存储器价格预期 - LPDDR5合约价涨幅上修至6-8% LPDDR4暴涨40-50% NAND Flash合约价涨幅预期升至15% 2026年第一季度传统淡季依然看涨 [4] - NAND和DDR均处于上行周期中 [5] - NAND价格在特定季度出现显著波动 例如某季度环比增长19% 另一季度增长13% 还有季度增长6% [6] 供给侧变化 - 海外原厂战略转向明确 持续退出部分产能 DDR4/LPDDR4产能因资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品而缩减 [8] - DDR5/HBM产能利用率持续打满 新增产能在2025年底前有限 NAND产能利用率低于80% 无大规模扩产计划 供给弹性严重不足 [8] 需求端驱动因素 - 存储器下游需求中手机 PC 服务器占比超80% 服务器占比约30% [9] - AI应用从训练侧向推理侧/边缘侧扩散 驱动移动设备LPDDR5x 通用服务器DDR5 HBM及企业级SSD需求爆发式增长 [9] - 北美云厂商加大AI数据中心投入 存储池扩容与升级HDD→SSD 为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量 [10] 与2016-2018行情对比 - 相同点包括产品价格短期内飙升 原厂减产 暂停报价等操控手段 涨价节奏由三星 海力士 美光等巨头主导 [11] - 不同点在于需求驱动内核 本轮是AI应用从训练向推理与边缘侧延伸催生的结构性爆发性需求 不仅量增更追求存储性能带宽速度 直接拉动HBM 高性能DDR5 PCIe5.0/6.0 SSD等高端品类 AI服务器单机存储搭载量是传统服务器的3-5倍 [13] - 供给调整逻辑不同 本轮巨头战略性地将产能永久性转向技术壁垒和利润更高的HBM DDR5等产品 主动收缩并逐步淘汰DDR4/LPDDR4等旧制程产能 导致传统领域出现永久性供给缺口 [14] - 行情持续性根基不同 本轮由AI技术革命驱动 是十年维度的产业趋势 数据中心为应对HDD短缺交期拉长至52周以上而加速向SSD迁移 进一步巩固需求韧性 [15] Bernstein观点 - NAND短期涨价驱动因素是AI推理需求提升叠加HDD短缺2022年起HDD供应商资本支出保守交货周期长达1年 CSP转向企业级SSD替代带动NAND需求激增 供应商惜售买家提前囤货价格上涨从eSSD蔓延至消费级市场供应商报价涨幅10%-30%实际成交2025Q3-Q4环比涨中至高个位数 [18] - 2025年ASP预计小幅下降10% 2026年增长13% 但2026年四季度起价格将因新供应入市回落 需求若持续终将扩产设备订购到产能释放需6-9个月预计2025年底-2026年初启动资本支出2026年下半年新供应落地 [18] - 持续看好HBM和DRAM市场 2026年HBM位出货量同比增长53% 成本下降超预期高增长可消化竞争压力供应商均能实现增长 [19] - NVIDIA将HBM4速度要求从8Gbps提升至10-11Gbps 三星4nm基片+1cnm DRAM片 SK海力士12nm基片可满足需求美光因采用内部平面DRAM工艺基片难以达标 [19] - 三星施压SK海力士将HBM3E价格降20%但HBM4溢价支撑混合ASP持平 三星2026年HBM份额预计提升SK海力士美光仍能受益于市场扩张 [19]