公司产品与技术 - 公司PC电源框架采用模块化设计理念 能够完美适配Intel® 800系列芯片组及最新处理器架构 [1] - 公司以创新技术赋能PC电源设计 通过更高效、更智能的功率解决方案助力客户打造下一代高性能计算平台 [1] - 公司相关方案有望进一步提升在PC与计算机电源领域的市场竞争力 [1] 行业趋势 - 随着AI算力与高性能计算需求提升 PC电源设计正朝着模块化、高效率方向发展 [1]

玻璃作为封装基板的优势 - 玻璃基板非常平坦，热膨胀比有机基板更低，简化了光刻工艺 [2] - 多芯片封装翘曲问题显著改善，芯片可混合键合到玻璃上的重分布层焊盘，并为高频高速器件提供极低的传输损耗 [2] - 玻璃比硅中介层便宜得多，翘曲度降低50%，位置精度提高35%，更容易实现线宽和间距小于2微米的重分布层 [2] - 玻璃在通信波长下透明，使得波导能嵌入堆叠结构用于6G应用，超薄玻璃（小于100微米）易制成700 x 700毫米大尺寸 [2] - 玻璃用途灵活，可用作载体、嵌入元件的核心基板、3D堆叠材料或传感器密封腔体，比有机物具有更好导电性，热膨胀系数可在3至10 ppm/°C间调整 [2] - 玻璃介电常数远低于硅（2.8 vs 12），正切损耗较低，传输损耗比硅低几个数量级，提高信号完整性 [3] - 玻璃能实现高互连密度和低于2µm的重分布层布线，满足人工智能计算对降低布线密度以提高系统级封装内部通信速度的需求 [3] 玻璃在高频和6G应用中的进展 - 堆叠玻璃支持数据速率超过100 GHz，是6G无线通信网络的理想选择，可将高频前端芯片与低损耗互连集成到大规模天线阵列中 [4] - 佐治亚理工学院演示了在玻璃基板上堆叠2英寸（50 x 50毫米）芯片的工艺，包括菊花链结构集成、玻璃层间对准度达3微米、玻璃穿层激光钻孔和铜填充 [4] - 使用味之素增材薄膜作为低k电介质和玻璃粘合剂，构建基于重分布层的共面波导，宽带电气性能高达220 GHz，损耗仅为0.3 dB [4] - 100 µm厚玻璃面板采用倒装芯片键合技术堆叠在未固化味之素增材薄膜上，最小化加热位移，激光加工形成用于信号传输和散热的玻璃通孔 [5] - 该方法展示作为6G应用的3D堆叠潜力，通孔填充达130 µm，间距100 µm [5] 玻璃通孔制造工艺 - 激光诱导深蚀刻技术通过激光改性硼硅酸盐玻璃，使其易于各向异性蚀刻，改性区域蚀刻速率比未处理部分高100倍 [6] - 湿法蚀刻使用氢氟酸形成所需形状，激光诱导深蚀刻已实现小至3µm、间距5µm的玻璃通孔 [6] - Yield Engineering Systems开发自动化多腔体设备，处理多达12块510 x 515毫米玻璃面板，在130°C下蚀刻25-100µm通孔，速率达80µm/小时 [7] - 蚀刻速率和通孔形状是氢氟酸化学性质、浓度和温度的函数，可调整实现5:1高选择性蚀刻，沙漏形状利于无空洞铜填充 [7] - 东京大学使用深紫外激光加工出6µm宽、25µm间距的孔，超短脉冲激光最小化热影响，实现精确清洁加工 [10] - 高深宽比通孔深度最大达260µm，深宽比在20:1至25:1之间，未来研究将探索激光数值孔径对孔径的影响 [12] 研发工具与良率提升 - 仿真工具提供材料相互作用洞察，帮助比较工艺如附着力促进剂效果或种子层选择，原子建模预测玻璃基板上界面行为 [13] - 新思科技利用GPU加速和机器学习算法构建复杂系统真实模型，为非晶态玻璃建模提供支持 [13] - Onto Innovation开发预测良率模型，结合离线量测和机器学习算法，快速减少510 x 515毫米面板上的套刻缺陷 [13] - 面板级套刻误差有四种校正方法：全局、基于区域、基于芯片和逐点校正，基于点校正可在保持高良率同时减少产量影响 [14] - 良率预测技术模拟最终良率随工艺参数变化，通过图表和直方图及早发现叠对问题，加速认证和工艺优化 [16] 玻璃切割与微裂纹处理 - 玻璃切割中微裂纹是主要问题，Disco研究显示双刀片切割产生更多边缘碎裂但边缘更光滑，层压层提高芯片强度 [16] - 有限元建模表明边缘崩裂由切割过程中应力集中的微观缺陷引起，当叠层延伸到分割区域边缘时会出现背面开裂缺陷 [17] - 回拉法通过在分割边缘部分移除叠层消除背面开裂缺陷，聚合物构建层上使用该方法可避免切割碎裂 [19] - 索尼探索切割后基板嵌入有机树脂的新方法，提供边缘保护，单片玻璃芯嵌入工艺实现单面加工和卓越基板保护 [19][20] 玻璃芯上的混合键合 - 玻璃平整度和定位精度支持铜-铜混合键合，玻璃芯基板可作为现有材料的补充，使用二氧化硅电介质和双镶嵌工艺制造更小线路和间距 [21] - 欣兴电子演示器件与有机芯和玻璃芯基板的倒装芯片键合，混合键合在玻璃上翘曲度略大于微凸块，但均在可接受范围内 [21] - 建议当键合到热膨胀系数约18 ppm/°C的印刷电路板时，使用热膨胀系数较高的玻璃（10 ppm/°C） [21] 玻璃生态系统进展 - 激光改性后高频蚀刻是形成玻璃通孔的主要方法，直接激光蚀刻是更环保选择 [22] - 切割前持续进行聚合物回拉可能避免微裂纹，改变切割方法可减少但无法完全消除微裂纹 [22]

市场总体规模与增长 - 全球微处理器芯片制造市场规模预计从2024年的1146亿美元增至2034年的2615亿美元，预测期内复合年增长率为8.6% [1] - 2024年亚太地区占据主导地位，市场份额超过61.4%，收入达703亿美元 [1][5] - 中国微处理器芯片市场2024年价值为420.8亿美元，预计到2034年将达到1033.4亿美元，复合年增长率为9.4% [7] 市场驱动力 - 市场增长主要驱动力来自对高性能计算日益增长的需求、互联设备的普及以及云基础设施的扩展 [3] - 人工智能、机器学习和高级数据分析的发展需要强大的处理器，推动了微处理器设计的创新 [3] - 电动汽车和自动驾驶的兴起导致汽车行业对专用芯片的需求显著增加 [3] - 人工智能的普及和云数据中心的扩张是行业强劲的增长动力，用于加速AI工作负载和处理海量数据的芯片需求旺盛 [14] 关键应用领域需求 - 消费电子产品领域需求最为强劲，尤其是智能手机、笔记本电脑、平板电脑和游戏机，构成了微处理器的最大市场 [5] - 数据中心和云服务提供商是主要消费市场，需要强大芯片处理海量工作负载 [5] - 个人电脑应用占据市场主导地位，占有38.6%的份额，反映出消费者和企业计算的持续需求 [5][11] - 汽车需求正在快速增长，因汽车集成先进的驾驶辅助系统、信息娱乐和互联功能 [5] 技术架构与趋势 - ARM MPU架构占据48.7%的市场份额，得益于其能源效率以及在移动和嵌入式设备中的广泛应用 [5][11] - 行业正朝着更先进工艺节点迈进，例如3nm、2nm并正向1.4nm发展，带来更高晶体管密度和能效 [13] - 制造业向异构架构转变，将多个芯片集成到单个封装中以提高性能和灵活性 [13] - 先进封装技术如3D堆叠和扇出型晶圆级封装迅速发展以支持日益增长的芯片复杂性 [13] - 边缘计算和AI加速功能成为标准，专用神经处理单元集成到芯片中用于设备级实时AI工作负载 [13] 区域市场分析 - 亚太地区是全球最大的区域市场，在微处理器制造领域占据61.4%的主导地位 [9] - 该地区拥有强大的半导体制造生态系统，并得益于政府支持性政策和对本地生产的投资 [9] - 中国大陆、中国台湾和韩国等国家和地区的工业中心推动着芯片产量和创新的大幅增长 [9] 