文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际半导体巨头（如安森美、意法半导体、英飞凌等）正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC/GaN）领域展开联合研发、产能共建、供应链绑定等全方位合作，这成为中国产业实力崛起的重要佐证 [2][3][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场牵引、赛道机遇、政策与生态保障共同作用的结果，产业已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并开始主动嵌入全球价值链 [11][12][14] 关键合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方将依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、电信、消费电子和AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，计划于2026年上半年推出样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，预计总投资约230亿元人民币，规划年产能达数十万片，计划2025年第四季度投产，2028年达产，将形成完整的本地化8英寸碳化硅供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得高质量且有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，未来也将提供200mm材料，天科合达的供应量预计将占英飞凌长期需求量的两位数份额 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆（ROHM）与天科合达签署长期战略协作协议，将天科合达的6英寸导电型碳化硅衬底纳入其供应链 [7]；松下与比亚迪联合研发基于GaN技术的高效电源模块 [7]；恩智浦（NXP）与斯达半导在车规级IGBT和功率模块领域深化合作 [7] 产业现状与数据 - **市场规模**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，持续稳居全球最大消费市场 [10] - **国产化率**：中低端功率器件（如二极管、三极管）国产化率已超80% [10]；国内SiC厂商的市占率有望在2024年底同比增加10~15个百分点，国产化率最高可达20%，并有望在未来3~5年突破50% [10] - **技术领先案例**： - **英诺赛科（GaN）**：是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率已突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片 [11]；2025年8月，作为唯一中国芯片企业打入英伟达800V直流电源架构供应链，为其Kyber机架系统提供全链路GaN电源解决方案 [1][11] - **天域半导体（SiC外延片）**：2024年在中国碳化硅外延片市场的收入和销量均排名第一，市场占有率分别达到30.6%和32.5%，在全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入欧美、日韩等国际领先IDM的供应链体系 [10] - **市场预测**：预计到2030年，GaN将在全球功率半导体市场占据约29亿美元（11%）的份额，2024-2030年期间复合年增长率预计达42% [3] 崛起核心逻辑 - **庞大市场需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代 [11] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC/GaN）产业全球起步较晚，中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [12] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链，高效协同降低了创新与制造成本，打造自主可控产业生态 [12][13] 本土企业崛起与全球化 - **本土企业群体加速崛起**：芯联集成、士兰微、杨杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件设计、制造、封装测试等环节逐渐实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占市场份额 [9] - **出海与全球化布局**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场 [13]；宁波奥拉半导体将自主研发的多相电源技术授权给安森美 [13]；天岳先进实现“A+H”双上市，境外营收占比已达47.53% [13]

