核心观点 - 市场仍处于震荡反复的行情中，权重股护盘难掩成长股疲软，最理性的策略是保持冷静与耐心，以不变应万变 [1][8] - 操作上，无论科技成长、顺周期还是红利股方向，均应选择有业绩支持的标的逢低布局，远离缺乏业绩支撑的高估值题材股 [1][2][8] - 逢低布局绩优股是当前占优策略 [1][9] A股市场走势与研判 - **周四市场表现**：市场呈现明显分化格局，上证指数在银行、煤炭等权重板块护盘下收涨0.16%，报3876.37点；深证成指下跌1.29%，报13053.97点；创业板指下跌2.17%，报3107.06点；科创50指数下跌1.46%，报1305.97点 [4][5] - **市场成交**：两市总成交额为16555亿元，其中沪市成交7048.96亿元，深市成交9505.87亿元，创业板成交4498.55亿元，科创板成交387.19亿元 [5] - **整体判断**：市场未能延续前一日午后强势回升势头，权重护盘但成长股与科技股走弱拖累整体表现，市场情绪一般，赚钱效应一般 [1][4][5] 行业与板块表现 - **涨幅居前板块**：医药商业、航天航空、商业百货、医疗服务、银行等板块涨幅居前；卫星互联网、盲盒经济、6G、商业航天等概念股活跃 [4][6][7] - **跌幅居前板块**：电池、电源设备、能源金属、电子化学品、玻璃玻纤、电网设备等板块跌幅居前；第四代半导体、麒麟电池、同步磁阻电机、地热能、锂矿等概念股走弱 [4] 重点板块点评与机会 - **医药商业板块**：板块大涨，催化因素为财政部会同国家医保局提前下达2026年城乡居民基本医疗保险补助等资金共计4166亿元，且2018年至2025年中央财政累计为医疗保障投入超3万亿元 [6] - **高股息率板块（如银行）**：力挺指数，后市建议逢低关注，预计电力、水务、燃气、公路及上游资源品等国有垄断的基础类行业将受到青睐，应选择必需品属性强、有壁垒及护城河的资产 [6] - **商业航天概念**：板块活跃，得益于国家航天局商业航天司正式设立及《推进商业航天高质量安全发展行动计划（2025—2027年）》公布，政策明确了审批流程与频轨资源分配，为行业提供了稳定可预期的发展环境 [7] 投资策略建议 - **科技成长方向**：包括半导体芯片、泛AI主题及机器人行业等，应选择有业绩支持的标的逢低布局 [2][8] - **顺周期行业**：包括光伏、电池、储能、化工、煤炭、有色等，应选择有业绩支持的标的逢低布局 [2][8] - **红利股方向**：包括银行、公用事业、“大象股”等，应选择有业绩支持的标的逢低布局 [2][8] - **总体原则**：操作上以不变应万变，逢低布局绩优股，远离缺乏业绩支撑的高估值题材股 [1][2][8][9]

行业板块表现 - 第四代半导体板块整体表现疲软，领跌市场，板块整体下跌1.94% [1] 重点公司股价变动 - 中国西电股价下跌幅度较大，达到4.52% [1] - 南大光电股价下跌1.84% [1] - 衢州发展股价下跌0.77% [1]

（文章来源：每日经济新闻） 每经AI快讯，第四代半导体板块领涨，上涨1.96%。其中，中国西电上涨7.71%，南大光电上涨2.58%。 ...