行业挑战与制约因素 - 供应链中断和产能有限抑制了微处理器产量增长，生产先进芯片所需的尖端设备稀缺且集中在少数供应商手中 [15] - 地缘政治出口限制使设备获取复杂化，限制了先进节点的生产规模 [15] - 3纳米和5纳米以下芯片制造能力的限制造成影响良率和成本结构的瓶颈 [15] - 行业面临高资本投入和专业技术人员短缺的严峻挑战，建设下一代制造工厂需要100亿至200亿美元投资 [16] 竞争格局 - 英特尔、AMD、NVIDIA和高通在市场中占据主导地位，拥有为消费电子产品、服务器和高级计算系统提供支持的强大产品组合 [16] - 其他领先公司包括三星、博通、联发科和恩智浦半导体，通过多元化芯片解决方案增强市场竞争力 [16] - 德州仪器、意法半导体、瑞萨电子等公司在利基和嵌入式处理器市场中发挥重要作用 [17] 商业优势与机遇 - 生产微处理器的商业优势包括更强大的供应控制、更快的创新和更佳的定制化 [6] - 高效、先进的芯片使企业能够推出适用于人工智能、物联网和自主系统的新产品，从而提高盈利能力和长期成本效益 [6] - 开发针对汽车电子和边缘计算等专业市场的微处理器是一个充满希望的机遇，预计该领域增长速度将超过整体行业 [15] - 边缘AI设备的增长开辟了新用例，推动了低延迟、高能效芯片设计的创新 [15]

比特币挖矿行业向高性能计算转型 - 比特币矿商正获得来自高性能计算领域的收购意向，这一趋势并未消退且持续增强[1] - 市场关注矿场设施将用于比特币挖矿还是高性能计算，或采用混合模式[1] - Cipher Mining本周股价上涨39%至10.32美元，Bitfarms股价上涨62%接近每股2美元，IREN股价突破30美元[1] 比特币网络算力与难度调整 - 比特币网络算力达到历史性里程碑，达到1泽塔哈希，即1,000 EH/s或每秒一百万亿亿次计算[4][6] - 最近一次难度调整接近5%，为4.89%，当前难度周期过半，预计将再上调8%，为近期最大调整之一[4] - 过往难度调整存在季节性波动，例如7月向上调整7.96%，之前向下调整7.48%，与德州电力可靠性委员会市场相关[2] 市场环境与矿企表现 - 比特币价格从上月124,000美元的历史高点下跌，交易费用市场低迷，哈希价格维持在53至56美元/每日拍哈希的中位区间[3] - 降息预期提振股市整体表现，市场预计年底前有三次降息，人工智能/高性能计算公司尤其受益[7] - 传统上人工智能和高性能计算公司估值倍数高于比特币矿企，但随着更多交易发生，这一情况可能正在改变[8] 主要矿商动态与战略 - Bitfarms聘请人员拓展其高性能计算业务，但尚未明确是采用租赁模式还是自建云平台路线[8] - 嘉楠科技第二季度挖出1,400枚比特币，剥离大量中国资产，财务报表改用美元计价，管理层从蚂蚁Alpha迁至美国[16] - 比特大陆仍被视为一家中国公司，其矿机在泽塔哈希算力中占比超过50%，且存在利用过剩库存进行自挖矿的情况[14][15] 行业法律与监管动态 - Tether在与Swan Bitcoin的法律纠纷中声称获胜，Swan已承认合资企业对2023和2024年开发的知识产权资产拥有独家所有权[8][9] - 争议源于双方合资企业，Tether旗下2040 Energy持股80%并提供4.08亿美元初始资本，Swan作为少数股东无收入权[9] - 美国爱荷华州共和党议员呼吁财政部下属的外国投资委员会审查比特大陆和Cango的美国业务，担忧其可能暴露关键电网连接和美国数据[13] 矿业公司高管薪酬争议 - 有未经证实的报告称Ocean Mining矿池首席执行官Luke Dashjr年薪达75万美元，引发社区广泛讨论[17][18] - 若属实，该薪酬水平与Core Scientific的Adam Soltani和Riot的Jason Les相当，但矿池业务的经济模式与上市矿企不同[18][19] - 该薪酬传闻已被当事人否认，但引发了关于比特币矿业高管薪酬水平的讨论[19]

