行业与公司 * 专用设备行业 光伏设备龙头公司迈维转型半导体设备[1] 核心观点与论据 业务转型与布局 * 公司自2021年起布局半导体领域 依托真空技术 激光技术和精密装备技术三大基准技术 拓展半导体 显示和光伏三个泛半导体领域设备[2] * 2022年组建完成半导体业务团队 2023年推出新品 2024年获得批量订单 2025年实现大批量放量[4] * 研发投入巨大 2024年研发费用近10亿元 其中40%投入半导体设备方向 2025年上半年研发费用达4至5亿元 大部分投向半导体前道及后道设备[1][4] * 研发投入远高于其他光伏设备公司 其他公司研发投入最多仅两三亿元[5] 订单与增长预期 * 2024年半导体设备新签订单约10亿元 预计2025年翻倍至20亿元 2026年有望达40亿元[1][6] * 前道设备增速显著 2024年新签订单约2亿多元 预计2025年超8亿元 2026年有望达15-20亿元[1][6][11] * 后道封装加显示领域订单快速增长 2024年约8亿元 预计2025年达15亿元 2026年有望达20-25亿元[3][17] * 2025年利润预估小8亿 2026年可能达8-9亿以上[3][20] 产品与技术布局 * 晶圆制造环节聚焦刻蚀和薄膜沉积设备 两者占据存储资本开支约40%[1][7][8] * 现有五款主要产品 刻蚀机 薄膜沉积机 研磨抛光机 切割机和键合机 覆盖前道和先进封装领域[1][7] * 高选择比刻蚀设备市场推出氧化硅和多晶硅刻蚀设备 专注小众市场以获取更大份额 氧化硅刻蚀市场空间每年约10至30亿人民币 多晶硅刻蚀市场空间也在10至30亿人民币[10] * 推出钼薄膜沉积设备 受益于钼材料替代钨材料趋势 预计将占据重要市场份额[1][10] * 后道工艺重点布局气膜抛和键合设备 服务于先进封装 提供混合键合 热压键合 临时键合和解键合四种类型产品 覆盖度高于其他国内厂商[1][12][13] * 半导体封装技术重点储备TCB和Hybrid Bonding技术 后者预计未来广泛应用于HBM和CoWoS等封装领域[3][14] * 显示设备业务围绕激光和精密装备 涵盖激光切割 打孔等 应用于OLED Micro LED和Mini LED等 涉及晶圆键合 激光剥离及巨量转移等关键设备[3][15][16] * 光伏领域聚焦HJT和钙钛矿技术 目标功率不断提升 2025年目标功率800瓦 较2024年730瓦有所提升 积极研发钙钛矿叠层技术 钙钛矿整线解决方案单线产能可达200兆瓦 转换效率约29%[3][18] 市场与客户 * 前道设备主要客户为先进制程厂商[1][11] * 后道设备已交付给长电 通富华天 盛合晶微等国内龙头客户[12] * 高选择比刻蚀设备市场由海外巨头垄断 国内市场高瓴资本布局北方华创 迈威和一堂半导体三家企业[9] 其他重要内容 * 公司还自主研发关键耗材如磨轮和刀片 以推动轻磨抛设备发展[12] * 在摩尔定律逐渐失效背景下 先进封装技术成为突破芯片尺寸极限的重要途径[12] * 国内HJT市场韬光养晦状态下 公司积极研发下一代钙钛矿叠层 并与下游客户进行demo测试[20]

公司专利技术 - 苏州晶方半导体科技股份有限公司于2025年8月16日获得一项名为"封装结构及芯片"的专利，授权公告号CN223230341U，申请日期为2024年08月 [1] - 专利技术通过在通孔侧壁上方的第一绝缘层上间隔设置第二绝缘层和第三绝缘层，减小了整段式绝缘介质层对金属层与焊垫接触位置的应力作用，有效保护了应力集中位置的第一绝缘层，提高了封装结构的可靠性 [1] - 专利涉及的具体结构包括衬底、焊垫、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和金属层，金属层与焊垫相接触 [1] 公司基本情况 - 苏州晶方半导体科技股份有限公司成立于2005年，位于苏州市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本65217.1706万人民币 [2] - 公司对外投资了7家企业，参与招投标项目13次 [2] - 公司拥有商标信息26条，专利信息398条，行政许可18个 [2]

