文章核心观点 - AI需求推动存储行业进入“超级周期”，主要厂商大幅提价且扩产谨慎，导致供需持续紧张，行业景气度预计至少持续至2026年底 [1][2][3][4] 行业周期与驱动因素 - 存储行业为强周期行业，通常约3-4年一轮，但AI需求将本轮周期拉长至少一年，行业一致判断行情至少持续到2026年底 [2][3] - 本轮周期始于2024年，AI服务器需求增加存储芯片出货，且需要DDR5、HBM等新一代内存释放算力性能 [3] - 价格上涨核心原因：上一轮下行周期价格跌至历史极低值后的触底反弹，以及AI带来的增量需求远超预期 [3] - AI需求下，HBM产能挤占导致DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品价格也快速上涨 [3] - AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计开启持续数年“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进 [4] 价格走势与市场预测 - 瑞银预计：2024年第四季度DDR合约定价季增35%，NAND价格上涨20% [1] - 瑞银预计：2026年第一季DDR合约价将进一步上涨30%，NAND价格上涨20% [1] - TrendForce预测：2026年DRAM需求将同比增长26%，供应增长20%，存在缺口；预计2026年整体DRAM平均单价同比上涨58% [9] - TrendForce指出：LPDDR5在2026年涨幅预计非常可观，因AI客户高价争夺产能 [9] - 价格上涨已传导至终端，电脑、手机等因存储涨价成本压力大增，联想、戴尔已开始提价，可能抑制消费端需求 [9] 主要厂商动态与业绩 - **美光**：2026财年第一财季（截至2025年11月27日）调整后营收136.4亿美元，同比增长57%；经调整净利润54.82亿美元，同比增长58% [5] - **美光**：第二财季营收展望为187亿美元（上下浮动4亿美元），大幅高于市场预期的143亿美元 [5] - **三星电子**：2025年第三季度营业利润12.16万亿韩元（约85.6亿美元），同比增长32.2% [5] - **SK海力士**：2025年第三季度销售额24.45万亿韩元，环比增10%，同比增39%；营业利润11.38万亿韩元，环比增24%，同比增62% [5] - 三大存储巨头（三星、海力士、美光）在DRAM细分领域合计份额超过九成 [7] 厂商扩产策略与产能状况 - 主要厂商对扩产态度谨慎，旨在平衡需求与价格，降低供过于求风险 [8] - **三星**：表示不会快速扩建生产设施，而是优化资本支出策略 [8] - **SK海力士**：计划将约一半通用DRAM产能转向最新的10纳米级第六代1c DRAM生产；2026年约30%营收投入资本支出以加快产能转换，但短期内仍难解决供应短缺 [8] - **SK海力士**：内部分析文件显示，新DRAM工厂从建设到正常运营需数年，预计新增产能2028年才能释放 [8] - **美光**：决定退出消费级业务，将全部资源集中于数据中心业务板块以提升获利 [9] - 行业人士认为，扩产谨慎原因包括对下行周期心有余悸，以及担心AI需求被证伪后导致产能过剩 [9] 二级市场表现与目标价调整 - 瑞银将SK海力士目标价从71万韩元上调至85.3万韩元；将三星电子目标价从12.8万韩元上修至15.4万韩元 [6] - 花旗集团分析师将美光目标价从275美元上调至300美元 [6] - 2024年下半年以来，A股存储公司股价大幅上涨：香农芯创涨294.51%，东芯股份涨291.19%，江波龙涨195.51%，佰维存储涨67.17% [1] 产业链公司业绩与动态 - 2024年前三季度，中国存储芯片产业上市公司营收增长16.08%，净利润增长26.44% [6] - **江波龙**：第三季度归母净利润6.98亿元，同比大幅增长1994.42%，环比大幅上涨318.94% [6] - **香农芯创**：前三季度营业收入264亿元，同比增长59.90% [6] - **长鑫存储**：2024年10月，国产DRAM大厂长鑫存储已完成上市辅导，距离正式递表仅一步之遥 [6] 细分市场与供需结构 - AI需求打乱了存储产品换代节奏：HBM新增需求导致厂商资源倾斜，DDR5产能部分保留，DDR4产能被砍 [4] - 中国市场对DDR4仍有很大需求，预计持续两三年，DDR4紧缺导致需求转向DDR5，加剧DDR5紧张和产业链供需失衡 [4]

