氮化镓（GaN）市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务，原因是来自中国大陆厂商的竞争侵蚀利润率，停止200毫米晶圆研发[1] - 力积电接替台积电承接Navitas的GaN订单，计划2026年上半年生产100V系列产品[2] - 英飞凌推进12英寸GaN产线，首批客户样品计划2025年第四季度发布，300毫米晶圆芯片产量比200毫米增加2.3倍[4] - 瑞萨电子暂停碳化硅项目，转向GaN，推出三款650V GaN FET，芯片尺寸缩小14%，导通电阻降低14%[5][6] - ST与英诺赛科深化合作，ST延长禁售期至2026年6月29日，双方签署联合开发和制造协议[8][9][11][12] 中国厂商崛起 - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币，同比增长39.8%，海外收入1.26亿元，占总收入15.3%[14] - 英诺赛科当前晶圆产能1.3万片/月，计划提升至2万片/月[14] - GaN被列入中国"第三代半导体"重点扶持方向，获得政府基金支持[14] 市场前景与挑战 - GaN功率半导体市场2024-2028年复合年增长率预计达98.5%，2028年市场规模将超68亿美元[15] - 消费电子领域GaN市场规模2028年预计达29亿美元，复合年增长率71.1%[15] - 电动汽车领域GaN市场规模2028年预计达34亿美元，复合年增长率216.4%[15] - GaN面临从快充向电动汽车主驱系统等高压核心场景突破的挑战，需解决热管理、封装、电流能力等问题[16][17] - 马自达与ROHM合作开发GaN汽车零部件，计划2027财年实现实际应用[17]

氮化镓市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务，因中国竞争侵蚀利润率[3] - 力积电接替台积电承接Navitas订单，计划2026年上半年生产100V系列GaN产品[4] - 英飞凌推进12英寸GaN产线，首批客户样品计划2025年第四季度发布[5] - 瑞萨电子暂停SiC项目，转向GaN研发，推出三款650V GaN FET[7][8] - ST与英诺赛科深化合作，延长禁售期至2026年6月29日[10][11] 技术发展与市场前景 - GaN具有更高功率密度、更快开关速度和更低能量损耗，适合消费电子和工业应用[5] - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币，同比增长39.8%，海外收入占比15.3%[13] - Frost & Sullivan预测2024-2028年GaN功率半导体市场CAGR达98.5%，2028年市场规模超68亿美元[14] - Yole预计消费电子GaN市场2028年达29亿美元，电动汽车领域达34亿美元[14] 行业竞争格局 - 英诺赛科全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆大规模量产，产能1.3万片/月[13] - Navitas 2024年GaN业务增长超50%，获得超180个GaN充电器设计订单[4] - 中国GaN企业崛起，获政策支持和政府基金注入[13] - 马自达与ROHM合作开发汽车用GaN零部件，计划2027年实现实际应用[16] 应用挑战与机遇 - GaN需从快充等边缘应用迈向电动汽车主驱系统等高压核心场景[2][14] - 主驱电源对温升、EMI、浪涌承受能力要求极高，GaN在热管理等方面仍需提升[15] - GaN器件"驾驭"难度高，系统设计厂商需适配栅极驱动、电磁兼容等问题[16] - 特斯拉、丰田、大众等车企正将GaN用于车载充电器和电池管理系统[16]

