如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自半导体芯闻综合 。 台积电近日重申，公司尚未与任何公司就潜在投资或合作进行讨论，尽管有传言称陷入困境的英特 尔公司正在寻求台积电的参与。 全球最大的芯片代工制造商台积电在一份声明中驳斥了《华尔街日报》的一篇报道称，英特尔已与 台积电接洽，寻求对英特尔制造业务的投资或建立合作伙伴关系。 该公司表示，从未与任何公司就建立合资企业或从事技术许可或转让进行谈判。 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 分析师表示，《华尔街日报》的报道曝光后，台积电的美国存托凭证（ADR）隔夜在美国下跌了 1.44%，原因是人们担心如果这家台湾芯片制造商与英特尔合作，可能会失去客户的信任，并导致 订单减少。 分析人士表示，台积电对英特尔的投资可能有助于这家美国公司改进其技术，这将为台积电带来更 强大的竞争对手，而这种合作可能会导致台湾方面的技术泄露。 英特尔在半导体制造技术上一直无法跟上台积电的步伐，目前已获得美国政府、日本软银集团和总 部位于 ...

光刻技术演进与Beyond-EUV (BEUV) 发展 - 当前最先进芯片制造依赖EUV光刻技术 工作波长13.5nm 可实现13nm（Low NA EUV）、8nm（High NA EUV）及4-5nm（Hyper NA EUV）特征尺寸 但系统复杂且成本达数亿美元[2] - 行业探索"Beyond-EUV"技术 使用波长6.5-6.7nm的软X射线激光 理论分辨率可达5nm及以下 但仍需数年开发实验性工具[2] 光刻技术原理与波长选择依据 - 光刻分辨率提升依赖增加数值孔径(NA)或缩短波长 光源波长从紫外光(436nm g线)逐步演进至深紫外光(248nm KrF/193nm ArF)再到极紫外光(13.5nm EUV)[3] - EUV选择13.5nm波长因Mo/Si多层镜反射率达70% 而6.7nm波长反射率仅61% 且光路需11次反射导致透射效率降至13.5nm波长的四分之一[5] - 较短波长对光源稳定性要求更高 6.7nm反射曲线更尖锐 需精确匹配波长与镜子周期[6] BEUV技术挑战与当前局限 - 6.5-6.7nm光子能量达185-190eV 与传统光刻胶材料相互作用差 且尚未开发出高效多层反射镜[6] - 缺乏完整生态系统支持 需从零设计光刻工具 包括光源、投影镜、光刻胶及耗材[8] 新型光源技术突破 - 劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)开发BAT激光器 目标将EUV光源效率提升至CO2激光器的10倍[11] - 初创公司Inversion采用LWFA技术 将电子加速至数GeV能量 产生可调波长光源(目标6.7nm) 使加速器尺寸从公里级缩小至桌面级[13] - xLight利用自由电子激光器(FEL) 产生功率较当前LPP光源高4倍的EUV光 单系统可支持20台ASML设备 降低每片晶圆成本50%并减少3倍以上资本支出[16] 光刻胶材料创新 - 约翰霍普金斯大学开发化学液相沉积(CLD)技术 生成aZIF薄膜(生长速度每秒1纳米) 锌金属在6.7nm波长下可吸收光子并发射电子 引发咪唑化合物反应实现精细蚀刻[18] - 至少10种金属与数百种有机物可组合适配不同波长 锌在13.5nm EUV表现不佳但在BEUV波长效率显著[19] 企业合作与联盟进展 - xLight加入Blue-X联盟(70个成员组织) 共同推进6.7nm EUV光刻技术研发[16] - Lace Lithography AS开发原子发射光刻技术 声称可提供领先当前15年的分辨率且成本更低[14]

