存储超级周期再获“明牌”:美光(MU.US)产能满载、资本开支加码 华尔街齐声看高至350美元

核心观点 - 美光科技最新财报及业绩指引远超市场预期,管理层明确揭示了高带宽内存(HBM)供不应求、传统DRAM/NAND需求强劲、以及资本开支扩张三大积极信号,夯实了存储行业超级周期的确定性,市场普遍看好其作为AI关键赋能者的增长前景 [1][2][4] 财务业绩与市场表现 - 2026财年第二财季业绩指引远超预期:预计营收为183亿至191亿美元,显著高于分析师平均预期的144亿美元;预计调整后每股盈利为8.22至8.62美元,远超此前预期的4.71美元 [2] - 2026财年第一财季业绩超预期:销售额达136亿美元,同比增长57%,高于分析师预期的130亿美元;调整后每股收益为4.78美元,优于预期的3.95美元 [4] - 股价表现强劲:财报发布后股价单日收涨超10%,创八个月最大单日涨幅;2025年以来股价已飙升近200%,远超英伟达(28%)和AMD(65%)的涨幅 [2][7] 产品需求与供应状况 - 高带宽内存(HBM)供不应求:HBM产品对开发AI模型至关重要,其产能已全部被客户预订至2026年,处于供不应求状态 [1][4] - 传统DRAM需求激增:面向AI服务器的DRAM芯片营收激增69%;DRAM芯片价格较上一季度几近翻倍 [7] - 行业需求前景乐观:公司预计2026日历年行业DRAM与NAND需求均将同比增长约20% [1][7] - 全行业供应紧张:管理层称内存短缺状况将持续至2026年以后,是其在行业25年来经历的最严重供需脱节;公司对几家关键客户的需求仅能满足约50%到三分之二 [2][4] 资本开支与产能扩张 - 资本开支大幅增加:公司预计本财年资本开支将投入200亿美元,高于此前预测的180亿美元,2025财年该项支出为138亿美元 [1][4] - 产能扩张计划明确:计划将DRAM与NAND的位元供应量提升20%;位于博伊西的新工厂将于2027年初提前投产;博伊西第二座工厂将于2026年动工、2028年投产;计划明年在纽约州破土兴建首座工厂,目标2030年开始出货 [5][7] 行业动态与竞争格局 - PC厂商预警芯片短缺:戴尔、惠普等PC厂商已警告投资者,预计来年内存芯片短缺将推高零部件价格,这增强了美光对客户的议价优势 [1][3] - AI需求持续强劲:美光的进展表明AI需求并未减速,与近期市场对AI支出放缓的担忧形成对比 [4][6] - 华尔街普遍看好:多家顶级投行上调目标价与盈利预测,摩根士丹利将目标价上调至350美元(隐含约38%上行空间),美银将目标价上调至300美元并上调评级,瑞穗将目标价上调至290美元 [6][7]