瑞萨收购Transphorm后的GaN战略布局 - 公司于2024年年中完成对氮化镓（GaN）电力半导体供应商Transphorm的收购，整合其技术以强化电源解决方案[1] - 通过交钥匙设计使客户能快速受益于GaN产品，同时强调可持续能源节省和环保目标[1] GaN技术路线与市场定位 - 公司突破传统认知，证明GaN可覆盖6KW-12KW高功率应用（如电动汽车马达驱动、OBC充电），而不仅限于中低功率[2] - 在1200V以下电压范围，GaN相比SiC具有成本优势（SiC晶圆加工需类似钻石工艺）[2] - 采用D-Mode GaN技术路线，通过共源共栅配置实现常关状态，性能优于E-Mode[3][5] D-Mode GaN的核心优势 - 无P-GaN结构，门栅电压与普通MOS管一致，且无dynamic Rds(on)，内阻稳定性更佳[5] - 无体二极管设计，全桥/半桥效率达99%（SiC最高仅98.6%）[5] - 同功率下器件数量仅为E-Mode一半，高温可靠性更高，兼容普通封装且功耗更低[7] - 外延片自主生产及专利控制（"用MOS管控制D-Mode GaN"技术独家持有20年）[6] 第四代半GaN新品发布 - 推出基于SuperGaN平台的650V GaN FET系列（TP65H030G4PRS/WS/QS），采用硅FET输入级，兼容标准栅极驱动器[9] - 性能提升：导通电阻（RDS(on)）降至30mΩ（降低14%），FOM提升20%，芯片尺寸缩小[10] - 封装覆盖TOLT/TO-247/TOLL，支持1KW-10KW功率系统，优化散热与并联需求[11] 应用场景与未来规划 - 新品瞄准AI服务器（2KW-7.5KW）、800V高压直流架构、电动汽车充电、太阳能逆变器等市场[10][11] - 计划推出22mΩ器件专攻6.6KW-7.5KW AI服务器，未来拓展1200V产品线[10][12] - 已交付超2000万个GaN器件（累计运行3000亿小时），配套提供MCU、BMS等全方案降低客户门槛[12]

技术突破 - 中国平煤神马集团旗下中宜创芯公司成功将碳化硅半导体粉体纯度突破至8N8（99.9999998%），超越此前全球最高纪录8N（99.999999%）[1] - 纯度提升标志着我国在高端半导体材料领域实现重大突破，为芯片产业自主化提供动力[1] - 技术团队引进国内首台新型无污染碎料装置，采用先进粉体合成炉和自动化无污染破碎技术，正品率从55%提升至85%[1] 产品优势 - 碳化硅半导体粉体产品具有颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，适合8英寸碳化硅厚单晶晶锭生长[2] - 产品已通过浙江材孜、江苏超芯星、山东粤海金等国内知名企业验证使用[2] 研发进展 - 中宜创芯公司自2023年5月成立以来专注于碳化硅半导体材料研发，此前纯度已达7N8（99.999998%）水平[1] - 纯度提升前已吸引30多家企业和研究机构试用验证[1] 产业化进程 - 集团公司正加速推进碳化硅粉体纯度提升后的产业化进程[2]

公司背景与历史 - Wolfspeed前身为Cree Research，1987年由六位年轻人创立，专注于碳化硅材料在LED领域的商业化[8] - 1991年推出全球首片商业化硅碳化物晶圆，奠定碳化硅领域先驱地位[8] - 1993年成功登陆美股，为氮化镓领域发展筹备资金[11][12] - 2017年更名为Wolfspeed，全面转型第三代半导体[15] 技术优势与市场地位 - 拥有全球首家8英寸碳化硅晶圆厂，曾是全球最大SiC基板制造商[3] - 2018年碳化硅衬底全球市占率达62%，2024年在N型衬底领域降至33.7%[16] - 曾掌握全球60%碳化硅衬底市场[21] - 2011年发布世界首款碳化硅MOSFET，打破行业疑虑[13] 业务转型与战略失误 - 2016年起出售LED照明和LED产品业务，全面转向第三代半导体[15] - 2018年收购英飞凌射频功率业务，稳固射频碳化硅基氮化镓技术领导地位[15] - 坚持自产自用+部分外销模式，未能及时进行垂直整合[16] - 耗资50亿美元建设8英寸碳化硅晶圆厂，占据过半资本支出[18] 财务与经营困境 - 市值曾达165亿美元，股价较巅峰时期跌幅超99%[3][4] - 2024财年净亏损飙升至8.64亿美元，10年来持续亏损[21] - 截至3月拥有13.3亿美元现金及65亿美元债务[20] - 2025年5月21日股价单日暴跌57%，市值蒸发超10亿美元[21] 行业竞争与市场变化 - 中国天岳先进和天科合达分别占据17.1%和17.3%市场份额[16] - 新能源汽车占碳化硅需求超60%，但欧美市场需求放缓[20] - 8英寸晶圆厂产能利用率仅20%，固定成本激增[22][23] - 未能抓住中国市场机遇，导致技术滞后与成本高昂[3][24]

