液冷行业电话会议纪要关键要点 涉及的行业与公司 * 液冷行业 特别是数据中心芯片散热领域[1] * 涉及公司包括英伟达 英特尔 陶氏 诺亚科技 浙江东亚 汉正 阿里巴巴 字节跳动 华为 曙光 英维克 润和公司等[2][9][11][16][17] 核心观点与论据 技术发展趋势 * 液冷方案从传统风冷 冷板向单向静默和双向静默演进 冷板仍是主流但头部企业对全静默方式持审慎态度[2] * 英伟达在GB300上采用单向能板 预计2026年鲁比发布时双向能板将成为主流并与静默式综合使用[1][2] * 未来发展方向包括双向能板与静默式耦合 增强节点覆盖以及新型材料应用[1][5][8] * 芯片散热技术从被动散热转向主动散热 微通道冷板（MLCP）技术直接将门板与芯片封装结合提高散热效率 但成本是传统门板的3至7倍[7] * 改进芯片上盖与冷板之间的导热层 如使用纳米材料或液态金属 是提高散热效率的有效方案[7] 技术挑战与选择 * 双向能板技术面临设计复杂性和介质选择挑战 相变过程需要更好的密封性和耐受更大蒸汽压[4] * 制冷剂选择是关键 R134（第三代）和1,233ZD（第四代）是主要候选 R134具有较高比热容且成本低但蒸汽压高 1,233ZD成熟度高但成本较高且GWP值不低[1][3][4] * R134A制冷剂因成熟性和代言能力强 可能与第四代制冷剂并存 英伟达的选择至关重要[13] * MLCP技术是对门板的精细化改进 旨在提高散热效率 但能否完全替代现有技术尚无定论[12] * 液态金属导热性能优异（导热系数可达80）但成本高且存在氧化 腐蚀 导电性问题 目前处于早期实验阶段[14][15][16] 冷却工质发展 * 浸没式冷却工质选择需考虑经济性 性能和环境影响[9] * 硅油经济环保但性能一般 全氟聚醚性能优异但价格高昂 全氟胺供应链尚未成熟 三聚体作为折中选择性能有所提升[1][9] * 硅油因低粘度（约10）和高燃点受英特尔推荐 但在数据中心推广受粘度限制（其他冷却液粘度通常为1或2）[9][11] * 未来几年浸没式冷却工质发展围绕性能提升 成本控制及环境友好性展开 三聚体和硅油或成主要选择[10] * 新型环氧三聚体通过改变分子结构提高稳定性 沸点从109-111度提升至124度（接近全氟胺的128度） 挥发性减弱 已在半导体控温领域获得部分认可 现阶段价格略高（每公斤约180-200元 传统三聚体约100-150元）[16] * 全氟聚醚价格高昂 K型全氟聚醚成本有望降至每公斤300元以下（目前售价每公斤500元以上） 但Y型成本难以大幅下降（目前最低每公斤四五百元）[17] * 全氟聚醚GWP值较高（通常保持在五六千左右）且短期内难以显著降低 但液冷客户对此并不十分关注[19] 市场动态与项目进展 * 英伟达节点数从NV72增加到144再到576 用量增长显著 推动门板覆盖需求增长[8] * 陶氏与英特尔联盟在大型项目上进展缓慢 保价机制和责任划分是主要问题[11] * 国内硅油市场在储能领域表现活跃（如润和公司） 但在数据中心推广受粘度限制[9][11] * 新型冷却液（如融合硅油和氟碳优点）正在研究中但尚需进一步验证[11] * 诺亚已实现新型三聚体量产 汉正也成功开发相关产品[17] 其他重要内容 * 上游材料如铝材 铜材 不锈钢软管 快速接头 CDU等将得到更多应用[1][4][8] * 碳氢油等其他材料无法用于数据中心[11] * 大多数厂商仍以样机测试为主 因为单向静默式系统尚未大量普及[16]

