芯片互连技术 - 芯片上互连（on-die interconnect）是传统芯片内部信号传输的主要方式 大多数芯片封装仅包含单颗裸片 信号通过裸片焊盘引至封装引脚再焊接到PCB [2] - 先进封装技术推动封装内多元件互连需求 部分信号需在封装内部完成连接 不再全部引出到外部引脚 [2] - 封装内部连接分为键合（bonds）和互连结构两类 键合直接连接裸片或基板 互连结构则作为线缆替代方案 [2] 键合技术分类 - 引线键合（wire bonding）使用细导线连接焊盘 适用于小尺寸裸片 至今仍广泛应用 [6] - C4焊球键合包括凸点（bumps）和柱体（pillars） 适用于大尺寸裸片连接 焊球用于封装-PCB连接 凸点用于裸片-基板连接 微凸点用于裸片堆叠 [6] - 混合键合（hybrid bonding）直接对接焊盘 无需中间材料 支持极窄间距 近年因高密度需求受关注 [6] 引线键合工艺细节 - 超声键合通过超声波和压力清洁焊盘表面 热压键合采用高温替代超声波 热超声键合结合热力与超声波 [11] - 楔形键合采用铝导线 具有方向性要求 需确保受力方向与键合方向一致 [12] - 球形键合使用金线形成焊球 无方向性限制 可堆叠多个焊球提高连接高度 [17][19] C4键合与倒装芯片 - C4键合通过焊球直接连接晶圆焊盘 采用翻转芯片（flip-chip）工艺 焊球经回流焊熔化实现稳固连接 [21][24] - 倒装芯片工艺中 焊球尺寸分层级：外部BGA焊球直径250-800μm 内部裸片-基板凸点50-100μm 3D堆叠微凸点约30μm [24] - 底部填充材料（underfill）用于缓解热膨胀系数不匹配 增强机械稳定性并改善散热 [25] 热压键合与柱状互连 - 热压键合（TCB）逐片施加热力与压力 精度高于回流焊 用于HBM内存堆叠等高端应用 [28] - 柱状互连（pillars）提供高度与直径独立控制 支持不同支撑高度需求 工艺与凸点类似但增加铜柱步骤 [30][34] 先进封装技术 - 晶圆级芯片封装（WLCSP）通过重布线层（RDL）直接连接焊盘与PCB焊球 采用聚酰亚胺等有机介电材料 [35][37] - 混合键合需CMP抛光使铜低于氧化层5nm 经氮等离子体活化增强亲水性 低温退火实现铜扩展键合 [38][39] - 晶圆对晶圆键合受良率限制 集体芯粒键合或单芯粒对准为替代方案 目前应用于闪存和图像传感器 [42][43] 互连尺寸对比 - 引线键合焊盘直径25-50μm 间距50-100μm 混合键合直径0.3μm 间距0.4-1μm 显示技术向微缩化发展 [45] 封装内信号分布结构 - 基板采用叠加工艺构建 类似HDI PCB 含电源层与地层用于噪声屏蔽 通孔类型包括微孔/盲孔/埋孔 [47][50][52] - 中介层（interposer）实现高密度芯粒互连 无源硅中介层采用65/45nm工艺 支持TSV垂直连接 [58][63] - 硅桥（bridges）替代全硅中介层 仅局部嵌入有机基板 英特尔EMIB技术为典型代表 [73][75] 材料选择 - 基板介电材料包括FR-4环氧树脂和BT树脂 ABF膜用于高性能信号传输 具低CTE特性 [51][53] - 玻璃中介层探索TGVs通孔技术 有机中介层采用硅设备制造 成本低于硅中介层 [68][69] - 有源中介层可集成电源管理等电路 但增加FEoL工艺和测试复杂度 尚未量产 [70][72]

电力与经济关联性 - 南京上半年全社会用电量达372.38亿千瓦时，7月7日用电负荷创历史新高至1643万千瓦 [1] - 上半年全市GDP达9179.18亿元，同比增长5.3%，电力数据与经济增速呈现同频共振 [1] 消费市场复苏 - 1-7月批发零售业用电量同比增长12.55%，夫子庙商圈餐饮零售商户总用电量同比增13% [2] - 网红街区丰富路用电量同比上升19%，供电线路改造后设备平均年龄从18.4年降至3.1年 [2] - 住宿餐饮业用电量同比增长2.87%，与客流量、订单量等指标形成正向呼应 [3] 数字经济与绿色转型 - 南京腾讯数码1-7月用电量同比激增520.26%，算力中心平均负荷达7万千瓦（相当于6个制造业企业） [4] - 小米南京园区7月用电量同比增87%，已办理电力增容 [5] - 新能源汽车产量同比增45%，零售额增68.9%，充换电服务业用电量同比上升51.64% [5] 先进制造业发展 - 上半年第二产业增加值2851.73亿元，同比增4.1%，计算机通信设备制造业用电量增长显著 [6] - 芯德科技封测基地项目获500千伏安临时用电支持，比开工早12天实现"电等建设" [6] - 易咖智车项目从申请到送电仅用5个月，电力服务助推年产2万台无人车目标 [7] 电力服务优化 - 国网南京供电公司完成43项省市重大项目接电，建成16个"开门接电"示范区 [7] - 阿里巴巴江苏总部园区获高效用电对接，B、C地块已建成，A地块明年完工 [4][5]

