公司第八届董事会职工代 表董事的议案》，同意选举李金健先生为公司第八届董事会职工代表董事，与公 司 2024 年第一次临时股东大会及 2025 年第一次临时股东大会选举产生的其他 8 名股东代表董事及独立董事，共同组成公司第八届董事会，任期自本次职工代表 大会选举产生之日起至第八届董事会任期届满之日止。 李金健先生担任公司职工代表董事后，董事会中兼任公司高级管理人员以 及由职工代表担任的董事人数总计不超过公司董事总数的二分之一，符合相关法 律法规及规范性文件的要求。 李金健先生的简历详见附件。 关于第八届董事会职工代表董事选举结果的公告 本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚假 记载、误导性陈述或重大遗漏。 通富微电子股份有限公司（以下简称"公司"）六届三次职工代表大会于 2025 年 12 月 26 日在公司三楼工会俱乐部召开。根据《公司法》及《公司章程》 的相关规定，公司董事会设职工代表董事一名，由职工代表大会选举产生，经全 体与会职工代表民主讨论，就选举公司第八届董事会职工代表董事作出如下决议： 特此公告。 证券代码：002156 证 ...

基金产品表现 - 集成电路ETF（159546）于12月24日开盘报1.791元，微涨0.06% [1] - 该基金自2023年10月11日成立以来，累计回报率达79.28% [1] - 该基金近一个月回报率为7.90% [1] - 基金业绩比较基准为中证全指集成电路指数收益率 [1] - 基金管理人为国泰基金管理有限公司，基金经理为麻绎文 [1] 成分股市场表现 - 基金重仓股中芯国际开盘上涨2.17% [1] - 基金重仓股兆易创新开盘上涨1.21% [1] - 基金重仓股长电科技开盘上涨0.57% [1] - 基金重仓股通富微电开盘上涨0.21% [1] - 基金重仓股豪威集团开盘微涨0.10% [1] - 基金重仓股寒武纪开盘微跌0.08% [1] - 基金重仓股紫光国微开盘微跌0.12% [1] - 基金重仓股海光信息开盘下跌0.24% [1] - 基金重仓股芯原股份开盘下跌0.32% [1] - 基金重仓股澜起科技开盘下跌0.41% [1]

市场表现 - 集成电路ETF（562820）于12月18日开盘下跌0.88%，报价为2.148元[1] - 该ETF自2024年4月12日成立以来，累计回报率达到117.04%[1] - 该ETF近一个月的回报率为-0.48%[1] 成分股表现 - 该ETF重仓股中，多数成分股在12月18日开盘下跌[1] - 跌幅较大的成分股包括：芯原股份跌1.45%，通富微电跌1.57%，寒武纪跌1.19%，海光信息跌0.99%，长电科技跌0.92%[1] - 唯一录得上涨的成分股为兆易创新，开盘涨幅为0.65%[1] - 其他下跌成分股包括：中芯国际跌0.43%，澜起科技跌0.79%，豪威集团跌0.60%，紫光国微跌0.77%[1] 产品概况 - 集成电路ETF（562820）的业绩比较基准为中证全指集成电路指数收益率[1] - 该ETF的管理人为嘉实基金管理有限公司[1] - 该ETF的基金经理为田光远[1]