公司股改进展 - 长存集团于2025年9月25日完成股份制改革 选举首届董事会成员 公司治理结构全面完善升级 [1][2] - 公司注册资本从562.7亿元增至1052.7亿元（2023年） 后进一步增至1132.79亿元（2025年7月） [2][3] - 通过两轮融资累计获得超百亿元资金 新增股东包括国家集成电路产业投资基金二期等15家机构 [2][3] 股权结构与估值 - 公司拥有29位股东 涵盖国有资本/产业资本/金融资本及知名私募机构 形成多元化股东阵容 [1][3] - 2025年4月养元饮品子公司出资16亿元获得0.99%股权 对应估值达1616亿元 [1][2] - 长江存储以1600亿元估值位列2025全球独角兽榜第21位 成为半导体行业估值最高新晋独角兽 [5] 业务生态布局 - 旗下子公司包括长江存储/新芯股份/长存资本等 构建闪存制造/晶圆代工/封装测试/产业投资/创新孵化全价值链业务生态 [3] - 长江存储为国内唯一3D NAND原厂 注册资本1246亿元 在全球设有研发中心 员工8000余人（研发人员占比75%） [4][5] - 2025年9月与湖北长晟三期共同出资207.2亿元成立长存三期集成电路公司 其中长江存储持股50.19% [5] 技术研发成果 - 长江存储2017年成功设计制造中国首款3D NAND闪存 2019年量产自主Xtacking®架构第二代产品 [4] - 2022年推出UFS 3.1通用闪存 2023年发布致态Ti600固态硬盘 目前拥有1.18万件专利申请（国际专利超5400件） [4][5] - 公司每年新增专利申请1300件 技术覆盖3D NAND闪存/TLC/QLC等多代产品 [4][5] 行业发展前景 - 全球AI算力热潮推高存储芯片需求 行业进入新一轮成长周期 [3] - 预计2031年全球存储芯片市场规模达15840亿元 2025-2031年复合增长率9.3% [3] - 国产存储芯片企业长鑫存储已启动上市辅导 行业整体迎来高速发展期 [1][3][5]

前述相关人士介绍，上述两笔融资额累计超百亿元。 目前，长存集团的股东涵盖国有资本、民营资本、国家集成电路产业投资基金（下称"大基金"）一期及 二期等产业资本、五大行等金融资本，以及多家市场知名私募股权投资机构。 天眼查显示，长存集团的前三大直接持股股东分别是湖北长晟发展有限责任公司（下称"湖北长晟"）、 武汉芯飞科技投资有限公司（下称"芯飞科技"）、大基金一期及二期。湖北长晟背后的主要股东为武汉 东湖高新区管委会、武汉市国资委和湖北省国资委；芯飞科技的主要股东则为东湖高新区管委会、大基 金一期。 国产存储芯片巨头长江存储的母公司——长江存储科技控股有限责任公司（下称"长存集团"）已于近日 完成股份制改造。 9月25日，接近长存集团的相关人士告诉南都记者，长存集团已召开股份公司成立大会，并选举产生了 股份公司首届董事会成员。股改是长存集团提升公司竞争力、实现战略目标的关键举措。 此前4月25日，"六个核桃"生产商养元饮品（603156.SH）披露，旗下子公司泉泓投资已向长存集团投资 16亿元。交易完成后，泉泓投资持有长存集团0.99%的股份。若按照16亿元持股0.99%股权进行计算， 长存集团的市场估值约为16 ...

