公司上市与业务定位 - 公司已向港交所主板递交上市申请，金联资本为独家保荐人 [1] - 公司是一家无晶圆厂功率半导体供应商，专注于定制化功率器件产品的开发与供应 [1] - 公司为客户提供量身定制的技术应用解决方案 [1] 产品组合与技术 - 公司主要产品为MOSFET [1] - 公司次要产品包括IGBT、GaN MOSFET及SiC MOSFET [1] - 这些产品主要由公司技术专家根据客户要求定制开发 [1] 产品应用与市场 - 公司产品广泛应用于电源转换器和电池管理系统 [1] - 应用场景涵盖消费电子、工业控制、汽车电子、新能源及储能、医疗设备等领域 [1] - 具体应用产品包括扫地机器人、手持电动工具、无人机、各种消费电子适配器、LED照明及户外储能 [1]

交易概述 - 港股上市公司中联发展控股拟以最高90亿港元收购功率半导体企业龙腾半导体最多100%股权 [1] - 交易目前处于不具法律约束力的谅解备忘录阶段，需经过尽职调查、估值博弈及监管审批等多重关卡 [1] - 交易估值区间设定在45亿至90亿港元，跨度巨大，反映交易处于早期阶段 [5] 买方：中联发展控股 - 公司主营皮革时装，经营状况持续恶化，2024年营收仅为2224.9万港元，同比下滑27% [2] - 2023年同期亏损2790.9万港元，截至2024年末经营活动现金流净额为-643.9万港元，几乎丧失自身造血能力 [2] - 收购旨在实现业务根本性转变，从传统皮革时装转型为半导体集成电路概念股 [2] 卖方：龙腾半导体 - 公司为国内功率半导体领军企业，掌握超结MOSFET等先进技术，产品覆盖新能源、汽车电子等赛道 [3] - 财务数据显示其营收从2018年的8908.63万元增长至2020年的1.73亿元，并于2020年扭亏为盈，净利润达2452.73万元 [3] - 2025年前三季度营收达6.14亿元，净利润为-5869.41万元，但公司预计2025年订单饱满，全年同比增长高达300% [3] - 公司曾于2022年主动撤回科创板IPO申请，传统上市路径受阻 [3] 交易动机与背景 - 对中联发展而言，收购是摆脱经营困境、实现估值重塑的战略选择 [2] - 对龙腾半导体而言，借壳上市可避开复杂IPO审核，更快获得资本平台以支持产能扩张和技术研发 [4] - 参与龙腾半导体融资的超10家机构存在退出压力，也是推动交易的重要动力 [4] 潜在影响与关键考量 - 交易若成功，将扭转中联发展连续亏损局面，使其估值逻辑向高成长科技股看齐 [6] - 龙腾半导体亟待建设的8英寸功率半导体器件制造项目可通过上市公司平台进行再融资 [6] - 交易面临三大关键考题：尽职调查结果决定最终估值、巨额对价的支付方式可能稀释现有股权、以及并购后的业务整合挑战 [6]

