Micron Technology (NasdaqGS:MU) Q4 2025 Earnings Call September 23, 2025 04:30 PM ET Company ParticipantsSatya Kumar - Corporate VP - IR & TreasurySanjay Mehrotra - Chairman, President & CEOMark Murphy - EVP & CFOTimothy Arcuri - Managing DirectorVivek Arya - Managing DirectorCJ Muse - Senior Managing DirectorHarlan Sur - Executive Director - Equity ResearchKrish Sankar - Managing DirectorOperatorThank you for standing by and welcome to Micron Technology's Fiscal Fourth Quarter 2025 Financial Conference Cal ...

Micron Technology (NasdaqGS:MU) Q4 2025 Earnings Call September 23, 2025 04:30 PM ET Company ParticipantsHarlan Sur - Executive Director and Equity ResearchMark Murphy - CFOSatya Kumar - Investor RelationsKrish Sankar - Managing DirectorSanjay Mehrotra - Chairman, President, and CEOTimothy Arcuri - Managing DirectorCJ Muse - Senior Managing DirectorConference Call ParticipantsVivek Arya - Managing Director and Senior AnalystOperatorThank you for standing by and welcome to Micron Technology's Fiscal Fourth Q ...

财务数据和关键指标变化 - 第四季度营收达到创纪录的113亿美元 环比增长22% 同比增长46% [20] - 第四季度非GAAP摊薄每股收益为303美元 环比增长59% 同比增长157% [24] - 2025财年营收达到创纪录的374亿美元 同比增长49% [4][20] - 2025财年毛利率为41% 较2024财年提升17个百分点 [4][20] - 2025财年每股收益为829美元 同比增长538% [20] - 第四季度毛利率为457% 环比上升670个基点 [23] - 第四季度营业利润为40亿美元 营业利润率为35% 环比上升820个基点 同比上升12个百分点 [23] - 第四季度运营现金流为57亿美元 资本支出为49亿美元 自由现金流为8.03亿美元 [24] - 2025财年自由现金流为37亿美元 占营收的10% [24] - 第四季度末库存为84亿美元或124天 环比减少3.72亿美元 库存天数减少15天 [24] - 第四季度末持有119亿美元现金和投资 总流动性为154亿美元 [25] - 第四季度债务减少9亿美元 期末债务为146亿美元 [25] - 2025财年资本支出为138亿美元 [19] 各条业务线数据和关键指标变化 - 第四季度DRAM营收达到创纪录的90亿美元 同比增长69% 环比增长27% 占总营收79% [20] - 第四季度DRAM位元出货量实现低双位数百分比增长 价格实现低双位数百分比增长 [20] - 2025财年DRAM营收达到创纪录的286亿美元 同比增长62% [20] - 第四季度NAND营收为23亿美元 同比下降5% 环比增长5% 占总营收20% [21] - 第四季度NAND位元出货量下降中个位数百分比 价格上涨高个位数百分比 [21] - 2025财年NAND营收达到创纪录的85亿美元 同比增长18% [21] - 云内存业务单元(CMBU)第四季度营收45亿美元 占总营收40% 环比增长34% 毛利率59% 环比上升120个基点 [22] - 核心数据中心业务单元(CDBU)第四季度营收16亿美元 占总营收14% 环比增长3% 毛利率41% 环比上升400个基点 [22] - 移动客户端业务单元(MCBU)第四季度营收38亿美元 占总营收33% 环比增长16% 毛利率36% 环比上升12个百分点 [23] - 