文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际功率半导体巨头正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC、GaN）领域展开从联合研发、产能共建到供应链绑定的全方位合作，这成为中国产业实力最直接的背书 [2][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场、赛道与生态三重因素共同作用的结果：庞大终端市场需求牵引、精准把握第三代半导体“换道超车”机遇、政策与完整产业链生态保障 [10][12][13] - 中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并正从满足国内替代转向主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段 [12][14][15] 巨头“抢滩”与合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，安森美提供系统集成、驱动器及封装技术，合作旨在建立高产能、成本优化的全球GaN制造体系，安森美计划于2026年上半年推出相关样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，采用意法半导体专有工艺，预计总投资约230亿元人民币，规划2025年第四季度投产，2028年达产，年产能达数十万片，将形成国内首条8英寸车规级SiC规模化量产线及完整的本地化供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，天科合达供应量预计占其长期需求量的两位数份额，未来也将提供200mm材料，形成“国内高端材料+国际先进制造”的互补格局 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆将天科合达的6英寸导电型SiC衬底纳入其供应链；松下与比亚迪联合研发用于新能源汽车高压快充的GaN功率器件；恩智浦与斯达半导深化车规级IGBT和功率模块合作；东芝曾与天岳先进签署合作协议（后终止），侧面印证了中国企业的技术领先性 [7][8] 中国功率半导体产业现状与数据 - **市场规模与国产化率**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，稳居全球最大消费市场，中低端功率器件如二极管、三极管国产化率已超80%，国内SiC厂商市占率有望在2024年底达20%，未来3-5年有望突破50% [11] - **技术突破与市场地位**： - **GaN领域**：英诺赛科是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片，2025年8月成功打入英伟达800V直流电源架构供应链 [12] - **SiC领域**：天域半导体2024年在中国碳化硅外延片市场收入和销量占有率分别达30.6%和32.5%，全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入国际领先IDM供应链 [11] - **标准制定与生态构建**：英诺赛科参与起草IEEE氮化镓器件测试规范，天岳先进主导碳化硅衬底行业标准，行业话语权提升，产业已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链 [12][13] - **本土企业群体崛起**：芯联集成、士兰微、扬杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件各环节实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占份额 [9] 产业崛起的核心逻辑（逆袭密码） - **庞大市场的需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代和产能扩张 [12] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC、GaN）产业起步较晚，全球处于同一起跑线，让中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒和生态鸿沟，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [13] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，形成了覆盖全产业链的完整生态，高效协同降低了创新与制造成本，打造出自主可控的产业生态，降低了对海外供应链的依赖 [13][14] 全球化布局与出海进程 - **出海模式多元化**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，从“引进来”转向“走出去”，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场；宁波奥拉半导体将多相电源技术授权给安森美；天岳先进境外营收占比已达47.53% [14] - **产业阶段转变**：标志着产业已从满足国内替代需求的“内向型”发展，进入主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段，真正开始在高端价值链上展现竞争力 [14] 未来展望：从“逆袭”到“领跑” - **当前阶段**：中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段 [15] - **未来机遇**：全球能源革命催生广阔市场，为中国企业凭借技术与产能优势开疆拓土提供了舞台 [15] - **核心挑战**：国际技术保护主义抬头，关键制造设备与材料仍存在“卡脖子”风险，产业整体虽大却有待更强，市场竞争愈发激烈 [15] - **竞争基础**：庞大的内需市场提供战略纵深，完整的产业链形成集群优势，持续的高强度研发投入正在攻克技术难题，未来的竞争将是技术耐力、生态构建能力和全球运营能力的综合比拼 [15]

