英伟达动态与行业需求 - 英伟达首席执行官黄仁勋确认收到三星电子、SK海力士和美光的尖端内存样品，并指出这三家内存制造商均已大幅扩充产能以支持英伟达[3] - 黄仁勋表示公司业务增长非常强劲，各个机构领域都可能出现内存短缺，内存价格可能随公司运营情况上涨[3] - 市场对英伟达最新AI芯片Blackwell的需求非常强劲，台积电的晶圆需求也显著增长，Blackwell相关芯片用于GPU、CPU、网络设备和交换机[3] - 黄仁勋称台积电在晶圆供应方面提供了卓越支持，没有台积电，英伟达不可能取得今天的成就[3] - 英伟达成为首家市值突破5万亿美元的公司[4] - SK海力士回应称其明年的产能已全部售罄，并计划大幅增加投资以迎接半导体行业的超级周期[4] HBM4市场竞争格局 - SK海力士、美光科技和三星电子正在激烈竞争以主导估计价值1000亿美元的HBM4市场[6] - SK海力士已于上月完成下一代HBM4的研发并建立量产体系，并于3月向包括英伟达在内的主要客户交付了12-Hi HBM4样品，领先于竞争对手[6][7] - 三星电子已开始为HBM4的量产做准备，并正在与英伟达洽谈供应下一代高带宽内存HBM4[4][6] - 美光科技宣布其下一代HBM4内存已开始出货，声称其带宽超过2.8TB/s，引脚速度超过11Gbps，显著超过JEDEC官方规范[6] 主要厂商HBM4技术进展 - 美光已开始交付12-Hi HBM4样品，采用其独有的1-γ DRAM技术及基于CMOS芯片和封装的创新技术，声称拥有业界领先的性能和能效[7] - 美光计划在价值1000亿美元的HBM市场中获得比去年更高的市场份额，并预计今年高带宽存储器领域的收入将超过80亿美元[7] - 美光将提供HBM4E基础逻辑芯片的定制选项，预计定制化HBM4E将比标准产品提供更高的毛利率，该技术与台积电合作开发，使英伟达和AMD等客户能够优化设计[7] - SK海力士提供的12-Hi HBM4产品样品采用台积电12nm工艺制造的逻辑芯片，据称数据处理速度超过2TB/s[8] - SK海力士也计划为其HBM4E产品线提供定制产品，以满足英伟达、博通和AMD等客户的需求[8] HBM技术未来路线图 - 韩国科学技术院研究小组已概述另外四代高带宽存储器，带宽高达64 TB/s，堆叠高度达24层，比HBM4高出50%[10] - HBM4带宽高达2 TB/s，最大支持16层Hi DRAM芯片堆叠，容量达64 GB[10] - HBM4和HBM5将采用微凸点芯片堆叠技术，HBM6至HBM8将采用无凸点铜对铜直接键合技术[12] - 英伟达的费曼加速器将采用HBM5显存，整个GPU的HBM5容量为400至500GB，预计2028/2029年发布[12] - HBM6将采用有源/混合中介层，最大堆叠层数增至20层，容量达96至120 GB[12] - HBM7带宽为24 TB/s，是HBM6的三倍，堆叠容量达160至192 GB[12] - HBM8带宽将提升至64 TB/s，堆叠容量达200至240 GB，可能采用双面中介层集成HBM、LPDDR或HBF内存[13]