股价表现 - 英诺赛科股价高开近15%，截至发稿时上涨14.99%至89港元，成交额为4016.57万港元 [1] 合作与行业动态 - NVIDIA将支持800 VDC电源架构，该架构为人工智能数据中心带来更高效率、更高功率密度，同时降低能耗和减少二氧化碳排放 [1] - 英诺赛科正与NVIDIA合作，共同支持800 VDC电源架构，以保障新一代GPU路线图的扩展 [1] 技术优势与市场定位 - 800 VDC架构要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率，只有氮化镓功率器件能够满足这些要求 [1] - 英诺赛科是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，并且是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司 [1] - 公司可提供从800V到1V的全链路解决方案，是唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [1] - 英诺赛科的氮化镓技术在可靠性方面处于领先地位 [1]

公司动态 - 英诺赛科为800VDC电源架构提供全GaN电源解决方案 [1] - 公司解决方案旨在赋能新一代AI Factories [1] 行业趋势 - NVIDIA将支持800VDC电源架构 [1] - 800VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展 [1] - 该架构可实现更高效率与更高功率密度 [1] - 该架构能降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1]

800 VDC电源架构的优势与必要性 - 800 VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1] - 机架电压从48V提升到800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗并最大限度降低对铜材的需求 [1] - 基于48V电压的传统人工智能系统效率低下，超过45%的总功耗耗费在散热上，未来搭载超过500块GPU的机架若沿用旧式设计将无空间容纳计算单元 [1] - 800 VDC架构是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案 [1] 氮化镓技术的关键作用 - 为满足800 VDC的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，这可使磁芯尺寸相比最高300kHz的现有机架式电源缩减约50% [2] - 在800V到1V的电压转换中，只有氮化镓功率器件能够同时满足超高功率密度和超高效率的严苛要求 [1] - 在800V输入侧，氮化镓与碳化硅相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10% [3] - 在54V输出端，仅需16颗氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，将功率密度提升一倍，并使驱动损耗降低90% [3] - 在低压电源转换阶段，采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40% [3] 公司的技术实力与行业地位 - 公司是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案 [5] - 公司成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [5] - 公司第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温(175°C)验证及大样本失效验证，其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年 [5] - 公司正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障 [1]

800 VDC电源架构的行业趋势与优势 - 英伟达将支持800 VDC电源架构，为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1] - 机架电压从48V提升到800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗并最大限度降低对铜材的需求 [1] - 基于48V电压的传统人工智能系统效率低下，超过45%的总功耗耗费在散热上，未来搭载超过500块GPU的机架若沿用旧式设计将无空间容纳计算单元 [1] - 800 VDC架构是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案 [1] 氮化镓技术在800 VDC架构中的关键作用 - 满足800 VDC架构的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，相比现有机架式电源最高300kHz的典型开关频率，提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50% [2] - 在800V输入侧，英诺赛科氮化镓与碳化硅相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10% [2] - 在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，将功率密度提升一倍，并使驱动损耗降低90% [2] - 在低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40% [2] - 基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，提升动态响应并降低电路板上的电容成本 [2] 英诺赛科的公司优势与产品竞争力 - 公司是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案 [4] - 公司是唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [4] - 公司第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温(175°C)验证及大样本失效验证，其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年 [4] - 公司第三代氮化镓器件具备卓越的快速开关特性、高效率、高功率密度及优异可靠性 [4] - 整合800 VDC电源架构与英诺赛科氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级机架到兆瓦级机架的飞跃 [4]

新产品和新技术研发 - 公司量产650V及100V GaN功率器件，效率达99%峰值效率、98%满载效率[5] - 公司是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V全链路解决方案[6] - 公司第三代器件通过严苛加速应力测试，数据中心级产品高性能工作寿命超20年[6] 技术优势 - 基于48V电压的传统人工智能系统超45%总功耗耗在散热上，800 VDC架构可支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级[3] - 电源开关频率从300kHz提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%[3] - 800V输入侧，公司GaN较SiC每个开关半周期降低80%驱动损耗和50%开关损耗，整体功耗降低10%[7] - 54V输出端，16颗公司GaN器件与32颗硅MOSFET导通损耗相同，功率密度提升一倍，驱动损耗降低90%[7] - 800 VDC低压电源转换阶段，GaN较硅MOSFET开关损耗降低70%，相同体积功率输出提升40%[7] 未来展望 - NVIDIA将支持800 VDC电源架构，公司正与其合作保障新一代GPU路线图扩展[2] - 整合800 VDC电源架构与公司氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级到兆瓦级飞跃[8]

