证券代码：002156 证券简称：通富微电 公告编号：2025-012 通富微电子股份有限公司 2024 年度利润分配预案的公告 本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、 误导性陈述或重大遗漏。 一、审议程序 2025 年 4 月 10 日，通富微电子股份有限公司（以下简称"公司"）召开了 第八届董事会第九次会议和第八届监事会第七次会议，审议通过了《公司 2024 年度利润分配预案》，该议案尚需提交股东大会审议通过。 二、2024 年度利润分配预案基本情况 1、经致同会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司 2023 年期末合并报表 中未分配利润为 2,678,105,680.59 元，加上 2024 年度实现的归属于母公司所有 者 的 净 利 润 677,588,312.75 元，减去 2024 年 度 提 取 法 定 盈 余 公 积 金 4,032,774.38 元，减去 2024 年度支付普通股股利 18,211,154.77 元，公司 2024 年期末合并报表中未分配利润为 3,333,450,064.19 元。母公司报表中，母公司 2024 年期末未分配利润为 1,781, ...

市场表现 - 截至2025年4月11日14:45，中证500质量成长指数(930939)上涨1.02%，成分股通富微电(002156)、扬杰科技(300373)、鼎龙股份(300054)等个股跟涨，500质量成长ETF(560500)上涨1.11%，最新价报0.91元 [1] - 截至2025年3月31日，中证500质量成长指数(930939)前十大权重股分别为赤峰黄金(600988)等，前十大权重股合计占比24.26% [2] - 部分指数成份股涨跌幅：水晶光电涨3.81%、东阿阿胶跌1.11%、西部矿业涨0.80%等 [4] 行业观点 - 渤海证券认为外部不确定风险显化，市场看点在于管理层对冲外部影响的节奏和力度，经济政策将发力，汇金等稳市资金加仓A股有助于市场企稳回升 [1] - 短期可关注消费板块政策博弈性机会、有色金属行业、家用电器和银行行业投资机会、公用事业行业 [1] 产品信息 - 500质量成长ETF紧密跟踪中证500质量成长指数，为投资者提供多样化投资标的 [2] - 500质量成长ETF(560500)，场外联接为鹏扬中证500质量成长ETF联接A(007593)和鹏扬中证500质量成长ETF联接C(007594) [4]

GenAI内存解决方案的核心需求 - GenAI应用需要高速、高带宽且低延迟的内存以实时处理海量数据 特别是在推理环节 数据的快速访问对实时决策和预测至关重要 [2] HBM的竞争态势 技术革新与优化 - 传统DRAM因带宽和延迟局限 促使HBM通过硅通孔(TSV)堆叠DRAM成为关键解决方案 [5] - 3D-IC和CoWoS等封装技术进步将应用于智能手机、PC等领域 需在不增加成本与空间的前提下降低延迟和能耗 [5] 厂商动态 - Samsung因测试与封装环节保守、过度关注成本而在HBM领域落后 预计2025年HBM3e改进后出货量或从80-90亿吉比特增至110-120亿吉比特 [6][10] - SK Hynix通过内存单元设计、逻辑电路(IVC)添加等措施满足NVIDIA需求 凭借灵活文化保持领先 [6] - Micron计划2025年直接推出HBM3e 采用1b DRAM单元和SK已验证的键合设备 [10] 中国存储市场的发展 国产化进展 - 中国计划2025年实现HBM3国产化 覆盖GPU制造至OSAT全供应链 但2026年后可能因美国设备管制面临挑战 [10] - CXMT预计2024年占全球DRAM产能13% 2025年产能或接近Micron 但每片晶圆比特产量较竞争对手少42% [11] 成本与机遇 - 中国DRAM成本或不含固定成本时低至$0.20/Gb(韩国为$0.23) 政府支持或助力成本竞争力 [17] - 华为Ascend 920支持HBM2/2e 虽落后于HBM3但通过高效软件在推理领域保持竞争力 [18] 智能手机与GenAI融合 技术趋势 - 智能手机带宽需求短期有限 未来生产力应用或提升需求 但计算主要依赖云端 [15] - 内存内计算(PIM)可能应用于高端手机 通过协议匹配实现更高带宽而不增加功耗 [15] - 苹果或从堆叠封装转向分立封装 提升iPhone Pro Max和折叠手机的带宽 [13][22] 边缘计算与定制HBM 定制化发展 - 定制HBM预计2026年随HBM4显著增长 NVIDIA、Amazon等7-8家IT企业推动其发展 [26] - 两种定制封装方案受关注：HBM直接安装于SoC或在基底芯片增加逻辑功能 [28] - 预计2030年定制HBM或占整体市场的30%-40% 需平衡性能潜力与成本可行性 [29] 行业整体趋势 - 2025-2026年为竞争关键期 中国在设备国产化(如Naura刻蚀机)和供应链布局上短期稳固 [18] - DRAM技术需权衡带宽、延迟等特性与成本时效性挑战 客户与制造商需共同承担创新风险 [22]