政策支持 - 深圳出台《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》，设立总规模50亿元的"赛米产业私募基金"，以"政策+资本"推动半导体产业链优化 [1] - 政策提出10条支持举措，重点任务包括加速化合物半导体成熟，聚焦氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半导体材料的研发与产业化 [1] - 政策支持化合物半导体材料制备、器件设计、芯片制造等关键环节的技术突破，鼓励企业开展碳化硅功率器件、氮化镓射频芯片等产品的量产化应用 [1] 基金投资 - "赛米产业私募基金"于2025年5月完成工商登记注册，首期出资36亿元，重点投向半导体产业链关键环节，包括化合物半导体芯片的研发和产业化 [1] - 基金由深圳市引导基金、龙岗区引导基金等政府资本牵头，深创投担任管理人 [1] - 基金投资方向明确指向"构建自主可控的本地化产业链供应链"，优先支持与深圳现有产业生态互补的项目，如碳化硅衬底材料、氮化镓外延片制造、车规级化合物半导体模块等 [3] 产业布局 - 深圳不同区域各有侧重：宝安区规划石岩第三代半导体产业园重点发展碳化硅功率器件，目标引进15家以上企业，形成200亿元年产值 [4] - 龙华区规划建设化合物半导体集聚区，聚焦材料、器件制造与封装测试环节 [4] - 龙岗区已形成四大集成电路产业基地，覆盖设计、制造、封测，集聚企业超千家 [4] 企业动态 - 截至2025年6月，深圳已集聚化合物半导体相关企业超过80家，涵盖材料、器件、设备等全链条环节 [4] - 比亚迪半导体的碳化硅功率模块已实现大规模装车应用，自研量产全新碳化硅功率芯片电压高达1500V [4] - 重投天科的6英寸碳化硅衬底生产线产能逐步释放，技术指标达到国际先进水平 [4] 产业链协同 - 龙岗区正规划建设专业集成电路产业园，重点承接化合物半导体制造项目 [5] - 市级产业联盟推动龙头企业与32家中小企业达成供应链合作 [5]

AI算力需求推动数据中心电力架构升级 - 随着AI算力需求暴增，数据中心电力架构正迎来十年最大升级，英伟达领军的800V高压直流（HVDC）技术预计2027年全面导入兆瓦级AI机柜[1] - 800V直流电技术可使相同尺寸导线传输功率增加85%，相较于传统架构，英伟达800V HVDC需多一道800V直流电降压至54V直流电的程序[1] - 该架构需使用高规格耐高压PMIC，但在个别Compute Tray中仍沿用原先中低压PMIC即可[1] 第三代半导体代工版图重组 - 台积电宣布两年内逐步退出氮化镓（GaN）市场，其大客户纳微半导体急寻新来源[1] - GaN应用于数据中心仍有安全性疑虑，因GaN on Si制程中两种材料晶体结构及热膨胀系数不匹配，遇高压易被击穿[2] - 不直接使用GaN衬底因主流仅发展到6吋且成本高，70%原材料如铝土矿或闪锌矿产能掌握在中国大陆业者手中[2] 台系供应链竞争格局变化 - 未来Compute Tray中Power IC需求将提升，如记忆体电压必须由54伏转到12伏，目前海外业者如英飞凌、MPS占据主要市场[2] - 台厂致新、茂达持续抢攻，从一般型伺服器入局，有望抢占相关商机[2] - 台积电进行产能最佳化，将老厂人力调往先进封装支援，在部分成熟、特殊制程节点进行取舍，使力积电等晶圆代工业者有机可乘[2] 台系PMIC厂商发展机会 - 海外PMIC大厂根据客户需求调整产品组合，使台系供应链有机会打入Tier 1客户[3] - 尽管短期未见明显业绩挹注，但依循正确产业方向投入研发将有机会大放异彩[3]