技术差距 - 中国在先进芯片制造领域与西方发达国家存在大约20年的技术差距 [1] - 中国在光刻设备制造方面与美国相比存在明显差距 [1] 光刻设备制约 - 最先进光刻设备由欧洲企业研发制造 其技术依赖美国核心零部件 [1] - 中国企业难以获得高端光刻设备 直接导致先进工艺研发和量产面临困难 [1] - 国内芯片制造企业采用相对落后技术手段制造7纳米工艺芯片 影响生产效率和显著提高制造成本 [1] 供应链与核心技术 - 高端光刻设备制造涉及全球供应链体系 关键零部件多分布于美欧地区 [1] - 光刻工艺是将芯片设计图形转移到硅片上的核心技术 高端设备能实现更精细线路刻画提升芯片性能 [1] - 光刻设备在芯片制造流程中具有不可替代的关键作用 决定整个产业向高端化发展的能力 [1]

私募证券投资市场动态 - 7月新备案私募证券投资基金数量达1298只 环比增长18% 创近27个月新高 [1][2] - 新备案股票策略产品887只 环比增长24.58% 占比68.34% 多资产策略162只位列第二 [1] - 今年以来新备案私募基金6759只 同比增长61.39% 量化策略表现突出 百亿量化机构包揽备案量前十 [1][2] 铜矿供应事件影响 - 智利国家铜业公司因隧道坍塌事故暂停El Teniente矿区开采 导致每月铜产量减少3万吨 相当于总产量25% [2] - 伦敦金属交易所铜价微涨0.4% 收于每吨9676美元 市场反应相对温和 [2] 科技行业合作与投资 - 苹果与三星合作开发创新芯片制造技术 将在得州奥斯汀工厂为iPhone等设备供货 [3] - 谷歌承诺三年投入10亿美元支持美国AI教育 超100所公立大学注册免费AI培训项目 [3] - 格力电器芯片团队规模近千人 技术人员占比超60% 业务覆盖MCU芯片、第三代半导体等 [10] 企业财报与业务动态 - 迪士尼第三季度营收237亿美元 同比增长2.1% 主题公园收入增长13%至25.2亿美元 流媒体利润3.46亿美元 [3] - 博安生物拟配售4800万股 净筹资7.8亿港元 50%资金将用于创新产品研发 [8] 医药行业进展 - 正大天晴罗伐昔替尼片纳入突破性治疗药物程序 用于慢性移植物抗宿主病治疗 [8] - 安徽济人药业与昌德新材科技分别启动上市辅导 由国金证券和中信证券担任辅导机构 [6][7] 消费与金融事件 - 美团外卖回应霸王茶姬兑换券问题 宣布8月10日前可全国兑换 [4][5] - 茅台保健酒业停产旧版"台源酒" 推出升级产品"台源红" [5] - 人保健康河南分公司因违规被罚115万元 深圳分公司涉超2300条自动扣费投诉 [5][6] 美股市场表现 - 美股三大指数集体收涨 纳指涨1.21% 标普500涨0.73% 道指涨0.19% [10] - 苹果股价大涨超5% 盘后再涨近3% 消息称其拟宣布千亿美元美国投资计划 [10]

英特尔战略调整 - 英特尔新任CEO陈立武考虑对合同制造业务进行重大改革，可能不再向外部客户营销公司长期开发的某些芯片制造技术[1] - 前任CEO帕特·基辛格倾注巨资研发的18A制程正在失去对新客户的吸引力，可能需要减记数亿甚至数十亿美元[1] - 18A的主要客户长期以来一直是英特尔本身，目标是在2025年晚些时候提高其"Panther Lake"笔记本电脑芯片的产量[2] 制造工艺与技术竞争 - 英特尔18A制造工艺面临延期，其竞争对手台积电N2技术已步入生产阶段[2] - 公司将更多资源集中于14A工艺，预计比台积电更具优势，以争取苹果和英伟达等大客户[2] - 英特尔计划在今年晚些时候实现18A芯片的量产，内部芯片预计将比外部客户订单提前到货[4] 公司财务状况与挑战 - 2024年公司预计净亏损为188亿美元，是自1986年以来首次亏损[3] - 公司失去了制造优势，并在移动计算和人工智能等关键技术浪潮中落后[3] - 能否及时交付14A芯片以赢得大额合同还不确定，可能会选择坚持现有的18A芯片计划[4] 客户与市场策略 - 说服外部客户使用英特尔的工厂仍然是其未来发展的关键[2] - 公司正在根据主要客户的需求定制14A，以使其取得成功[5] - 陈立武已责成公司准备方案，最早将于本月与董事会讨论是否停止向新客户推广18A芯片[2]