玻璃基板技术发展现状 - 英特尔长期芯片封装专家段罡博士离职加入三星电机 标志着玻璃基板技术格局重新洗牌 [2] - 玻璃基板相比传统塑料基板具有更光滑表面、更好热稳定性和更低介电损耗 晶片互连密度可提升10倍 [3] - 英特尔2023年9月宣布推出业界首批用于下一代先进封装的玻璃基板 计划2026-2030年推出 [4] 英特尔的技术布局与战略调整 - 英特尔在玻璃基板领域已研发十多年 拥有超过600项相关发明 解决了玻璃易碎性和互连密度等关键问题 [7] - 玻璃基板将带来高速信号传输、改进功率传输和光学集成等方面的设计灵活性 初期成本差异将随产量增加而缩小 [8] - 英特尔战略重心转向14A/18A制程节点和核心产品线 对玻璃基板投入弱化 倾向"战略性外采"模式 [12][13] 三星的快速布局与集团协同 - 三星电机计划2025年建立试制品产线 2026年量产 比原计划提前一个季度 目标供应美国大型科技公司 [15] - 三星电子计划2028年将硅中介层转换为玻璃中介层 采用100×100mm以下尺寸以加快技术实施速度 [19][20] - 三星集团内部协同明显 三星电子与三星电机、三星显示联合研发玻璃基板 段罡加盟进一步增强实力 [21] 其他厂商的竞争格局 - 台积电据传已重启玻璃基板研发 中国台湾厂商成立E-core System联盟展示515×510mm玻璃中芯样品 [23] - SKC子公司Absolics展示玻璃基板优势 美国工厂进入原型生产阶段 年产能约12,000m² [25] - LG Innotek计划2025年底前产生样品 JNTC韩国工厂月产量达10,000片 Ibiden将玻璃基板纳入资本支出计划 [26][27] 行业影响与发展趋势 - 玻璃基板技术成熟将带来更强算力、更低功耗和更小体积 可能引发半导体封装技术革命 [29] - 多元化竞争格局加速技术发展 英特尔转向采购、三星快速推进、台积电蓄势待发、供应商激烈竞争 [29] - 在AI需求推动下 玻璃基板产业化步伐加快 预计2030年前实现大规模量产并非奢望 [27][29]

英特尔人才流失与玻璃基板技术 - 英特尔核心员工段刚（负责玻璃基板和EMIB技术）离职加入三星，担任封装解决方案执行副总裁，其在英特尔工作17年并拥有近500项专利申请 [2] - 段刚的离职反映英特尔对非主流项目兴趣减弱，可能影响公司长期技术竞争力，尤其在玻璃基板等前瞻领域 [2][3] - 英特尔原计划2026-2030年推出玻璃基板技术，目标应用于数据中心、AI及高性能计算，并预计2030年前实现单封装容纳1兆个晶体管 [3][4] 玻璃基板技术优势 - **性能提升**：玻璃基板超低平坦度可减少50%图案失真，提高光刻精度，互连密度较有机基板提升10倍 [4] - **热稳定性**：玻璃基板耐高温且机械稳定性强，适合高功率芯片散热，提升半导体可靠性 [4] - **创新潜力**：支持光学通道整合，实现芯片与光学系统直接通信，提升数据传输效率，并推动小芯片封装技术发展 [5] 玻璃基板技术挑战 - **制造难度**：玻璃基板易碎（厚度小于100μm），需先进设备处理，且金属线粘附问题待解 [5][6] - **工艺限制**：分层能力有限，需开发新方法实现高密度布线，通孔技术（如TGV）仍需完善 [6] - **成本与竞争**：玻璃基板成本高于塑胶等材料，且面临硅基板等替代方案的竞争压力 [6] 行业影响与前景 - 玻璃基板技术有望重塑半导体封装标准，推动高性能计算和AI领域发展，但需克服材料与工程瓶颈 [7] - 英特尔若放弃该技术可能丧失行业领先地位，而三星通过吸纳关键人才或加速技术突破 [3][7]

台积电技术发展 - 公司正在全力推进整合型扇出封装（CoWoS）技术 [1] - 目标是通过CoWoS技术缩小差距，时间节点包括现在和2026年 [1]

技术突破 - LG Innotek成功开发全球首个铜柱(Cu-Post)技术并实现量产 该技术应用于移动半导体基板 取代传统焊球连接方式 使智能手机更薄且性能更高[1] - 铜柱技术核心工艺为先在基板上放置铜柱 再在铜柱上放置焊球 与传统直接放置焊球相比 可将焊球间距缩小约20% 提高封装密度[1] - 铜材料优势明显：熔点远高于焊料 高温工艺中保持结构稳定性 防止键合过程中变形 导热系数约为传统焊料7倍 散热更快[1] 专利与产品规划 - 公司已获得约40项与Cu-Post技术相关的专利 计划将该技术应用于RF-SiP和FC-CSP基板[1] - 未来业务发展重点包括FC-BGA和RF-SiP基板 以及车辆AP模块等高附加值产品 目标2030年实现年收入超过22亿美元[2] 行业挑战 - 铜柱封装技术面临微结构制造精度要求极高的挑战 芯片集成和生产良率管理难度大[2] - 铜材料成本高于传统焊料 投资回报率成为业界需要仔细评估的关键问题[2]