玻璃在半导体封装中的角色演变 - 玻璃正从背景消耗品转变为封装的核心材料，提供核心基板、连接芯片的中介层以及引导光子的电介质 [2] - 超平整硼硅酸盐载体在背面减薄过程中支撑硅晶圆，无钠薄片形成密封的MEMS盖帽，低热膨胀系数玻璃是许多晶圆级扇出工艺的基板 [2] 玻璃成为先进封装关键材料的驱动因素 - 人工智能和高性能计算设备对带宽和功率密度的需求不断提升，单个训练加速器需要数千个高速I/O引脚和能处理数百安培电流的供电网络 [3] - 有机层压板难以保持所需的平整度和过孔密度，硅中介层价格高且面板尺寸有限，玻璃在热膨胀系数、损耗角正切和面板尺寸成本方面具有优势 [3] - 玻璃的热膨胀系数可定制以匹配硅，在40 GHz频率下其损耗角正比比硅低一个数量级，面板尺寸可达半米且成本趋向高端有机材料 [3] 行业领先公司的布局与进展 - 英特尔在其亚利桑那寻路生产线上演示了基于玻璃的测试平台 [4] - 三星电子探索将玻璃芯作为其I-Cube和H-Cube封装之外的潜在选择 [4] - 基板巨头SKC已安装用于500毫米玻璃面板的钻孔填充试验生产线 [4] - 玻璃巨头AGC正在提供低热膨胀系数的硼硅酸盐板材以供早期评估 [4] 玻璃在高频和光子集成领域的应用优势 - 玻璃的低介电损耗和光学透明性使其成为计算封装外的第二大增长引擎，在Ka波段及以上频段其微带的插入损耗约为等效有机线的一半 [6] - 在共封装光学器件中，工程玻璃可承载电气重分布层和低损耗波导，简化对准过程并消除昂贵的硅光子中介层 [6] - 用于射频的玻璃通孔技术可创建垂直光通孔，使单个纤芯支持跨阻放大器、激光驱动器及光波导，实现电子和光子布线的融合 [6] 玻璃技术商业化的关键挑战与竞争态势 - 玻璃从中试线走向量产的关键在于激光钻孔、铜填充、面板处理和设计自动化生态系统的成熟度 [8] - 良率学习曲线、通孔填充可靠性、面板翘曲和设计套件成熟度将决定玻璃能否达到系统集成商设定的成本目标 [8] - 代工厂正推动混合晶圆级重新分配以缩小玻璃在特征尺寸方面的优势，层压板供应商在开发具有更低粗糙度和更佳热膨胀系数匹配的下一代ABF芯 [8]

公司概况与业务布局 - 通富微电是集成电路封装测试服务提供商，为全球客户提供一站式服务，覆盖人工智能、高性能计算、大数据存储、显示驱动、5G网络通讯、信息终端、消费终端、物联网、汽车电子、工业控制等多个领域 [2] - 公司股权结构稳定，大股东为南通华达微电子集团股份有限公司，实际控制人为石明达 [2] - 公司在江苏南通崇川、南通苏通科技产业园、安徽合肥、福建厦门、南通市北高新区建厂布局，并通过收购AMD苏州及AMD槟城各85%股权，在江苏苏州、马来西亚槟城拥有生产基地 [2] - 2024年公司收购京隆科技26%股权，京隆科技在高端集成电路专业测试领域具备差异化竞争优势，公司已于2025年2月13日完成交割 [2] - 公司在南通、合肥、厦门、苏州、马来西亚槟城布局九大生产基地，全球拥有超两万名员工 [3] 财务业绩表现 - 公司2022年、2023年、2024年和2025年上半年分别实现营收214.29亿元、222.69亿元、238.82亿元和130.38亿元 [3] - 公司2022年、2023年、2024年和2025年上半年的归母净利润分别为5.02亿元、1.69亿元、6.78亿元和4.12亿元 [3] - 2024年公司实现营业收入238.82亿元，同比增长7.24%；归属于母公司股东的净利润6.78亿元，同比增长299.90% [6] - 