公司概况 - 深圳基本半导体股份有限公司递表港交所拟主板上市 符合港交所《上市规则》第十八C章特专科技公司定义 中信证券、国金证券及中银国际为联席保荐机构 [1] - 公司成立于2016年 专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售 是中国唯一整合碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试能力的企业 [1] - 按2024年收入计 公司在全球及中国碳化硅功率模块市场分别排名第七及第六 在中国公司中排名第三 [1] 业务结构 - 收入主要来自碳化硅分立器件、碳化硅功率模块及功率半导体栅极驱动销售 2022-2024年碳化硅功率模块收入占比从4.3%升至48.7% 功率半导体栅极驱动收入占比从45.8%降至26.8% [2] - 同期碳化硅分立器件收入占比从31.2%降至17.4% 其他业务收入占比从18.7%降至7.1% [2] - 2022-2024年总收入分别为1.17亿元、2.21亿元和2.99亿元 年复合增长率达59.8% [2] 财务表现 - 2022-2024年年内亏损分别为2.42亿元、3.42亿元和2.37亿元 经调整年内亏损分别为1.87亿元、3.10亿元和1.99亿元 三年累计亏损8.21亿元 [2] - 毛利率从2022年-48.5%改善至2024年-9.7% 净利润率从-206.7%收窄至-79.3% [3] - 研发成本占收入比重从2022年50.8%降至2024年30.5% 但仍高于行业平均水平 [4] 资产负债与现金流 - 资产负债比率从2022年38%攀升至2024年85% 流动比率从2.6降至0.5 [6][7] - 经营活动所用现金净额连续三年为负 分别为-3.07亿元、-1.2亿元和-2406.8万元 [5] - 2024年末现金及现金等价物为4537.1万元 较2022年1.04亿元下降56.4% [5] 客户与生产 - 2024年前五大客户收入占比达63.1% 最大客户收入占比45.5% [4] - 无锡生产基地产能利用率从2022年11.2%提升至2024年52.6% 坪山测试基地利用率稳定在75%-80% [9] - 2024年4月投产的光明生产基地利用率为45.2% [9] 融资与股权 - 2025年4月完成D轮融资1.5亿元 投后估值达51.6亿元 累计完成A轮至D轮多轮融资 [10] - 创始人汪之涵通过多个实体控制44.59%投票权 员工持股平台合计持有18.46%股权 [9][10] - IPO募集资金将用于扩产、研发、全球分销网络建设及营运资金 [9] 行业分析 - 碳化硅是第三代半导体关键材料 新能源汽车为最大终端应用市场 公司为国内首批大规模生产车用碳化硅解决方案的企业 [1] - IDM模式需覆盖全产业链 资本开支强度远超Fabless模式 固定资产占总营收比例达74.7% [8] - 行业研发成本占比极高 技术壁垒高且迭代快 需持续投入全环节技术突破 [3][4]

