氮化镓(GaN)功率器件

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日本功率半导体,大撤退
半导体芯闻· 2025-09-02 10:39
全球功率半导体行业格局变化 - AI芯片、HBM及先进制程等新兴热点覆盖了功率半导体的行业关注度 日本厂商扩产进程屡陷拖延 主导力渐显疲态 而国内产业则加速突围 以强劲反扑姿态打破原有格局 为全球竞争注入新变量 [1] 日本厂商市场地位变化 - 高峰时日本厂商在全球功率半导体市场前十中占据五席 三菱电机 富士电机 东芝 瑞萨 罗姆五家企业合计占有全球20%以上市场份额 [2] - 2021年全球功率半导体市场前十中 日本企业Infineon以4.87亿美元营收居首 市占率20.9% 三菱电机营收1.48亿美元 市占率6.3% 富士电机营收1.17亿美元 市占率5.0% 东芝营收1.00亿美元 市占率4.3% 瑞萨营收0.65亿美元 市占率2.8% 罗姆营收0.63亿美元 市占率2.7% [4] - 2024年全球功率半导体市场TOP10榜单中日本厂商仅剩三席 三菱电机 富士电机 东芝 且全球市占率均不足5% [6][7] 日本厂商发展困境 - 罗姆2025财年录得500亿日元净亏损 为12年来首次全年亏损 截至6月的季度净利润同比下降14%至29亿日元 第一季营收1162.05亿日元 同比下降1.8% 营业利润大幅下降84.6%至1.95亿日元 [9] - 罗姆将碳化硅半导体投资计划从2800亿日元缩减至1500亿日元 2025财年资本支出下降36%至850亿日元 折旧费用下降26%至616亿日元 [9] - 东芝与罗姆的深度合作陷入僵局 更广泛合作谈判已停滞 2023年东芝将功率半导体定位为增长领域 计划三年投资1000亿日元 但市场环境变化导致投资回报不及预期 [12][13] - 瑞萨电子2025年上半年净亏损1753亿日元 创同期历史最高亏损记录 并宣布放弃进入碳化硅市场 制造设施产能利用率仅约30% 计划裁员约1050人 [15][17] - 三菱电机推迟熊本县功率半导体新工厂扩建计划 考虑缩减原定2026至2030财年3000亿日元投资额 [19][20] - 富士电机2025会计年度净利预计下降12.2%至810亿日元 半导体设备营收下降5.8% 营益锐减42%至215亿日元 [22] 中国厂商崛起与竞争影响 - 中国新兴功率半导体企业凭借成本与价格优势加速抢占市场份额 在碳化硅基板制造市场 天科合达和天岳先进等企业已崭露头角 中国企业几乎主导这一市场 [29] - 比亚迪半导体 中车时代等国产IGBT厂商在新能源汽车市场份额从2019年的20%跃升至2023年的60%以上 [23] - 天科合达以17.3%市场份额位居全球碳化硅衬底市场第二 天岳先进以17.1%份额位列第三 实现8英寸衬底量产并推出12英寸衬底 [30] - 英诺赛科2023年以33.7%收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一 市值突破740亿港元 成为功率器件企业市值TOP1 [31] - 中国企业技术快速追赶 在硅芯片技术上与日本差距仅一到两年 碳化硅芯片方面至多三年 [29][32] 日本产业困局原因分析 - 内部缺乏信任与协作 各公司对专有技术过度保护 难以建立深度信任和协作 [25] - 行业缺乏明确领导者 各企业市场份额相当 没有一家愿意在整合中让步 [26][27] - 企业战略差异大 如罗姆专注于特定元件 而东芝 三菱电机业务范畴广泛 难以达成一致 [28] - 外部面临中国企业崛起带来的激烈竞争 以及全球电动汽车市场需求变化不及预期 [29]
京东方华灿GaN电力电子突破:消费级可靠性1000H突破,工业级JEDEC蓄势待发
行家说三代半· 2025-05-22 05:58
氮化镓(GaN)产业动态 - 多家企业参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》包括英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿等[1][2] - 行业处于GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期[2] 京东方华灿战略布局 - 公司启动"消费级普及、工业级深化、车规级突破"三级跃迁战略[2] - 以消费类GaN功率器件通过1000H可靠性认证为起点[2][4] - 作为IDM企业提供覆盖全场景的"中国芯"解决方案[2] 技术突破 - 650V产品平台通过1000H可靠性认证[5] - 消费类GaN功率器件将全面进行JEDEC认证[5] - 横向BV从1400V提升至2000V+[6] - 已启动1200V GaN产品技术储备[6] - 流片通量提高带动制造稳定性和良率提升[6] 产品与产能 - 器件1000H可靠性通过验证[10] - 正在完善现有平台产品组合布局[10] - 已启动下一代平台技术储备以缩小尺寸、提高产出[10] - 建立了动态测试和可靠性实验室[10] - 形成从研发到量产的全过程质量保障能力[10] 行业趋势 - 行业从"技术竞赛"转向"场景落地"[7] - 多家企业布局GaN在光储赛道应用[10] - 润新微电子GaN芯片出货量达1亿颗[10]
9:47,微盘股巨震,原因找到了
新华网财经· 2025-05-22 04:39