2025年上半年公司实现营业收入130.38亿元，同比增长17.67%；归属于上市公司股东的净利润4.12亿元，同比增长27.72% [6] 行业发展趋势 - 2025年上半年全球半导体市场规模达3460亿美元，同比增长18.9% [4] - WSTS预测2025年全球半导体市场规模将达7280亿美元，较2024年提升15.4%；2026年有望达到8000亿美元，同比增长9.9% [4] - 半导体市场增长受技术革新、智能汽车、工业4.0、消费电子创新发展和国家政策扶持等多因素驱动 [4] - IDC预计2025年全球半导体市场八大趋势：AI驱动高速增长、亚太地区IC设计市场增长15%、台积电主导晶圆代工、先进制程需求强劲、成熟制程产能利用率超75%、2纳米技术关键年、中国封测市场份额扩大、先进封装技术发展 [5] 技术研发实力 - 公司建有国家认定企业技术中心、国家级博士后科研工作站、江苏省企业院士工作站等高层次创新平台 [8] - 公司与中科院微电子所、清华大学、北京大学等知名科研院所和高校建立紧密合作关系 [8] - 截至2025年6月30日，集团累计专利申请量突破1700件，其中发明专利占比近70% [8] - 公司从富士通、卡西欧、AMD获得技术许可，快速切入高端封测领域 [8] - 2025年上半年公司在大尺寸FCBGA开发方面取得重要进展，已进入量产阶段；超大尺寸FCBGA预研完成并进入工程考核阶段 [11] - 公司在光电合封（CPO）领域技术研发取得突破性进展，相关产品已通过初步可靠性测试 [11] - 公司Power DFN-clip source down双面散热产品研发完成，满足大电流、低功耗、高散热及高可靠性要求 [11] - 公司研发建立Cu wafer工艺平台，完成工艺技术升级，解决切割、装片、打线等技术难题，已在Power DFN全系列实现大批量生产 [12] 业务发展重点 - 2025年上半年公司紧抓手机芯片、汽车芯片国产化进程加快机遇，在手机、家电、车载等应用领域提升市场份额 [9] - 公司在WiFi、蓝牙、MiniLed电视显示驱动等消费电子热点领域成为多家重要客户的策略合作伙伴 [9] - 公司夯实与手机终端SOC客户合作基础，份额不断提升；依托工控与车规领域技术优势，加速全球化布局 [9] - 通富超威苏州和通富超威槟城深度整合，聚焦AI及高算力产品、车载智驾芯片的增量需求，积极扩充产能，成功导入多家新客户 [9] 行业展望与战略 - 2025年下半年AI和新能源汽车等新兴领域仍是关键驱动力，存储、通信、汽车、工业等主要领域需求逐步复苏 [10] - 在5G、AIoT、智能汽车等新兴应用普及下，对封装技术提出更高要求，中国封测企业需在高密度集成、低功耗设计、高散热性能等关键技术领域持续突破 [10] - 中国IC封测行业在政策支持、市场需求和技术进步的多重驱动下，有望实现从"跟跑"到"并跑"乃至"领跑"的历史性跨越 [10]

联发科2纳米芯片技术进展 - 公司首款采用台积电2纳米制程的旗舰系统单芯片已成功完成设计流片，预计明年底进入量产 [1] - 流片标志着芯片设计阶段基本完成，进入制造验证环节 [1] - 台积电2纳米制程首次采用纳米片电晶体结构，逻辑密度较N3E制程增加1.2倍，相同功耗下性能提升高达18%，相同速度下功耗减少约36% [1] 先进制程的行业意义与竞争 - 更小的纳米制程意味着晶体管体积更小、密度更高，芯片性能更强 [1] - 2纳米制程可为端侧大模型、生成式AI、高性能计算等应用提供保障 [1] - 高通和联发科的新一代旗舰SoC目前主要采用台积电3纳米制程，随着2纳米工艺成熟，竞争将延伸至更先进平台 [2] 成本挑战与市场格局 - 一枚2纳米制程晶圆的成本约为3万美元，苹果、英伟达等厂商需在性能与成本间取舍，成本可能传导至消费者 [1] - 台积电为全球顶尖科技公司生产核心芯片，包括iPhone的A系列处理器和英伟达的AI GPU [2] - 2025年第一季度联发科在全球智能手机应用处理器市场份额为36%居首，高通以28%排第二，苹果以17%排第三 [2]

