涉及的行业或公司 * 和铂医药（一家专注于抗体药物研发的生物制药公司）[1] * 诺娜生物（和铂医药旗下的技术平台公司）[2] 核心观点和论据 财务业绩与增长 * 公司2025年上半年营收1.01亿美元（约7.3亿人民币），同比增长327%[4][8] * 净利润7300万美元（约5.2亿人民币），同比增长接近51倍[4][8] * 分子许可费收入增长350%[4] * 现金储备达3.2亿美元[8][34] * 经营性现金流达4.4亿人民币，同比增长47%[34] * 净资产为2.8亿美元，较去年底增长129%[35] 技术平台与合作 * 诺娜生物技术平台常规研究和技术授权收入同比增长165%[2][5] * 平台拥有超过100家合作伙伴，完成或执行超300个项目[5] * 与阿斯利康达成46亿美元全球战略合作[2][6] * 与大冢制药就BCMA CD3双抗达成约7亿美元海外授权合作[2][6] * 与Bistera就TCE肌细胞衔接器领域达成持续技术合作[2][6] * 抗体领域对外合作总金额超过20亿美元[4][9] * 与Winward Bio就HBM9378项目达成10亿美元海外授权合作[2][7] * XDC（尤其是ADC）领域对外合作金额超过15亿美元[10] 核心产品管线进展 * HBM9378（超长效全人源TSLP单抗）进入全球验证性临床阶段，针对COPD和中重度哮喘，中国COPD临床申请已获批[2][7][21] * HBM4003（新一代抗CTLA-4分子）在MSS CRC二期试验积极推进，数据将在ESMO公布[2][8][43] * HBM7020（靶向BCMA-CD3双抗）获大冢制药海外授权，计划2025年下半年启动自免领域全球一期临床[22][23][50] * HBM7022（抗Claudin 18.2/CD3双抗）由阿斯利康推进全球一期，入组240例患者，预计2026年年中读出数据[24] * HBM9033（ADC项目）由辉瑞推进全球一期，入组365例患者[24] * 巴托利单抗（抗FCRN抗体）已申报BLA，正在审评中[19][61] 战略布局与未来展望 * 公司定位为行业外部CSO，提供技术服务和V4服务，该部分收入预计保持50-80%增长[32] * 未来收益来源包括超过100亿美元里程碑包，预计2026年前转化为收入[32] * 未来12个月主要催化剂包括巴托利单抗中国获批、HBM9378全球及中国二期临床启动、与阿斯利康合作分子递交临床申请等[37] * 研发投入1800万美元，同比增长37%[33] * 公司被纳入MSCI全球小盘股指数，并启动2.4亿港元股份回购计划，已回购约1.4亿港元[36][56] 自身免疫疾病领域聚焦 * 全球自身免疫疾病市场规模达406亿美元，存在巨大未满足需求[18] * 公司依托技术平台全面进入自免领域，布局包括巴托利单抗、克鲁斯拜单抗、超长效TSLP单抗、HBM7020等产品[17][19][22] * 重点投入复杂分子（如双抗、多抗）的构建以治疗自免疾病[48][53] 技术创新与AI应用 * 诺娜生物构建Humetrics AI制药平台，用于抗体发现、优化与评估[4][29] * 平台成功孵化Elanse Therapeutics（专注减肥代谢）和Resilience Therapeutics（专注中枢神经系统疾病）两家公司[2][5] * AI技术应用于抗体发现、de Novo生成、生物标志物研发及临床数据挖掘[59][60] 其他重要内容 * 公司通过与中国本土转化医学网络合作，以释放产品全球价值[45] * 公司加强了管理层和人才队伍建设[46] * 与安进及百奥赛图的专利诉讼在正常推进中[62] * 新孵化的代谢和中枢神经疾病子公司旨在最大化技术平台价值[58]

HBM技术路线图 - 到2029年HBM5商业化时冷却技术将成为HBM市场竞争的主要因素[1] - 2025至2040年技术路线图涵盖HBM4至HBM8涉及架构、冷却方法、TSV密度等关键技术[1] - HBM4基础芯片将承担GPU部分工作负载导致温度升高使冷却技术变得重要[1] - HBM5采用浸入式冷却基片和封装浸入冷却液目前液体冷却方法存在局限性[1] - HBM4液体冷却剂注入封装顶部散热器[1] HBM技术演进 - HBM7需要嵌入式冷却系统将冷却液注入DRAM芯片之间为此添加流体TSV[2] - HBM7将与高带宽闪存(HBF)等架构结合NAND以3D方式堆叠[2] - HBM8将HBM直接安装在GPU顶部[2] - 从HBM6开始引入玻璃和硅的混合中介层键合是决定HBM性能的另一主要因素[2] HBM技术参数 - HBM4(2026)数据速率8Gbps I/O数2048带宽2TB/s容量36/48GB功耗75W[3] - HBM5(2029)数据速率8Gbps I/O数4096带宽4TB/s容量80GB功耗100W[3] - HBM6(2032)数据速率16Gbps I/O数4096带宽8TB/s容量96/120GB功耗120W[3] - HBM7(2035)数据速率24Gbps I/O数8192带宽24TB/s容量160/192GB功耗160W[3] - HBM8(2038)数据速率32Gbps I/O数16384带宽64TB/s容量200/240GB功耗180W[3] HBM架构与特性 - HBM4采用微凸块(MR-MUF)堆叠直接芯片(D2C)液体冷却[3] - HBM5采用浸入式冷却[3] - HBM7采用无凸块铜-铜直接键合嵌入式冷却[3] - HBM架构演进从定制基础芯片到全3D/HBM中心计算架构[3] - 附加特性包括缓存、网络交换机、存储网络控制器等[3]

HBM技术路线图 - 到2029年HBM5商业化时，冷却技术将成为HBM市场竞争的主要因素 [1] - 目前封装是半导体市场霸权决定因素，HBM5将转向冷却技术竞争 [1] - 2025-2040年技术路线图涵盖HBM4至HBM8，涉及架构、冷却方法、TSV密度等关键技术 [1] HBM技术演进 冷却技术 - HBM4采用顶部散热器注入液体冷却剂 [2] - HBM5采用浸入式冷却，基片和封装浸入冷却液 [2] - HBM7需嵌入式冷却系统，冷却液注入DRAM芯片之间，新增流体TSV [2] 架构创新 - HBM4基础芯片承担GPU部分工作负载导致温度升高 [2] - HBM7将结合高带宽闪存(HBF)等新架构，NAND以3D方式堆叠 [2] - HBM8直接把HBM安装在GPU顶部 [2] 键合技术 - 从HBM6开始引入玻璃和硅的混合中介层 [2] - HBM7采用无凸点铜-铜直接键合技术 [3] HBM性能参数 数据传输 - HBM4数据速率8Gbps，HBM8提升至32Gbps [3] - HBM4带宽2TB/s，HBM8达到64TB/s [3] 存储容量 - HBM4单芯片容量24Gb，HBM8提升至80Gb [3] - HBM4堆叠芯片数12/16层，HBM8达20/24层 [3] - HBM4总容量36/48GB，HBM8达200/240GB [3] 功耗 - HBM4功耗75W，HBM8增至180W [3] 技术特性 - HBM4采用微凸点(MR-MUF)堆叠 [3] - HBM5引入I/O接口优化和HBM屏蔽技术 [3] - HBM7采用混合均衡器和生成式AI设计 [3] - HBM8实现双面冷却和边缘扩展堆叠 [3]