硅电容
搜索文档
深圳华强(000062.SZ):积极拓展光模块、应用于高速光模块的光电芯片等产品的授权分销业务
格隆汇· 2025-12-17 07:12
格隆汇12月17日丨深圳华强(000062.SZ)在投资者互动平台表示,(1)公司参股的星思半导体是一家聚 焦5G/6G通信技术的半导体设计公司,其卫星基带芯片等产品可广泛应用于卫星通信和5G/6G万物互联 场景。(2)公司作为国内电子元器件授权分销龙头企业,业务区域覆盖中国大陆、港澳台和东南亚等 地区,在中国台湾设有控股子公司。公司目前代理了联咏科技、慧荣科技、晶豪科技、台达等多个中国 台湾地区的产品线。(3)公司向光模块领域客户供应Murata(村田)的MLCC、硅电容等各品类元器 件,同时,公司积极拓展光模块、应用于高速光模块的光电芯片等产品的授权分销业务,已取得 Sony、Litrinium、海思等产品线的代理权。 ...
深圳华强:积极拓展光模块、应用于高速光模块的光电芯片等产品的授权分销业务
格隆汇· 2025-12-17 07:12
格隆汇12月17日丨深圳华强(000062.SZ)在投资者互动平台表示,(1)公司参股的星思半导体是一家聚 焦5G/6G通信技术的半导体设计公司,其卫星基带芯片等产品可广泛应用于卫星通信和5G/6G万物互联 场景。(2)公司作为国内电子元器件授权分销龙头企业,业务区域覆盖中国大陆、港澳台和东南亚等 地区,在中国台湾设有控股子公司。公司目前代理了联咏科技、慧荣科技、晶豪科技、台达等多个中国 台湾地区的产品线。(3)公司向光模块领域客户供应Murata(村田)的MLCC、硅电容等各品类元器 件,同时,公司积极拓展光模块、应用于高速光模块的光电芯片等产品的授权分销业务,已取得 Sony、Litrinium、海思等产品线的代理权。 ...
振华科技:目前,公司没有涉及硅电容产品
每日经济新闻· 2025-12-04 00:28
公司产品与技术 - 公司目前没有涉及硅电容产品 主要产品为钽电容和铝电容 [1] - 公司的钽电容和铝电容产品与硅电容相比 在电容量 电流强度与稳定性以及环境适应性上均有优势 [1] - 公司在电容技术和关键原材料上均已完全实现自主安全 [1] 行业竞争格局 - 投资者关注电容全链条是否被村田 TDK 京瓷等日系企业垄断 [1]
振华科技:公司没有涉及硅电容产品
证券日报之声· 2025-12-03 13:42
公司业务与产品澄清 - 公司目前没有涉及硅电容产品 [1] - 公司主要产品为钽电容和铝电容 [1] 产品技术优势 - 与硅电容相比 钽电容和铝电容在电容量 电流强度与稳定性以及环境适应性上均有优势 [1] - 公司在电容技术和关键原材料上均已完全实现自主安全 [1]
振华科技(000733.SZ):没有涉及硅电容产品
格隆汇· 2025-12-03 07:57
公司业务与产品澄清 - 公司明确表示目前没有涉及硅电容产品 [1] - 公司主要产品为钽电容和铝电容 [1] 产品技术优势 - 与硅电容相比,公司的钽电容和铝电容在电容量、电流强度与稳定性以及环境适应性上均有优势 [1] - 公司在电容技术和关键原材料上均已完全实现自主安全 [1]
朗矽科技计划联合开发模块级整合产品 推动硅电容行业标准化应用
经济观察网· 2025-11-30 10:18