人事调整战略导向 - 公司大举提拔技术人才以牵头核心半导体制程良率稳定及量产竞争力提升工作[1] - 人事调整标志着战略重心从追求行业首创转向夯实良率与量产稳定性[4] - 此次以一线技术领导力为核心的人事布局彰显公司推动半导体两大支柱业务代工与存储稳健复苏的决心[4] 晶圆代工业务现状与挑战 - 晶圆代工业务因2纳米、3纳米制程良率达标滞后导致竞争力遭市场质疑[1] - 移动应用处理器Exynos 2500因3纳米良率未达预期错失Galaxy旗舰机型搭载机会部分大客户已将产能转移至台积电[1] - 随着制程稳定性提升与新客户拓展同步推进代工业务近期已进入复苏阶段4纳米制程良率改善速度加快2纳米初期良率取得进展[1] - 特斯拉等科技巨头及AI无厂芯片设计公司的新订单持续落地显现业务反弹信号[1] 存储业务现状与挑战 - 存储部门去年第四季度全球DRAM市场份额被HBM领域领跑者SK海力士超越痛失第一宝座[1] - 公司在HBM3E量产基础上加速推进下一代HBM4研发通过万片级晶圆样品生产攻坚良率[1] 关键技术人才晋升 - 金英大副总裁作为良率评估分析专家主导的晶圆特性分析与缺陷验证体系优化为2纳米、3纳米尖端制程良率及性能保障提供关键支撑[2] - 郑龙德副总裁整合DRAM、闪存、逻辑芯片全产品线的计量与缺陷检测能力显著提升量产稳定性[2] - 洪熙一副总裁优化HBM3E、HBM4、DDR5、LPDDR5x等主力DRAM产品的运行机制与缺陷筛选流程大幅提升产品成熟度[3] - 柳浩仁执行董事与李秉炫副总裁在D1c DRAM与HBM4研发期间主导良率与可制造性保障及长期缺陷管控工作[3] - 卢庆允副总裁推动新工艺导入以提升单元可靠性与可制造性为下一代V-NAND竞争力强化奠定基础[3] - 李在德研究员主导高性能V-NAND新材料研发[3] - 姜明吉大师研究员牵头GAA、FinFET等新型逻辑器件研究[3] - 金在春大师研究员优化AI与高性能计算封装的热特性[6] - 全河英大师研究员通过新型超精密蚀刻干法清洗工艺助力3纳米、2纳米、1.4纳米先进制程微缩技术突破[6]

存储器价格预期 - LPDDR5合约价涨幅上修至6-8% LPDDR4暴涨40-50% NAND Flash合约价涨幅预期升至15% 2026年第一季度传统淡季依然看涨 [4] - NAND和DDR均处于上行周期中 [5] - NAND价格在特定季度出现显著波动 例如某季度环比增长19% 另一季度增长13% 还有季度增长6% [6] 供给侧变化 - 海外原厂战略转向明确 持续退出部分产能 DDR4/LPDDR4产能因资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品而缩减 [8] - DDR5/HBM产能利用率持续打满 新增产能在2025年底前有限 NAND产能利用率低于80% 无大规模扩产计划 供给弹性严重不足 [8] 需求端驱动因素 - 存储器下游需求中手机 PC 服务器占比超80% 服务器占比约30% [9] - AI应用从训练侧向推理侧/边缘侧扩散 驱动移动设备LPDDR5x 通用服务器DDR5 HBM及企业级SSD需求爆发式增长 [9] - 北美云厂商加大AI数据中心投入 存储池扩容与升级HDD→SSD 为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量 [10] 与2016-2018行情对比 - 相同点包括产品价格短期内飙升 原厂减产 暂停报价等操控手段 涨价节奏由三星 海力士 美光等巨头主导 [11] - 不同点在于需求驱动内核 本轮是AI应用从训练向推理与边缘侧延伸催生的结构性爆发性需求 不仅量增更追求存储性能带宽速度 直接拉动HBM 高性能DDR5 PCIe5.0/6.0 SSD等高端品类 AI服务器单机存储搭载量是传统服务器的3-5倍 [13] - 供给调整逻辑不同 本轮巨头战略性地将产能永久性转向技术壁垒和利润更高的HBM DDR5等产品 主动收缩并逐步淘汰DDR4/LPDDR4等旧制程产能 导致传统领域出现永久性供给缺口 [14] - 