行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期，DRAM和NAND正步入超级周期 [1][2][4] 价格趋势与周期分析 - 2024年11月，消费级DRAM和NAND TLC现货价格同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35%，2026年第一季度预计环比上涨10% [1] - NAND第四季度平均售价预计环比上涨15%，下一季度预计环比上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55% [2] - 当前NAND上升周期已进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差：DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47%，512Gb TLC为9%，预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍 [3] - 以64G eMMC闪存为例，价格从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求端 - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮推动内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 科技巨头（谷歌、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave）预计2024年在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 [3] - 手机销量超预期加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略 [4] 供应端与竞争格局 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 三星和SK海力士控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 为应对来自中国竞争对手的成熟芯片竞争，三星和SK海力士加速向高端芯片转移 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] 受益公司与投资机会 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于本轮上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1]

文章核心观点 - 人工智能的蓬勃发展和数据中心建设热潮正推动内存行业进入一个可能持续至2026年的“历史性上升周期”或“超级周期”，DRAM和NAND价格正经历显著且持续的上涨 [1][2][3] 行业周期与价格趋势 - DRAM和NAND现货价格在11月同比分别大幅上涨408%和165% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55%；NAND上升周期进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 预计DRAM第四季度平均售价环比上涨35%，2026年第一季度环比上涨10%；NAND第四季度价格预计环比上涨15%，下一季度环比上涨7% [1] - 巨大的现货/合约价差预示着价格将进一步上涨，例如DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47% [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨至11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍；64G eMMC闪存从年初的3.2美元/颗涨至近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求分析 - 生成式AI热潮（如ChatGPT发布）和全球AI数据中心建设热潮是核心驱动因素 [2] - 科技巨头（如谷歌、亚马逊、Meta、微软、CoreWeave）预计今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑的更新换代周期，加上手机销量超预期，共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，也推动了NAND闪存价格大幅上涨 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略，加剧了市场抢购行为 [4] 供应与产能动态 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存（HBM）芯片 [2] - 主要厂商（如三星、SK海力士）加速向高端芯片转移，计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] - 来自中国竞争对手在成熟芯片领域的竞争日益激烈，也促使主要厂商进行战略调整 [3] 受益公司与市场展望 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于此轮内存行业上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司预计表现会更好 [1] - 本轮DRAM和NAND的上升周期预计比历史平均周期（DRAM平均8个月，NAND平均6个月）更具持续性，可能贯穿至2026年 [1][2] - 全球内存芯片行业正加剧迈入“超级周期” [4]

行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期 行业正加剧迈入分析师所称的超级周期 [1][4] - DRAM和NAND正步入历史性上升周期 预计本轮上升周期对DRAM和NAND都将更具持续性 [1][2] 价格趋势与预测 - 消费级DRAM和NAND TLC现货价格在11月同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35% 2026年第一季度预计环比上涨10% NAND第四季度价格预计上涨15% 下一季度预计上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月 平均售价较谷底上涨55% NAND上升周期进入第4个月 平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差 DDR4为45% DDR5为89% 256Gb TLC为47% 512Gb TLC为9% 这预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例 现货市场从今年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上 上涨3至4倍 以64G eMMC闪存为例 从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上 涨幅接近1.5倍 [3] 市场供需与竞争格局 - 供应持续紧张是价格上涨的主要原因 [1] - 自1999年以来 DRAM的平均上升周期持续8个月 平均售价从低谷到高峰上涨53% 而NAND的平均上升周期通常持续6个月 平均售价上涨40% [2] - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮 促使内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 来自中国竞争对手的成熟芯片竞争日益激烈 促使三星和SK海力士加速向高端芯片转移 这两家公司控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产 将产能全面转向利润更高 技术更先进的DDR5 HBM等产品 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片 客户普遍采取了双倍/三倍下单策略 [4] 下游需求驱动 - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1] - 包括谷歌 亚马逊 Meta 微软和CoreWeave在内的科技巨头 今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 加上手机销量超预期 共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加 推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 过去一两个月需求激增 市场变化快得惊人 抢购行为正在加剧且将持续升级 [4] 受益公司 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于人工智能推动的内存行业上升周期 [1]

（来源：普华有策） DDR5压境，中国存储如何打赢DDR4"农村包围城市"？ 1、DDR4内存颗粒行业概述 DDR4内存颗粒是符合JEDEC（固态技术协会）DDR4标准的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，是第四代双倍数据速率同步DRAM的核心物理组件。 它作为计算机、服务器及各类电子设备中暂存数据与程序指令的关键硬件，其性能（如频率、容量、功耗）直接决定了系统运行效率。在产业链中，内存 颗粒处于中游制造环节，经封装测试后成为内存模组，最终应用于PC、服务器、工业控制、汽车电子等领域，是计算机系统中临时存储数据的关键组 件。 2、DDR4内存颗粒行业产业链分析及影响 行业产业链分析 资料来源：普华有策 （1）上游环节的影响 DDR4内存颗粒的上游主要包括硅片、光刻胶、特种气体、靶材等半导体材料和光刻机、刻蚀机等设备。该环节技术壁垒极高，目前由日本、美国、荷兰 等国的信越化学、应用材料、ASML少数企业主导，呈现寡头垄断格局。上游的材料供应稳定性、价格波动以及先进设备的可获得性，直接制约着中游制 造商的产能扩张、技术升级和成本控制。因此，上游的自主可控是保障中国DDR4产业安全与竞争力的根本前提，也是当前政策扶 ...