报告核心观点 - 上周市场普涨，微盘股、创业板指、成长表现最好，红利、消费、稳定表现最弱；行业中计算机、国防军工、非银金融涨幅前三，石油石化、食品饮料、交通运输表现最弱；各行业估值普涨，非银金融、农林牧渔、家电、食品饮料估值处于近一年低位；各行业盈利预期整体微幅变动，综合上调幅度最大，计算机下调幅度最大；海外主要指数普涨，日经 225 表现最好，英国富时 100 表现最差 [1][10][13][35][50][53] 各部分总结 市场普涨，微盘与创业板指居前 - 上周微盘股、创业板指、成长表现最好，红利、消费、稳定表现最弱；万得全 A 近一周涨幅 3.56%，上证指数 1.91%，深证成指 3.73%，创业板指 5.69%，万得微盘股指数 6.94%，红利指数 -0.51% [10][11] - 行业中计算机、国防军工、非银金融涨幅前三，石油石化、食品饮料、交通运输表现最弱；计算机近一周涨幅 7.70%，国防军工 6.90%，非银金融 6.66%，石油石化 -2.07%，食品饮料 -0.88%，交通运输 -0.24% [13][14] 宽基指数估值普涨 - 创业板指/沪深 300 相对 PE 上升，相对 PB 上升；万得全 A ERP 下降，接近 21 年以来历史均值 [17][18] - PEG 视角下红利与金融配置价值高，PB - ROE 视角下科创 50 与成长风格安全边际高 [21] - 上周指数估值普涨，主要指数估值高于近一年 50%分位水平，创业板指处于近一年估值相对低位；大类行业整体估值分化，金融地产估值高于 50%历史分位，原材料、设备制造、工业服务、交通运输、消费、科技历史估值处于 50%左右及以下水平 [26][28] 行业估值普涨，计算机、国防军工领涨 - 各行业估值普涨，非银金融、农林牧渔、家电、食品饮料估值处于近一年低位 [35] - 从 PE、PB 偏离度看，食品饮料、农林牧渔、公用事业、家用电器等行业估值较为便宜；PB - ROE 视角下，非银、公用事业、农林牧渔、食品饮料以及社服 PB - ROE 较低 [39][44] - 热门概念中，无人驾驶、半导体材料、培育砖石、第三代半导体、数字货币、6G、机器人、中字头央企等处于估值三年历史较高分位 [48] - 上周各行业盈利预期整体微幅变动，综合上调幅度最大，计算机下调幅度最大 [50] 海外市场表现 - 上周海外主要指数普涨，日经 225 表现最好，英国富时 100 表现最差；日经 225 本周涨跌幅 4.55%，英国富时 100 0.28% [53][54]

行业背景 - 全球汽车电动化浪潮和"双碳"战略推动功率半导体市场空间广阔 [1] - 碳化硅（SiC）器件因高电压、高频率和高效率特性成为新能源汽车主驱系统关键核心器件 [2] - 氮化镓（GaN）器件在DC-DC转换、车载充电机等新兴领域展现出巨大潜力 [2] 公司融资动态 - 斯达半导拟发行不超过15亿元可转债 为上市以来第三次大规模融资 前两次融资总额达40亿元（IPO募资5.1亿+2021年定增35亿）[1][4] - 可转债募集资金主要投向三大新能源汽车核心器件项目：车规级SiC MOSFET模块（6亿元）、IPM模块、车规级GaN模块 [2] 募投项目详情 - **SiC MOSFET模块项目**：扩大SiC模块产能 提升良率和车规认证能力 瞄准新能源汽车主驱系统 [2] - **IPM模块项目**：聚焦新能源汽车空调、电动压缩机等场景 2024年国内IPM需求达4.4亿颗（同比+20.8%）[2] - **GaN模块项目**：构建从芯片封装到系统集成的完整工艺平台 布局下一代半导体技术 [2] 公司业绩表现 - 2020-2023年营收从9.63亿元增至36.63亿元 归母净利润从1.81亿元增至9.11亿元 [5] - 2024年首次出现营收、净利润双下滑：营收33.91亿元（同比-7.43%） 归母净利润5.08亿元（同比-44.24%）[5] 行业竞争格局 - 全球功率半导体市场由英飞凌、安森美等国际巨头主导 国内企业在技术积累和产能规模上存在差距 [8] - 国内碳化硅产业链加速建设：山西天成实现8英寸SiC衬底量产 杰平方半导体8英寸SiC晶圆厂预计2027年投产 [8] 战略意义 - 募资项目将提升公司在新能源汽车电控系统核心器件领域的综合竞争力 [7] - 公司有望通过第三代半导体布局加速国产功率半导体从"替代者"向"引领者"转变 [8]