公司动态 - 沃格光电与行业内多家客户合作开发玻璃基大算力芯片先进封装技术 [1] - 该技术主要应用于大型服务器领域 [1] - 项目目前进展顺利 [1] - 产业化应用仍需一定时间 [1] 技术发展 - 玻璃基大算力芯片先进封装技术正在向产业化应用阶段推进 [1] - 该技术有望在大型服务器领域实现商业化应用 [1]

机器人4S店亮相 - 全球首家具身智能机器人4S店（ROBOT MALL）在北京亦庄开放 提供销售、零配件供应、售后服务和信息反馈服务 与汽车4S店不同 这里是多品牌机器人聚合区 [2] 广汽机器人发展规划 - 广汽展示第二代具身智能载人轮足机器人GoMove、服务机器人GoSide和第三代具身智能人形机器人GoMate 应用于康养、安防等领域 [2] - 已实现驱动器、电机和灵巧手等核心零部件自主设计制造 2025年上半年在康养、安防场景开展示范应用 [2] - 规划2026年完成商业模式验证 2027年启动大规模量产 2030年产值突破10亿 [2] 智能眼镜市场增长 - 2025年上半年全球智能眼镜出货量同比增长110% Ray-Ban Meta智能眼镜需求强劲 小米、RayNeo等新厂商加入推动增长 [2] - Meta市场份额升至73% 主要得益于需求增长和合作伙伴Luxottica产能扩张 [2] 三星先进封装技术 - 三星研发415mm×510mm面板级SoP封装技术 用于超大规模芯片系统集成 无需PCB基板和硅中介层 采用RDL重布线层实现通信 [2]

公司业务定位 - 物联网eSIM芯片封装业务主要面向物联网身份识别芯片 [1] 下游应用领域 - 核心应用覆盖可穿戴设备领域 [1] - 应用于物联网消费电子领域 [1] - 涉及工业物联网应用场景 [1]

文章核心观点 - 受BT基板缺货影响 BGA封装产能持续紧张 交货周期延长至20周以上 同时车企要求车载摄像头模块成本年降15%以上 驱动部分车载摄像头传感器头部厂商转向COB封装 预计COB比例将持续扩大 与CSP并行为主流封装方案 逐渐替代更高成本的BGA封装 [1] BT基板技术特性与重要性 - BT树脂基板作为BGA封装核心载体 在高端芯片封装领域具有不可替代地位 其低热膨胀系数特性实现与硅芯片机械匹配 在-40~125℃极端温度循环下确保焊点可靠性 [2] - BGA封装的BT基板采用多层堆叠结构 通常为6-8层 通过在玻璃纤维布中浸渍BT树脂形成复合基材 为高可靠性芯片提供关键支撑 [2] BT基板缺货原因分析 - AI服务器需求激增挤压BT材料产能 台积电CoWoS先进封装产能扩张导致ABF载板需求暴涨 ABF与BT基板共享部分原材料如Low CTE玻纤布和覆铜板 产能被优先分配给AI相关订单 [3] - 苹果要求内存芯片供应商在iPhone17系列使用BT基板封装 因Low CTE玻纤布特性可抑制温度变化带来的芯片翘曲 预测未来iPhone系列内存芯片都将采用此方案 [3] - 上游原材料供应紧张 关键材料如铜箔基板 粘合片及高阶玻纤布交期延长至4-5个月 三菱瓦斯化学已通知客户延迟交付 [3] - 美国关税政策不确定性促使部分厂商提前囤货 短期需求被放大 [3] 国产替代现状与技术差距 - 国内BT基板厂商处于技术爬坡期 高端产能不足 依赖进口材料与设备 [4] - Low CTE玻纤布供应格局高度集中 热膨胀系数<3ppm的高阶产品由日本Nittobo主导 市场份额达92% 中阶产品由台玻/富材占据6% 低阶产品由宏和/中材科技占据2% [4] - 日本企业通过独家纱线排列技术 在相同厚度下热应力分散能力提升300% 国产玻纤布因纱线密度缺陷 在150℃老化测试中分层风险大大增加 [4] 2026年BT基板供给拐点预测 - 2025年Q4三菱瓦斯化学启动台湾玻纤布供应商认证导入 首批月产能约5万㎡ 可缓解3%-5%供给缺口 主要用于中阶消费电子产品 [5] - 2026年Q3宏和科技黄石基地一期5000万㎡产能正式量产 Low CTE产品占比超40% 以4-5ppm为主 泰玻2000万㎡产能同步释放 [5] - 2026年Q4日系厂商完成扩产 NITTOBO大阪工厂月供应突破50万㎡ 增长18% 三菱同步导入新树脂配方降低20%玻纤布单耗 [5] - 2026年全球Low CTE玻纤布总供应量预计达650万㎡ 同比增长26% 但日本主导的<3ppm尖端材料仍占78% [5] - 供应链紧张态势从2026年Q2开始实质性改善 Q3缺货率有望收窄至5%-7% [5][6] - 需警惕车规级认证进度及AI服务器需求非线性增长可能导致高端领域持续性紧平衡 宏和产品验证需16-22个月 [6]