文章核心观点 - TrendForce集邦咨询发布2026年十大科技市场趋势预测 涵盖晶圆代工、存储器、AI服务器、第三代半导体、储能、AI机器人等重点科技领域 [2] - 剖析关键领域动态 挖掘数据与洞察AI闭环下的"隐形机遇" 为行业发展提供前瞻指引 [2] - 从技术创新、商业落地、市场推动等维度 向行业推荐一批为科技产业带来突出成就的杰出企业 [4] 获奖企业技术亮点 台湾积体电路制造股份有限公司 - 荣获《AI整合制造标杆奖》 凭借革命性CoWoS技术成为驱动AI产业高速发展的核心战略支柱 [5][6] - 构建适配全球AI芯片领导厂商的全场景先进封装解决方案矩阵 [6] - 积极落实大规模CoWoS产能扩张 为全球AI算力生态的规模化扩张筑牢根基 [6] SAMSUNG（三星半导体） - 荣获《高性能存储领航奖》 以技术深耕赋能容量与性能双突破 [8][9] - 构建覆盖移动终端与AI算力场景的高端存储矩阵 [9] - 以高性能高容量产品引领行业升级 赋能全球海量数据的极速处理与高效流通 [9] Solidigm - 荣获《液冷存储技术先锋奖》 率先推出全球首款支持数据中心直连式冷板冷却的企业级SSD [11][12] - 引入单面直触芯片液冷技术 实现对PCIe 5.0极致性能下热负载的高效管理 [12] - 通过卓越能效显著提升AI/ML、HPC等工作负载的算力与存储密度 [12] 长江存储科技有限责任公司 - 荣获《闪存可靠性突破奖》 凭借独创Xtacking®架构确立3D NAND闪存技术战略高地 [14] - 最新一代Xtacking® 4.0架构实现超高能效比与QLC在可靠性和数据耐久度的进一步提升 [14] - 为AI智算中心存力建设注入前沿竞争力 保障高性能固态存储长效稳定运行 [14] KIOXIA - 荣获《年度存储杰出创新奖》 创新实现容量突破 发挥第八代BiCS Flash高密度高效能优势 [16][17] - 推出LC9 245.76TB NVMe SSD产品 单盘位浓缩数十块存储设备的超强性能 [17] - 产品已在大规模AI服务器集群落地 为LLM训练、多模态数据湖等场景提供高可靠支撑 [17] Sandisk 闪迪 - 荣获《闪存技术革新奖》 依托BiCS技术与CBA晶圆键合工艺攻克超低晶粒翘曲难题 [19] - 实现16层晶粒堆叠的高效配置 联合SK海力士制定行业规范并组建技术顾问委员会 [19] - 在降本增效中推动闪存技术生态升级 [19] 华为技术有限公司 - 荣获《AI服务器卓越贡献奖》 以"鲲鹏通算 + 昇腾智算"双引擎筑牢核心根基 [22] - 2025年昇腾910B/910C芯片释放卓越算力 搭配鲲鹏平台高效内存调度能力破解通算高耗难题 [22] - 2026年昇腾950系列将深化芯片-系统-超节点一体化方案 为政企及CSP客户提供高可靠支撑 [22] 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司 - 荣获《中国功率半导体先锋奖》 是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者 [24] - 高性能氮化镓器件广泛用于消费与家电、AI数据中心、新能源汽车及工业等领域 [24] - 推动功率半导体迈向更高效、更智能的新时代 [24] 江苏天合储能有限公司 - 荣获《年度AIDC绿色能源基石奖》 凭借"源-网-荷-储-算"五维协同方案打造全球首个零碳数据中心 [26][27] - 三江源绿电智算融合示范微电网项目实现100%绿电稳定供应 年供电超1000万度 [27] - 储能系统提供安全、高效、智能三重保障 助力"绿电驱动AI算力" 推动"东数西算"工程 [27] 帕西尼感知科技 - 荣获《AI机器人关键技术奖》 在机器人触觉感知领域实现突破性技术进展 [29] - 具备15种多维触觉感知能力 搭载自研双模态仿生灵巧手 全球首创VTLA具身智能大模型 [29] - 推动人形机器人在触觉感知、精细操作与场景落地上取得重大突破 [29]

收购交易概述 - 中联发展控股与徐西昌订立不具法律约束力的谅解备忘录，拟收购龙腾半导体最多100%股权 [1] - 收购代价预期最高约为45亿港元至90亿港元之间，参考目标公司最新融资估值 [1] - 卖方徐西昌为目标公司单一最大股东和董事长，直接持有目标公司24.81%股权 [1] 目标公司业务概况 - 龙腾半导体是一家领先的功率半导体器件及系统解决方案提供商，为中国陕西省重点产业链链主企业 [1] - 公司是国家工业和信息化部专精特新"小巨人"企业 [1] - 公司为半导体行业中的设计型企业，主营业务为以功率MOSFET为主的功率器件产品的研发、设计及销售 [2] - 产品覆盖功率MOSFET分立器件主要类别，形成超结MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET和沟槽型MOSFET四大产品平台 [2] - 产品在LED照明驱动、电源适配器、TV板卡、电池管理系统、通信电源、特种电源等领域广泛应用 [2] 收购战略意义 - 收购有助于集团进一步拓展业务范围，集团一直积极寻求扩展业务 [2] - 中国为全球最大的功率半导体消费市场，占据全球差不多一半的市场份额，但中高端产品国产化率相对较低 [2] - 目标公司拥有兼具产业经验与资本视野的核心团体，能有效扩大在功率半导体消费市场的市场份额 [2]

