ASML Holding N.V. (NASDAQ:ASML) is among the high growth mega cap stocks you can buy and hold for the next 3 years. According to the latest disclosure with the SEC, SCS Capital Management LLC has increased its stake in ASML Holding N.V. (NASDAQ:ASML) through the purchase of 706 shares, valued at $468,000. Earlier, on September 9, 2025, ASML Holding N.V. (NASDAQ:ASML) announced a €1.3 billion investment in Mistral AI, making it the French startup’s largest shareholder. Europe’s largest AI deal forms a stra ...

智通财经APP获悉，受英特尔(INTC.US)带动，周四，美股半导体股普涨，阿斯麦(ASML.US)涨逾6%， 应用材料(AMAT.US)涨逾5%，美光科技(MU.US)涨近5%，安森美半导体(ON.US)涨逾4%。小摩近日发 布研报称，在7月份发布令人失望的第二季度报告后，阿斯麦表示"我们仍为2026年的增长做准备，但现 阶段还无法确认这一计划"，此后，阿斯麦公司在8月和9月的消息面上有所改善。因此，在小摩看来， 最糟糕的消息似乎已经过去了。尽管2026年对该公司来说可能不是强劲的增长年份，但阿斯麦很可能会 给出更好的中期预期，这将有助于其2027年在逻辑和存储市场的销售实现强劲增长。 ...

半导体行业表现 - 美国半导体股票盘前普遍上涨 受英特尔带动[1] - 阿斯麦股价上涨7.03%[1] - 美光科技股价上涨2.35%[1] - 安森美半导体股价上涨2.13%[1] - 应用材料股价上涨5.6%[1]

每经AI快讯，受英特尔大涨带动，部分半导体相关股票盘前拉升。新思科技大涨超12%，阿斯麦盘前涨 7%，应用材料涨近6%。此前英伟达宣布向英特尔投资50亿美元。 ...

（文章来源：每日经济新闻） 每经AI快讯，受英特尔带动，美国半导体股票盘前纷纷上涨，阿斯麦涨7.03%，美光科技涨2.35%，安 森美半导体涨2.13%，应用材料涨5.6%。 ...

格隆汇9月18日｜受英特尔带动，美国半导体股票盘前纷纷上涨，阿斯麦盘前涨7%，应用材料涨超 5%，美光科技、安森美半导体涨超2%。 ...

欧洲半导体股表现 - 欧洲半导体行业股票延续上涨趋势 涉及阿斯麦 ASM国际 意法半导体 爱思强四家公司[1] - 个股涨幅介于4.7%至7.2%区间 其中阿斯麦(ASML)涨幅达7.2%为最高[1] - 爱思强(Aixtron)涨幅4.7%为最低 意法半导体(STMicro)与ASM国际涨幅居中[1] 重点公司涨幅 - 阿斯麦(ASML)单日涨幅达7.2% 领涨欧洲半导体板块[1] - ASM国际(ASM International)涨幅超过4.7% 具体数值未单独披露[1] - 意法半导体(STMicro)与爱思强(Aixtron)分别获得显著涨幅 具体数值在4.7%-7.2%范围内[1]

欧洲半导体行业表现 - 欧洲半导体股延续涨势 行业整体表现强劲 [1] - 阿斯麦涨幅达7.2% 在主要公司中表现最佳 [1] - ASM国际 意法半导体 爱思强涨幅介于4.7%-7.2% 多只个股同步上涨 [1] 主要公司股价表现 - 阿斯麦股价上涨7.2% 涨幅领先同业 [1] - ASM国际股价显著上涨 具体涨幅未单独列示 [1] - 意法半导体股价上涨 涨幅在4.7%-7.2%区间 [1] - 爱思强股价上涨4.7% 涨幅相对较小但仍属强势 [1]

光刻技术演进与Beyond-EUV (BEUV) 发展 - 当前最先进芯片制造依赖EUV光刻技术 工作波长13.5nm 可实现13nm（Low NA EUV）、8nm（High NA EUV）及4-5nm（Hyper NA EUV）特征尺寸 但系统复杂且成本达数亿美元[2] - 行业探索"Beyond-EUV"技术 使用波长6.5-6.7nm的软X射线激光 理论分辨率可达5nm及以下 但仍需数年开发实验性工具[2] 光刻技术原理与波长选择依据 - 光刻分辨率提升依赖增加数值孔径(NA)或缩短波长 光源波长从紫外光(436nm g线)逐步演进至深紫外光(248nm KrF/193nm ArF)再到极紫外光(13.5nm EUV)[3] - EUV选择13.5nm波长因Mo/Si多层镜反射率达70% 而6.7nm波长反射率仅61% 且光路需11次反射导致透射效率降至13.5nm波长的四分之一[5] - 较短波长对光源稳定性要求更高 6.7nm反射曲线更尖锐 需精确匹配波长与镜子周期[6] BEUV技术挑战与当前局限 - 6.5-6.7nm光子能量达185-190eV 与传统光刻胶材料相互作用差 且尚未开发出高效多层反射镜[6] - 缺乏完整生态系统支持 需从零设计光刻工具 包括光源、投影镜、光刻胶及耗材[8] 新型光源技术突破 - 劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)开发BAT激光器 目标将EUV光源效率提升至CO2激光器的10倍[11] - 初创公司Inversion采用LWFA技术 将电子加速至数GeV能量 产生可调波长光源(目标6.7nm) 使加速器尺寸从公里级缩小至桌面级[13] - xLight利用自由电子激光器(FEL) 产生功率较当前LPP光源高4倍的EUV光 单系统可支持20台ASML设备 降低每片晶圆成本50%并减少3倍以上资本支出[16] 光刻胶材料创新 - 约翰霍普金斯大学开发化学液相沉积(CLD)技术 生成aZIF薄膜(生长速度每秒1纳米) 锌金属在6.7nm波长下可吸收光子并发射电子 引发咪唑化合物反应实现精细蚀刻[18] - 至少10种金属与数百种有机物可组合适配不同波长 锌在13.5nm EUV表现不佳但在BEUV波长效率显著[19] 企业合作与联盟进展 - xLight加入Blue-X联盟(70个成员组织) 共同推进6.7nm EUV光刻技术研发[16] - Lace Lithography AS开发原子发射光刻技术 声称可提供领先当前15年的分辨率且成本更低[14]

ASML is well-positioned to benefit from the substantial investments being made in AI infrastructure.With artificial intelligence (AI) spending at an all-time high and many top CEOs discussing five-year trajectories for that spending to increase by an incredible amount, it's clear that AI remains a promising industry to invest in. Given all of the bullish language surrounding this massive ongoing infrastructure build-out, it's hard to imagine a stock that's not at or near its all-time high, especially for co ...