GenAI内存解决方案的核心需求 - GenAI应用需要高速、高带宽且低延迟的内存以实时处理海量数据 特别在推理环节需快速访问数据以实现实时决策和预测 [2] - 传统DRAM因带宽和延迟局限 需依赖HBM等硅通孔(TSV)堆叠技术满足性能需求 [6] HBM竞争格局与技术趋势 - **三星落后**：因测试/封装环节保守、过度关注成本 未能有效解决客户散热与功耗需求 HBM3e改进计划或使2025年出货量从80-90亿吉比特增至110-120亿吉比特 [7][11] - **SK海力士领先**：通过内存单元设计、逻辑电路(IVC)添加等措施满足NVIDIA功率限制 灵活企业文化推动技术突破 [7] - **美光追赶**：2025年直接进军HBM3e 采用1b DRAM单元及SK验证的键合设备 逻辑电路优化降低电压 [7][8] - **中国布局**：计划2025年实现HBM3国产化 覆盖GPU至OSAT全供应链 但2026年后受美国设备管制或面临制程挑战 [11] 中国存储市场动态 - **DRAM产能**：CXMT 2024年占全球产能13%/出货量6%/收入3.7% 2025年产能或媲美满载 但良率差距显著(DDR5良率<50%) [12] - **成本竞争力**：中国DRAM成本可低至$0.20/Gb(韩国$0.23) 政府支持固定成本 但技术滞后致每晶圆比特产量少42%(2024年) [12][17] - **新兴机遇**：AI+电动汽车推动需求 3D技术及国产设备替代成关键 但设备国产化需1-2年 [12] 智能手机与GenAI融合 - **内存革新**：PIM技术或应用于高端手机 通过协议匹配提升带宽 折叠屏手机缓解空间限制 [15] - **三星策略**：2025年HBM3e改进逻辑电路 出货量或增长37.5% 但面临中国HBM国产化竞争 [11] - **云端分流**：短期内手机带宽需求有限 因计算任务多由云端执行 [15] 定制HBM与未来趋势 - **市场增长**：定制HBM预计占2030年HBM市场30-40% 数据中心定制计算市场规模2028年或达25%(2023年为16%) [28][29] - **技术路径**：直接集成HBM至SoC或基底芯片增加逻辑功能成主流方案 NVIDIA等7-8家IT巨头推动发展 [26][28] - **创新焦点**：需兼顾GPU通信IP、光子技术及SoC兼容性 平衡性能与成本 [28] 边缘计算与行业应用 - **汽车领域**：自动驾驶推动LPDDR使用 HBM4或2027年后应用于汽车 Tesla等厂商需求增长 [22] - **NVIDIA技术**：DIGITS技术结合GPU与HBM 2025年中期提升带宽与信号完整性 但暂不扩展至通用PC [22] DeepSeek的芯片潜力 - **低成本优势**：大语言模型性能接近ChatGPT但成本显著降低 训练效率受政府支持 [13][17] - **硬件适配**：华为Ascend 920支持HBM2/2e 虽落后行业标准 但通过软件优化在推理领域保持竞争力 [18]