行业背景与挑战 - 传统MLCC(多层陶瓷电容)在高端电子元器件领域面临全链条被日系企业(如村田、TDK、京瓷)垄断的“卡脖子”困境,关键原材料、核心设备和工艺配方均受制于人[1] - 在先进手机SoC、大芯片、服务器、电动车电子等应用领域,国产替代空间巨大但切入门槛极高[1] 技术路径与优势 - 硅电容使用CMOS/MEMS工艺制造,属于半导体设备体系,可摆脱日系厂商垄断的陶瓷材料体系限制[1] - 硅电容能在高频下提供极低阻抗,对AI芯片等功耗大、频率高的应用起到稳压核心作用,直接影响运算效率[1] - 硅电容的优异高频特性在光模块中能起到高频滤波等作用[1] 公司战略与商业化 - 朗矽科技选择以“硅电容”为战略切入点,寻求破局行业困境的新路径[1] - 公司正与AI大算力芯片、SOC芯片、电源管理IC、光模块等头部企业洽谈合作,计划联合开发模块级整合产品[1] - 公司旨在推动电容从单一组件转变为整体解决方案的一部分,促进行业标准化应用[1]
业界预计未来三年硅电容将进入快速成长阶段
新华财经· 2025-11-30 06:27
行业概况与市场前景 - 在高端电子元器件领域,传统多层陶瓷电容长期面临“卡脖子”困境 [1] - 与当前主流的陶瓷电容相比,硅电容在高频、高可靠、小型化方面具备天然优势 [1] - 硅电容通过半导体工艺革新解决了多层陶瓷电容的三大瓶颈,可集成在先进封装中 [1] - 硅电容预计将是百亿级的全球赛道 [1][2] - 2021年全球硅电容市场规模为15.8亿美元 [1] - 随着AI服务器、电源管理、光通信需求的爆发,未来三年硅电容将进入快速成长阶段 [1] - 硅电容并非简单替代传统产品,而是面向技术发展中尚未被满足的需求,开辟新兴蓝海市场 [2] 技术优势与应用场景 - 硅电容能在高频下提供极低阻抗,起到稳压核心的作用,优异的高频特性在光模块中起到高频滤波等作用 [1] - AI芯片的功耗大、频率高,电源稳定性直接影响运算效率,硅电容可显著提升主芯片性能 [1] - 当前,硅电容已被英伟达和苹果率先应用 [1] - 商业化落地正与AI大算力芯片、SOC芯片、电源管理IC、光模块等头部企业洽谈合作 [2] - 目标是让电容不再是单一组件,而是作为整体解决方案的一部分,推动行业标准化应用 [2] 公司战略与竞争优势 - 朗矽科技于2023年3月成立,致力于以“硅电容”切入高端电子元器件赛道,逐步构建国产化高端元件平台 [1] - 公司根据行业痛点,选择以“硅电容”为战略切入点 [2] - 中国市场庞大、应用多元多样,客户对新技术接受度高,这使公司能够快速试错、优化快速迭代,与AI等应用场景的结合更加紧密 [2] - 与国际巨头相比,公司在品牌影响力和客户信赖度上仍在追赶,但在技术迭代、产品涉及与定制化封装上更加灵活快速 [2] - 公司可针对各个应用场景提供更高性价比的解决方案 [2] - 其技术发展方向与行业需求高度契合,是投资决策的核心考量 [2]
村田掘金计算市场
半导体芯闻· 2025-09-22 10:36
公司战略与市场定位 - 村田制作所是全球被动元件市场的领头羊,尤其在MLCC领域拥有很高的市场份额,在车载市场的份额更为突出 [2] - 公司的元器件广泛应用于移动设备、家用电器、物联网、汽车、医疗及航空航天等多个领域 [2] - 公司战略一方面是为包括MLCC在内的元器件寻找新市场,另一方面是推动器件升级以把握新时代机遇 [2] 人工智能与光通信市场机遇 - 受AI技术爆发和云计算深化驱动,全球光模块市场在2025-2026年的年增长率预计将达到30%-35% [4] - 公司认为以MLCC为首的产品在AI PC中的用量将显著提升,并将持续关注服务器与交换机这一核心业务 [4] - 公司特别将“加速板卡”应用从服务器中独立出来,以最大化把握AI需求带来的新产品机会 [5] - 