文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际半导体巨头（如安森美、意法半导体、英飞凌等）正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC/GaN）领域展开联合研发、产能共建、供应链绑定等全方位合作，这成为中国产业实力崛起的重要佐证 [2][3][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场牵引、赛道机遇、政策与生态保障共同作用的结果，产业已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并开始主动嵌入全球价值链 [11][12][14] 关键合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方将依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、电信、消费电子和AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，计划于2026年上半年推出样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，预计总投资约230亿元人民币，规划年产能达数十万片，计划2025年第四季度投产，2028年达产，将形成完整的本地化8英寸碳化硅供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得高质量且有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，未来也将提供200mm材料，天科合达的供应量预计将占英飞凌长期需求量的两位数份额 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆（ROHM）与天科合达签署长期战略协作协议，将天科合达的6英寸导电型碳化硅衬底纳入其供应链 [7]；松下与比亚迪联合研发基于GaN技术的高效电源模块 [7]；恩智浦（NXP）与斯达半导在车规级IGBT和功率模块领域深化合作 [7] 产业现状与数据 - **市场规模**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，持续稳居全球最大消费市场 [10] - **国产化率**：中低端功率器件（如二极管、三极管）国产化率已超80% [10]；国内SiC厂商的市占率有望在2024年底同比增加10~15个百分点，国产化率最高可达20%，并有望在未来3~5年突破50% [10] - **技术领先案例**： - **英诺赛科（GaN）**：是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率已突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片 [11]；2025年8月，作为唯一中国芯片企业打入英伟达800V直流电源架构供应链，为其Kyber机架系统提供全链路GaN电源解决方案 [1][11] - **天域半导体（SiC外延片）**：2024年在中国碳化硅外延片市场的收入和销量均排名第一，市场占有率分别达到30.6%和32.5%，在全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入欧美、日韩等国际领先IDM的供应链体系 [10] - **市场预测**：预计到2030年，GaN将在全球功率半导体市场占据约29亿美元（11%）的份额，2024-2030年期间复合年增长率预计达42% [3] 崛起核心逻辑 - **庞大市场需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代 [11] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC/GaN）产业全球起步较晚，中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [12] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链，高效协同降低了创新与制造成本，打造自主可控产业生态 [12][13] 本土企业崛起与全球化 - **本土企业群体加速崛起**：芯联集成、士兰微、杨杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件设计、制造、封装测试等环节逐渐实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占市场份额 [9] - **出海与全球化布局**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场 [13]；宁波奥拉半导体将自主研发的多相电源技术授权给安森美 [13]；天岳先进实现“A+H”双上市，境外营收占比已达47.53% [13]

