行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期 行业正加剧迈入分析师所称的超级周期 [1][4] - DRAM和NAND正步入历史性上升周期 预计本轮上升周期对DRAM和NAND都将更具持续性 [1][2] 价格趋势与预测 - 消费级DRAM和NAND TLC现货价格在11月同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35% 2026年第一季度预计环比上涨10% NAND第四季度价格预计上涨15% 下一季度预计上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月 平均售价较谷底上涨55% NAND上升周期进入第4个月 平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差 DDR4为45% DDR5为89% 256Gb TLC为47% 512Gb TLC为9% 这预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例 现货市场从今年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上 上涨3至4倍 以64G eMMC闪存为例 从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上 涨幅接近1.5倍 [3] 市场供需与竞争格局 - 供应持续紧张是价格上涨的主要原因 [1] - 自1999年以来 DRAM的平均上升周期持续8个月 平均售价从低谷到高峰上涨53% 而NAND的平均上升周期通常持续6个月 平均售价上涨40% [2] - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮 促使内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 来自中国竞争对手的成熟芯片竞争日益激烈 促使三星和SK海力士加速向高端芯片转移 这两家公司控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产 将产能全面转向利润更高 技术更先进的DDR5 HBM等产品 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片 客户普遍采取了双倍/三倍下单策略 [4] 下游需求驱动 - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1] - 包括谷歌 亚马逊 Meta 微软和CoreWeave在内的科技巨头 今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 加上手机销量超预期 共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加 推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 过去一两个月需求激增 市场变化快得惊人 抢购行为正在加剧且将持续升级 [4] 受益公司 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于人工智能推动的内存行业上升周期 [1]