财务表现 - 预计2025年半年度归属于上市公司股东的净利润为1.5亿元至1.75亿元，同比增长36.28%至58.99% [1] - 扣除非经常性损益后，预计2025年半年度归属于上市公司股东的净利润为1.35亿元至1.55亿元，同比增长49.54%至71.69% [1] 业务发展 - 汽车智能化快速发展带动车规CIS芯片市场需求显著增长 [1] - 公司在车规CIS领域的封装业务规模与技术领先优势持续提升 [1]

合肥晶汇创芯投资基金成立 - 合肥新增一家CVC基金"合肥晶汇创芯投资基金"，规模3亿元人民币，由晶合集成、汇成股份、广钢气体3家科创板上市公司共同设立 [4] - 出资比例：晶合集成66.55%（2亿元）、汇成股份16.63%（5000万元）、广钢气体16.47%（4950万元），管理人合肥晶合汇信出资0.33%（100万元） [5][9] - 3家公司均为半导体产业链企业：晶合集成是全国第三大晶圆厂，汇成股份是显示驱动芯片封装龙头，广钢气体是国内最大高纯电子大宗气体供应商 [4][7][10] 晶合集成发展历程 - 2015年由合肥国资与力晶科技合作设立，初始目标是为京东方等面板企业解决"缺芯"问题 [7] - 营收快速增长：2018年2.3亿元→2019年5.3亿元→2020年15亿元→2022年突破100亿元 [7] - 2023年5月以400亿估值登陆科创板，创安徽史上最大IPO纪录 [7] 合肥CVC投资新趋势 - 安徽推动产业巨头进入股权投资领域，2023年设立的两只百亿级产业母基金分别由长鑫存储和奇瑞汽车旗下CVC管理 [12] - 新一代信息技术产业母基金（125亿）已投资14只基金 - 新能源汽车产业母基金（180亿）已投资16只基金 - 其他活跃CVC包括海螺资本（设立2只50亿基金）、阳光电源仁发投资、科大讯飞讯飞创投等 [13][14][15] - 瑞丞基金（奇瑞系）近期以15.75亿元收购鸿合科技25%股份，计划注入汽车产业链资产 [13] 半导体产业链协同 - 晶合集成与汇成股份2024年合资成立私募机构"合肥晶合汇信"作为基金管理人 [8][9] - 广钢气体虽总部在广东，但与合肥深度合作：为长鑫存储供气，为晶合集成提供电子级气体服务 [10] - 基金设立体现半导体产业链企业从业务合作延伸到资本协同 [4][10]

下一代芯片封装技术SoIC发展 - NVIDIA下一代Rubin AI架构将首次采用SoIC封装 并集成HBM4等领先组件 预计引发硬件市场革命[1] - SoIC技术允许不同功能芯片异质整合 相比传统SoC可减少内部线路空间并降低成本 AMD为最早采用该技术的厂商[2] - 台积电正加速建设SoIC封装厂 南科AP8和嘉义AP7工厂将于2024年下半年陆续投产 设备进驻和人力调配同步推进[1][2] 主要厂商技术路线图 - NVIDIA Rubin GPU将采用SoIC封装 设计包含2颗N3P制程GPU和1颗N5B制程I/O die 整合后性能达50-100 PFLOPS FP4[5] - 苹果计划在M5芯片中导入SoIC封装 并与自研AI服务器集成 预计应用于未来iPad和MacBook产品线[5] - AMD已率先采用SoIC技术 苹果将于2024年下半年跟进 形成三大芯片厂商共同推动技术迭代的格局[2] 台积电产能与供应链动态 - 台积电2024年底SoIC产能预计达1.5-2万片/月 2025年将实现翻倍扩增至2万片/月[2][6] - 当前生产重心仍以CoWoS封装为主 第二季度起南科厂开始出货CoWoS-L/R设备 但后续扩产计划可能受限[2] - 公司积极调配8吋厂人力支援先进封装厂 同时扩大招募 2024年计划新增8000名员工 总人数向10万目标迈进[3] 技术规格与性能参数 - SoIC为先进3D芯片堆叠技术 可实现CPU/内存/I/O等多芯片集成 已在AMD 3D V-Cache处理器验证应用[3] - Rubin NVL144平台配置288GB HBM4内存 NVL576平台则搭载1TB HBM4e内存 采用4颗Reticle尺寸芯片组合[5] - 台积电SoIC技术采用异质整合方案 显著降低芯片制造成本 成为下一代先进封装的核心发展方向[2]