行情持续性根基不同 本轮由AI技术革命驱动 是十年维度的产业趋势 数据中心为应对HDD短缺交期拉长至52周以上而加速向SSD迁移 进一步巩固需求韧性 [15] Bernstein观点 - NAND短期涨价驱动因素是AI推理需求提升叠加HDD短缺2022年起HDD供应商资本支出保守交货周期长达1年 CSP转向企业级SSD替代带动NAND需求激增 供应商惜售买家提前囤货价格上涨从eSSD蔓延至消费级市场供应商报价涨幅10%-30%实际成交2025Q3-Q4环比涨中至高个位数 [18] - 2025年ASP预计小幅下降10% 2026年增长13% 但2026年四季度起价格将因新供应入市回落 需求若持续终将扩产设备订购到产能释放需6-9个月预计2025年底-2026年初启动资本支出2026年下半年新供应落地 [18] - 持续看好HBM和DRAM市场 2026年HBM位出货量同比增长53% 成本下降超预期高增长可消化竞争压力供应商均能实现增长 [19] - NVIDIA将HBM4速度要求从8Gbps提升至10-11Gbps 三星4nm基片+1cnm DRAM片 SK海力士12nm基片可满足需求美光因采用内部平面DRAM工艺基片难以达标 [19] - 三星施压SK海力士将HBM3E价格降20%但HBM4溢价支撑混合ASP持平 三星2026年HBM份额预计提升SK海力士美光仍能受益于市场扩张 [19]

**行业与公司** * 行业聚焦于内存（Memory）领域 包括NAND闪存和DRAM 特别是高密度QLC eSSD和服务器DRAM[1][2] * 涉及公司包括SK海力士（SK hynix）及其子公司Solidigm 铠侠（KIOXIA） 三星电子（Samsung） 群联（Phison）和江波龙（Longsys）[4] **核心观点与论据** * 内存需求激增 美国超大规模云客户对2026年高密度NAND订单激增 规模可能超过今年整个eSSD市场 并因投资不足导致的晶圆产能有限而影响NAND市场其他领域[2] * DRAM价格趋势转向 受云服务器紧急订单驱动 预计2025年第四季度混合平均销售价格（Blended ASP）将上涨10% 而非此前预期的持平[2] * 五大关键变化推动行业叙事转变 包括高密度QLC eSSD需求突出 2026年潜在新订单相当于今年全部eSSD需求 多个AI驱动的新终端市场需求出现拐点 例如约200万颗GDDR7将于2025年下半年运往中国 2026年可能更高 SOCAMM需求因Rubin GPU发布推动LPDDR5x需求 DDR5服务器需求自本季度初显著回升并将推动4Q25涨价 供应分配将影响DRAM市场其他部分的客户行为 库存水平目前低于正常水平[3] * 下一个增长点包括SOCAMM GDDR7和HBM逻辑基础芯片计算等多个由AI驱动的新内存需求领域 NAND在减产后的资本配置可能支撑其投资回报率（ROIC）在整个周期内显著改善 HBM降价是已知风险 进一步降价和利润侵蚀的风险不太可能再拖累HBM股票 围绕HBM4的讨论仍集中在资格认证和规格变化上 但叙事已转向强劲的大宗商品周期[3] * 受益者分析 SK海力士通过Solidigm成为NAND复苏的关键受益者 因其在高密度QLC eSSD领域的高敞口和完全折旧晶圆厂的低生产成本 铠侠正准备增加其BiCS-8 QLC产品的产量 三星作为全球最大的NAND厂商（2Q25e按收入计市占率33%） 其QLC产品组合占比较低 但仍将受益于供应紧张溢出至消费级NAND 其他受益者包括群联和江波龙[4] * 市场格局与预测 美光（Micron）在过去3年eSSD收入份额增长最大 并在2025年第一季度达到创纪录份额[8] 预计2026年QLC产量供应商分布为SK海力士+Solidigm占36% 铠侠+闪迪（SanDisk）占29% 美光占17% 三星占9% 其他占9%[8] * NAND价格预测更新 企业SSD价格在3Q25E和4Q25E分别从旧预测的上涨3-8%和下跌0-5% 调整为上涨3-8%和上涨0-5% 3D NAND晶圆（TLC & QLC）价格在3Q25E从旧预测的上涨3-8%调整为上涨8-13% 在4Q25E从旧预测的下跌8-13%调整为下跌3-8%[9] * DRAM价格预测更新 服务器DRAM中DDR4价格在4Q25E从旧预测的基本持平调整为上涨15-20% 