诉讼背景与性质 - 长江存储及其日本子公司向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼 被告为美国商务部及其下属的工业与安全局[1] - 诉讼依据《信息自由法》要求美方公开2022年将公司列入实体清单的完整行政记录与内部决策过程 并非直接挑战出口管制措施本身[1] - 日本子公司主要负责在日本和韩国市场的推广与技术支持[1] 实体清单影响 - 2022年12月美国商务部BIS将包括长江存储在内的36家中国企业加入实体清单[1] - 对所有受《出口管制条例》管辖物项实行"推定拒绝"许可审查政策 公司几乎无法获得美国管辖的商品 软件 技术等[1] 列入理由异常点 - 公告中对其他33家企业明确写明由"最终用户审查委员会决定列入" 唯独长江存储措辞变为"ERC所代表的机构决定列入" 模糊决策主体[2] - 对大多数企业写明具体事实依据 如与新疆劳工转移项目联系 但长江存储部分仅笼统表述"可能存在向华为 海康威视等实体清单企业转移的风险"[4] 合规救济努力 - 2024年6月公司依据EAR第744.16条向ERC提交移除申请 内部审查未发现违反出口管制条例交易记录[4] - 2025年5月向美方递交数十页白皮书 详细说明合规体系 防止产品转移内部措施及制度改进计划[4] - 公司强调严格执行美国出口管制合规要求 积极配合BIS多次信息和数据请求[4] 美方回应与质疑 - 美方未对申请和材料做出实质回应 公司从未收到任何关于违法行为的指控[5] - 质疑可能存在竞争对手提交不实或误导性信息影响决策结果[5] FOIA请求内容 - 2025年8月1日公司正式提交FOIA请求 要求披露三类信息：2020年9月至2025年8月间与第三方通信记录 决策主体机构信息 完整行政记录[5] - BIS在20个工作日内未提供答复也未申请延期 构成"推定拒绝"[6] 诉讼要求 - 要求法院裁定强制美方披露所有相关文件 设定明确分批披露时间表 判令美国政府承担原告律师费及诉讼成本[6] 诉讼战略意义 - 借助FOIA要求美方公开完整行政记录和决策过程 展示企业在国际规则框架下的主动性[7] - 公司内部审查未发现违规交易记录 详实的记录和合规体系支撑诉讼行动[7] - 为其他企业面对不透明限制提供可借鉴路径[7]

中国制造业全球主导地位 - 中国制造业增加值占全球比重约30% 是排名第二的美国的两倍 [1] - 在无人机市场 电动汽车市场 造船市场均占据主导地位 [1] - 影响力从制衣业延伸到机器人 人工智能领域 [1] 传统产业智能化升级 - 人工智能将制衣业重振为具有超级竞争力的产业 [2] - 阿里巴巴智能服装工厂利用AI预测畅销设计 制订生产计划 准确率达99% [2] - 广东和浙江数万家服装厂竞争焦点转向数据和速度而非劳动力成本 [2] - 顺丰物流采用AI计算最佳配送路线 机器人全天候进行分类包装 [2] 全产业链市场优势 - 从维生素C原材料 自行车到高端家电 太阳能电池板 通信设备 高铁等数百个行业占据全球主导市场份额 [2] - 世界对中国制造依赖持续增长 现代生活一天都离不开中国产品 [2] 对韩国产业的竞争压力 - 韩国钢铁行业面临黯淡未来 浦项制铁FINEX炼铁工艺被中国类似技术超越 [3] - 韩国石化行业遭遇前所未有的危机 因最大出口市场中国进行产能扩张 [3] - 韩国在汽车 造船 智能手机市场份额方面已落后中国 [3] - 中国迅速进入液化天然气运输船建造等韩企曾主导领域 [3] - 中国在存储半导体领域达到挑战三星电子和SK海力士3D NAND闪存地位的水平 [3]