**行业与公司** * 行业涉及液冷散热解决方案 特别是数据中心和算力集群的散热技术[1] * 核心公司包括英伟达（芯片制造商） 新宙邦（液冷材料供应商） 洲邦（全屋净米技术提供商）[3][12][14] **核心观点与论据** * 芯片功耗提升驱动液冷方案迭代 英伟达新一代Ruby系列芯片散热需求已超出单向冷板能力范围[1][2] * 混合式液冷方案结合冷板与浸没式散热 冷板承担约70%热量 浸没液体处理剩余30% 此设计降低了对浸没系统稳定性的要求并简化了维护流程[1][4][5] * 混合式方案显著降低氟化液用量至每个机柜约500-600千克（半吨） 成本约为15-20万元 在性能与成本间取得平衡 有望成为下一代主流应用[1][6][7] * 双向冷板技术依赖氟利昂相变散热 R134A散热效能最高且成本较低（约5万元） 但面临全球配额缩减风险 氢氟醚是可调沸点的替代选择 但长期运行可能产生腐蚀[1][9] * 纯浸没式液冷有三种选型方向 高端电子氟化液（如全氟聚醚 全氟胺）因其优异性能成为国家级重点项目及大型算力集群的首选[1][10] * 混合式方案对液体兼容性要求更高 高端电子氟化液成为最优选择 若落地应用 一个机柜需半吨至600公斤 以30万元/吨计 市场需求潜力可达200亿元[3][11] **其他重要内容** * 新宙邦在液冷材料产能布局领先 现有产能近2500-3000吨 正建设专用于液冷的5000吨产能（可扩至万吨） 其他国内玩家产能多在500-1000吨水平[14] * 新宙邦主业估值约300亿人民币 液冷业务可带来约200亿估值 2025年服务业利润可能达77.75亿人民币[15][16] * 洲邦的全屋净米技术（半导体温控）在全球市场份额近30% 其技术优势可平移至液冷散热领域 并已与阿里巴巴 字节跳动等企业进行超过3年的验证[12][13]

业务与技术发展 - 公司主营业务是芯片设计，不涉及军工业务 [2] - 公司芯片产品已应用在扫地机器人、四足机器狗等产品上，小米仿生四足机器人"铁蛋"使用了公司芯片 [4][5] - 公司基于RISC-V架构内核开发了多款芯片产品，并已实现大规模量产 [5][6] - 公司已实现12nm产品的量产，后续将继续推进工艺平台的研发和迭代 [5] - 公司推出了包括A733在内的高性能产品，未来会根据客户需求持续迭代 [4] 合作与市场关系 - 公司会关注相关行业技术及应用的变化，包括碳化硅在芯片散热应用等 [2][3] - 公司基于RISC-V架构内核与阿里平头哥合作开发了多款芯片产品，并已实现大规模量产 [5][6] - 公司会密切关注美国对华集成电路领域相关措施及英伟达芯片禁售等事态发展 [4][5] 公司战略与愿景 - 企业愿景是追求卓越，成为持续健康发展的行业领导者 [3] - 公司会积极围绕目标客户需求投入研发，通过技术创新为客户提供优质产品和服务 [4] - 公司将根据经营需求选择下游目标市场及规划产品研发 [6] 股价与市值管理 - 股价受宏观经济、市场行情等多种因素影响，公司会积极做好经营，努力把握发展机遇，提振市值 [2][3]

股价表现 - 天岳先进股价上涨8.05%至65.8港元 成交额达1.15亿港元 [1] 行业技术动态 - 华为公布两项碳化硅散热专利 分别应用于电子元器件散热封装芯片和电路板领域 [1] - 英伟达新一代Rubin处理器将CoWoS先进封装中间基板材料从硅更换为碳化硅 预计2027年开始大规模采用 [1] 公司业务布局 - 天岳先进广泛布局光波导 TF-SAW滤波器 散热部件等新兴领域的碳化硅产品及技术 [1] - 公司供应应用于功率器件 射频器件的碳化硅衬底材料 [1] 行业前景 - 碳化硅导热性能优异 有望在中介层 散热基板等环节应用 [1] - 碳化硅衬底行业领军者天岳先进等厂商有望受益 [1]