文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际功率半导体巨头正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC、GaN）领域展开从联合研发、产能共建到供应链绑定的全方位合作，这成为中国产业实力最直接的背书 [2][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场、赛道与生态三重因素共同作用的结果：庞大终端市场需求牵引、精准把握第三代半导体“换道超车”机遇、政策与完整产业链生态保障 [10][12][13] - 中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并正从满足国内替代转向主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段 [12][14][15] 巨头“抢滩”与合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，安森美提供系统集成、驱动器及封装技术，合作旨在建立高产能、成本优化的全球GaN制造体系，安森美计划于2026年上半年推出相关样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，采用意法半导体专有工艺，预计总投资约230亿元人民币，规划2025年第四季度投产，2028年达产，年产能达数十万片，将形成国内首条8英寸车规级SiC规模化量产线及完整的本地化供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，天科合达供应量预计占其长期需求量的两位数份额，未来也将提供200mm材料，形成“国内高端材料+国际先进制造”的互补格局 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆将天科合达的6英寸导电型SiC衬底纳入其供应链；松下与比亚迪联合研发用于新能源汽车高压快充的GaN功率器件；恩智浦与斯达半导深化车规级IGBT和功率模块合作；东芝曾与天岳先进签署合作协议（后终止），侧面印证了中国企业的技术领先性 [7][8] 中国功率半导体产业现状与数据 - **市场规模与国产化率**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，稳居全球最大消费市场，中低端功率器件如二极管、三极管国产化率已超80%，国内SiC厂商市占率有望在2024年底达20%，未来3-5年有望突破50% [11] - **技术突破与市场地位**： - **GaN领域**：英诺赛科是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片，2025年8月成功打入英伟达800V直流电源架构供应链 [12] - **SiC领域**：天域半导体2024年在中国碳化硅外延片市场收入和销量占有率分别达30.6%和32.5%，全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入国际领先IDM供应链 [11] - **标准制定与生态构建**：英诺赛科参与起草IEEE氮化镓器件测试规范，天岳先进主导碳化硅衬底行业标准，行业话语权提升，产业已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链 [12][13] - **本土企业群体崛起**：芯联集成、士兰微、扬杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件各环节实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占份额 [9] 产业崛起的核心逻辑（逆袭密码） - **庞大市场的需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代和产能扩张 [12] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC、GaN）产业起步较晚，全球处于同一起跑线，让中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒和生态鸿沟，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [13] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，形成了覆盖全产业链的完整生态，高效协同降低了创新与制造成本，打造出自主可控的产业生态，降低了对海外供应链的依赖 [13][14] 全球化布局与出海进程 - **出海模式多元化**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，从“引进来”转向“走出去”，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场；宁波奥拉半导体将多相电源技术授权给安森美；天岳先进境外营收占比已达47.53% [14] - **产业阶段转变**：标志着产业已从满足国内替代需求的“内向型”发展，进入主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段，真正开始在高端价值链上展现竞争力 [14] 未来展望：从“逆袭”到“领跑” - **当前阶段**：中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段 [15] - **未来机遇**：全球能源革命催生广阔市场，为中国企业凭借技术与产能优势开疆拓土提供了舞台 [15] - **核心挑战**：国际技术保护主义抬头，关键制造设备与材料仍存在“卡脖子”风险，产业整体虽大却有待更强，市场竞争愈发激烈 [15] - **竞争基础**：庞大的内需市场提供战略纵深，完整的产业链形成集群优势，持续的高强度研发投入正在攻克技术难题，未来的竞争将是技术耐力、生态构建能力和全球运营能力的综合比拼 [15]

公司上市申请 - 深圳基本半导体股份有限公司于12月4日向港交所主板递交上市申请[1] - 公司曾于今年5月27日向港交所递交过上市申请[1] - 联席保荐人为中信证券、国金证券(香港)有限公司及中银国际[1][4] 公司业务与行业 - 公司是中国第三代半导体功率器件行业的企业[1] - 公司专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售[1] 发行相关细节 - 公司计划发行H股[3] - 每股H股面值为人民币0.20元[3] - 最高发售价包含每股H股[编纂]港元，另加1.0%经纪佣金、0.0027%证监会交易征费、0.00015%财汇局交易征费及0.00565%联交所交易费[3]

财务业绩 - 2025年上半年（1-6月）销售额同比下降10.9%至6334亿日元，营业利润下降484亿日元至1757亿日元，净利润下降514亿日元至1511亿日元 [1][2] - 第二季度（4-6月）销售额同比下降9.5%至3246亿日元，毛利率上升0.1个百分点至56.8%，营业利润下降187亿日元至919亿日元 [2] - 按GAAP基准计算，公司因支持Wolfspeed重组录得2350亿日元亏损，导致上半年净亏损1753亿日元 [1][7] - 第二季度营业利润率下降2.5个百分点至28.3%，上半年营业利润率下降3.8个百分点至27.7% [2][8] 业务部门表现 - 汽车业务销售额1618亿日元，毛利率52.4%，营业利润率23.4%（较上季度下降6.3个百分点） [10][11] - 工业/基础设施/物联网业务销售额1613亿日元，毛利率61.1%，营业利润率25.9%（较上季度上升4.6个百分点） [10][11] - 汽车业务营业利润率下降主要因碳化硅功率器件业务减值损失 [10] 运营与库存 - 前道工序利用率约50%，预计第三季度保持平稳 [15] - 库存量和库存天数下降，因需求增加和工厂停电影响 [12] - 计划扩建"芯片库"并增加成品库存以应对需求上升 [12] - 渠道库存增加，汽车应用库存增加，工业/基础设施/物联网库存略减 [12] 未来展望 - 预计第三季度销售额同比下降4.4%至3300亿日元，毛利率上升0.6个百分点至56.5%，营业利润率下降1.5个百分点至27.0% [15][16] - 数据中心（含AI服务器）和移动设备预计保持稳健增长，中国汽车市场需求可能放缓 [9] - 研发投入将扩大，资本投资占销售额2.6% [15] - 已将约3%的风险纳入第三季度盈利预测以应对不确定性 [9]