合作概述 - 安森美半导体与Innoscience签署谅解备忘录，旨在评估加速40-200V氮化镓功率器件部署的机遇并扩大客户群体[1] - 合作结合安森美在集成系统和封装领域的优势与Innoscience成熟的GaN技术和大规模量产能力，为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和人工智能数据中心市场提供高性价比、高效率的GaN产品[1] - 合作致力于克服GaN产品在低压和中压领域应用受限的障碍，以期快速在全球范围内大规模部署针对主流市场的优化解决方案[2] 技术优势与市场机遇 - 氮化镓半导体器件具有更高开关速度、更小尺寸和更低能量损耗，能在更小空间内提供更大功率[1] - 随着各行各业电力需求增长，GaN相比其他材料具有更高效率、更小尺寸和更低能量损耗的优势[2] - 预计GaN将占据完整智能电源产品组合市场份额，安森美半导体预计到2030年将占据全球功率半导体市场11%份额，2024年至2030年复合年增长率预计为42%[3] 应用领域与客户价值 - 合作覆盖工业应用（机器人电机驱动器、太阳能微型逆变器）、汽车（直流-直流转换器）、电信基础设施（直流-直流转换器）、消费电子（电源适配器、电动工具）和人工智能数据中心（中间母线转换器）等多个市场[2] - 客户将获得加快产品上市速度、可扩展制造能力和更低系统成本三大好处，包括快速原型制作、加速设计导入、利用大规模产能爬坡以及通过优化封装降低总成本[2] 战略意义与产品组合 - 合作有望利用业界最大GaN生产基地，迅速扩大面向全球客户的GaN产品规模，推动其在主流电力应用中更广泛应用[3] - 此次合作将进一步拓展安森美全面的智能电源产品组合，目前涵盖硅、碳化硅和氮化镓技术[4] - 完整的中低压产品组合巩固了安森美作为领先全集成电源系统供应商的地位，助力客户在电气化和人工智能能源需求激增背景下提高性能和能源效率[4]

全球功率半导体行业格局变化 - AI芯片、HBM及先进制程等新兴热点覆盖了功率半导体的行业关注度 日本厂商扩产进程屡陷拖延 主导力渐显疲态 而国内产业则加速突围 以强劲反扑姿态打破原有格局 为全球竞争注入新变量 [1] 日本厂商市场地位变化 - 高峰时日本厂商在全球功率半导体市场前十中占据五席 三菱电机 富士电机 东芝 瑞萨 罗姆五家企业合计占有全球20%以上市场份额 [2] - 2021年全球功率半导体市场前十中 日本企业Infineon以4.87亿美元营收居首 市占率20.9% 三菱电机营收1.48亿美元 市占率6.3% 富士电机营收1.17亿美元 市占率5.0% 东芝营收1.00亿美元 市占率4.3% 瑞萨营收0.65亿美元 市占率2.8% 罗姆营收0.63亿美元 市占率2.7% [4] - 2024年全球功率半导体市场TOP10榜单中日本厂商仅剩三席 三菱电机 富士电机 东芝 且全球市占率均不足5% [6][7] 日本厂商发展困境 - 罗姆2025财年录得500亿日元净亏损 为12年来首次全年亏损 截至6月的季度净利润同比下降14%至29亿日元 第一季营收1162.05亿日元 同比下降1.8% 营业利润大幅下降84.6%至1.95亿日元 [9] - 罗姆将碳化硅半导体投资计划从2800亿日元缩减至1500亿日元 2025财年资本支出下降36%至850亿日元 折旧费用下降26%至616亿日元 [9] - 东芝与罗姆的深度合作陷入僵局 更广泛合作谈判已停滞 2023年东芝将功率半导体定位为增长领域 计划三年投资1000亿日元 但市场环境变化导致投资回报不及预期 [12][13] - 瑞萨电子2025年上半年净亏损1753亿日元 创同期历史最高亏损记录 并宣布放弃进入碳化硅市场 制造设施产能利用率仅约30% 计划裁员约1050人 [15][17] - 三菱电机推迟熊本县功率半导体新工厂扩建计划 考虑缩减原定2026至2030财年3000亿日元投资额 [19][20] - 富士电机2025会计年度净利预计下降12.2%至810亿日元 半导体设备营收下降5.8% 营益锐减42%至215亿日元 [22] 中国厂商崛起与竞争影响 - 中国新兴功率半导体企业凭借成本与价格优势加速抢占市场份额 在碳化硅基板制造市场 天科合达和天岳先进等企业已崭露头角 中国企业几乎主导这一市场 [29] - 比亚迪半导体 中车时代等国产IGBT厂商在新能源汽车市场份额从2019年的20%跃升至2023年的60%以上 [23] - 天科合达以17.3%市场份额位居全球碳化硅衬底市场第二 天岳先进以17.1%份额位列第三 实现8英寸衬底量产并推出12英寸衬底 [30] - 英诺赛科2023年以33.7%收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一 市值突破740亿港元 成为功率器件企业市值TOP1 [31] - 中国企业技术快速追赶 在硅芯片技术上与日本差距仅一到两年 碳化硅芯片方面至多三年 [29][32] 日本产业困局原因分析 - 内部缺乏信任与协作 各公司对专有技术过度保护 难以建立深度信任和协作 [25] - 行业缺乏明确领导者 各企业市场份额相当 没有一家愿意在整合中让步 [26][27] - 企业战略差异大 如罗姆专注于特定元件 而东芝 三菱电机业务范畴广泛 难以达成一致 [28] - 外部面临中国企业崛起带来的激烈竞争 以及全球电动汽车市场需求变化不及预期 [29]

氮化镓(GaN)产业动态 - 多家企业参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》包括英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿等[1][2] - 行业处于GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期[2] 京东方华灿战略布局 - 公司启动"消费级普及、工业级深化、车规级突破"三级跃迁战略[2] - 以消费类GaN功率器件通过1000H可靠性认证为起点[2][4] - 作为IDM企业提供覆盖全场景的"中国芯"解决方案[2] 技术突破 - 650V产品平台通过1000H可靠性认证[5] - 消费类GaN功率器件将全面进行JEDEC认证[5] - 横向BV从1400V提升至2000V+[6] - 已启动1200V GaN产品技术储备[6] - 流片通量提高带动制造稳定性和良率提升[6] 产品与产能 - 器件1000H可靠性通过验证[10] - 正在完善现有平台产品组合布局[10] - 已启动下一代平台技术储备以缩小尺寸、提高产出[10] - 建立了动态测试和可靠性实验室[10] - 形成从研发到量产的全过程质量保障能力[10] 行业趋势 - 行业从"技术竞赛"转向"场景落地"[7] - 多家企业布局GaN在光储赛道应用[10] - 润新微电子GaN芯片出货量达1亿颗[10]

