Everspin (NasdaqGM:MRAM) 2025 Conference September 16, 2025 02:00 PM ET Company ParticipantsBill Cooper - CFOSanjeev Aggarwal - President, CEO & DirectorOperatorWelcome to Q3 Investor Summit Virtual. We appreciate your participation in today's virtual event. Up next, we are pleased to introduce Everspin Technologies. If you would like to ask a question during the webcast, you may drop them in the chat box button on the left side of your screen. Please type your question into the box and click "Send" to subm ...

内存技术规模化停滞 - SRAM和DRAM已停止规模化发展 无法降低单位成本(每GB) [2][4] - 内存现占服务器硬件成本50%以上 成为系统主要瓶颈 [4] - 7nm工艺节点后SRAM单元尺寸停止显著缩小 DRAM成本过去15年停滞不前 [10][13] 新兴内存技术优势与局限 - RRAM在相同工艺节点下密度可达最先进HBM4的10倍 且可继续向更小工艺尺寸规模化 [17][20] - 增益单元嵌入式DRAM密度达SRAM的2-3倍 允许片上集成 [16][17] - 新兴技术存在固有局限：RRAM耐久性有限且写入能耗高 增益单元RAM需定期刷新 [21] 专用内存架构提案 - 提出两类新型内存：短期内存(StRAM)针对瞬态数据优化 长期内存(LtRAM)针对持久性读密集型数据优化 [6][23] - StRAM适用于生命周期亚秒级数据 如神经网络激活缓冲区 服务器临时数据结构 [26] - LtRAM适用于生命周期分钟级以上数据 如机器学习模型权重 代码页 静态数据页 [26][27] 工作负载适配案例 - 大型语言模型推理中 模型权重适合LtRAM 激活值适合StRAM [28][31] - 服务器应用中Redis/Memcached等读密集型工作负载适合LtRAM 日志/事件缓冲系统适合StRAM [29] - 处理器内核内短期临时数据(函数调用栈/中间结果)适合StRAM替代SRAM [32][33] 系统集成挑战 - 需打破传统内存层次结构 实现非层次化数据放置策略 [36] - 一致性协议需适配StRAM有限保留时间和LtRAM不对称读写特性 [40] - 内存功耗占系统显著比例 专业化需协同优化单元特性/互连/封装/数据分配 [41][43] 行业影响与趋势 - HBM封装超过20层裸片后密度增长将停止 受限于封装复杂性和成本 [10][14] - AI机架功耗预计2027年达600kW 内存专业化成为降低功耗关键手段 [41] - 需跨学科合作解决材料科学、器件物理、电路设计、系统架构等多方面问题 [46]

MRAM技术优势 - MRAM利用磁性材料磁化方向导致的电阻高低表示二进制数据，相比传统电荷存储的SRAM和DRAM具有高速、低功耗、高擦写、抗辐射、高可靠等优点 [1] - 驰拓科技MRAM产品在125℃高温下可保持数据十年以上，工作温度范围覆盖-40~+125℃，支持超过万亿次重复写入，大容量阵列良率达到95% [1] - 产品分为嵌入式eMRAM和独立式MRAM两类 [1] 嵌入式eMRAM应用 - eMRAM可替代MCU/SoC中的eFlash，突破eFlash在28/22nm工艺节点的微缩极限，可延展至28nm及更先进工艺 [2] - 具有类似DRAM的读写速度、闪存的非易失性、匹配SRAM的接口特性和优良抗辐照特性 [2] - 适用于工控、汽车电子、身份认证、智能穿戴等高可靠应用场景 [2] - 公司正联合IP合作伙伴和MCU/SoC厂商打造eMRAM生态链，推动其在MCU/SoC中的广泛应用 [2] 独立式MRAM产品 - 