公司战略与发展 - 公司未来战略方向为内涵式提升与外延式拓展，内涵式包括深耕主业、降本增效、研发新产品、巩固重点客户及开拓海外市场，外延式包括关注并购机会以构建第二增长曲线 [3][4] - 面对国内行业内卷，公司采取“保份额”策略，优先满足重点客户需求以提高市占率，同时拓展海外市场，欧美、日本等多个项目已完成或正在交样，并推进精益生产以提升效率和盈利能力 [4] 产品与应用 - 公司产品主要供货给功率半导体厂商，终端应用领域包括新能源汽车，并正积极开拓数据中心、低空飞行器、轨道交通等新场景 [2] - 核心产品铜针式散热基板为定制化生产，无明显迭代周期，例如斯达半导P系列产品自2015年量产以来未更新迭代 [3] - 产品从设计开发到批量生产原需3-5年，近年因行业快速发展，部分产品已缩短至1-2年 [3] - 产品在热导率、硬度、抗拉强度和精度等性能参数上较同类产品有明显优势 [3] 财务与成本管理 - 公司计划建立健全常态化分红机制，后续如实施股权激励将履行相关决策程序 [2] - 通过价格传导机制部分规避原材料价格波动风险，但因滞后性和波动幅度未触发调价等因素，不能完全规避影响 [2][3] - 与部分客户未明确约定年降机制，实际降价由双方协商，公司将通过技术创新、开拓新市场和新客户优化结构，降低年降影响，并深化技术降本和供应链协同以稳定毛利率在合理区间 [3]

公司股价与市场表现 - 公司午后股价上涨3.84%至75.8港元，成交额达2.18亿港元 [1] - 公司是全球氮化镓功率半导体龙头企业，以收入计去年全球市场份额达到30% [1] 核心专利与技术优势 - 公司正式获得关于其两项核心氮化镓专利有效性的胜利结果，国家知识产权局维持其专利权利要求全面有效 [1] - 竞争对手英飞凌提出的无效请求被驳回，在此案上彻底败诉 [1] 行业增长前景与公司合作 - 全球氮化镓功率半导体市场预计将以63%的年均复合增长率快速增长（2024至2028年） [1] - 公司与英伟达合作开发800V HVDC架构，预计自2027年起带来收入上升潜力 [1] - 规模经济和技术创新将推动公司盈利能力持续改善 [1]

事件概述 - 中荷半导体风波“安世之乱”取得阶段性结果 中国同意部分恢复安世半导体芯片出口 欧洲最大汽车制造商大众汽车已收到中断多月后的首批芯片[1] - 过去几个月 欧洲车企因芯片断供陷入半停摆状态[1] 事件起因与经过 - 荷兰政府于9月30日突然宣布对中资控股的安世半导体荷兰总部实施接管 该事件在中国业内被称为“供应链人质危机”[3] - 安世半导体主业是用于汽车和新能源设备的功率半导体[3] - 中国商务部第一时间要求荷兰停止侵害中资企业权益 恢复贸易秩序 但荷兰方面初期态度强硬[3] - 作为反制 安世中国的工厂自行开闸出货 绕过被接管的荷兰总部 确保了芯片供应[3] - 中国商务部在11月9日声明中指出 全球半导体供应链混乱的源头在荷兰政府 希望欧方促使荷兰尽快撤销错误措施[3] 中国的策略与立场 - 中国本着对全球产业链安全负责的态度 对符合民用用途和出口要求的产品予以豁免 旨在维护规则而非“卡脖子”[5] - 通过实际行动表明 安世的核心生产线在中国 全球车企所需芯片依赖中国工厂 产能无法被冻结[5] - 反应冷静且强硬 利用制度和供应链力量进行反向施压 未选择公开制裁或直接对抗[5][6] 对欧洲的影响与反应 - 事件导致欧盟内部出现罕见分歧 欧盟委员会倾向于缓和 因欧洲制造业深度依赖中国的半导体中低端供给[5] - 从电动车、光伏设备到家電、工业控制系统 中国芯片已深入欧洲供应链[5] - 荷兰的强硬行为打乱了欧洲自身的产业节奏 欧盟反而需出面劝荷兰冷静[5] - 欧洲汽车产业因芯片断供受到严重影响 事件缓解后总算能喘一口气[1] 事件结果与深层含义 - 荷兰政府的行动被解读为一次“赌博” 试图利用ASML光刻机和欧美政治加持试探中国底线 但最终赌输[5][6] - 现阶段安世荷兰的行政权虽仍在荷兰手中 但产业话语权已失[6] - 表面上是中荷博弈 实则是中国与整个欧洲产业安全逻辑的对撞 中国给予荷兰“黄牌警告” 同时也给予欧洲一个避免政治干预产业的机会[6]

