独立董事任职资格 - 原则上最多在3家境内上市公司任职[3] - 需有5年以上法律、经济等相关工作经验[6] - 特定股东及其亲属不得担任[9] - 特定违法违规人员不得被提名为独立董事[10] 独立董事选举与任期 - 公司独立董事不少于董事会成员总数的1/3，至少包括1名会计专业人士[11] - 董事会、特定股东可提出候选人[14] - 选举2名以上独立董事应实行累积投票制[16] - 连任时间不得超过6年，满6年后36个月内不得被提名为候选人[16] 独立董事补选与解除 - 因特定情形致比例不符规定，公司60日内完成补选[17,18] - 连续2次未亲自出席且不委托出席会议，董事会30日内提议解除职务[23] 独立董事职责与工作要求 - 董事会下设专门委员会，独立董事委员应过半数并担任召集人[23] - 特定事项经全体独立董事过半数同意后提交董事会审议[25] - 每年在公司现场工作时间不少于15日[26] - 工作记录及公司提供资料至少保存10年[27] 会议相关规定 - 董事会专门委员会开会，公司原则上应不迟于会前3日提供相关资料，且保存资料至少10年[33] - 经全体独立董事过半数同意提议召开临时股东会，董事会10日内书面反馈，同意后5日内发出通知[34] - 经全体独立董事过半数同意提议召开临时董事会，董事长10日内召集和主持[35] 股东定义 - 主要股东指持有公司5%以上股份，或持股不足5%但有重大影响的股东[41] - 中小股东指单独或合计持股未达5%，且不担任公司董高的股东[41]

江苏长电科技股份有限公司 章 程 二〇二五年十二月 - 1 - | 第一节 | 股份发行 | 5 | | --- | --- | --- | | 第二节 | 股份增减和回购 | 5 | | 第三节 | 股份转让 | 7 | | 第一节 | 股东 | 8 | | 第二节 | 控股股东和实际控制人 10 | | | 第三节 | 股东会的一般规定 12 | | | 第四节 | 股东会的召集 | 14 | | 第五节 | 股东会的提案与通知 15 | | | 第六节 | 股东会的召开 | 17 | | 第七节 | 股东会的表决和决议 20 | | | 第一节 | 董事的一般规定 25 | | | 第二节 | 董事会 | 29 | | 第三节 | 独立董事 | 34 | | 第四节 | 董事会专门委员会 37 | | | 第一节 | 财务会计制度 | 41 | | 第二节 | 利润分配 | 41 | | 第三节 | 内部审计 | 44 | | 第四节 | 会计师事务所的聘任 45 | | 第一章 总则 第一条 为维护江苏长电科技股份有限公司（以下简称"公司"）、股东、职 工和债权人的合法权益，规范公司的组织和行为，根据 ...

证券代码：600584 证券简称：长电科技 公告编号：临 2025- 根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）、中国证券监督管理委员 会发布的《上市公司章程指引》（2025 年修订）（以下简称"《章程指引》"）、上海证券 交易所发布的《上海证券交易所股票上市规则（2025 年修订）》（以下简称"《上市规 则》"）等相关法律、法规、规范性文件的相关规定，公司将不再设立监事会或监事， 由审计委员会行使《公司法》规定的监事会的职权，同步废止《监事会议事规则》并 对《公司章程》及部分治理制度进行修订。 一、《公司章程》的修订情况 根据上述要求，结合公司实际情况，公司拟对《公司章程》做出相应修改： 1、删除"监事会"章节以及关于监事会、监事的规定，由董事会审计委员会行使 《公司法》规定的监事会职权；细化扩充内部审计专节相关条款，明确内部审计工作 的职责权限、审计结果运用和责任追究等；明确内部审计机构的独立性，向董事会负 责，并接受审计委员会的监督指导。 2、调整董事会结构，公司董事会成员人数由 9 席调整为 12 席；独立董事由 3 席 调整为 4 席，新增职工代表董事 1 席。同时明确独立董事、职工董事 ...

