行业技术进展 - 深圳平湖实验室研发团队在低压(15V-40V)氮化镓(GaN)功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压GaN E-HEMT器件 [1] - 该器件关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片供电提供全新解决方案 [1] - 代表性的25V器件的关键参数达到国际先进水平，大幅突破传统硅基技术的性能极限 [1] 行业背景与需求 - 随着人工智能的快速发展，计算芯片对供电系统在效率与功率密度方面提出了更高要求 [1] - 传统硅基功率器件在性能提升上已逐渐接近物理极限 [1] - GaN器件凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换的核心 [1] 技术挑战与突破 - 在低压应用场景中，GaN器件的成本与性能优势尚未完全显现，成为制约其大规模应用的关键瓶颈 [1] - 研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，先后攻克了一系列关键技术难题 [1] - 成功研制出高性能15V-40V GaN E-HEMT器件 [1]