行业背景与竞争格局 - 芯片封测是半导体产业链关键后程环节 重要性显著[1] - 传统OSAT大厂(日月光/安靠/长电科技/力成科技/通富微电/华天科技)长期主导市场[1] - 摩尔定律逼近物理极限 先进封装成为提升芯片性能关键路径[1] - 台积电/三星/英特尔等晶圆代工厂凭借制造环节优势强势进军先进封装领域[1] - 传统OSAT大厂通过海外扩产和先进封装技术研发应对竞争[1] 日月光集团产能扩张 - 投资2亿美元在高雄设立FOPLP量产线 预计2024年底试产 目标2025年客户认证[2] - FOPLP采用600×600规格基板 芯片封装数量比圆形基板多数倍 大幅提升利用率并降低成本[2] - 马来西亚槟城第四厂和第五厂启用 总投资3亿美元 满足车用半导体和GenAI需求[3] - 马来西亚工厂1991年运营 覆盖消费电子/通信/工业/汽车芯片封测领域[3] - 美国加州建立第二座测试厂 服务AI/ML/ADAS/HPC等新兴应用领域客户[4] - 墨西哥厂邻近买地规划扩充封装测试和组装产能 布局AI/自动驾驶/机器人产业[4] - 收购英飞凌菲律宾和韩国两座封测厂 投资21亿元新台币 扩大车用和工业自动化电源芯片封测[5] - 矽品精密潭科厂2025年1月启用 专注COWOS等先进封装技术 支持高性能计算和AI领域[5] - 矽品在彰化二林投资4.19亿元新台币取得土地 云林虎尾厂投资975亿元新台币预计2025年6月运营[6] - 后里厂计划以30.2亿元新台币收购新巨科厂房扩产先进封装[6] 安靠科技全球布局 - 越南工厂年产能从12亿片提升至36亿片 年产量从420吨跃升至1600吨[7] - 投资20亿美元在美国亚利桑那州新建先进封测厂 专门服务台积电和苹果[7] - 与格芯合作葡萄牙波尔图工厂 建立欧洲首个大规模封测厂 转移300mm生产线[8] 长电科技项目进展 - 长电微电子晶圆级微系统集成项目总投资100亿元 一期建成后年产60亿颗高端先进封装芯片[9] - 聚焦2.5D/3D高密度晶圆级封装技术 成为国内集成电路封测行业最大智能制造项目之一[9] 通富微电投资布局 - 南通先进封测项目总投资35.2亿元 服务高性能计算/人工智能/网络通信领域[9] - 超威苏州基地致力打造国内最先进FCBGA封装测试基地 达产后年产值约百亿元[30] 华天科技产能建设 - 江苏盘古半导体板级封测项目总投资30亿元 建设世界首条全自动板级封装生产线[10] - 项目分两阶段建设 2025年部分投产 全面达产后年产值不低于9亿元[10] - 南京累计投资超300亿元 2025年计划新增50亿元投资 总规模达350亿元[11][12] - 上海华天测试基地一期竣工 拥有30000平方米洁净车间和1300套高端测试设备[12] 力成科技海外扩张 - 日本子公司Tera Probe投资50亿日元在九州熊本扩产半导体检测和量产测业务[13] - 正评估在日本建立高端芯片封装厂 需寻找合作伙伴共同投资[14] 先进封装市场前景 - 2023年至2029年全球先进封装市场规模从378亿美元增至695亿美元 年复合增长率10.7%[16] - AI服务器快速增长推动2.5D/3D封装需求 台积电产能缺口扩大至OSAT厂[22][23] 日月光先进封装技术 - 推出VIPack先进封装平台 由六大核心技术组成 提供垂直互联集成解决方案[18] - 微间距芯粒互连技术实现20μm芯片与晶圆互联间距 较以往方案减半[19] - 布局FOWLP/硅光技术/CPO合作 覆盖AI芯片/移动处理器/MCU等产品[17][19] - FOCoS系列技术包含FOCoS-CF/FOCoS-CL/FOCoS-Bridge等变体[21] - 开发FOPoP/FOSiP/2.5D-3D集成等多元化封装解决方案[21] 安靠科技技术突破 - 2024年先进产品线(Flip Chip/Memory/Wafer-level Processing)净销售额51.75亿美元 占总营收81.9%[22] - 传统产品线营收11.43亿美元 同比下降22.2% 市场份额收缩至18.1%[22] - 推动eWLB技术 开发300mm重组式晶圆解决方案[22] - 与台积电合作InFO及CoWoS技术 扩大亚利桑那州半导体生态系统[23] 长电科技创新成果 - XDFOI chiplet高密度多维异构集成工艺进入稳定量产阶段[24] - 实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货 最大封装体面积1500mm²[25] - 推出2.5D/3D集成解决方案 包含堆叠芯片封装/层叠封装/eWLB等[25] - 晶圆级封装技术涵盖FIWLP/FOWLP/IPD/TSV/ECP/RFID等领域[26] - SiP封装采用双面塑形/EMI电磁屏蔽/激光辅助键合三大先进技术[26][27] 通富微电技术进展 - 建成2.5D/3D封装平台VISionS及超大尺寸FCBGA研发平台[28] - 开发Cornerfill/CPB等新工艺增强芯片保护 提升可靠性[28] - 16层芯片堆叠封装产品大批量出货 合格率居业内领先水平[28] - 掌握Chiplet/2.5D-3D制程/玻璃基板封装等技术 5nm产品进入生产阶段[30] 华天科技技术平台 - 开发eSinC 2.5D封装技术平台 包含SiCS/FoCS/BiCS三大技术门类[32][33][34] - SiCS采用硅转接板实现多芯粒互连 FoCS利用RDL中介层 BiCS使用LSI芯片[32][33][34] - SiCS和FoCS分别对标台积电CoWoS的"S"和"R"技术分类[35] - 推出3D Matrix晶圆封装平台 集成TSV/eSiFo/3D SiP技术[35] 力成科技技术储备 - 拥有晶圆级封装/倒装芯片/多层晶片叠封/FCCSP/BGA/QFN/SiP等全面技术[36] - 开发铜柱凸点技术实现高速数据传输 满足高速存储芯片封装需求[36]