独立式MRAM按容量、接口、封装分为多个系列，已在工控、电力、计量等行业头部用户中应用 [5] 下一代SOT-MRAM技术 - 公司在SOT-MRAM研究处于国内领先水平，2024年IEDM大会上首次提出适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构 [7] - 该技术突破标志着公司具备Mb级SOT-MRAM演示芯片制造能力，为下一代高速、高密度、高可靠MRAM奠定基础 [7] 公司概况 - 建有12英寸MRAM量产中试线，是国内首家实现MRAM量产的企业 [8] - 拥有MRAM设计制造全套关键技术，可提供90/55/40/28nm多个工艺节点的芯片定制、工艺研发、流片、测试等全方位服务 [8] 参展信息 - 确认参展2025年深圳国际电子展（8月26-28日，展位1号馆1P26），将展示MRAM最新成果 [1]

新型嵌入式存储技术推动MCU行业变革 - 2025年头部MCU厂商(ST、恩智浦、瑞萨等)密集发布搭载PCM、MRAM等新型存储的汽车MCU产品，标志着技术格局从传统嵌入式Flash向多元化演进[1] - 新型存储技术已从尝试阶段跃升为战略布局，开始对MCU生态产生深远影响[1] 主要厂商技术路线与产品布局 ST的PCM技术 - 采用相变存储器(PCM)技术，基于锗锑碲合金的相变特性实现数据存储，具有低电压操作、高密度优势[5] - 2025年4月推出Stellar P/G系列MCU，搭载xMemory技术，采用FD-SOI工艺，面向软件定义汽车和电动化平台[6] - PCM技术可简化供应链，降低开发成本，加快产品上市速度[7][9] 恩智浦与瑞萨的MRAM方案 - 恩智浦2025年3月推出S32K5系列，采用16nm FinFET工艺，内置MRAM，写入速度比传统闪存快15倍以上[10] - 瑞萨2025年7月发布RA8P1系列，采用22nm工艺，配备1MB MRAM，支持AI语音和多模态输入[11][13] 台积电的存储技术布局 - 同时推进MRAM和RRAM技术路线，计划导入22nm至5nm节点[15] - RRAM已在40nm-22nm实现量产，12nm进入流片阶段；MRAM在22nm量产，16nm准备中[15][16] - 2025年在慕尼黑设立欧洲设计中心，重点研发汽车MRAM应用[16] 技术演进趋势 - MCU工艺从传统40nm向16nm/12nm等先进节点发展，集成度提升[2] - 新型存储解决传统Flash在密度、速度、功耗方面的瓶颈，适应软件定义汽车需求[3] - 存储计算一体化趋势明显，MRAM/PCM可减少数据搬运，提升AI推理等场景效率[19][21] 行业影响与展望 - MCU正从"控制器件"向"汽车大脑/边缘算力中枢"转型[2][23] - 存储技术成为MCU架构变革的核心驱动力，推动产业从"可用"向"可扩展"演进[23] - 技术升级涉及全产业链协同，目前由国际头部厂商主导[23]

业绩总结 - Everspin在2024年的收入为6380万美元，2023年为5600万美元，年增长率为13.9%[59] - Everspin的毛利率在2024年为56.5%，较2023年的51.8%有所提升[59] - Everspin的财务状况强劲，零债务，正实现正自由现金流[10] 市场规模 - Everspin在2024年的市场规模预计为4.3亿美元，至2029年将超过4.3亿美元[21] - Everspin的PERSYST产品在2024年的市场规模为11亿美元[21] - Everspin的UNISYST产品在2024年的市场规模为3.3亿美元[21] 技术与产品 - Everspin的MRAM技术在极端条件下表现出最佳的可靠性和耐用性[13] - Everspin的STT-MRAM技术在高辐射和高温环境中表现优越，适用于航天和汽车应用[37] - Everspin在过去15年中已出货超过1.5亿个MRAM单元[7] - Everspin拥有650多项专利及申请，客户超过2000个[7]