江苏长电科技股份有限公司 独立董事候选人声明与承诺 本人郑建彪，已充分了解并同意由提名人江苏长电科技股份有限公司董事会 提名为江苏长电科技股份有限公司第九届董事会独立董事候选人。本人公开声明， 本人具备独立董事任职资格，保证不存在任何影响本人担任江苏长电科技股份有 限公司独立董事独立性的关系，具体声明并承诺如下： 一、本人具备上市公司运作的基本知识，熟悉相关法律、行政法规、部门规 章及其他规范性文件，具有 5 年以上经济、会计、财务、管理或者其他履行独立 董事职责所必需的工作经验。 本人已经参加培训并取得证券交易所认可的相关培训证明材料。 二、本人任职资格符合下列法律、行政法规和部门规章以及公司规章的要求： （一）《中华人民共和国公司法》关于董事任职资格的规定； （二）《中华人民共和国公务员法》关于公务员兼任职务的规定（如适用）； （三）中国证监会《上市公司独立董事管理办法》、上海证券交易所自律监 管规则以及公司章程有关独立董事任职资格和条件的相关规定； （四）中共中央纪委、中共中央组织部《关于规范中管干部辞去公职或者退 （离）休后担任上市公司、基金管理公司独立董事、独立监事的通知》的规定（如 适用）； （五 ...

提名人江苏长电科技股份有限公司董事会，现提名郑建彪为江苏长电科技股 份有限公司第九届董事会独立董事候选人，并已充分了解被提名人职业、学历、 职称、详细的工作经历、全部兼职、有无重大失信等不良记录等情况。被提名人 已同意出任江苏长电科技股份有限公司第九届董事会独立董事候选人（参见该独 立董事候选人声明）。提名人认为，被提名人具备独立董事任职资格，与江苏长 电科技股份有限公司之间不存在任何影响其独立性的关系，具体声明并承诺如下： 一、被提名人具备上市公司运作的基本知识，熟悉相关法律、行政法规、规 章及其他规范性文件，具有 5 年以上经济、会计、财务、管理或者其他履行独立 董事职责所必需的工作经验。 被提名人已经参加培训并取得证券交易所认可的相关培训证明材料。 江苏长电科技股份有限公司 独立董事提名人声明与承诺 二、被提名人任职资格符合下列法律、行政法规和部门规章的要求： （一）《中华人民共和国公司法》关于董事任职资格的规定； （二）《中华人民共和国公务员法》关于公务员兼任职务的规定（如适用）； （三）中国证监会《上市公司独立董事管理办法》、上海证券交易所自律监 管规则以及公司章程有关独立董事任职资格和条件的相关规 ...

证券代码：600584 证券简称：长电科技 公告编号：临 2025-049 江苏长电科技股份有限公司 关于召开2025年第二次临时股东大会的通知 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 重要内容提示： 一、 召开会议的基本情况 (四)现场会议召开的日期、时间和地点 (六)融资融券、转融通、约定购回业务账户和沪股通投资者的投票程序 召开的日期时间：2025 年 12 月 30 日 14 点 30 分 召开地点：江苏长电科技股份有限公司 D3 二楼会议室（江阴市长山路 78 号） 股东大会召开日期：2025年12月30日 本次股东大会采用的网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票 系统 (一)股东大会类型和届次 2025年第二次临时股东大会 (二)股东大会召集人：董事会 (三)投票方式：本次股东大会所采用的表决方式是现场投票和网络投票相结合的 方式 (五)网络投票的系统、起止日期和投票时间。 网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票系统 网络投票起止时间：自2025 年 12 月 30 日 至2025 年 12 月 ...

江苏长电科技股份有限公司（以下简称"公司"）第八届董事会第十六次临 时会议于 2025 年 12 月 4 日以通讯方式发出通知，于 2025 年 12 月 10 日以现场 结合通讯方式召开，本次会议应参会董事 9 人，实际参会董事 9 人，公司监事及 高级管理人员列席会议。董事长周响华女士主持会议。会议的召集和召开符合《中 华人民共和国公司法》（以下简称《公司法》）和《公司章程》的有关规定。 二、董事会会议审议情况 证券代码：600584 证券简称：长电科技 公告编号：临 2025-047 江苏长电科技股份有限公司 第八届董事会第十六次临时会议决议公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 一、董事会会议召开情况 本次会议表决通过了相关议案，形成决议如下： （一）逐项审议通过了《关于修订公司章程及相关公司治理制度的议案》 为贯彻落实《公司法》及中国证券监督管理委员会《关于新<公司法>配套 制度规则实施相关过渡期安排》、《上市公司章程指引（2025）》（以下简称《章程 指引》）等相关规定，公司将不再设立监事会或监事，由 ...

