混合键合技术应用 - 三星电子和SK海力士计划将混合键合技术应用于下一代HBM产品，三星可能最早于2025年用于HBM4（第六代），SK海力士则可能用于第七代HBM4E [1] - 混合键合技术通过铜对铜直接键合替代传统凸块连接，可缩小芯片尺寸并将功率效率和性能提升一倍以上 [1] - 当前HBM生产依赖TC键合机，韩国设备商（如SEMES、韩美半导体、韩华光辉）占据全球80%以上市场份额，其中韩美半导体垄断HBM3E的TC键合机供应 [2] 供应链竞争格局 - 美国应用材料公司通过收购Besi公司9%股份进入混合键合市场，Besi是全球唯一量产混合键合设备的公司 [3] - 韩国HANMI Semiconductor和Hanwha Semitech加速开发无助焊剂键合系统作为替代方案，美光正评估该技术用于下一代HBM [3] - 当前TC键合机主要供应商包括SEMES（三星）、韩美半导体（SK海力士）、Shinkawa Electric（美光）和ASMPT [2] 技术迭代与市场影响 - HBM需求激增推动韩国本土设备商订单大幅增长，买家优先选择具备稳定量产能力的供应商 [2] - 混合键合技术若普及将成为未来HBM堆叠的主流方法，可能重塑半导体设备供应链格局 [2][3] - 传统TC键合工艺通过加热加压连接DRAM芯片，需使用凸块并固定间隔堆叠，而混合键合无需凸块且密度更高 [1][2]

SK海力士HBM技术发展方向 - 下一代HBM开发聚焦三大核心任务：带宽提升、功耗优化、容量扩展 [1] - HBM4的I/O数量较HBM3E翻倍至2048个，部分客户需求高达4000个I/O [1] - 需通过技术改进（如将假凸点替换为可用凸点）平衡I/O数量增加带来的挑战 [1] 技术合作与工艺创新 - 从HBM4开始，逻辑芯片生产将转向代工厂，与主要代工伙伴展开紧密设计合作 [1][2] - 封装技术提出混合键合方案，可减少芯片厚度并提升功率效率，但商业化仍面临量产和可靠性难题 [2] - 现有MR-MUF技术持续优化，以支持DRAM堆叠层数从12层向16-20层扩展 [2] 容量提升技术挑战 - 堆叠层数增加需将DRAM间距缩小50%（如12层→16层），受限于775微米的总高度规格 [2] - 混合键合技术可突破间距限制，但需解决芯片间直接连接的工艺复杂度 [2] 行业竞争关键因素 - 存储器公司降低制造成本将成为下一代HBM市场竞争的核心任务 [2] - 带宽、功耗、容量三要素的技术突破存在相互制约的复杂性 [2]

文章核心观点 - 青禾晶元推出全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备SAB8210CWW，标志公司技术创新重要突破，该设备优势显著，公司将持续深耕先进键合技术推动行业发展 [1][7] 后摩尔时代，混合键合成为主流 - 近年来芯片制造商受硅材料和半导体设备限制，难以缩小晶体管尺寸，先进封装成提高芯片性能有效手段，混合键合是先进封装关键技术 [3] - W2W混合键合已多领域应用，C2W混合键合快速兴起成异质异构集成主流技术，但实现过程面临键合精度、C2W键合效率等挑战，对设备提出更高要求 [3] SAB8210CWW设备：技术创新的集大成者 - 青禾晶元凭借深厚积累在SAB8210CWW设备上展现技术实力 [5] - 设备采用模块化设计，支持C2W和W2W双模式混合键合，适配研发与生产需求，提升使用率 [6] - 设备可兼容8寸和12寸晶圆，通过换部件快速切换，满足不同尺寸晶圆键合需求 [6] - 设备能处理最薄至35μm超薄芯片，全尺寸兼容性好，从0.5×0.5mm到50×50mm芯片均可处理，保证生产良率和可靠性 [6] - 设备提供片间同轴和红外穿透两种对准方式，对准精度优于±300nm（同轴）和±100nm（红外），应对不同芯片 [8] - 设备通过键合方式创新，减少颗粒污染风险，实现高良率键合 [8] - 设备C2W和W2W键合技术实现±30nm对准精度和±100nm键合精度，C2W单键合头UPH最高可达1000片/小时 [8] - 设备配备检测模块和内置算法，实现负反馈偏移补偿，确保键合精度稳定性和一致性 [8] 关于青禾晶元 - 青禾晶元是中国半导体键合集成技术高新技术企业，核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺代工 [9] - 公司技术应用于先进封装等前沿领域，通过“装备制造+工艺服务”构建全产业链解决方案 [9] - 公司已开发四大自主知识产权产品矩阵，致力于为全球半导体产业链提供键合装备与方案，助力战略新兴产业崛起 [9]