汽车和嵌入式业务单元(AEBU)第四季度营收14亿美元 占总营收13% 环比增长27% 毛利率31% 环比上升540个基点 [23] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心业务在2025财年达到公司总营收的56% 毛利率为52% [10] - HBM、高容量DIMM和LP服务器DRAM合计营收达到100亿美元 较上一财年增长超过五倍 [5] - 第四季度HBM营收增长至近20亿美元 年化运行率接近80亿美元 [10] - 第四季度服务器LP5产品实现超过50%的环比增长并创下营收纪录 [12] - 客户端SSD业务在第四季度和2025财年均创下营收纪录 [15] - 汽车和工业市场需求在整个季度走强 超出最初预测 [17] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司在先进技术领域处于领先地位 包括HBM、1-gamma DRAM和G9 NAND [5] - 1-gamma DRAM节点达到成熟良品率的速度比上一代快50% 是行业首个出货1-gamma DRAM的公司 [7] - 在第四季度获得主要超大规模客户的1-gamma服务器DRAM产品首次营收 [7] - G9 NAND生产爬坡进展顺利 TLC和QLC NAND均已量产 G9 QLC NAND已通过企业存储认证 [7] - 爱达荷州新晶圆厂完成关键建设里程碑 获得CHIPS法案拨款 预计2027年下半年开始产出首批晶圆 [8] - 日本晶圆厂安装首台EUV工具以实现1-gamma能力 安装时间创全球EUV工具纪录 [8] - 新加坡HBM组装和测试设施建设进展良好 预计2027年开始贡献HBM供应能力 [9] - HBM4 12-high产品按计划支持客户平台爬坡 带宽超过2.8TB/s 引脚速度超过11Gbps [11] - HBM4E将与台积电合作制造基础逻辑芯片 提供标准和定制化产品选项 [11][65] - HBM客户群已扩大至六个客户 [12] - 与英伟达紧密合作 在数据中心领域是LPDRAM的独家供应商 [13] - GDDR7产品设计引脚速度超过40Gbps 具有最佳能效 [14] - 推出行业首款G9 NAND数据中心产品 包括首款PCIe Gen 6 SSD [15] - 停止未来移动管理NAND产品开发 专注于更高投资回报机会 [16] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI驱动需求正在加速 行业DRAM供应紧张 [5] - 预计2025日历年服务器单位增长约10% 高于此前中个位数百分比增长预期 [9] - 传统服务器增长前景从持平显著改善至中个位数百分比增长 [9] - AI服务器增长仍然非常强劲 [10] - 预计2025日历年PC单位出货量实现中个位数百分比增长 高于此前低个位数百分比预期 [15] - 智能手机单位出货量预期保持不变 为低个位数百分比增长 [16] - 客户库存水平在各终端市场总体健康 [17] - 预计2025日历年行业DRAM位元需求增长在高十位数百分比范围 [18] - 预计2025日历年行业NAND位元需求增长在低至中十位数百分比范围 [18] - 预计公司2025日历年位元供应增长低于行业位元需求增长(非HBM DRAM和NAND) [18] - 预计2026日历年行业DRAM供应将进一步紧张 NAND市场状况持续改善 [19] - 中期预计行业DRAM和NAND位元需求增长均为中十位数百分比类别 [19] - 预计2026财年资本支出将高于2025财年水平 [19] 其他重要信息 - AI在全公司范围内应用 在代码生成等特定Gen AI用例中实现30%至40%的生产力提升 [6] - 在设计仿真中 AI通过高级建模和减少迭代加速硅到系统设计周期 [6] - 在制造中 过去一年分析的晶圆图像增加5倍 从工厂工具收集和分析的有用数据和遥测数据量翻倍 [6] - 2026财年将是53周财年 而2025财年是52周财年 [27] - 预计第一财季税率约为16.5% [27] - 预计第一财季资本支出约为45亿美元 [27] - 预计第一财季自由现金流将增强 2026财年年度自由现金流将同比显著提高 [27] 问答环节所有提问和回答 问题: 关于第一财季12亿美元环比营收增长的拆分以及毛利率影响因素 [31] - 第一财季DRAM占比将高于NAND 毛利率环比提升580个基点由产品组合、定价和成本削减共同推动 [32] - 需求方面数据中心支出保持强劲 传统服务器支出改善 PC、智能手机、汽车等内容增长增加 [32] - 供应方面由于结构性因素保持紧张 [32][33] 问题: 关于HBM总体可用市场(TAM)的更新以及2026年展望 [34][35] - 2030年HBM TAM预计达到1000亿美元 HBM位元复合年增长率将超过DRAM [36] - HBM价值主张持续增长 2026年将向HBM4过渡 [36] - 看到数据中心基础设施支出的数万亿美元投资公告 内存处于AI革命的核心 [37] 问题: 关于从HBM3E向HBM4过渡的时间安排、HBM3E定价趋势以及2026年份额展望 [40] - HBM4将在2026年第二季度左右开始首批生产发货 生产将在2026年下半年爬坡 [40] - 2026年份额预计增长 [40] - HBM3E定价协议已与几乎所有客户完成 涵盖2026年绝大部分供应 [40] - HBM4正在与客户讨论中 [40] - 预计2026年DRAM供应紧张 需求供应环境健康 [41] 问题: 关于毛利率前景以及云数据中心业务毛利率扩张空间 [42] - 预计毛利率在第一财季到第二财季环比改善 [43] - 需求供应因素具有持续性 客户库存健康 公司供应紧张 [43] - 预计2026年HBM和非HBM毛利率都将保持健康 [44] 问题: 关于DRAM需求拐点的可持续性以及2026年供应紧张情况下的季节性影响 [47] - AI趋势强劲 不仅训练还包括推理 需求向量正在扩大 [48] - AI服务器推动强劲需求 传统服务器需求也在增加 [48] - AI智能手机和AI PC是DRAM内容的顺风 [49] - 预计2026年全年需求强劲 供应紧张 [49] - 客户和供应商库存处于良好状态 公司DRAM供应非常紧张 [50] 问题: 关于资本支出分配以及2026财年总资本支出指引 [51] - 2026年支出绝大部分用于DRAM 包括建设、设施、节点转换工具和新晶圆厂初步安装 [52] - 2025年净资本支出138亿美元 总支出158亿美元 政府激励20亿美元 [52] - 政府激励主要来自美国、新加坡和日本 [53] 问题: 关于库存水平展望以及供应紧张持续到2026年的信心 [55] - 预计库存天数保持在第四季度水平或更好 DRAM将保持非常紧张 NAND库存天数预计下降 [56] - 1-gamma爬坡支持非HBM产品需求 HBM产品由1-beta支持 [57] - 专注于最大生产效率和技术转换 [57] 问题: 关于HBM4性能提升的实现方式以及客户验收时间表 [58] - 通过DRAM芯片设计、先进CMOS技术、基础芯片和创新内存架构实现性能提升 [59] - HBM4产品规格带宽28TB/s 速度11Gbps [59][60] - 按计划处于客户平台爬坡前沿 [59] 问题: 关于2026年HBM供应能力以及需求超预期时的灵活性 [61] - HBM3E定价和体积协议已与大多数客户完成 [62] - HBM4协议预计在未来几个月完成 [62] - 在前端具有可替代性 可以根据投资回报率管理HBM和非HBM组合 [63] - 组装和测试产能投资提供灵活性 [64] 问题: 关于HBM4和HBM4E基础芯片策略以及客户偏好 [65] - HBM4使用内部基础芯片 [65] - HBM4E将与台积电合作 提供标准和定制产品 [65] - HBM4E是2027年产品 [65] - 定制产品预计提供更高毛利率 [65] - 内部逻辑芯片提供独特优势 [66][67]

业绩总结 - Micron在2025财年第四季度实现创纪录的收入，达到374亿美元，同比增长近50%[8] - FQ4-25的总收入为113.15亿美元，环比增长22%，同比增长46%[89] - FY-25的总收入为373.78亿美元，同比增长49%[81] - FQ4-25的净收入为34.69亿美元，占总收入的31%[80] - FY-25的净收入为94.70亿美元，占总收入的25%[81] - FQ4-25的GAAP净收入为32.01亿美元，较FQ3-25增长69%[95] - FY-25的GAAP净收入为85.39亿美元，较FY-24增长1008%[100] 用户数据 - 数据中心业务在2025财年占公司总收入的56%，毛利率为52%[24] - 云内存业务（CMBU）在FQ4-25的收入为45.43亿美元，较FQ3-25增长34%，同比增长214%[90] - 核心数据业务（CDBU）在FQ4-25的收入为15.77亿美元，较FQ3-25增长3%，同比下降23%[90] - 移动和客户端业务（MCBU）在FQ4-25的收入为37.60亿美元，较FQ3-25增长16%，同比增长25%[90] - 自动化和嵌入式业务（AEBU）在FQ4-25的收入为14.34亿美元，较FQ3-25增长27%，同比增长17%[90] 毛利率与现金流 - Micron的毛利率在2025财年增长了17个百分点，达到41%[8] - FQ4-25的非GAAP毛利率为46%，同比增长10个百分点[80] - FQ4-25的现金流来自运营为57.30亿美元，占总收入的51%[71] - FY-25的调整后自由现金流为37亿美元[71] 未来展望 - 预计2025年数据中心服务器单位增长约10%，高于之前的中低个位数增长预期[21] - 预计2025年行业DRAM位需求增长将在高十几个百分点范围内[45] - FQ1-26的收入指导为125亿美元±3亿[77] 新产品与技术研发 - Micron的HBM收入在2025财年第四季度接近20亿美元，年化收入接近80亿美元[24] - Micron的1γ DRAM节点在记录时间内达到成熟产量，比前一代快50%[16] - Micron的LPDDR5在第四季度实现超过50%的环比增长，创下收入纪录[33] 其他财务数据 - DRAM在FQ4-25的收入为89.84亿美元，占总收入的79%，环比增长27%，同比增长69%[88] - NAND在FQ4-25的收入为22.52亿美元，占总收入的20%，环比增长5%，同比下降5%[88] - FQ4-25的非GAAP净收入为34.69亿美元，较FQ3-25增长59%[95] - FQ4-25的GAAP每股摊薄收益为2.83美元，较FQ3-25增长68%[97] - FQ4-25的非GAAP每股摊薄收益为3.03美元，较FQ3-25增长59%[97]

财务数据和关键指标变化 - 第三财季总营收93亿美元，环比增长15%，同比增长37%，创季度营收纪录 [29] - 第三财季DRAM营收71亿美元，同比增长51%，占总营收76%；环比增长15%，比特出货量增长超20%，价格下降低个位数百分比 [29] - 第三财季NAND营收22亿美元，同比增长4%，占总营收23%；环比增长16%，比特出货量增长20%多，价格下降高个位数百分比 [30] - 第三财季综合毛利率39%，环比上升110个基点，较指引中点上升250个基点 [32] - 第三财季运营费用11亿美元，环比增加8700万美元，符合指引范围 [32] - 第三财季运营收入25亿美元，运营利润率26.8%，环比上升约190个基点，同比上升13个百分点 [33] - 第三财季非GAAP摊薄每股收益1.91美元，高于指引范围上限，环比增长22%，同比增长超200% [33] - 第三财季运营现金流超46亿美元，资本支出27亿美元，自由现金流超19亿美元，为超六年来季度最高 [33] - 第三财季末库存87亿美元，即139天库存，环比减少2.8亿美元，库存天数环比减少19天 [33] - 第四财季预计营收107亿美元±3亿美元，毛利率42%±100个基点，运营费用约1.2亿美元±2000万美元，税率约13%，每股收益2.5美元±0.15美元 [36] 各条业务线数据和关键指标变化 - 计算和网络业务部门第三财季营收51亿美元，环比增长11%，创季度纪录，受HBM近50%的环比增长以及高容量DRAM和低功耗服务器DRAM增长推动 [30][31] - 存储业务部门第三财季营收15亿美元，环比增长4%，主要受面向消费者的营收增加推动 [31] - 移动业务部门第三财季营收16亿美元，环比增长45%，因客户库存减少和DRAM内容增长带来的强劲需求 [31] - 嵌入式业务部门第三财季营收12亿美元，环比增长20%，受工业和消费嵌入式市场增长支持 [31] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心市场，预计2025年服务器市场单位增长中个位数百分比，主要受AI服务器显著增长驱动 [13] - PC市场，预计2025年单位增长低个位数百分比，未来增长的关键催化剂包括AI PC的采用增加和Windows 11升级周期 [19] - 移动市场，预计2025年智能手机单位增长低个位数，AI采用仍是智能手机DRAM内容增长的关键驱动力 [20] - 汽车、工业和消费嵌入式市场，预计L2和L3 ADAS功能以及AI车载信息娱乐系统的采用增加将推动内存和存储内容增长以及更高带宽需求 [22] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 6月完成业务部门围绕关键市场细分的战略重组，以利用AI增长机会，将更多资源转移到AI相关机会 [7] - 推进一伽马DRAM技术节点，产量提升速度快于一贝塔节点，完成多个关键产品里程碑，包括基于一伽马的LP5 DRAM的首批合格样品发货 [7] - NAND方面，本季度QLC比特占比创历史新高，开始基于G9 2TB QLC NAND的新型高性能SSD产品的资格认证，按需求速度提升G9节点产量 [9] - 计划未来20多年在美国投资约2000亿美元，包括1500亿美元用于制造和500亿美元用于研发，还计划额外投资300亿美元，包括在爱达荷州博伊西建造第二家前沿内存工厂等 [10] - 公司在HBM市场表现出色，已向四个客户大量发货HBM，HBM3E 12i产量和产量提升进展良好，预计第四财季出货量交叉，预计在2025年下半年某个时候HBM份额达到整体DRAM份额水平 [14][15] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 客户库存水平总体健康，部分客户可能有一些关税相关的提前采购，但影响相对较小，客户仍对本日历年度剩余时间的需求环境持积极态度 [90] - 预计2025年行业DRAM比特需求增长处于高个位数百分比范围，NAND比特需求增长处于低两位数百分比范围，中期内预计DRAM和NAND行业比特需求复合年增长率为中个位数 [23][24] - 公司认为AI驱动的高性能内存和存储需求增长为公司带来了巨大机遇，公司凭借技术领先地位和全球制造投资，有望实现持续增长 [27][28] 其他重要信息 - 公司已向高容量细分市场的客户发出D4和LP4产品的停产通知，最终发货将在未来两到三个季度进行，公司领先的DRAM节点如one beta和one gamma专注于最新一代产品，不用于生产D4和LP4 [25] 问答环节所有提问和回答 问题: 如何看待HBM总可寻址市场（TAM）与加速器TAM的规模关系，以及HPM附加到GPU和定制ASIC是否有上限 - 公司认为HBM需求未来会增长，2025年HBM营收从去年的180亿美元增长到约350亿美元，2026年HVM比特需求增长将显著超过整体DRAM行业需求增长，HBM在加速器平台中的价值和需求持续向好，公司对HBM业务充满信心 [41][43][44] 问题: 第三财季毛利率环比上升的驱动因素是什么，这是否是新的毛利率基线，以及未来几个季度的影响因素 - 第三财季毛利率上升是由于价格好于预期以及成本表现良好，第四财季毛利率受有利产品组合影响提升至当前指引的42%，公司对业务发展持积极态度，未来将关注定价和产品组合，预计毛利率可能上升 [48][50][54] 问题: 如何理解HBM达到DRAM市场份额的时间和收入情况 - 基于第三财季表现，HBM年化营收已超60亿美元且产量持续提升，公司预计可能比之前预期更早达到HBM份额与DRAM份额一致，这得益于公司在产量、良率提升和产能建设方面的出色执行 [60][61] 问题: 明年HBM的正常化份额预期，以及NAND目前的利用率和明年的计划 - 公司将像管理其他产品组合一样管理HBM产品组合，关注投资回报率和盈利能力，HBM具有灵活性和成本效益优势；NAND方面，到2025财年末整体产能较2024财年末下降约10%，部分NAND仍未充分利用，但前沿NAND已完全利用 [66][67][68] 问题: 目前日历2026年HPM供应和定价谈判情况，以及客户2026年HBM预测需求是否超过公司供应能力 - 公司2025年HVM已售罄，正与客户密切合作，关注2026年客户需求，已对HBM4产品进行样品测试，专注于产品资格认证和满足客户需求 [72][73] 问题: 2026财年资本支出计划是否以营收的35%为合理指导 - 公司面临代际技术转型机遇，需要建设新产能，第四财季资本支出将增加，预计全年约140亿美元，未来将继续建设产能，预计第四财季产生自由现金流，公司资产负债表灵活，有能力投资业务、保持技术领先并向股东返还资本 [77][78][79] 问题: HBM4的贸易比率预期，以及销售给GPU和ASIC客户的HBM比特和利润率情况 - HBM4贸易比率大于3，HBM4E比率更高，从HBM3E到HBM4再到HBM4E，贸易比率从约3向4发展；HBM在GPU和ASIC加速器中都具有高价值，公司不区分两者具体利润率 [83][84][85] 问题: 关于客户库存水平和关税相关提前采购的评论，以及对下半年比特需求的影响 - 客户库存水平总体健康，关税相关提前采购影响相对较小，客户对本日历年度剩余时间的需求环境持积极态度，需求趋势受AI驱动的数据中心需求、汽车工业需求复苏以及智能手机和PC中AI渗透率增加等因素推动 [90][91] 问题: HBM4的资格认证进展，以及是否能延续HBM3E的功率性能领先地位 - 公司已向客户提供HBM4早期产品，对产品执行和规格表现满意，计划延续功率性能领先地位，HBM4采用成熟的one beta技术节点，公司对2026年HBM4市场表现有信心 [95][96] 问题: 公司专注于AI服务器，是否看到AI服务器对SSD的加速拉动 - 2024年末和2025年初数据中心SSD有库存消化情况，预计2025年下半年将好于上半年，公司数据中心SSD与近期宣布的加速器平台适配，有助于未来增长，公司计划继续将产品组合转向NAND市场的高价值部分 [99][100]