半导体制造技术演进 - 领先的晶圆代工厂和IDM厂商正朝着2纳米（或同等）技术节点量产迈进，环栅（GAA）纳米片晶体管将发挥核心作用，作为FinFET技术的后继者，旨在缩小SRAM和逻辑标准单元尺寸 [1] - GAA纳米片器件垂直堆叠两个或多个纳米片状导电沟道，每个逻辑标准单元包含p型和n型堆叠，允许缩小单元高度或加宽沟道以换取更大驱动电流，栅极全方位包围通道增强控制 [1] GAA纳米片技术发展 - 在过渡到CFET技术前，GAA纳米片预计持续至少三代技术，CFET因nMOS-pMOS垂直堆叠复杂度高，量产需从A7节点开始，GAA需延伸至A10节点（单元高度90纳米） [2] - 缩小GAA纳米片标准单元尺寸极具挑战性，forksheet架构作为非破坏性技术可提供更大扩展潜力 [4] Forksheet技术优势 - 内壁forksheet通过介电壁隔离n/p栅极沟槽，实现更紧密间距，单元高度可缩至90nm，性能提升，但介电壁需薄至8-10nm且面临工艺对准和栅极控制问题 [5][8] - 外壁forksheet将介电壁置于单元边界（厚度15nm），采用wall-last集成法，简化工艺并支持Ω栅极结构，驱动电流提升25%，同时实现全沟道应变 [9][16][18][19] 性能与面积优化 - 外壁forksheet在A10节点实现90nm单元高度（较A14纳米片115nm缩小22%），SRAM位单元面积减少22%，环形振荡器频率保持与A14/2nm节点一致 [14][25] - 全沟道应力在外壁forksheet中可实现，避免纳米片/内壁架构33%的驱动电流损失，进一步提升性能 [25] 技术路线图展望 - imec路线图显示纳米片时代延伸至A10节点，外壁forksheet作为过渡方案，后续将转向A7及更高节点的CFET技术 [11][27] - 外壁forksheet兼容性研究进行中，探索其与CFET架构结合的PPA效益潜力 [27]

光刻技术市场格局 - ASML在光刻机领域占据80%以上市场份额 在最高端EUV光刻机市场处于垄断地位 [1] - EUV光刻机是7nm以下芯片制造的关键设备 ASML的技术优势对全球先进芯片制造企业形成制约 [1] 替代技术研发进展 - 日本佳能推出NIL纳米压印技术设备 据称可应用于5nm芯片制造 [3] - 美国开发EBL电子束技术 欧洲研发DSA自生长技术 俄罗斯提出X射线方案 但多数仍处于传闻阶段 [5] - 英国南安普敦大学建立全球第二个电子束光刻中心 分辨率达5nm以下 为欧洲首个此类设施 [5][7] 新兴技术应用限制 - 当前电子束光刻技术仅支持200mm(8英寸)晶圆 300mm(12英寸)晶圆需等待下一代技术突破 [7] - 替代技术若解决产能和分辨率问题 可能改变ASML的市场主导地位 引发行业格局重塑 [7] 技术自主化挑战 - 现有替代技术主要来自日本 美国和欧洲 中国仍需突破关键技术以避免受制于人 [7]