核心观点 - 外部不确定性或从关税扩散，国内政策积极但克制，经济有韧性 [4] - 下半年预期差来自盈利修复、流动性热度、新兴产业发展 [5] - 短期预期差驱动下，下半年市场或冲击新高 [6] - 结构上关注内需、科技与红利个股 [7] 市场上半年回顾 - A股及港股市场上半年呈“N型”走势，分震荡上行、震荡调整、震荡上行三阶段 [8] 来自内部的确定性 外部不确定性将从关税逐步扩散 - 美国“对等关税”90天截止期限将至，多数经济体难在暂缓期解决关税问题 [13][15] - 我国关税政策压力与美国和其他经济体谈判进程有关 [17] - 投资者认为关税冲击最严峻阶段已过，但外部不确定性或从关税扩散 [19][25] 国内政策：积极但克制 - 国内政策将保持积极，延续去年9月及今年两会以来基调 [30] - 政策发力节奏和空间留有余地，应对极端风险并避免干扰中长期目标 [32] - 外部不确定性上升时，政策将迅速发力 [38] - 去年9月以来，国内经济明显修复，实现全年经济目标难度不大 [43] 国内经济：韧性较强 - 经济各部门修复速度有差异，内生需求好转，部分数据低迷 [48] - 出口维持强势，下半年或有压力，但不影响中期竞争力 [53] - 消费修复亮点多，政策支持下数据有韧性，服务消费改善 [57] - 投资数据分化，基建和制造业投资增速放缓，地产投资低迷 [62] 下半年预期差来自何处？ 预期差之一：盈利修复的持续性 - 一季度盈利数据超季节性，A股非金融板块盈利增速同比转正 [68] - 内需改善持续性或超预期，补贴政策有望持续 [75][77] - 居民收入回升与财富效应将提升消费意愿 [78] - 地产销售和土地成交数据好转，地产链部分数据改善 [83][88][91] - 新政策性金融工具或带来投资增量，投向创新相关领域 [95][100] - 核心CPI触底回升，预计A股业绩持续改善 [106][112] 预期差之二：流动性热度与资本市场重要性 - 赚钱效应下微观资金热度高，两融资金流入持续性强 [116][122] - 个人投资者通过ETF投资权益市场，居民资产入市基础坚实 [128][133] - 政策持续关注权益市场，中长期资金流入保持积极 [136][138] 预期差之三：新兴产业星火燎原 - 新兴产业发展迅速，政策支持下高技术产业增加值和投资额增长 [144] - 外部压力成为转型动力，我国出口占比和贸易顺差优势仍存 [152][159] - 人工智能、机器人等新产业加速崛起，半导体领域补短板取得进展 [167][174] 市场展望：望向新高 中国资产仍然具有较高吸引力 - A股和港股估值有吸引力，下半年市场或冲击新高 [181][184] 8月份或许将是关键节点 - 8月是关键节点，中报业绩或延续增长，市场聚焦盈利主线 [193] - 关税不确定性将消解，美国对华态度似有软化 [194] - 外部流动性有望宽松，关注“十五五”规划 [197][202] H股表现是否会更强？ - 港股超额收益源于稀缺板块和AH溢价收敛，基本面较A股更早修复 [206][211] - 南下资金流入将持续，海外流动性改善和新增资产吸引海外资金 [215][222] - 港股稀缺资产性价比高，有望维持强势 [228] 有哪些风险？ - 贸易层面，美国与其他经济体谈判超预期，中国压力或加剧 [233] - 美国在科技、投资等领域颁布针对我国的行政命令 [238] - 地缘政治风险未终结，中东和俄乌局势仍有不确定性 [241] 结构展望：内需、科技与红利个股 内需消费：补贴、服务与新消费 - 消费提振政策将延续，消费数据有望保持韧性 [244][254] - 消费板块业绩筑底回升，关注内需补贴、线下服务和新消费领域 [259][265][270][274] 科技自立：AI机器人、半导体、军工 - 美国对华科技限制具持续性，中美产业布局重合 [280][284] - 国内新动能产业发展快，关注AI和机器人、半导体产业链、军工和低空经济 [288][294][300][305] 举牌逻辑下的红利股 - 高股息板块分化，银行成亮点，红利股频遭举牌 [310][322] - 红利板块投资转向个股驱动，关注部分高质量标的 [325][327]