半导体行业趋势 - 传统制程微缩红利收窄，行业转向多元化创新路径，特色工艺成为关键差异化竞争力量 [1] - 特色工艺通过定制化制程优化实现性能/功耗/成本平衡，在汽车电子/工业控制/物联网等领域展现不可替代优势 [1] - 全球特色工艺市场规模已突破500亿美元，年复合增长率达15%，远超行业平均增速 [1] 台积电特色工艺布局 - 构建"技术广度+生态深度"特色工艺标杆，覆盖RRAM/MRAM/车规级工艺/功率器件/射频工艺等多领域 [2] - 汽车电子领域提供N7A/N5A/N3A逻辑技术及40-90V BCD-Power工艺，支持ADAS/自动驾驶高可靠性需求 [4] - 超低功耗领域推出N4e工艺结合eNVM，ULP技术实现可穿戴设备低电压解决方案 [4] - 射频技术通过先进RF CMOS提升功耗/面积扩展能力，增强LDMOS/低噪声器件等特性 [4] - 显示驱动领域16HV FinFET平台较28HV降低功耗28%，逻辑密度提升40% [4] - CIS领域LOFIC技术实现120dB无LED闪烁动态范围，支持ADAS高帧率成像 [5] eNVM技术突破 - 台积电通过RRAM/MRAM突破传统eFlash 28nm扩展极限，22nm RRAM已通过车规认证，12nm即将量产 [6] - MRAM在22nm量产基础上开发16/12nm版本，未来将扩展至5nm节点 [7] - RRAM/MRAM可与N3A/BCD-Power等工艺协同，形成汽车芯片存储+逻辑整合解决方案 [7] - 相比三星28nm MRAM未规模商用、英特尔良率待提升，台积电eNVM技术已实现商业化落地 [8] MCU存储技术变革 - eFlash在28nm以下面临9-12层掩模成本压力及可靠性挑战，成为MCU制程升级瓶颈 [11][13] - 行业转向eRRAM/eMRAM/ePCM/eFeRAM等新型存储，满足汽车/AoT/工业领域高性能低功耗需求 [16] - 全球eNVM晶圆产量预计从2023年3KWPM增至2029年110KWPM（CAGR 80%），市场规模达26亿美元 [29] 厂商技术路线分化 - 英飞凌采用台积电28nm eRRAM技术，下一代AURIX MCU写入速度提升15倍，成本显著降低 [19][20] - 恩智浦16nm eMRAM方案实现百万次更新周期，S32K5 MCU写入速度较闪存快15倍 [21] - 瑞萨22nm STT-MRAM测试芯片实现200MHz读取频率，10.4MB/s写入吞吐量 [23] - 意法半导体28nm ePCM支持单比特覆写功能，18nm FD-SOI工艺计划2025年量产 [26] - 德州仪器聚焦FRAM技术，突出高可靠性及抗辐射特性 [28] 未来技术演进 - 分层存储架构可能采用"eMRAM缓存+eRRAM程序存储+外置NOR Flash"组合模式 [33] - 台积电计划12nm节点实现MRAM+RRAM混合存储，单芯片密度提升30% [33] - 16nm FinFET与新型存储协同可使MCU性能提升40%，功耗降低50% [33] - 3D eMRAM MCU通过TSV堆叠22nm存储层与12nm计算层，实现100MB存储+200MHz CPU集成 [33]

半导体行业多元化创新趋势 - 传统制程微缩红利收窄，行业转向多元化创新路径，特色工艺成为关键差异化竞争力量[1] - 特色工艺通过定制化制程优化能力，在汽车电子、工业控制、物联网等领域展现不可替代优势，全球市场规模已突破500亿美元，年复合增长率达15%[1] - 先进封装技术与特色工艺发展为芯片性能优化提供新思路，推动半导体产业从单一制程依赖转向系统级创新[1][4] 台积电特色工艺技术布局 - 构建"技术广度+生态深度"特色工艺标杆，覆盖汽车电子、ULP/IoT、RF、eNVM、高电压显示、CIS和电源IC七大领域[3][4] - 汽车电子领域：提供N7A/N5A/N3A车规级逻辑技术及40-90V BCD-Power工艺，支持ADAS和智能座舱高可靠性需求[4] - 低功耗领域：N4e工艺结合eNVM优化物联网AI设备能效，ULP技术实现可穿戴设备超低漏电[4] - 射频技术：先进RF CMOS提升边缘AI通信性能，增强LDMOS和低噪声器件特性[4] - 显示驱动：16HV FinFET平台较28HV功耗降低28%，逻辑密度提升40%，支持AI玻璃显示引擎[4] - CIS创新：LOFIC技术实现100dB动态范围，满足智能手机和汽车ADAS高帧率成像需求[5] eNVM技术突破与商业化 - 突破传统eFlash在28nm节点扩展极限，RRAM/MRAM技术实现16/12nm节点延伸，22nm