市场整体表现 - 12月12日A股市场在中央经济工作会议提振下放量上涨，成交额达2.12万亿元，较前一日大增2337亿元 [1][2] - 主要指数温和收高，深市表现强于沪市，其中沪指收涨0.41%，深证成指收涨0.84%，创业板指收涨0.97%，科创50指数收涨1.74% [2] - 市场分化显著，个股涨跌互现，仅有2683只个股收涨，2612只个股收跌，涨停个股83只，跌停个股26只 [1][6] 行业板块表现 - 科技股整体走强，申万一级31个行业中21个收涨，有色金属、电子、电力设备、机械设备、通信、国防军工等热门赛道涨幅均超过1% [4] - 电力设备板块表现尤为强势，掀起涨停潮，板块整体上涨1.42%，共有19只个股涨停，年初至今涨幅达42.04% [1][5][7] - 有色金属板块领涨，涨幅为1.50%，电子板块上涨1.46%，通信板块上涨1.19%，国防军工板块上涨1.14% [5] - 大消费相关板块表现疲弱，商贸零售、综合、房地产等板块收跌，食品饮料板块仅微涨0.41%，年初至今累计下跌8.05% [1][4][5] 资金与交易特征 - 市场交投活跃度显著提升，杠杆资金热度较高，截至12月11日，沪深京两融余额约为2.51万亿元 [2] - 电子、电力设备、通信等行业成交额居前，分别达到4092亿元、2161亿元和1820亿元 [5] - 沪深300指数成分股调整生效，多只科技制造股被纳入，推动相关指数基金进行被动配置，为电子、通信等板块带来增量资金 [8] 概念与个股表现 - 可控核聚变、高带宽内存、超导概念、第四代半导体、消费电子设备、贵金属等概念板块大涨 [4] - 算力概念表现相对一般，CPO概念龙头股“易中天”日成交额靠前，新易盛涨近3%，但中际旭创、天孚通信收跌，近日大涨的摩尔线程回调逾13% [6][8] - 电力设备板块内多只个股涨停，包括中能电气、通光线缆“20cm”涨停，以及中国西电、华菱线缆、风范股份、东方电气、长城电工等 [7] 市场驱动因素分析 - 中央经济工作会议释放出积极的宏观政策信号，把科技创新、新质生产力、新能源等作为政策重心，直接点燃了电力设备、通信、国防军工等赛道 [8][9] - 政策层面持续释放积极信号，宏观政策为市场提供支撑，同时科技等主线赛道在资金流入与业绩向好的双重推动下表现活跃 [11] - 美联储如期降息，且明年仍有降息空间，海外流动性宽松对人民币汇率掣肘减轻，国内会议提出灵活高效运用降准降息等多种政策工具，提升了短期流动性宽松预期 [10] 机构观点与后市展望 - 机构认为短期市场处于政策与数据真空期，难现连续拉升，震荡仍是主基调，但有望延续震荡上行趋势 [1][11] - 配置上建议关注政策与资金形成共振的领域，特别是与新质生产力相关的赛道，以及低位券商和调整充分、景气未证伪的科技板块 [11] - 2026年春季行情可关注三大方向：受益于AI基建爆发式增长的通信设备核心细分领域、国产替代加速的半导体板块、以及需求大幅增长的钠电池与固态电池板块 [12] - TMT、机械、有色金属、化工、军工、电新、新消费、教育等行业可能受益于后续政策与经济修复 [10]

公司上市与募资情况 - 广东天域半导体股份有限公司于12月5日在香港联交所主板上市，股份代码为02658 [1] - 公司全球发售3007.05万股股份，发行价为每股58港元，募集资金总额约17.44亿港元 [1] - 募集资金将主要用于五年内扩张整体产能，扩产8英寸碳化硅外延片、布局东南亚生产基地，并延伸至氧化镓等第四代半导体研发 [3] 公司业务与产能 - 公司成立于2009年，总部位于广东东莞，是中国最早专注于碳化硅外延片研发与制造的企业之一 [1] - 产品涵盖4英寸、6英寸、8英寸等多种规格，广泛应用于电动汽车、光伏、储能、轨道交通等领域 [1] - 东莞总部现有生产基地建筑面积约35978平方米，主要用于生产6英寸碳化硅外延片 [1] - 东莞生态园新基地预计于2025年底投产，将进一步扩大产能优势 [1] 股权结构与主要股东 - 上市前，创始人李锡光直接控制约29.05%权益，创始人欧阳忠直接控制约18.21%权益 [1] - 华为哈勃科技持有约6.57%权益，比亚迪持有约1.50%权益 [1] - 根据招股书表格数据，李先生（李锡光）在上市后（假设超额配股权未获行使）持股比例约为26.83% [2] - 根据招股书表格数据，周先生（欧阳忠）在上市后（假设超额配股权未获行使）持股比例约为16.81% [2] - 根据招股书表格数据，哈勃科技在上市后（假设超额配股权未获行使）持股比例约为6.07% [2] 资金用途与未来规划 - 键合衬底外延技术产业化项目作为重点投向，预计投资7亿元 [3] - 该项目旨在进一步巩固公司在全球第三代半导体材料领域的话语权 [3] - 公司计划利用在第三代半导体材料的成功经验扩大研发重点 [3]