市场指数表现 - 微盘股指数与沪深300指数持续背离 微盘股指数近期不断刷新历史新高 而沪深300指数保持区间震荡 截至5月21日 微盘股成交额占比处于近3年81%的高位水平 [1] - 5月21日上午微盘股指数巨震 早盘一度涨超1%创历史新高 但随后跳水 上午收盘下跌1.12% 北证50指数同期下跌4.38% [1] - 上证指数上午接近平盘报收 深证成指下跌0.28% 创业板指下跌0.44% [4][5] 行业板块动态 电源设备与第三代半导体 - 纳微半导体与英伟达合作开发800V HVDC架构 股价盘后大涨近200% 带动A股HVDC和第三代半导体板块上涨 [7] - 维谛技术计划2026年下半年推出800V DC电源产品系列 早于英伟达Kyber和Rubin Ultra平台发布时间 [7] - 电源设备板块上午表现强势 中恒电气涨停 通合科技涨8.05% 欧陆通涨4.28% 动力源涨3.91% [8] - 第三代半导体板块活跃 海特高新涨停 希荻微涨超13% 欣锐科技涨超6% [9][10] - 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料 因高温高压高频性能优势 在AI数据中心等领域应用前景广阔 [9] 银行板块 - 银行板块上午全线上涨 青岛银行涨3.89% 沪农商行涨2.84% 厦门银行涨2.30% [10][11][12] - 天风证券看好银行板块三大因素：险资入市积极性提高 避险情绪升温 银行业基本面筑底企稳 [14] 国际金融市场影响 - 美国20年期国债拍卖结果不佳 引发隔夜"股债汇三杀" 可能推升全球避险情绪 对A股流动性敏感的小盘股形成压力 [3] - 亚太股市上午普遍下跌 资金可能流向高股息防御性板块 [3][4]

氮化镓行业动态 - 国内外多家氮化镓企业宣布最新订单与合作进展，市场渗透速度加快，推动下游应用向高效能、低功耗方向转型升级 [2] - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》 [1] 芯干线 - 一季度在AI算力基础设施、消费电子快充、高端音响电源及商用储能领域获得多个全球一线品牌订单 [2] - AI服务器领域：自主研发700V增强型氮化镓功率器件及1200V碳化硅MOSFET通过全球一线AI服务器品牌验证，预计2025年Q2量产 [2] - 消费电子领域：为全球一线手机品牌定制45W氮化镓PD快充方案Q1实现量产，集成700V增强型氮化镓功率器件 [3] - 专业音频领域：高端音响功放氮化镓电源方案通过国际一线品牌认证并量产 [4] - 计划将研发投入提升至营收25%，重点突破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案 [5] - 储能领域：为国内头部商用储能企业定制1200V全碳化硅模块Q1投产 [8] 罗姆半导体 - EcoGaN™产品650V TOLL封装GaN HEMT被村田电源公司用于AI服务器电源 [6] - 村田电源5.5kW输出电源装置采用ROHM的GaN HEMT，实现低损耗运行和高速开关性能，预计2025年量产 [9] - GaN HEMT的高速开关操作、低寄生电容和零反向恢复特性可提高开关转换器工作频率并减小磁性元件尺寸 [10] 英诺赛科 - 与长城电源合作，在AI数据中心钛金级电源中采用InnoGaN技术，实现96%以上电源转换效率 [11] - 推出E-GaN功率IC（ISG612xTD SolidGaN），采用To-247-4封装，集成栅极驱动和短路保护，耐压700V [13] - 与长城服务器电源合作，轻中载电能损耗减少至少30%，20%-50%负载区间效率提升4个百分点 [14] - 与多家数据中心厂商合作，推动全链路氮化镓数据中心系统 [14] 纳微半导体 - 一季度公布多起氮化镓订单及合作 [15] - 进入戴尔供应链，为AI笔记本打造60W至360W电脑适配器 [15] - GaNFast™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链，打造2.5kW模块电源 [15] - 与兆易创新达成战略合作，整合氮化镓技术与高算力MCU产品 [15] - GaNSafe™氮化镓功率芯片通过AEC-Q100和AEC-Q101车规认证 [17] IQE与X-FAB - 签署GaN Power联合开发协议，开发市场化GaN功率平台 [18] - 合作开发650V GaN器件，初始期限两年，面向汽车、数据中心和消费电子应用 [19] - 结合IQE的GaN外延专业知识和X-FAB的制造能力，提供外包选择 [20][21] 冠亚半导体 - 台亚半导体成立子公司冠亚半导体，生产8吋GaN产品 [24] - 与NTT集团子公司NTT-AT签署合作备忘录 [24] - 未来三年冠亚将提供氮化镓器件，NTT-AT提供高品质外延片 [25] 皇庭国际与芯茂微电子 - 达成战略合作，在电源芯片代理销售、大功率氮化镓器件联合开发领域建立深度合作 [27][29] - 皇庭国际依托德兴意发功率半导体公司，打造涵盖功率半导体器件设计、晶圆制造、先进封装的IDM公司 [32] Wevis - 获得印度最大国有国防工业公司高功率氮化镓半导体代工工艺订单 [33] - 芯片将用于主动多功能防空雷达系统 [34] - 曾获得印度铁路通信基础设施氮化镓射频半导体订单 [35] - 与木浦国立大学合作推出韩国首个基于GaN的多项目晶圆(MPW)服务 [36]