RRAM已通过车规认证[6][7] - RRAM工艺复杂度最低，仅需增加1层掩膜版，40/28/22nm已量产，12nm进入客户流片阶段[6][16] - MRAM具备卓越可靠性，22nm已量产，16nm准备就绪，未来将扩展至5nm节点[7] - 存储技术协同：RRAM/MRAM与N3A/BCD-Power工艺形成汽车芯片解决方案，ULP平台满足物联网待机需求[7] MCU厂商新型存储技术路线 - 英飞凌：采用台积电28nm eRRAM技术开发AURIX MCU，写入速度快15倍，成本优势显著[16][17] - 恩智浦：16nm FinFET eMRAM实现百万次擦写周期，S32K5 MCU推动车规存储技术迭代[18][19] - 瑞萨：22nm STT-MRAM测试芯片实现200MHz读取频率，主要面向物联网应用[20][21] - 意法半导体：28nm FD-SOI ePCM支持OTA无缝更新，18nm技术预计2025年量产[23][24] - 德州仪器：FRAM技术突出抗辐射特性，适用于恶劣环境应用[25] 新型存储技术发展趋势 - 嵌入式NVM市场预计2029年达26亿美元，2023-2029年晶圆产量CAGR达80%[26] - 技术路线呈现多元化：RRAM侧重成本效益，MRAM强调可靠性，PCM突出抗辐射能力[30] - 存储架构创新：12nm节点将实现MRAM+RRAM混合单元，3D eMRAM MCU集成100MB存储+200MHz CPU[31][32] - 制程协同效应：16nm FinFET+新型存储使MCU性能提升40%，功耗降低50%[32]

欧洲FD-SOI技术发展 - 欧洲领先的FD-SOI技术试验线公开征集10nm和7nm设计项目，旨在提升欧洲半导体公司竞争力[1] - FD-SOI技术具有超低功耗能力，适用于数字、模拟和射频设计[1] - 未来两年内将从22nm工艺转向300mm晶圆上的10nm工艺，随后转向7nm工艺[1] FAMES试验线项目 - FAMES试验线拥有90台设备，其中30台已到位，核心设备为193米浸没式光刻工具[3] - 试验线分布在四个基地：法国Leti、爱尔兰Tyndall、奥地利Silicon Austria Labs和芬兰VTT[3] - 试验线将提供免费探索PDK、模拟和培训PDK，特别对学术界有吸引力[3] 技术进展与规划 - 10nm FD-SOI工艺测试芯片预计2027年问世[3][6] - 重点关注嵌入式非挥发性存储器技术开发，包括OXRAM、FRAM和铁电FET[5][6] - 将开发MRAM用于安全应用和超低功耗AI的内存计算[6] 应用领域 - 主要应用包括微控制器(MCU)、多处理器单元(MPU)、AI/机器学习设备、5G/6G芯片、汽车芯片等[1] - 网络安全和概率AI是两个主要目标应用领域[6] - 数字模拟将是第一个可用领域，其次是射频和模拟[6] 行业参与 - 参与者来自18个国家，主要来自欧洲，包括初创公司和跨国公司[2] - 诺基亚是重要工业合作伙伴，其SoC开发依赖试验线进展[8] - Stellantis认为该举措将加速从研究到工业应用的转变[9] 战略意义 - 该项目旨在支持欧盟半导体价值链所有环节[7] - 被视为对可持续、有弹性和创新的欧洲的愿景[7] - 将汇集行业、中小企业、初创企业和研究机构，建立开放式生态系统[7]

财务数据和关键指标变化 - 第四季度营收1320万美元，高于预期，每股收益0.05美元，处于指引区间高端 [10] - 全年总营收5040万美元，同比下降21%，主要因产品发货量减少 [35] - 第四季度MRAM产品销售额1100万美元，低于2023年第四季度的1240万美元，但较2024年第三季度的1040万美元有所增长 [35] - 第四季度许可、版税、专利及其他收入降至220万美元，低于2023年第四季度的430万美元，因部分项目完成 [36] - 第四季度GAAP毛利率为51.3%，高于第三季度的49.2%，低于2023年第四季度的58.1%；全年GAAP毛利率为51.8%，低于2023年的58.4%，均因销量降低 [36][37] - 2024年第四季度GAAP运营费用为840万美元，高于2023年第四季度的810万美元 [37] - 