美光第九代3D NAND闪存技术 - 第九代（G9）3D NAND闪存每硅片存储容量为1Tbit，与第八代（G8）相同，但存储单元阵列密度提升40%，硅片存储密度提高30%，最大数据传输速度提升1.5倍[1] - G9字线层数为276层，比G8的232层增加19%，但通过其他创新实现存储密度40%提升[1] - 存储单元阵列密度从G7的17Gbit/平方毫米增至G8的25Gbit/平方毫米，再到G9的35Gbit/平方毫米[3] - 水平尺寸创新包括移除虚拟柱使区块高度降低14%，页面缓冲器数量从G8的16个减至G9的6个，硅片面积缩小至G8一半[3] 存储密度提升技术 - 采用气隙绝缘和局部氮化膜（Confined SN）技术，减少相邻存储单元间干扰[5][7] - Confined SN技术使编程时间缩短10%，相邻单元耦合电容减少约50%，在10,000次重写循环后性能几乎无下降[9] - 存储单元堆栈高度超13μm，由两层组成，每层高度6.5μm，存储孔直径150nm，纵横比超43[7] 未来技术路线 - 第十代（G10）及后续技术将继续增加层数，面临更高纵横比蚀刻挑战[6] - 晶圆键合技术将成为解决方案，可分别优化外围电路和存储单元阵列性能，预计成本将低于单片CuA技术[12][14] - 可能采用铁电薄膜替代传统氮氧化物薄膜，降低介质击穿风险，反转极化所需电压显著低于NAND闪存[16] 行业趋势 - 机器学习/人工智能发展推动对更高密度3D NAND闪存需求[16] - 各大厂商在最新产品中采用阵列下CMOS（CuA）技术减少硅片面积[12] - 未来可能同时开发多种基础技术并进行选择，持续改进3D NAND闪存[16]

DRAM技术演变 - 1990年代采用平面n沟道MOS FET作为DRAM单元晶体管标准结构 进入21世纪后短沟道效应和关断漏电流问题促使开发横向微型化晶体管结构 [1] - 2010年代通过改进阵列布局将单元面积从"8F2"缩小至"6F2" 相同加工尺寸下面积减少25% 该布局至今仍是大容量DRAM标准 [1][3] - 10nm以下DRAM将转向"4F2"布局 采用垂直沟道晶体管(VCT)结构 位线/沟道/电容器垂直排列 [4][5][7] - 三维DRAM(3D DRAM)通过垂直堆叠单元提升容量 三星开发VS-CAT技术实现存储单元阵列与外围电路晶圆键合 [7][9] NAND闪存技术突破 - 平面NAND闪存2010年代初达到小型化极限 3D化成为突破方向 垂直单元串结构使电荷存储量提升且干扰减少 [11][13] - 3D NAND堆叠层数从2010年代32层发展到2020年代300层 采用CMOS under Array布局缩小硅片面积 [13] - 铁电薄膜技术替代传统ONO膜 通过极化方向决定逻辑值 已实现4位/单元存储 可降低编程电压并抑制阈值波动 [14][15][17] 行业前沿技术动态 - imec推出纯金属栅极技术使3D NAND层间距缩至30nm 铠侠开发多级编码技术提升闪存随机存取速度 [18] - NEO Semiconductor展示类3D NAND结构的3D X-DRAM技术 Macronix改进晶闸管控制3D DRAM [18] - 美光科技开发高性能铁电存储器材料 佐治亚理工学院实现铁电电容器小信号无损读出 [19] - 清华大学推出兼容40nm工艺的3.75Mbit嵌入式电阻存储器 旺宏国际优化OTS选择器性能 [19]

