行业技术发展历程 - 中国集成电路技术发展历经六十余年，从1950年代至1978年的技术探索期，到1978年至2000年的引进发展期，再到2000年至2020年的自主突破期，实现了14nm制程等关键突破并形成完整产业链，2020年至今进入第三代半导体、设备材料国产替代及AI芯片等新兴领域局部领跑的新阶段 [1] 产业链核心技术环节 - 集成电路关键技术体系围绕设计、制造、封测三大核心环节 [4] - 设计端核心聚焦EDA工具、芯片架构及半导体IP三大方向 [4] - 制造端重点突破晶圆工艺与先进制程节点 [4] - 封测端以Chiplet芯粒、3D堆叠等先进封装技术为核心发力点 [4] 各环节技术发展现状 - 设计环节：华大九天等企业已实现成熟制程部分流程工具的自主化，但全流程高端EDA仍依赖海外；芯原微等构建了自主IP库，但高端CPU/GPU核心IP自主化不足；RISC-V布局领先，龙芯LoongArch等自主架构已商用 [9] - 制造环节：成熟制程（28nm及以上）产能充足，但EUV光刻设备依赖进口；中芯国际实现14nm制程量产、7nm试产，但5nm等先进制程受设备限制尚未突破 [9] - 封测环节：长电科技、通富微电等龙头已掌握Chiplet、3D堆叠等先进封装技术，全球市场份额居前，是国内产业链的优势环节 [9] - 设备材料环节：中微公司5nm刻蚀机、北方华创成熟制程沉积设备已商用，但EUV等高端设备依赖进口；沪硅产业12英寸硅片、晶瑞电材成熟制程光刻胶已量产，但高端光刻胶、先进封装材料仍需突破 [9] 不同制程市场发展状况 - 低端市场（45nm及以上）：自给率超过75%，华虹集团等企业在功率器件、模拟芯片等细分市场占据主导地位，产能全球占比超过30% [10][11] - 中端市场（14-28nm）：国产化率约35%，中芯国际、华虹集团等企业在逻辑芯片、存储芯片领域加速扩产；长江存储的3D NAND堆叠层数突破500层；长鑫存储的DRAM产能进入全球前十，国产化率提升至25% [10][11] - 高端市场（7nm及以下）：自给率不足20%，主要依赖台积电、三星等代工厂；华为海思的麒麟系列芯片通过Chiplet封装技术实现等效7nm性能，但7nm及以下制程量产仍处于验证阶段；AI芯片领域，寒武纪、地平线等企业的云端训练芯片国产化渗透率达40%，但高端GPU仍被英伟达垄断 [10][11] 行业当前痛点与未来展望 - 行业当前面临高端技术国产化低、产业安全存在风险、产品质量有待提高的核心痛点 [13] - 未来要紧扣“十五五”规划，以技术层面攻坚破局、生态体系协同合作、加大培养创新人才为三大战略方向，着力突破先进制程、核心设备与材料等技术瓶颈，构建自主可控的产业生态 [13]