市场行情与板块表现 - 12月10日上午A股三大指数集体下跌，上证指数盘中下跌0.60% [1] - 林木、零售、工程机械等板块涨幅靠前，电脑硬件、电工电网板块跌幅居前 [1] - 芯片板块表现低迷，截至10:31，芯片ETF（159995）下跌1.10% [1] 芯片板块个股表现 - 芯片ETF成分股澜起科技下跌3.27%，海光信息下跌2.69%，中微公司下跌2.23% [1] - 部分芯片个股表现活跃，华润微上涨10.61%，豪威集团上涨2.97% [1] 美国对华芯片出口政策动态 - 美国总统特朗普表示，在确保美国国家安全的前提下，将允许英伟达向中国及其他国家的合格客户交付其H200芯片产品 [3] - Blackwell芯片以及即将发布的Rubin芯片不在获批名单中 [3] - 获准销售的芯片销售收入的25%将上缴美国政府 [3] 政策影响与行业分析 - 开源证券分析认为，H200等芯片供给恢复或推动国产大模型全面升级，加速国内AI生态繁荣发展 [3] - 该供给恢复或进一步全面扩大对国产算力芯片的需求，长期利好国产芯片板块 [3] 芯片ETF产品信息 - 芯片ETF（159995）跟踪国证芯片指数 [3] - 该指数包含30只成分股，集合了A股芯片产业中材料、设备、设计、制造、封装和测试等环节的龙头企业 [3] - 成分股包括中芯国际、寒武纪、长电科技、北方华创等 [3]

文章核心观点 - AI算力需求爆炸式增长，传统硅基芯片在性能与功耗上逼近物理极限，材料科学成为解锁下一代算力的关键钥匙[2] - 材料体系的革新可能重构芯片的性能边界与能效天花板，中国本土的材料创新与产业化进程承载着构建自主可控算力底座、重塑全球AI硬件竞争格局的战略使命[2] - 投资AI新材料的核心机遇在于以材料创新换道超车，投资逻辑不仅在于技术的前瞻性，更在于其承载的“国产替代”与“打破封锁”的产业使命[53] 一、核心计算与逻辑芯片材料 （一）先进沟道材料 - 沟道材料是半导体晶体管中用于形成载流子导通通道的核心功能材料，直接决定了芯片的运算速度、功耗、集成度等核心指标[4] - AI芯片对沟道材料的要求可概括为“三高两低一薄”：高迁移率、高开关比、高稳定性、低功耗、低漏电流、超薄厚度[6] - 二硫化钼(MoS₂)电子迁移率达200cm²/V·s，功耗仅0.4mW，已集成5900个晶体管，适配智能传感器、神经形态芯片及“感存算”一体化设备[7] - 黑磷(BP)光电响应速度0.1ms，功耗<1μW，与SnS₂异质结构建人工突触准确率90%+[10] - 铟砷化镓(InGaAs)电子迁移率达10000cm²/V·s（硅的10倍），用于AI芯片FinFET和GAA结构可提升30%运算速度，降低50%功耗[11] - 碳纳米管电子迁移率达10000cm²/V·s（硅的5倍），电流密度是铜的10倍，适配高性能CPU/GPU沟道[14] - 高迁移率氧化物半导体(IGZO)电子迁移率10-20cm²/V·s，透光率>90%，适配低功耗AI显示驱动芯片[16] - 应变硅通过应力调控使电子迁移率提升30%、空穴迁移率提升60%，与现有硅工艺完全兼容[16] - 随着制程向2nm及以下推进，沟道材料正沿着“硅→硅锗→锗→二维材料/三五族化合物→碳基材料”路径演进[16] （二）栅极与介质材料 - 栅极与介质材料直接决定晶体管的开关速度、功耗和可靠性，对AI芯片的算力与能效比至关重要[17] - 氧化铪(HfO₂)介电常数达20-25（SiO₂的5-10倍），可将栅极漏电流降低1000倍，适配5nm及以下工艺[19] - 掺杂HfO₂铁电材料剩余极化强度>20μC/cm²，可实现10⁶次以上读写，能耗降低90%，用于存算一体芯片与神经形态计算[20] - HiOₓ高k材料介电常数30-35（HfO₂的1.2倍），漏电流比HfO₂降低50%，适配3nm以下先进工艺栅极[21] （三）衬底材料 - 衬底材料是半导体芯片的基础支撑材料，直接决定AI芯片的算力上限、功耗水平和可靠性[23] - 碳化硅(SiC)禁带宽度3.26eV，热导率3.7W/cm·K（硅的2.5倍），击穿电场3-4MV/cm（硅的10倍），适配AI电源模块效率达99%[24] - 氧化镓(β-Ga₂O₃)击穿电场达8MV/cm（SiC的2倍），器件厚度可减少70%，用于高压AI电源管理[24] - 金刚石衬底热导率2000-2400W/m·K，与GaN/SiC直接键合后散热效率提升5倍，解决高功率AI射频芯片散热问题[25] - 绝缘体上硅(SOI)隔离电阻>10¹²Ω·cm，寄生电容降低30%，适配AI射频芯片及低功耗边缘计算芯片[25] - 蓝宝石/硅上氮化镓(GaN-on-X)中，硅衬底GaN成本降低60%，适配AI服务器射频前端与快充电源[25] 二、存储与神经形态计算材料 （一）非易失存储材料 - 相变材料(GeSbTe)相变速度<10ns，功耗<100fJ/bit，存储密度是DRAM的10倍，适配MRAM与存算一体芯片[26] - 阻变材料(TaOₓ/SiOₓ)开关速度达亚纳秒级，与CMOS工艺兼容，用于神经网络权重存储可降低推理能耗80%[26] - 磁随机存储材料(CoFeB/MgO)读写速度10ns，功耗100fJ/bit，保留时间10年，存储密度是SRAM的4倍，适配AI芯片片上缓存[26] - 铁电材料(PZT)压电系数达1000pC/N（AlN的10倍），剩余极化强度>30μC/cm²，用于AI传感器与铁电存储器[26] （二）神经形态计算材料 - 忆阻器材料(氧化物/硫系化合物)如Cu/ZnO/Pt结构可实现渐变易失性，构建8×8交叉阵列模拟LIF神经元，无需外部电容，可降低推理能耗90%[26] - 铁电忆阻器利用铁电畴形态变化模拟突触可塑性，图像识别准确率达95%，功耗<10pJ/突触[27] - 离子晶体管电解质离子电导率达10⁻³ S/cm，响应时间<1ms，适配柔性神经形态器件[27] - 有机电化学晶体管材料导电聚合物电导率达100S/cm，拉伸率>100%，用于可穿戴AI神经接口[27] - 自旋电子振荡器材料振荡频率1-40GHz可调，功耗<1mW，用于微波AI信号处理[28] - 液态金属通道材料电导率达3.5×10⁶ S/m，拉伸率>300%，用于柔性AI计算节点互连[28] 三、先进封装与集成材料 （一）基板与互连材料 - 硅光中介层集成光学与电子互连，信号传输速度提升100倍，功耗降低90%，适配AI芯片2.5D/3D封装[29] - 玻璃基板介电常数仅4.0（硅为11.7），信号延迟减少30%，适配HBM与AI芯片间高速互连[29] - 铜-铜混合键合材料接触电阻<10⁻⁹ Ω·cm²，互连长度缩短至微米级，带宽提升10倍，用于3D堆叠封装[30] - 钌/钼/钴互连材料电阻率比铜低30%，电流密度提升50%，解决3D封装RC延迟问题[30] - 嵌入式trace基板线宽/线距达10/10μm，布线密度提升40%，适配Chiplet高密度集成[30] - 空气隙绝缘介质介电常数低至1.05，信号衰减降低25%，适配高频封装互连[31] （二）热管理材料 - 金刚石热沉/复合材料中，金刚石薄膜热阻降低70%，芯片温度下降20-30℃；金刚石/铝或铜复合材料热导率600-800W/m·K，适配GPU/TPU封装[31] - 高纯度氧化铝(HPA)α粒子发射<1ppb，热导率提升2-3倍，可消除内存软错误，市场规模预计2030年达6亿美元[32] - 石墨烯导热膜面内热导率达1500-2000W/m·K，用于芯片与散热器界面散热[32] - 