公司股价与市场反应 - 截至发稿，CoreWeave股价上涨超过5%，报118.1美元 [1] 公司与英伟达的协议 - CoreWeave宣布与英伟达达成一份新的订单协议，该协议基于双方于2023年4月10日签署的协议 [1] - 新协议的初始价值高达63亿美元 [1] - 协议旨在为CoreWeave客户提供预留的云计算容量 [1] - 当客户未完全使用其数据中心产能时，英伟达将购买剩余的闲置产能 [1] 协议具体条款与安排 - 英伟达承诺在2025年至2032年4月13日期间，承担购买CoreWeave未被客户使用的剩余产能的义务 [1] - 此承诺的前提是CoreWeave满足交付及服务可用性等条件 [1] - 这一安排有助于CoreWeave提高其产能利用率 [1] - 该安排也为英伟达在人工智能及高性能计算领域提供了更多算力支持 [1]

智通财经APP获悉，CoreWeave(CRWV.US)股价走高，截至发稿，该股涨超5%，报118.1美元。 CoreWeave宣布与英伟达(NVDA.US)在2023年4月10日签署的协议基础上，达成一份新的订单协议，初 始价值高达63亿美元。该协议旨在为CoreWeave客户提供预留的云计算容量，并在客户未完全使用其数 据中心产能时，由英伟达购买剩余的闲置产能。 根据协议条款，英伟达承诺在2025年至2032年4月13日期间，承担购买CoreWeave未被客户使用的剩余 产能的义务，前提是CoreWeave满足交付及服务可用性等条件。这一安排不仅有助于CoreWeave提高产 能利用率，也为英伟达在人工智能及高性能计算领域提供了更多算力支持。 ...

行业背景与市场需求 - 全球芯片产业正迎来新一轮技术迭代与市场增长 受人工智能、智能驾驶与工业智能化进程推动 [1] - 芯片设计流程中仿真与验证任务对算力规模、存储性能及资源弹性提出极高要求 [1] - 传统自建机房模式存在扩展性差、成本高昂、运维复杂等瓶颈 难以支撑快速迭代的研发需求 [1] 算力解决方案 - 公司基于上海青浦智算中心打造集中式"算力专区" 支持千台以上物理服务器的快速交付与私有化部署 [2] - 提供GPU/CPU高性能服务器和高速低延迟网络基础设施 通过混合云架构实现与客户本地机房安全专线互联 [2] - 形成云端一体的算力调度体系 使芯片企业能根据项目进展灵活调动资源 显著降低算力闲置成本 [2] 存储技术创新 - 自主研发并行文件存储产品UPFS 具备百微秒级延迟与TB/s级吞吐能力 [3] - 支持并行任务不断增加情况下实现性能和容量的线性扩展 [3] - 最小集群仅需3台物理机构建 大幅降低企业使用高性能存储门槛 [3] 全栈服务能力 - 从网络、安全、运维等多维度为芯片企业提供深度支持 青浦智算中心提供高品质网络接入与低延迟传输保障 [4] - 自研UXR混合云网关集群实现T级别跨云网络转发 构建稳定高效的混合云环境 [4] - 解决方案已服务多家国内领先芯片设计企业 覆盖自动驾驶芯片、AI加速芯片到通用计算芯片等多个领域 [4] 应用成效与未来规划 - 助力多家国产芯片厂商实现研发效率提升与国产化替代加速 [1] - UPFS已成功应用于多家芯片企业的仿真环境 支撑超大规模网表仿真和物理验证等关键任务 [3] - 公司将继续加大对高性能计算、存储及芯片云解决方案的研发投入 优化资源调度与生态服务能力 [4]