文章核心观点 - 人工智能的蓬勃发展和数据中心建设热潮正推动内存行业进入一个可能持续至2026年的“历史性上升周期”或“超级周期”，DRAM和NAND价格正经历显著且持续的上涨 [1][2][3] 行业周期与价格趋势 - DRAM和NAND现货价格在11月同比分别大幅上涨408%和165% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55%；NAND上升周期进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 预计DRAM第四季度平均售价环比上涨35%，2026年第一季度环比上涨10%；NAND第四季度价格预计环比上涨15%，下一季度环比上涨7% [1] - 巨大的现货/合约价差预示着价格将进一步上涨，例如DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47% [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨至11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍；64G eMMC闪存从年初的3.2美元/颗涨至近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求分析 - 生成式AI热潮（如ChatGPT发布）和全球AI数据中心建设热潮是核心驱动因素 [2] - 科技巨头（如谷歌、亚马逊、Meta、微软、CoreWeave）预计今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑的更新换代周期，加上手机销量超预期，共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，也推动了NAND闪存价格大幅上涨 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略，加剧了市场抢购行为 [4] 供应与产能动态 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存（HBM）芯片 [2] - 主要厂商（如三星、SK海力士）加速向高端芯片转移，计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] - 来自中国竞争对手在成熟芯片领域的竞争日益激烈，也促使主要厂商进行战略调整 [3] 受益公司与市场展望 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于此轮内存行业上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司预计表现会更好 [1] - 本轮DRAM和NAND的上升周期预计比历史平均周期（DRAM平均8个月，NAND平均6个月）更具持续性，可能贯穿至2026年 [1][2] - 全球内存芯片行业正加剧迈入“超级周期” [4]