存储芯片涨价现状 - 近期存储芯片市场出现显著涨价现象，尤其是DDR4和三星小容量eMMC芯片，部分产品价格在不到2个月内翻倍[3][8] - 三星8GB eMMC芯片KLM8G1GETF-B041从去年10月的1.83美元涨至本周接近4美元[8] - DDR4 8Gb 3200型号现货价格从3月的1.7美元涨至3.4美元，涨幅达100%[10] 主要涨价产品 - eMMC芯片中8GB容量需求最大，价格从年前1.9美元涨至3.65-3.8美元[8] - DDR4芯片中8GB和16GB涨幅最高，8GB DDR4从去年11-12月的1.15-1.25美元涨至3美元[10] - DDR4 16Gb 3200型号本周价格3美元，较上周上涨25%[9] 涨价原因分析 - eMMC涨价直接原因是三星传出停产MLC NAND消息，虽然后来辟谣但市场反应强烈[11] - DDR4涨价导火索是三大原厂将在2025年停产DDR4的传闻[12] - 存储原厂从2023年三季度开始减产或转产，供应端持续收紧[12] 市场反应与趋势 - DDR4现货市场出现"一小时一个价"现象，价格波动剧烈[10] - 国产替代DDR4产品供不应求，通信和网络安全领域客户专用国产芯片[13] - 中国台湾南亚8G DDR4价格相对稳定，维持在1.9+美元[13] 行业动态 - 三大存储原厂(三星、SK海力士、美光)都在调整产品策略，转向高利润高端产品[12] - 美光在2023年Q3将DRAM和NAND晶圆开工率减少至接近30%，预计减产持续到2024年[12] - 近期原厂频繁传出涨价消息，涉及DRAM和NAND产品[13]

行业动态 - 三星电子与主要客户敲定DRAM供应价格上调方案，DDR4平均增长率约20%，DDR5平均增长率约5% [1] - SK海力士近期将DRAM价格上调12% [2] - 存储行业减产效应显现，大厂合约开启涨价，需求端云计算大厂capex投入启动，企业级存储需求增多，消费电子终端补库需求加强 [2] - DRAM行业向先进制程迈进，三星计划2025年扩大1a/1b纳米产能，逐步淘汰1y/1z纳米DRAM芯片 [2] - 行业资源转向DDR5和高带宽内存(HBM)，DDR4在性价比产品领域需求强劲，订单询价激增，分销商提前备货 [2] 公司动态 - 兆易创新为国内存储芯片产业龙头 [3] - 佰维存储产品覆盖NAND Flash和DRAM两大存储芯片类别 [4]