内存价格暴涨与市场动态 - 2025年DDR4内存价格暴涨超两倍，16GB内存条价格突破500元[1] - DRAM现货价格在9月份较去年同期上涨近两倍，而4月份同比仅上涨4%[3] - 存储芯片行业正加剧迈入“超级周期”，设备制造商正疯狂囤积芯片[1] 供应紧张与需求激增 - 过去一两个月需求激增，客户普遍采取双倍或三倍下单策略，抢购行为持续升级[1] - DRAM芯片的平均库存周期已降至八周，远低于去年同期的十周及2023年初的31周[6] - 传统数据中心更新换代周期、手机销量超预期共同加剧非HBM内存芯片供应紧张[2] 产能转移与战略调整 - 内存芯片制造商将更多产能转向高带宽内存芯片生产，以应对AI和高性能计算需求激增[1] - 三星和SK海力士等厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒生产，将产能全面转向DDR5和HBM等高端产品[2] - 中国公司在低端DRAM芯片上日益激烈的竞争，促使主要厂商加速向高端芯片转型[2] 行业盈利与公司表现 - 三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，HBM业务利润率达60%[9] - 若当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力可能超越HBM[9] - 内存芯片制造商股价大幅上涨：三星股价年内涨幅超80%，SK海力士和美光股价分别飙升170%和140%[9] 成本压力与市场影响 - 存储芯片价格飙升给消费电子和服务器制造商带来额外成本压力，部分企业将成本转嫁给消费者[9] - 例如，英国个人电脑制造商Raspberry Pi因内存成本较一年前上涨约120%而宣布涨价[9] - 威刚董事长表示，当前DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘四大存储类别全面缺货涨价的局面前所未见[8] 市场展望与投资驱动 - 摩根士丹利预计科技巨头今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元[2] - 威刚董事长认为第四季度是存储严重缺货的开始，并预言明年产业荣景可期[8] - 部分投资者警惕人工智能泡沫迹象，有观点认为当前是持续一两年的经典短缺周期，预测芯片行业将在2027年进入衰退期[10]

市场表现 - 10月16日上午A股主要指数表现分化，创业板指领涨0.69%至3046.68点，上证指数微涨0.1%报3916.1点，深证成指涨0.15%，A股半日成交额达1.22万亿元 [1] - 创业板指当日振幅较大，最高触及3068.84点（较前收盘涨1.42%），最低下探至3001.10点（较前收盘跌0.82%），成交金额为3038.93亿元 [2] - 央行当日开展2360亿元7天期逆回购操作，因有6120亿元逆回购到期，单日实现净回笼资金3760亿元 [2] 行业板块动态 - 存储芯片概念板块表现强势，均涨幅达1.67%，德明利涨停，佰维存储、江波龙盘中涨幅超10%，普冉股份、开普云、聚辰股份涨幅居前 [3][4] - CPO概念板块企稳反弹，中际旭创涨幅超过5%，华工科技、剑桥科技跟涨 [3] - 光热发电板块跌幅居前，均下跌1.92%，DRG-DIP、工业软件、远程办公等板块跌幅均超过1.5% [4] 存储芯片行业趋势 - 存储芯片行业正经历第二轮涨价潮，闪迪于9月宣布对所有渠道和消费者产品提价10%以上，并计划定期评估价格 [4] - 根据CFM闪存市场数据，DRAM价格指数在半年内上涨约72%，NAND涨价情绪高涨，预计四季度企业级存储价格将继续上涨 [4] - 行业涨价潮始于今年4月，三星率先宣布将逐步停止生产DDR4内存颗粒，转向专注于DDR5、LPDDR5和HBM等高端产品，随后SK海力士也计划将DDR4产能压缩至20%左右 [4] 相关公司动态 - 香农芯创于2024年5月获得AMD经销商资格，通过扩大上游供应渠道以满足客户多元化需求，旨在提升客户粘性和竞争力 [7] - 开普云作为国内AI数智化领先者，通过收购金泰克切入存储业务，结合AI+能源业务协同，未来业绩增速有望超预期 [8] - 佰维存储布局存储解决方案研发、主控芯片设计、存储器封测/晶圆级先进封测等产业链关键环节，通过垂直整合构建差异化竞争优势 [9] - 江波龙作为国内存储模组行业龙头，正积极推进TCM及PTM模式以进一步提升竞争优势 [10] 政策与宏观消息 - 工信部副部长在2025世界智能网联汽车大会上表示，将把智能网联汽车作为发展新质生产力的重要力量，推动人工智能与汽车产业深度融合，支持汽车行业大模型应用开发，并加强大算力芯片、操作系统等技术攻关 [3] - 第三季度中国大陆智能手机市场出货量同比下降3%，市场处于调整阶段，vivo以1180万台出货量和18%市场份额重回第一，华为以1050万台出货量和16%市场份额紧随其后 [3]