金属钎料锡银铜钎料导热率达50W/m·K，焊接强度>20MPa，用于芯片与热沉焊接[32] - 均热板毛细芯材料多孔铜芯孔隙率40%-60%，毛细力>10kPa，适配AI服务器均热散热[32] - 各向异性导热垫片垂直导热率>100W/m·K，水平导热率<5W/m·K，用于芯片局部散热[34] （三）电磁屏蔽材料 - 磁性复合材料铁硅铝磁粉芯磁导率50-200，屏蔽效能>60dB，适配AI服务器机箱屏蔽[34] - 金属化纤维织物银镀层电阻率<1×10⁻⁴ Ω·cm，屏蔽效能>50dB，用于柔性AI设备电磁屏蔽[34] 四、新型计算范式硬件材料 （一）光子计算材料 - 光子计算利用光替代电子作为信息载体，具有1000倍运算速度和1/100能耗优势[35] - 薄膜铌酸锂(LiNbO₃)调制带宽达110GHz，单光纤可并行传输数十路信号，等效“千核并行”，能耗仅为电子芯片1/3[36] - 硅基光电子材料硅/氮化硅波导串扰<35dB，与CMOS工艺兼容，用于片上光神经网络[36] - 三五族化合物(InP)光发射效率>50%，调制带宽达50GHz，用于AI数据中心光通信激光器[36] - 硫系玻璃光折射率1.7-2.5可调，透过率>80%（中红外波段），用于光子存储与光开关[37] - 有机电光聚合物电光系数>100pm/V，调制带宽达100GHz，能耗比铌酸锂低30%[37] - 石墨烯光调制器材料调制速度达100GHz，插入损耗<5dB，适配高速光互连[37] （二）量子计算材料 - 量子计算材料是构建量子计算机硬件基础的核心物质载体，直接决定量子比特的质量与系统可扩展性[37] - 超导材料(铝、钯)中，铝超导临界温度1.2K，钯相干时间>100μs，用于量子比特制备[38] - 金刚石氮-空位色心量子相干时间>1ms（室温），自旋操控保真度>99.9%，用于量子传感与计算[39] - 硅锗异质结构量子点电子数调控精度1个，相干时间>50μs，适配硅基量子计算[39] - 非线性光学晶体(BBO、PPKTP)中，BBO倍频效率>80%，PPKTP光损伤阈值>10GW/cm²，用于量子光源制备[39] 五、感知、传感与互联材料 （一）智能传感材料 - 压电材料(AlN/ScAlN)中，ScAlN压电系数是AlN的3倍，用于MEMS超声传感器和AI麦克风阵列可提升信噪比20dB[41] - 柔性应变材料(碳纳米管/PDMS)拉伸率>50%，检测精度达0.01%应变，用于可穿戴AI设备与电子皮肤[41] - 量子点成像材料量子效率>90%，光谱响应范围拓展至近红外，提升AI视觉探测精度[41] - 微机电系统材料单晶硅MEMS结构精度±0.1μm，耐疲劳次数>10⁹次，用于AI惯性传感器[42] - 有机光电二极管量子效率>85%，响应速度<10ns，用于柔性AI图像传感器[42] - 金属有机框架传感材料(MOF)比表面积>2000m²/g，气体吸附选择性>100，用于AI气体检测[42] （二）无线通信材料 - 高频低损PCB材料(PTFE)介电常数2.0-2.2，介电损耗<0.002（10GHz），适配5G/6G AI基站[42] - 射频MEMS材料氮化铝MEMS开关隔离度>40dB，寿命>10¹⁰次，用于AI射频前端[42] - 可重构智能表面材料(液晶、氧化钒)中，液晶介电常数可调范围2.5-5.0，氧化钒相变温度68℃，用于AI通信信号调控[43] 六、能源与热管理材料 （一）主动热管理材料 - 电卡效应材料在电场作用下温度变化5-10℃，制冷系数达3.5，用于AI芯片微型冷却系统可降低能耗50%[45] - 柔性相变储热材料相变潜热>150J/g，工作温度范围-20~80℃，用于可穿戴AI设备温度调控[46] - 磁卡效应材料在磁场作用下温度变化3-8℃，响应时间<100ms，用于小型AI设备散热[46] （二）能源材料 - GaN/SiC功率器件材料中，GaN开关频率>100kHz（IGBT的5倍）；SiC MOSFET开关损耗比IGBT降低70%，系统效率提升3%-10%，适配AI服务器电源[46] - 固态电池电解质材料中，硫化物电解质离子电导率达10⁻² S/cm，陶瓷电解质耐压>5V，保障AI设备长续航供能[46] - 微型超级电容器电极材料石墨烯基电极比电容>200F/g，充放电次数>10⁵次，用于AI微型设备储能[46] - 环境能量收集材料(摩擦电、热电)中，摩擦电材料功率密度>10μW/cm²，热电材料ZT值>1.2，用于AI无源传感设备[47] - 微型燃料电池材料质子交换膜导率>0.1S/cm，铂催化剂活性>0.5A/mg，用于AI长续航设备[47] 七、前瞻性与特定环境材料 （一）前沿探索材料 - 外尔半金属(Cr,Bi)₂Te₃实现单一外尔费米子对，电子迁移率>10⁴ cm²/V·s，功耗降低90%，适配量子输运器件[49] - 拓扑绝缘体Bi₂Se₃表面态电子迁移率>10⁴ cm²/V·s，用于高速低功耗逻辑门，延迟<10ps[49] - 强关联电子材料(氧化钒、镍酸盐)中，氧化钒相变温度68℃，电阻变化10⁴倍；镍酸盐磁电阻效应>50%，用于AI智能调控器件[49] （二）生物集成/柔性材料 - 导电水凝胶电阻率<100Ω·cm，与神经组织阻抗匹配，实现0.1V低电压神经刺激，适配脑机接口[49] - PEDOT:PSS材料电导率达1000S/cm，透光率>90%，用于神经界面器件与柔性电子贴片[50] - 液态金属镓铟合金熔点15.5℃，电导率3.4×10⁶ S/m，用于柔性AI互连与散热[50] - 类组织弹性导体拉伸率>300%，弹性模量<1MPa（接近人体组织），用于植入式AI器件[50] （三）可重构与自适应材料 - 形状记忆合金/聚合物中，镍钛合金回复率>98%，形状记忆聚合物形变率>200%，用于AI执行器[51] - 电致变色材料WO₃基材料透过率变化>70%，响应时间<1s，用于AI智能窗与显示[51] （四）极端环境材料 - 耐辐射材料(SiC、金刚石)中，SiC抗中子辐照剂量>10¹⁵ n/cm²，金刚石抗γ射线剂量>10⁶ Gy，用于太空AI设备[51] （五）可持续材料 - 生物可降解电子材料聚乳酸基材料降解周期6-12个月，电导率>10S/cm，用于一次性AI传感贴片[51] - 无铅压电材料铌酸钾钠(KNN)压电系数>300pC/N，环保无铅，用于AI麦克风与传感器[52] 八、投资逻辑分析 - 投资应聚焦三大核心方向：一是支撑更高算力的先进逻辑与存储材料；二是决定系统效能的封装与热管理材料；三是赋能新兴范式的前沿材料[54] - 投资策略上应重产业化进程而非单纯的技术指标，优先选择已与头部制造/封测厂建立合作并进入产品验证阶段的企业[54] - 这是一条长周期、高壁垒的赛道，技术路线存在不确定性，量产成本与良率挑战巨大，但一旦突破护城河极深[54]

芯片龙头ETF市场表现 - 12月9日芯片龙头ETF开盘下跌0.38% 报价为1.046元 [1] - 该ETF自2021年8月19日成立以来总回报为5.16% 但近一个月回报为负2.03% [1] 芯片龙头ETF持仓股表现 - 重仓股普遍下跌 其中寒武纪开盘跌幅最大为3.02% 芯原股份跌2.06% 中芯国际跌1.38% 中微公司跌1.47% 海光信息跌1.33% [1] - 部分个股表现相对抗跌 澜起科技与豪威集团微涨0.02% 北方华创与长电科技跌幅较小分别为0.43% [1] 芯片龙头ETF产品信息 - 该ETF的业绩比较基准为中证芯片产业指数收益率 [1] - 基金管理人为富国基金管理有限公司 基金经理为张圣贤 [1]