移动DRAM中LPDDR4X价格在4Q25E从旧预测的上涨3-8%调整为上涨15-20% LPDDR5(x)价格在4Q25E从旧预测的基本持平调整为上涨8-13% 消费级DRAM中DDR3价格在3Q25E从旧预测的上涨15-20%调整为上涨50-60% 图形DRAM中GDDR7价格在3Q25E从旧预测的上涨5-10%调整为5-10% 在4Q25E从旧预测的基本持平调整为上涨3-8% 整体HBM混合价格在4Q25E从旧预测的上涨5-10%调整为上涨8-13%[10] **其他重要内容** * 行业观点为“In-Line”（同步大市）[5] * 报告包含大量免责声明 利益冲突披露和评级定义说明 摩根士丹利在截至2025年8月29日持有其所覆盖多家公司（包括SK海力士 群联等）1%或以上的普通股 并在过去12个月内为铠侠 SK海力士等提供过投资银行服务并收取报酬 未来3个月可能寻求或获得来自三星电子 SK海力士 群联等公司的投资银行服务报酬[30][31][32]

DDR4价格上涨原因 - 存储大厂向终端客户公布新一轮合约价，DDR4、LPDDR4x均有所涨价，DDR4涨幅尤其明显 [1] - 三星、SK海力士和美光三家存储大厂陆续宣布战略性部分退出DDR4业务，转向更高利润的DDR5、LPDDR5x和HBM等高端产品 [1] - 供给端减产预期带动现货市场价格上扬，DDR4 16G 3200现货价格自3月开始小幅上涨，此后涨幅持续扩大 [1] - DDR4 16Gb（1Gx16）200现货平均价已达16美元，DDR5（2Gx8）4800/5600现货价格仅为6.095美元，DDR4价格已达DDR5的2.6倍，创下DRAM历史上最大的代际倒挂记录 [1] - 8GB DDR4 3200MHz模组价格从年初的1.63美元跃升至5.1美元，涨幅超200%，16GB DDR4 3200MHz突破12.8美元，较年初涨260% [2] 行业动态与趋势 - DDR4世代的生命周期已超过10年，需求逐步由DDR5取代，各主要供应商已规划终止生产DDR4，最后出货时间大约落在2026年初 [3] - 海外大厂更加坚定地向HBM、DDR5等主流产品迁移，进一步淡出利基型市场，下游客户库存水位较低，因此在供给收缩的背景下价格上扬 [3] - 下游备货推升现货价格，工厂在备货的考量下陆续出手采购，促使报价再度上扬 [3] - 这轮内存停产主要集中在消费级产品，美光仍将维持对车用、工业及网络通信领域的DDR4/LPDDR4内存供应 [4] - 展望第三季DDR4合约价格趋势，供应商生产策略及关税政策为主要的不确定性，不排除主要供应商在产出逐渐收敛下，预期性备货需求将再推升价格涨幅高于预期 [4] - TrendForce集邦咨询预计DDR4的价格或将在第四季度触顶回落，随着价格进入高档区间，供应商正逐步释放库存，预期第四季整体供应将逐步改善 [4] 国内存储厂商动态 - 国际三大原厂持续将产能向DDR5、LPDDR5x及HBM等高性能存储领域倾斜，形成利基型市场的供给空缺 [6] - 东芯股份对于利基型DRAM在产能端逐步拓展，客户端逐步发力，希望在本轮海外退出的节点获取更多的市场份额 [6] - 北京君正正在用更加先进的工艺制程，完善DDR4和LPDDR4产品线，目前销售占比最大的是DDR3 [6] - 本土厂商在利基DRAM产品和应用领域快速拓展，随着产品技术的提升、产能配套的完善和自主可控趋势的演进，本土厂商未来有望持续提升市场份额 [6] - 存储已经过了周期的低点，向好的方向发展，下半年网络通讯和消费电子的需求情况还可以 [7]

纪要涉及的公司和行业 - 公司：高通、华邦 - 行业：电子行业 纪要提到的核心观点和论据 - **高通合作验证节奏**：今年一季度正式立项并完成国内供应商验证，预计6月底回片后进行合封、测试、良率和功能评估，明年2 - 3月送样手机厂商，9 - 10月推出手机市场[1] - **应用层面升级**：高通骁龙8 Elite旗舰机标配LPDDR5x带宽85GB/s，升级3DDRAM后可超1T，目前配合验证产品带宽256GB/s，速率提升三倍，成本合计上升约60美元，适用于计算摄影AI等高端机型[1] - **WoW方案优势**：相比华邦CUBE，WoW采用hybrid bonding，无 微凸点，堆叠高度更薄，在内存带宽和功耗方面有优势，4层以上堆叠时良率优于CUBE[1]