瑞萨电子财务业绩分析 - 2025财年第二季度销售额同比下降9.5%至3246亿日元，毛利率提升0.1个百分点至56.8%，营业利润减少187亿日元至919亿日元，营业利润率下降2.5个百分点至28.3% [2] - 上半年销售额同比下降10.9%至6334亿日元，营业利润减少484亿日元至1757亿日元，营业利润率下降3.8个百分点至27.7%，净利润减少514亿日元至1511亿日元 [2] - GAAP基础下公司录得2350亿日元亏损，主要来自对Wolfspeed在美国的重组支持，导致上半年净亏损1753亿日元 [3] 业务部门表现 - 汽车业务销售额1618亿日元，毛利率52.4%，环比增长但营业利润率下降6.3个百分点至23.4%，主要受碳化硅功率器件业务减值损失影响 [9] - 工业、基础设施和物联网业务销售和营业利润率环比上升，毛利率略有下降 [9] - 公司自有存货价值和存货天数均有所下降，渠道库存增加但库存周数减少，汽车行业库存水平较高 [12][13] 市场展望与预测 - 数据中心和移动应用领域预计保持稳健增长，汽车行业整体增长预计持平 [6] - 第三季度销售额预计同比下降4.4%至3300亿日元，毛利率提升0.6个百分点至56.5%，营业利润率下降1.5个百分点至27.0% [17] - 前端工序利用率在50%左右，预计三季度持平，资本投资占销售额2.6% [16] 汇率与关税影响 - 二季度美元兑日元平均汇率为146日元，同比升值7日元 [3] - 公司因美国关税政策风险将销售预测下调约5%，但实际影响未显现，三季度预测中增加3%风险 [7] 德国商务考察活动 - 活动时间为9月4日至14日，将走访柏林、莱比锡、德累斯顿、斯图加特和慕尼黑五个城市 [1][19] - 重点聚焦IFA柏林国际消费电子展和IAA慕尼黑车展两大全球顶级展会 [19][26][27] - 行程包括展会深度参观、1-2家当地企业考察、展后交流沙龙等活动 [25][31]

市场指数表现 - 微盘股指数与沪深300指数持续背离 微盘股指数近期不断刷新历史新高 而沪深300指数保持区间震荡 截至5月21日 微盘股成交额占比处于近3年81%的高位水平 [1] - 5月21日上午微盘股指数巨震 早盘一度涨超1%创历史新高 但随后跳水 上午收盘下跌1.12% 北证50指数同期下跌4.38% [1] - 上证指数上午接近平盘报收 深证成指下跌0.28% 创业板指下跌0.44% [4][5] 行业板块动态 电源设备与第三代半导体 - 纳微半导体与英伟达合作开发800V HVDC架构 股价盘后大涨近200% 带动A股HVDC和第三代半导体板块上涨 [7] - 维谛技术计划2026年下半年推出800V DC电源产品系列 早于英伟达Kyber和Rubin Ultra平台发布时间 [7] - 电源设备板块上午表现强势 中恒电气涨停 通合科技涨8.05% 欧陆通涨4.28% 动力源涨3.91% [8] - 第三代半导体板块活跃 海特高新涨停 希荻微涨超13% 欣锐科技涨超6% [9][10] - 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料 因高温高压高频性能优势 在AI数据中心等领域应用前景广阔 [9] 银行板块 - 银行板块上午全线上涨 青岛银行涨3.89% 沪农商行涨2.84% 厦门银行涨2.30% [10][11][12] - 天风证券看好银行板块三大因素：险资入市积极性提高 避险情绪升温 银行业基本面筑底企稳 [14] 国际金融市场影响 - 美国20年期国债拍卖结果不佳 引发隔夜"股债汇三杀" 可能推升全球避险情绪 对A股流动性敏感的小盘股形成压力 [3] - 亚太股市上午普遍下跌 资金可能流向高股息防御性板块 [3][4]