拓荆科技,拟定增募资不超46亿元
融资计划 - 拟向不超过35名特定对象发行A股股票 募集资金总额不超过46亿元[1][2] - 发行股票数量不超过发行前公司总股本30% 即不超过8391.87万股[2] - 募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设 前沿技术研发中心建设及补充流动资金[1][2] 资金投向 - 高端半导体设备产业化基地建设项目拟投入17.68亿元 其中使用此次募集资金15亿元进行追加投资[2] - 项目建设期为5年 将在沈阳浑南区新建产业化基地 包括生产洁净间 立体库房 测试实验室等设施[2] - 前沿技术研发中心建设项目拟投入20亿元 开展多款先进薄膜沉积设备研发[3] 项目意义 - 项目实施将大幅提升高端半导体设备产能 支撑PECVD SACVD HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力[3] - 通过智能化配套设施建设提升生产效率 满足下游市场及客户需求[3] - 开展PECVD ALD 沟槽填充CVD等工艺设备研发 突破前沿核心技术[3] 财务表现 - 2025年上半年实现营业收入19.54亿元 同比增长54.25%[4] - 2025年上半年归属于上市公司股东净利润9428.80万元 同比下跌26.96%[4] - 净利润下降主要因第一季度新产品验证过程成本较高 毛利率较低[4] - 第二季度毛利率环比大幅改善 呈现稳步回升态势[4] 公司治理 - 董事杨卓辞去公司第二届董事会董事及战略规划委员会委员职务[4] - 董事杨柳辞去公司第二届董事会董事及提名委员会委员职务[4] - 国家集成电路产业投资基金提名袁训和张昊玳为非独立董事候选人[4]