投资与并购 - 公司2亿元受让滁州广泰146,722,355.58元出资额，占比31.90%[1][34] - 公司拟1500万元受让嘉兴景曜14,326,957元出资额，占比1.91%[2] - 嘉兴景曜出资额75,100万元，间接持有AAMI约22.44%股权[10][14] 财务数据 - 2024年9月30日嘉兴景曜资产总额578,429,498.69元，负债总额10,325,602.50元[16] - 2024年1 - 9月嘉兴景曜营业利润 - 4,428,914.12元，净利润 - 4,428,914.12元[16] - 2023年嘉兴景曜营业利润 - 5,903,265.92元，净利润 - 5,903,265.92元[16] 交易情况 - 2025年2月28日公司与多方签署嘉兴景曜《合伙协议》，先进半导体认缴60773.0428万元，占比80.92%[27] - 2025年2月28日公司与至正股份签署协议，交易作价21500万元[35] - 至正股份发行股份价格32元/股，发行6718750股，交易完成后占约4.88%[35] 风险提示 - AAMI未来经营可能不达预期，公司与至正股份交易存在被暂停、中止或取消风险[41]

市场扩张和并购 - 公司以13.78亿元现金收购京隆科技26%股权[2] - 2024年4月26日和5月13日分别召开董事会和股东大会审议通过收购议案[2] - 2025年2月13日完成交易交割并支付股权购买价款[4] - 交易完成后公司持有京隆科技26%股权[2][5] - 收购京隆科技部分股权可提高公司投资收益[5]

减持计划 - 产业基金计划2024年11月4日至2025年2月3日减持不超45,527,907股，即不超公司股份总数的3%[2] 减持进度 - 截至2025年2月5日累计减持37,660,969股，占总股本2.48%，持股比例从11.26%降至8.77%[4] 交易详情 - 2024/11/4至2024/11/5集中竞价交易减持15,175,969股，均价29.34元/股[6] - 2024/11/11至2025/1/10大宗交易减持16,645,600股，均价27.47元/股[6] - 2025/1/16至2025/1/17大宗交易减持3,421,300股，均价25.57元/股[6] - 2025/1/21至2025/1/22大宗交易减持2,418,100股，均价25.96元/股[6]

公司 - 通富微电1月24日发布2024年业绩预增公告 预计净利润6.20亿元~7.50亿元 同比增长265.91%~342.64% [1] - 通富微电1月24日收于28.87元 上涨2.41% 日换手率4.00% 成交额17.39亿元 近5日上涨0.52% [1] 行业 - 2024年业绩预增50%以上个股预告发布后当日股价上涨占比66.10% 涨停有25家 [1] - 2024年业绩预增50%以上个股预告发布后5日股价上涨占比73.58% [1]

2024年业绩预计情况 - 2024年归属于上市公司股东的净利润预计为6.2亿 - 7.5亿元，较上年同期上升265.91% - 342.64%[2] - 2024年扣除非经常性损益后的净利润预计为5.8亿 - 6.8亿元，较上年同期上升875.06% - 1043.17%[2] - 2024年基本每股收益预计为0.41 - 0.49元/股，上年同期为0.11元/股[2] 半导体行业发展趋势 - 2024年半导体行业进入周期上行阶段，市场需求回暖[4] - 人工智能在PC端的发展有望带动半导体行业进一步增长[5] 公司经营成果 - 公司战略定位精准，经营策略执行有效，市场开拓成效显著[5] - 公司产品结构优化，产能利用率提升，营业收入增长[5] - 中高端产品营业收入增加明显[5] - 公司加强管理及成本费用管控，整体效益显著提升[5] 业绩预告说明 - 本次业绩预告是初步估算，具体数据以2024年年度报告为准[6]