公司评级与估值 - 摩根士丹利首次覆盖英诺赛科 评级为与大市同步 目标价95港元 [1] - 目标价相当于预测明年市销率34倍 [1] - 目前估值在很大程度上反映了市场的高预期 [1] 业务与增长前景 - 公司是一家领先的氮化镓功率集成电路厂商 [1] - 公司已做好充分准备从人工智能数据中心、仿人机器人和电动车等世俗增长驱动因素中获益 [1]

公司评级与估值 - 摩根士丹利首次覆盖英诺赛科 评级与大市同步 目标价95港元 [1] - 目标价相当于预测明年市销率34倍 [1] - 目前估值在很大程度上反映了市场的高预期 [1] 公司业务与市场定位 - 英诺赛科是一家领先的氮化镓功率集成电路厂商 [1] - 公司已做好准备从人工智能数据中心、仿人机器人和电动车等世俗增长驱动因素中获益 [1]

公司融资活动 - 公司拟配售2070万股新H股，配售价为每股75.58港元，较上日收市价82.05港元折让7.9% [1] - 此次配售预计所得款项总额为15.6亿港元，净额为15.5亿港元 [1] - 公司于2024年12月30日完成IPO，募资14.51亿港元 [1] 募集资金用途 - 约31%的资金（4.82亿港元）用于产能扩充及产品持续迭代升级，以满足市场指数级增长需求并生产更高等级产品 [1] - 约24%的资金（3.76亿港元）用于偿还有息负债，以优化资本结构，减轻财务负担 [2] - 约45%的资金（6.91亿港元）用作营运资金及一般公司用途，包括人力资源开支和潜在投资 [2] 公司财务状况 - 截至2025年8月末，公司有息负债为25.76亿港元，资产负债率接近50% [2] 公司市场地位与技术优势 - 以2023年末折算氮化镓分立器件出货量计，公司在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4% [2] - 公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓产品的公司 [2] - 与6英寸技术相比，公司8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能使每晶圆晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30% [2] 行业前景 - 预计到2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将达到501亿元人民币，占全球功率半导体市场的10.1% [3] - 相比传统硅材料，氮化镓凭借其性能优势，在电动汽车、数据中心、光伏发电站等领域展现出广阔应用前景 [3]

融资方案概述 - 公司宣布配售20,700,000股新H股以增强财务实力并支持业务扩展 [1] - 配售代理将促使不少于六名独立专业及机构投资者认购新H股 [3] - 配售价格定为每股75.58港元，较最后交易日收市价82.05港元折让约7.88% [3] 融资规模与股权影响 - 配售股份占公司现有已发行H股约4.1%及已发行股份总数约2.31% [3] - 配售后，配售股份将分别占扩大后H股及已发行股份总数的约3.94%及2.26% [3] - 配售所得款项净额预计约15.5亿港元（1,550.43百万港元）[5] - 配售完成后，公司注册资本及股份总数将变更为人民币915,100,653元及915,100,653股 [7] 资金用途分配 - 产能扩充及产品迭代升级：分配约4.8226亿港元（31%），用于满足氮化镓功率器件市场增长需求 [5] - 偿还带息负债：分配约3.7624亿港元（24%），用于优化资本结构 [5][6] - 营运资金及一般公司用途：分配约6.9193亿港元（45%），包括人力资源开支、支付供应商款项及潜在境内外投资 [5][7] 资金使用时间规划 - 2026年12月31日或之前计划使用约4.6597亿港元 [5] - 2027年12月31日或之前计划使用约4.5092亿港元 [5] - 2028年12月31日或之前计划使用约6.3354亿港元 [5] 股权结构变化 - 配售完成后，境内未上市股份比例由43.56%降至42.57%，H股比例由56.44%增至57.43% [8] - 公众所持H股比例由31.94%增至33.48%，其中承配人将持有2.26%的股份 [8] - 核心关连人士所持股份总额比例由约24.51%降至约23.95% [8]

融资活动 - 公司于10月10日宣布签订配售协议，计划配售20,700,000股新H股 [2] - 配售价格为每股75.58港元，较最后交易日收市价82.05港元折让约7.88% [2] - 配售股份占公司现有已发行H股约4.1%，占已发行股份总数约2.31% [2] 资金用途 - 配售所得款项净额预计约为15.5亿港元 [2] - 约4.82亿港元将用于产能扩充及产品迭代升级，以应对氮化镓功率器件市场增长需求 [2] - 约3.76亿港元将用于偿还债务，以优化资本结构 [2] - 约6.92亿港元将用于营运资金及一般公司用途，包括人力资源支出和潜在投资 [2] 股权结构变动 - 配售后，公司注册资本及股份总数将分别变更为人民币915,100,653元及915,100,653股 [2] - 配售股份占扩大后H股及已发行股份总数的比例分别约为3.94%及2.26% [2] - 公司将向联交所申请批准配售股份上市及买卖 [2]