公司融资与基本情况 - 镓创未来半导体科技（晋江）有限公司近期完成千万级天使轮融资，投资方包括聚卓资本、晋江人才科创基金、芯丰泽半导体及个人投资人，资金将用于提升外延片产能和加速第四代半导体材料产业化 [1] - 公司成立于2025年7月，专注于第四代超宽禁带半导体材料氧化镓外延片的研发与产业化，创始团队均为微电子学与固体电子学博士，在宽禁带半导体领域有近10年研究经验 [1] - 公司核心产品为氧化镓外延片系列，包括同质及异质外延片，涵盖蓝宝石基、碳化硅基和硅基产品线，已与二十余家科研机构合作，并与多家半导体客户签订采购合同 [1] 氧化镓材料性能优势 - 氧化镓作为第四代半导体材料，拥有4.9eV的超宽禁带宽度，远超碳化硅的3.3eV和氮化镓的3.4eV，其临界击穿电场高达8MV/cm，是碳化硅的3倍多 [2] - 氧化镓的巴利加优值达到3444，分别是氮化镓的4倍和碳化硅的10倍，这意味着其在功率器件应用中具有极低的导通损耗，功率损耗仅为碳化硅的1/7、硅的1/49 [2] - 材料性能优势对提升新能源汽车、光伏逆变器等领域的能源转换效率有重大意义，其日盲紫外波段响应特性填补市场空白，并有望拓展3000V以上超高压应用场景 [2] 氧化镓产业化挑战 - 氧化镓衬底生长需使用铱坩埚，贵金属成本高导致国产2英寸氧化镓衬底价格高达2万元左右，是同尺寸碳化硅价格的40余倍，严重制约产业化进程 [3] - 外延产业尚属早期，现有产品存在尺寸小、厚度薄、迁移率低等问题，影响产品成本、集成度、耐压可靠性和能效，同时p型掺杂技术和材料热导率低是行业公认难题 [3] 公司技术路径与突破 - 公司采用异质外延技术路线，在碳化硅、蓝宝石、硅等成熟商业化衬底上生长氧化镓，将材料成本降低10倍以上 [5] - 公司自主研发HVPE设备，实现大尺寸、厚膜、高迁移率异质外延片的稳定生产，并在宽掺杂浓度范围等关键性能指标上取得突破 [5] - 通过自研设备与异质外延技术结合，公司不仅解决技术难题，还实现成本大幅降低 [6] 市场应用与公司发展策略 - 氧化镓器件应用涵盖电力电子与光电探测两大领域，包括新能源汽车快充桩、光伏逆变器、电网监测、消防预警等场景 [8] - 公司重点聚焦高价值赛道，功率器件端主攻新能源汽车800V以上高压平台及AI数据中心电源，光电器件端聚焦日盲紫外探测、深紫外光源等应用 [8] - 据富士经济预测，2030年氧化镓功率元件市场规模将达到碳化硅的36%，甚至超过氮化镓功率元件规模 [8] - 公司采取分阶段推进策略，初期服务高校科研院所，后续拓展器件设计公司和IDM厂商合作，最终目标规模化进入新能源汽车、工业电源等主流市场 [8] - 公司一期项目已于2025年7月启动，在晋江集成电路产业园落成超净间，用于氧化镓同质和异质外延产品的批量生产 [9]

市场表现 - 中国A股29日主要股指悉数上涨，上证指数收盘报4016点，涨幅0.7%，突破4000点整数关口，创十年新高 [1] - 深证成指收盘报13691点，涨幅1.95%，创业板指收盘报3324点，涨幅2.93% [1] - 沪深两市成交总额约22560亿元人民币，较上一交易日放量约1082亿元人民币 [1] 板块表现 - 锂矿概念板块涨幅4.02%，第四代半导体板块涨幅2.9%，量子科技板块涨幅2.88%，超导概念板块涨幅2.7% [2] 市场驱动因素 - 当前市场驱动逻辑相较十年前发生深刻变化，行情由政策与产业基本面共振驱动 [1] - 科技领域是当前市场投资主线，关键逻辑在于三季报数据显示相关领域业绩亮眼 [1] 政策支持 - “十五五”规划建议提出科技自立自强，为相关产业提供顶层政策扶持 [1] - “十五五”时期主要目标包括科技自立自强水平大幅提高，国家创新体系整体效能显著提升，重点领域关键核心技术快速突破 [2]