2024年第四季度GAAP净利润为120万美元，即每股摊薄收益0.05美元，处于指引区间高端；全年GAAP净利润为80万美元，即每股摊薄收益0.04美元 [39] - 调整后EBITDA在2024年第四季度为320万美元，低于2023年第四季度的360万美元；2024年全年为920万美元，低于2023年的1530万美元 [40] - 截至季度末，现金及现金等价物为4210万美元，较上季度末的3960万美元增加250万美元；第四季度运营现金流为380万美元 [40] - 预计2025年第一季度总营收在1200 - 1300万美元之间，GAAP基本每股净亏损在0.10 - 0.05美元之间；非GAAP基本每股净亏损在0.05美元至盈亏平衡之间 [43] 各条业务线数据和关键指标变化 - 产品收入方面，第四季度产品收入因产品营收高于预期及RadHard项目额外提升而超预期 [10] - 许可、版税、专利及其他收入方面，第四季度该部分收入减少，因部分项目完成 [36] 各个市场数据和关键指标变化 - LEO市场预计到2029年将从约100亿美元增长至230亿美元，复合年增长率为13%，公司预计其MRAM产品将支持并参与该市场，推动PERSYST X5产品的广泛应用 [20] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司认为STT - MRAM是替代或扩展256兆比特以上NOR闪存设备的最佳选择，正在设计1千兆比特STT - MRAM产品，目标是在2025年提供早期样品 [25][26] - 公司参与相关联盟以满足市场需求，部分处于前沿地位；还在调整STT - MRAM技术，使终端设备类似SRAM或DRAM [27] - 公司预计随着主要参与者开始采用STT - MRAM作为离散芯片或封装解决方案中的小芯片，该细分市场未来几年将显著增长 [29] - 公司正在展示Computer Express Link（CXL）STT - MRAM，组装512兆字节和1千兆字节的小外形双列直插式内存模块（SO - DIMM）和DIMM，以提供持久内存功能 [30][31] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 公司对第四季度业绩表示满意，得益于产品收入优势和RadHard项目的推动；未来将保持财务纪律，专注业务拓展和将更多设计订单转化为收入 [10][44] - 预计2025年业务重心将更多偏向下半年，因季节性因素和亚洲客户库存消耗，年初业务启动较慢 [32][43] 其他重要信息 - 公司欢迎Bill Cooper担任首席财务官，他于1月初从Advanced Micro Devices加入 [8][9] - 公司感谢Matt Tenorio在过去几个月担任临时首席财务官 [10] - 2025年公司将非GAAP指标从调整后EBITDA转变为非GAAP每股收益，以更好符合行业标准，为利益相关者提供更清晰的可比性 [41][42] 问答环节所有提问和回答 问题1: 第一季度每股亏损预期的原因及其他收入的节奏 - 第一季度每股亏损预期主要因其他收入减少，第一季度相关项目收入比第四季度显著降低超100万美元，全年来看，收入将在下半年更多实现；2024年已获得1460万美元合同中的610万美元，2025年将记录接近但略少的金额 [49][51][54] 问题2: Lattice Semiconductor合作对产品营收的影响 - 与Lattice的合作是联合为客户提供解决方案，无直接收入交换；该合作将加速设计订单和产品认证，但无法直接给出具体营收数字 [59][60] 问题3: 工业市场何时触底反弹 - 公司认为宏观经济情况难以预测，从订单情况看库存已处于底部，预计2025年下半年市场情况将比上半年更乐观 [62] 问题4: 与Purdue University合作项目的营收情况 - 该项目为期四年，DOD每年审查进展以决定是否续约；项目总价值约1050万美元，第一年约400万美元；营收按里程碑确认，并非均匀分布 [66][67][68] 问题5: RadHard项目的风险与机遇 - 公司对政策走向能见度低，目前现有项目进展正常，预计QuickLogic等项目将继续推进；新项目可能需等待新政府政策决策 [71][72]