碳化硅散热技术突破 - 华为公布两项碳化硅散热专利 涉及导热组合物和导热吸波组合物 应用于电子元器件散热及芯片封装领域[2] - 英伟达计划在2027年新一代Rubin处理器中将CoWoS封装基板材料从硅替换为碳化硅 以提升散热性能[6] 碳化硅材料性能优势 - 碳化硅热导率达500W/mK 显著高于硅材料（150W/mK）和陶瓷基板（200-230W/mK）[7] - 热膨胀系数与芯片材料高度契合 兼具高效散热和封装稳定性优势[7] - 采用碳化硅中介层可使GPU结温降低20-30℃ 散热成本降低30% 防止过热降频[8] AI芯片散热需求驱动 - 英伟达GPU功率从H200的700W提升至B300的1400W Rubin系列多芯片产品功率接近2000W[7] - CoWoS封装技术实现多芯片高密度集成 对散热提出更高要求[7] - 碳化硅中介层可缩小散热片尺寸 优化整体封装结构[7] 市场规模测算 - 东吴证券测算显示 160万张H100若替换碳化硅中介层 将产生76190张衬底需求[9] - 12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸（2500mm²）中介层[9] 产业链公司动态 - 露笑科技专注6英寸导电型碳化硅衬底片生产[14] - 天岳先进布局光波导、TF-SAW滤波器及散热部件用碳化硅产品[11] - 三安光电热沉散热用碳化硅材料处于送样阶段[11] - 晶盛机电实现12英寸导电型碳化硅单晶生长技术突破[12] - 时代电气具备年产2.5万片6英寸碳化硅芯片产能[13] - 通富微电完成碳化硅模块自动化产线研发并实现量产[14] 资本市场表现 - 9月以来露笑科技上涨32.33% 天岳先进上涨31.63% 晶盛机电上涨25.36% 天通股份上涨21.79%[15] - 融资资金加仓通富微电7.01亿元 露笑科技4.16亿元 天岳先进3.84亿元[14][15] - 晶盛机电、时代电气、瑞纳智能年内均获得6次投资者调研[11][15]

公司业务进展 - LCP材料已应用于芯片散热领域 [1] - LCP材料同时应用于服务器散热领域 [1]

行业市场规模与增长 - 中国热界面材料市场规模从2018年9.75亿元增长至2023年18.75亿元 年复合增长率达13.97% [1] - 行业增速显著 主要受高密度芯片和封装技术发展推动 [1][2] 技术结构与产品特性 - TIM1与TIM2构成芯片散热"双导热引擎" TIM1直接接触芯片需低热阻高导热性 使用石墨烯/氮化硼等填料 [1] - TIM2适配均热板与散热器 导热系数通常为5-10W/m.K 通过填充空隙降低接触热阻保障芯片稳定运行 [1] - 英伟达GPU热功耗从H100的700W升至B200的1200W 手机芯片热流密度突破15W/cm² [3] 应用领域分布 - 消费电子领域应用占比46.7% 新能源汽车领域占比38.5% [1] - 智能手机/平板等设备散热方案从传统导热材料升级至热管/均温板组合方案 高导热材料渗透率提升 [3] - VR/AR设备/固态硬盘/智能音箱/无线充电器等电子产品对散热提出更高要求 [3] 材料创新与竞争格局 - 金刚石材料和石墨烯等纳米材料将推动散热能力进一步突破 [4] - 全球市场以海外企业主导 国内企业凭借上游材料国产化率提升和研发突破有望提高市场份额 [4] - 下游消费电子和汽车电子市场持续扩大为行业提供广阔发展空间 [4]

材料研发突破 - 广东工业大学团队研发出高频-导热一体化石墨烯掺杂聚四氟乙烯(GO-PTFE)材料，能同时满足芯片的高频绝缘与高效散热要求，打破了国外的长期垄断 [1] - 该材料已被多家通信设备制造、高端芯片封装等行业龙头企业的严格认证，合作订单超过1.4亿元 [1] - 传统聚四氟乙烯(PTFE)材料虽拥有极佳绝缘性能，但阻碍散热，成为制约显卡性能跃升的主要瓶颈之一 [3] 技术难点与研发历程 - 市场上能同时满足高频绝缘与高效散热"严苛标准"的PTFE基复合材料长期被国外垄断，是我国高端电子产业亟待突破的难题 [3] - 团队核心成员甄智勇博士2015年开始研究PTFE材料，初期研发设备在学校科创基地，从石墨烯的纳米级官能团修饰工艺到模拟生产线的参数调试，每个环节都要反复琢磨 [3] - 经过7年攻关，团队于2022年成功研发出GO-PTFE材料 [5] 商业化进展 - 甄智勇创立广州沙魁科技有限公司，将GO-PTFE材料进行进一步研发和测试推广 [5] - 公司成立半年后，国内行业龙头企业的测试报告显示，GO-PTFE材料性能全面达标，核心性能包括优异的导热性、稳定的低介电常数和高剥离强度 [5] - 团队目标不仅要打破国外垄断，更要建立具有完全自主知识产权的高频导热材料体系 [5]