DRAM技术演进 - 1990年代DRAM采用平面n沟道MOS FET作为单元晶体管标准结构，但21世纪面临短沟道效应和关断漏电流问题，促使开发横向微型化晶体管结构[1] - 2010年代DRAM单元阵列布局改进使单元面积从8F²缩小到6F²，面积减少25%，6F²布局成为大容量DRAM标准[1] - 10nm以下DRAM将转向4F²布局，采用垂直沟道晶体管(VCT)结构，位线、沟道和电容器垂直排列[3][4] - 三星开发S2CAT(自对准2间距单元阵列晶体管)和VS-CAT(垂直堆叠单元阵列晶体管)3D DRAM原型，通过晶圆键合技术堆叠存储单元阵列与外围电路[6][8] NAND闪存技术突破 - 平面NAND闪存在2010年代初达到小型化极限，3D化成为突破方向，单元串从水平转为垂直方向，电荷存储量增加且干扰减少[10][12] - 3D NAND实现多值存储标准(单单元存储3位数据)，堆叠层数从2010年代初32层发展到2020年代中期300多层，高度增加约10倍[12] - 采用CuA(CMOS under Array)布局减少硅片面积，但面临堆叠增加导致的蚀刻困难和相邻单元干扰问题[12] - 铁电薄膜技术替代传统ONO膜，通过极化方向决定逻辑值，支持3-4位/单元多值存储，降低编程电压并抑制阈值电压波动[13][14][16] 行业技术动态 - imec公布纯金属栅极技术可将3D NAND层间距缩小至30nm，铠侠展示实现高速随机存取的多级编码技术[18] - NEO Semiconductor开发类似3D NAND结构的3D X-DRAM技术，Macronix改进3D DRAM采用水平字线+垂直位线结构[18] - 美光科技开发高性能铁电存储器材料，佐治亚理工学院实现铁电电容器小信号无损读出工艺[19] - 清华大学展示兼容40nm工艺的3.75Mbit嵌入式电阻式存储器，旺宏国际优化交叉点存储器OTS选择器性能[20]

2025年IEEE国际存储器研讨会(IMW)技术亮点 核心观点 - 2025年IEEE国际存储器研讨会将集中展示全球领先存储技术研发成果 多家公司将在3D NAND架构创新 材料应用及制造工艺等方面发布突破性进展 [2] 3D NAND架构创新 - Kioxia将展示采用CBA(CMOS直接键合到阵列)结构的3D NAND闪存 其交叉位线(CBL)架构能优化晶圆键合后的位线布局 [2] - 三星披露第9代3D VNAND闪存的片上电容器技术 并开发双陷阱层技术以支持未来多位存储 [2] - 美光通过模拟通道孔椭圆度对读取窗口的影响 探索非圆形通道孔设计提升存储密度 [2] 制造工艺突破 - 应用材料公司实现共形MoS2在40:1高深宽比结构的应用 推进300mm晶圆3D NAND制造 [2] - Lam Research优化沉积与蚀刻工艺 集成3D NAND孔蚀刻和层间电介质接触 同时开发钼原子层沉积技术用于字线金属 [2] - 旺宏电子开发垂直通道高压晶体管 使1000层以上3D NAND的字线驱动器小型化 [2] 新型存储技术 - 东北大学研发SOT-MRAM单元技术 写入能耗低且无需外部磁场 写入时间缩短至亚纳秒级 [2][3] - Everspin Technologies推出基于STT-MRAM的反熔丝宏 目标嵌入存储器 SoC和FPGA等领域 [2] - 旺宏电子提出交叉点结构选择器存储器的可靠性提升方案 通过抑制尖峰电流延长读取寿命 [2]

投资事件 - 养元饮品通过泉泓投资对长江存储增资16亿元人民币 [3][6] - 投资款将用于长江存储的业务运营和发展 包括业务扩展 资本支出和补充营运资金 [6] 公司背景 - 长江存储是专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业 提供完整的存储器解决方案 [6] - 养元饮品是中国植物蛋白饮料龙头企业 主营核桃乳产品 旗下有"六个核桃"等系列产品 [6][8] - 养元饮品2018年在上海证券交易所上市 在河北 安徽 江西 河南 四川设有生产基地 [6][8] 投资目的 - 养元饮品通过本次投资探索股权投资商业运营模式 [8] - 短期内对公司经营成果无重大影响 长期有利于增强投资能力 保护公司和股东利益 [8]