光模块被视为有挑战性的应用,高速性能产品增长带动了对公司L1、L2&3产品的需求 [6] - 公司关注“模块化”趋势,例如DC-DC电源模块的参考设计是实现生意增长的关键 [6] 产品技术与创新 - 公司展示了小型化、大容量的MLCC系列产品,具备高有效容值密度和低ESL/ESR特性,以应对大电流挑战并提升设备空间利用率 [8] - 超宽频硅电容产品矩阵带宽最高可支持到220GHz,采用3D结构将厚度控制在100µm内,实现了高容值密度和高集成化 [11] - 硅电容技术具有高可靠性优势,并在法国Caen工厂投资新设8英寸晶圆产线以扩大产能 [12] - 公司还展示了多款电感和磁珠解决方案,例如BLE系列大电流铁氧体磁珠和适用于光收发器的Bias-T电感方案 [12] - 针对数据中心能效需求,公司开发了创新的电源芯片解决方案(如PE24108、PE24110、PE24111),采用两级架构与错相技术以降低DSP核心损耗和模块发热量 [13] - 热敏电阻产品体积小巧,热响应性出众,适用于光模块和数据中心的温度检测、过流保护等 [13] 未来展望 - 公司致力于通过持续提供高性能、高可靠性的产品和解决方案,深化与产业链各方的合作,共同推动光通信技术创新和产业升级 [14]
高密度DTC硅电容量产上市——森丸电子发布系列芯片电容产品
36氪· 2025-07-04 05:31
硅电容技术特性 - 采用单晶硅衬底与半导体工艺实现三维微结构,具备高纯度电介质层,性能显著优于传统MLCC [3] - 容值稳定性比MLCC高10倍以上,温度/偏压/老化引起的容值漂移极低 [3] - 厚度可低于50微米,单位面积容量提升10倍,ESL和ESR极低,保障信号完整性 [3] - 单晶硅结构无晶界缺陷,彻底解决MLCC的微裂纹、压电噪声等问题 [3][5] 硅电容应用场景 - 5G/6G通信领域需高频特性与小型化,01005尺寸成为研发重点 [7] - 汽车电子中ADAS、LiDAR等应用要求耐高温(-55℃至+250℃)与耐高压 [8] - HPC与AI数据中心依赖超低ESL电容解决PDN供电网络挑战 [9] - 医疗设备、光通信等领域通过减少元件数量提升系统可靠性 [4][12] 硅电容与MLCC性能对比 - 电容稳定性:硅电容全工况无衰减,MLCC存在标称值与实际值差异 [5] - 高频阻抗:硅电容ESR/ESL超低,自谐振频率(SRF)更高 [5] - 可靠性:硅电容无压电效应,MLCC易因应力产生微裂纹 [5] - 供应链:硅电容可本土化生产,MLCC曾多次出现全球缺货 [5] 森丸电子产品矩阵 - **DTC沟槽硅电容**:深硅刻蚀工艺,容值0.08-4.6nF,ESR低至13mΩ,击穿电压150V,应用于光通信PDN网络 [11][14] - **MIM表贴硅电容**:平面薄膜工艺,容值0.2-15pF,温漂系数70ppm/°C,适合射频匹配电路 [20][23] - **MIS硅电容**:金属-绝缘体-半导体结构,容值0.8-100nF,耐压>150V,用于耦合/滤波器 [24][28] - **玻璃电容(GMIM)**:玻璃基材机械稳定性强,容值0.1-2nF,击穿电压100-300V,适用高频射频领域 [30][33] 行业技术趋势 - 电容器向"五高一小"发展:高容、高频、耐高温、耐高压、高可靠性及小型化(如0201/01005尺寸) [6] - CPO封装技术推动超低ESL电容需求,HPC芯片功耗增长驱动电源完整性创新 [9] - 半导体工艺赋能无源元件集成,硅电容成为高性能电子系统的"性能心脏" [4][10]