AI产业能耗挑战与半导体技术瓶颈 - AI对算力需求激增百万倍，GPU功耗同步陡升 [1] - 行业估算2026年全球数据中心日耗电量将相当于日本全年用电量 [1] - 国产GPU在同等算力下功耗更高，“以电强算”成为破局关键，需提升能量转换效率 [1] - 需突破低比导通电阻、低开关FOM、高质量外延生长、超低欧姆接触等关键技术难题 [1] 深圳平湖实验室核心定位与能力 - 实验室是科技部支持的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台的运营主体 [1] - 聚焦第三代半导体器件物理研究、材料研究、技术开发、产品中试，以及第四代半导体前沿研究 [2] - 设置研究中心、中试中心、分析检测中心和成果转化中心四大中心，具备全链条研发到产业化能力 [2] - 致力于打造第三代及第四代功率半导体科研与中试平台 [2] 碳化硅技术重大突破 - 实现碳化硅激光剥离技术突破，8吋单片总损耗＜75微米，切割时间≤20分钟，成本降低26% [2][7] - 突破200微米超厚膜缺陷控制与少子寿命提升难题，超厚膜外延达国际先进水平 [6] - 首次实现商用4°偏角4H-SiC衬底上3C-SiC外延高质量生长，有望解决碳化硅功率器件栅氧迁移率低难题 [6] 硅基GaN与SiC平面栅技术进展 - GaN外延技术面向高压车规应用，1200V外延在厚度、翘曲、垂直耐压方面达国际先进水平 [7] - 针对AI供电的15-40V低压外延研究取得突破，高质量选区二次外延技术为超低压GaN产业化扫除障碍 [7] - 突破超窄平面栅元胞结构设计、超高深宽比源极接触孔制备等关键技术，构建高性能1200V SiC平面栅MOSFET器件技术能力 [7] 设备与材料国产化成果 - 平台在通线阶段完成123台套优秀国产设备使用验证，其中16台属国内细分领域首台套装备 [8] - 完成96%的材料国产化验证，涵盖靶材、特气、化学品及光刻胶等，打破国外垄断 [8] - 计划在2026年和2027年进一步提升功率密度和器件可靠性，并在第四代器件方面取得突破 [8] 开放式平台运营与产业服务模式 - 建成全球首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，拥有380余台套先进设备，100级洁净间面积9500平方米 [12] - 设备面向市场提供服务，已服务30家以上合作伙伴、10家以上中试客户、45家以上分析检测服务客户，与8所高校开展科研合作 [12] - 通过为产业链提供制造试验服务，帮助企业跨越“中试死亡谷”，推动科研成果量产 [11][12] - 运营模式既最大化设备利用效率，又可通过市场反馈收集行业痛点反哺研究 [12]

技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心（深圳）完成技术平台1.0 在衬底与外延技术、SiC平面栅与沟槽栅技术、GaN外延与器件技术等方面取得重大突破[1] - 实现碳化硅激光剥离技术突破 实现8英寸单片总损耗小于75微米 切割时间小于等于20分钟 成本降低26% 整体性能达到国际领先[1] - 突破200微米超厚膜缺陷控制与少子寿命提升难题 超厚膜外延达到国际先进水平 并首次实现商用4公式偏角4H-SiC衬底上3C-SiC外延高质量生长[1] - 自主设计业界首台多功能超宽禁带材料和万伏大功率器件综合表征系统 利用国产材料制备了国内首个氮化铝/富铝镓氮HMET器件[1] 平台建设与规划 - 深圳综合平台是全球首个集科研和中试于一体的8英寸先进功率半导体开放共享平台 具备全链条研发到产业化能力 设有四大中心[2] - 平台计划进一步提升功率密度和器件可靠性 同时在第四代半导体器件方面取得突破[2] - 在2025湾区半导体产业生态博览会上 平台与14家产业链伙伴达成合作签约 完善产业生态布局[3] - 国家第三代半导体技术创新中心EDA设计公共平台正式启用[3] 行业地位与前景 - 功率半导体是现代电力电子器件和射频器件的高潜力材料 与集成电路同等重要 核心竞争力在于材料和器件结构的结合[2] - 以SiC和GaN为代表的第三代半导体 以及以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的第四代半导体 未来应用前景十分广泛[2] - 平台技术瞄准新型智能电网、轨道交通等国家战略需求 开展特高压厚膜、超结外延研究[1]

市场走势与情绪 - 市场在经历周初震荡后迅速企稳并走出稳定向上走势 显示内生性向上动力稳定且处于多头市场 [1] - 市场热点呈现多元化扩散 汽车整车和航空机场等前期边缘板块处于领涨位置 [1] - 电网设备 机器人执行器和第四代半导体等原有强势概念板块表现强劲 科技方向仍具高吸引力 [1] 后市展望与关注点 - 市场预计维持强势震荡格局 热点在延续主流的同时有一定外延扩散 科技大方向未改变 [1] - 未来需关注陆续披露的三季度宏观经济数据 包括新增信贷 居民储蓄 投资 消费和GDP增速等重要指标 [1] - 随着上市公司三季报进入密集披露期 可关注业绩超预期个股的表现机会 [1]