超宽禁带氧化物半导体材料概述 - 功率半导体材料正从硅（Si）向碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）进化，并进一步向超宽禁带（UWBG）氧化物材料如二氧化锗（GeO2）和氧化镓（Ga₂O₃）发展 [1] - 驱动因素包括电动汽车普及、AI数据中心能耗增长、节能减碳需求及车载功率模块小型化趋势 [1] - 超宽禁带氧化物材料被期待实现更高耐压、更高功率及更高效率的下一代功率半导体器件 [1] 二氧化锗（GeO2）的技术突破与潜力 - 日本Patentix株式会社全球首次利用FZ法成功生长出5毫米尺寸的金红石型二氧化锗（r-GeO2）块体晶体，带隙高达4.68 eV，远超SiC（3.3 eV）和GaN（3.4 eV）[1][4] - r-GeO2理论上可同时实现p型与n型掺杂，有望应用于下一代高性能常关型MOSFET [4] - 二氧化锗的优势包括超宽带隙潜力、适用于P型和N型掺杂、以及拥有廉价的块状晶体和外延层 [2] - Patentix公司自2022年12月成立以来累计融资额达10.59亿日元，目标是制备半英寸级r-GeO2块体衬底并开发超高性能功率器件 [4][10] - 除金红石型外，三角晶系α-石英型GeO2带隙达6.2 eV，有望应用于下一代肖特基势垒二极管及未来7G通信 [10] 氧化镓（Ga₂O₃）的材料特性与日本进展 - β-Ga₂O₃是热力学最稳定的晶相，带隙约4.8 eV，击穿电场达8 MV/cm，Baliga优值（BFOM）约为SiC的10倍、GaN的4倍 [11][12] - 主要短板是导热性低，约为SiC的十分之一 [12] - β-Ga₂O₃可采用直拉法（Czochralski）等熔体法实现大规模制备，能自支撑生长，无晶格失配问题 [11] - 日本在氧化镓研究上积累深厚，2012年东京NICT的Masataka Higashiwaki教授发表了全球首个击穿电压超过250V的单晶β-Ga₂O₃晶体管 [14] - 日本公司Novel Crystal Technology（NCT）在2025年4月开发出垂直结构β-Ga₂O₃ MOSFET，其功率品质因数（PFOM）达到1.23 GW/cm²，创全球纪录，比此前最高值提升3.2倍 [15] - 2025年8月，NCT与美国Kyma Technologies合作开发150毫米（6英寸）大面积氧化镓外延晶圆制备工艺 [17] 中国在氧化镓（Ga₂O₃）领域的产业化进展 - 杭州镓仁半导体在2025年3月推出全球首块8英寸β-Ga₂O₃单晶，采用自主研发的铸锭法（Casting Method），实现了从2英寸到8英寸的跨越式发展 [18] - 8英寸β-Ga₂O₃衬底与现有8英寸硅产线完全兼容，有助于提升材料利用率、降低成本 [18] - 镓仁半导体在2025年2月成功制备出6英寸斜切型β-Ga₂O₃衬底，并已实现量产交付 [20] - 公司于2024年9月推出自主研发的垂直Bridgman（VB）生长系统，可实现β-Ga₂O₃晶体的全自动生长 [21] - 初创企业镓创未来（2025年7月成立）专注于氧化镓外延片，通过异质外延技术路线可将材料成本降低10倍以上，并自主研发HVPE设备 [22] - 国内另有铭镓半导体、深圳进化半导体、北京镓族科技等多家企业涉足氧化镓材料、外延与装备环节，已完成技术自立，正迈向产业化扩展 [23]

公司评级与市场地位 - 美银证券首次覆盖英诺赛科，给予“买入”评级，目标价108港元 [1] - 公司是氮化镓功率半导体龙头企业，以收入计去年全球市场份额达到30%，为全球最大 [1] 行业增长前景 - 全球氮化镓功率半导体市场预计在2024至2028年间将以63%的年均复合增长率快速增长 [1] 公司增长驱动力与财务预测 - 规模经济和技术创新推动公司盈利能力持续改善 [1] - 公司与NVIDIA合作开发800V HVDC架构，预计自2027年起带来收入上升潜力 [1] - 美银证券预测公司2024至2027年收入年复合增长率为72% [1] - 预计公司2027年的净利润率为12.1% [1]

投资评级与目标价 - 美银证券首次覆盖英诺赛科，给予“买入”评级，目标价为108港元 [1] 行业增长前景 - 全球GaN功率半导体市场在2024至2028年间预计将以63%的年均复合增长率快速增长 [1] 公司增长驱动因素 - 规模经济和技术创新推动公司盈利能力持续改善 [1] - 公司与英伟达合作开发800V HVDC架构，预计自2027年起带来收入上升潜力 [1] 财务预测 - 美银证券预测公司2024至2027年收入年复合增长率为72% [1] - 预计公司2027年的净利润率为12.1% [1]