半导体热管理技术发展 - 晶体管数量持续增长接近硅的物理和热极限，漏电流增大且热量难以消散，业界转向先进封装技术如小芯片、3D堆叠和中介层来突破限制 [2] - 性能提升不再仅依赖晶体管尺寸缩小，更多依赖于架构、互连和热设计策略 [2] - 芯片热源主要来自开关功率(动态)、短路功率(动态)和漏电功率(静态)，其中漏电功率随晶体管尺寸缩小问题日益严重 [6][7][9][11] 热力学基础原理 - 热量是原子分子随机运动的表现，通过接触从高温物体传向低温物体直至平衡 [4] - 热导率差异显著：泡沫塑料0.03，铜400，钻石超过2000，真空为0 [4] - 热质量概念解释不同体积物体加热难度差异，如房间加热比整栋房子容易 [5] 芯片热源机制 - 开关功率源于数十亿栅极电容充放电，与活动因子、频率、电容和电压平方成正比 [9] - 短路功率产生于CMOS晶体管切换时的瞬时导通，与短路电流、电压和频率成正比 [9] - 漏电功率随晶体管尺寸缩小而加剧，成为限制新一代芯片性能的主要因素 [11] 散热技术演进 - 被动冷却适用于1瓦以下功耗，主动冷却应对几十瓦以上热负荷 [12][15] - 液冷和热管技术将热传递效率提升10-100倍，热管利用相变原理增强散热 [18][20] - 热电冷却(珀耳帖)和蒸汽压缩系统可实现亚环境温度冷却，前者效率待提升 [23][26] 前沿研究进展 - MIT开发基准测试芯片模拟千瓦/平方厘米功率密度，集成加热器和温度传感器阵列 [27][28] - HRL实验室研究3D异质集成冷却系统，需处理相当于190个笔记本CPU的热量 [28] - DARPA资助的Minitherms3D项目推动军用3D集成系统散热方案开发 [28] 行业发展趋势 - AI加速器密集计算带来全新散热挑战，数据中心探索液浸冷却和热回收技术 [11] - 绿色冷却技术加速部署，包括低GWP制冷剂和可持续散热方案 [11] - 3D芯片堆叠使散热路径复杂化，需要创新冷却方法支持异构集成 [27][28] 技术限制与挑战 - 芯片温度无法通过常规冷却低于环境温度，需要热电或相变系统 [23] - 散热器设计需平衡翅片厚度与热接触效率，非越大越优 [22] - 物理定律限制晶体管漏电控制，热管理成为性能扩展的核心瓶颈 [30]

高功率芯片的散热挑战 - AI芯片功耗指数级增长导致功率密度大幅提升，以H100为例最大功耗达700W，芯片尺寸814mm²，发热引发的翘曲问题日益严重 [1] - 芯片温度每升高10℃可靠性可能降低约50%，高效散热对维持AI芯片稳定运行至关重要 [1] - 传统热界面材料（TIM）在1000mm²级以上封装中面临"泵出效应"，动态形变导致热传导效率下降 [3] 热界面材料技术分层 - TIM1 5用于裸芯片与散热器直接连接，TIM1用于芯片与Lid间，TIM2用于Lid与散热器间 [2] - 传统硅脂、相变材料、铟片虽满足低BLT（≤0 3mm）和低热阻（≤0 1℃cm²/W），但无法解决CTE失配引发的0 1-0 3mm翘曲 [3] 鸿富诚石墨烯导热垫片创新 - 纵向石墨烯垫片通过超薄工艺实现BLT达0 1mm，搭配70%压缩量 [4] - 单层石墨烯理论导热系数5300W/mK，实际热阻低至0 04℃cm²/W [5] - 多孔结构设计可吸收翘曲位移，防止材料挤出，通过1000小时老化测试后热阻变化率＜5% [6][7] 商业化与竞争优势 - 已实现自动化产线量产，获国内外芯片龙头认可并获"质量优秀协作奖" [8] - 相比导热硅脂：无蠕变风险、热阻更稳定、硅氧烷含量极低 [11] - 相比铟片：工艺简化无需镀金/真空回流焊，避免Void偏大等缺陷 [11] 应用场景与产业布局 - 典型应用包括AI算力芯片、智驾域控制器、高性能显卡等 [14] - 在深圳、马来西亚、泰国设生产基地，拥有完整知识产权和专利 [8] - 产品在SEMICON China等国际展会展示 [15]