市场指数表现 - 微盘股指数与沪深300指数持续背离 微盘股指数近期不断刷新历史新高 而沪深300指数保持区间震荡 截至5月21日 微盘股成交额占比处于近3年81%的高位水平 [1] - 5月21日上午微盘股指数巨震 早盘一度涨超1%创历史新高 但随后跳水 上午收盘下跌1.12% 北证50指数同期下跌4.38% [1] - 上证指数上午接近平盘报收 深证成指下跌0.28% 创业板指下跌0.44% [4][5] 行业板块动态 电源设备与第三代半导体 - 纳微半导体与英伟达合作开发800V HVDC架构 股价盘后大涨近200% 带动A股HVDC和第三代半导体板块上涨 [7] - 维谛技术计划2026年下半年推出800V DC电源产品系列 早于英伟达Kyber和Rubin Ultra平台发布时间 [7] - 电源设备板块上午表现强势 中恒电气涨停 通合科技涨8.05% 欧陆通涨4.28% 动力源涨3.91% [8] - 第三代半导体板块活跃 海特高新涨停 希荻微涨超13% 欣锐科技涨超6% [9][10] - 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料 因高温高压高频性能优势 在AI数据中心等领域应用前景广阔 [9] 银行板块 - 银行板块上午全线上涨 青岛银行涨3.89% 沪农商行涨2.84% 厦门银行涨2.30% [10][11][12] - 天风证券看好银行板块三大因素:险资入市积极性提高 避险情绪升温 银行业基本面筑底企稳 [14] 国际金融市场影响 - 美国20年期国债拍卖结果不佳 引发隔夜"股债汇三杀" 可能推升全球避险情绪 对A股流动性敏感的小盘股形成压力 [3] - 亚太股市上午普遍下跌 资金可能流向高股息防御性板块 [3][4]
新增13起GaN订单/合作,Al应用成聚焦点
行家说三代半· 2025-04-18 10:07
氮化镓行业动态 - 国内外多家氮化镓企业宣布最新订单与合作进展,市场渗透速度加快,推动下游应用向高效能、低功耗方向转型升级 [2] - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》 [1] 芯干线 - 一季度在AI算力基础设施、消费电子快充、高端音响电源及商用储能领域获得多个全球一线品牌订单 [2] - AI服务器领域:自主研发700V增强型氮化镓功率器件及1200V碳化硅MOSFET通过全球一线AI服务器品牌验证,预计2025年Q2量产 [2] - 消费电子领域:为全球一线手机品牌定制45W氮化镓PD快充方案Q1实现量产,集成700V增强型氮化镓功率器件 [3] - 专业音频领域:高端音响功放氮化镓电源方案通过国际一线品牌认证并量产 [4] - 计划将研发投入提升至营收25%,重点突破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案 [5] - 储能领域:为国内头部商用储能企业定制1200V全碳化硅模块Q1投产 [8] 罗姆半导体 - EcoGaN™产品650V TOLL封装GaN HEMT被村田电源公司用于AI服务器电源 [6] - 村田电源5.5kW输出电源装置采用ROHM的GaN HEMT,实现低损耗运行和高速开关性能,预计2025年量产 [9] - GaN HEMT的高速开关操作、低寄生电容和零反向恢复特性可提高开关转换器工作频率并减小磁性元件尺寸 [10] 英诺赛科 - 与长城电源合作,在AI数据中心钛金级电源中采用InnoGaN技术,实现96%以上电源转换效率 [11] - 推出E-GaN功率IC(ISG612xTD SolidGaN),采用To-247-4封装,集成栅极驱动和短路保护,耐压700V [13] - 与长城服务器电源合作,轻中载电能损耗减少至少30%,20%-50%负载区间效率提升4个百分点 [14] - 与多家数据中心厂商合作,推动全链路氮化镓数据中心系统 [14] 纳微半导体 - 一季度公布多起氮化镓订单及合作 [15] - 进入戴尔供应链,为AI笔记本打造60W至360W电脑适配器 [15] - GaNFast™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链,打造2.5kW模块电源 [15] - 与兆易创新达成战略合作,整合氮化镓技术与高算力MCU产品 [15] - GaNSafe™氮化镓功率芯片通过AEC-Q100和AEC-Q101车规认证 [17] IQE与X-FAB - 签署GaN Power联合开发协议,开发市场化GaN功率平台 [18] - 合作开发650V GaN器件,初始期限两年,面向汽车、数据中心和消费电子应用 [19] - 结合IQE的GaN外延专业知识和X-FAB的制造能力,提供外包选择 [20][21] 冠亚半导体 - 台亚半导体成立子公司冠亚半导体,生产8吋GaN产品 [24] - 与NTT集团子公司NTT-AT签署合作备忘录 [24] - 未来三年冠亚将提供氮化镓器件,NTT-AT提供高品质外延片 [25] 皇庭国际与芯茂微电子 - 达成战略合作,在电源芯片代理销售、大功率氮化镓器件联合开发领域建立深度合作 [27][29] - 皇庭国际依托德兴意发功率半导体公司,打造涵盖功率半导体器件设计、晶圆制造、先进封装的IDM公司 [32] Wevis - 获得印度最大国有国防工业公司高功率氮化镓半导体代工工艺订单 [33] - 芯片将用于主动多功能防空雷达系统 [34] - 曾获得印度铁路通信基础设施氮化镓射频半导体订单 [35] - 与木浦国立大学合作推出韩国首个基于GaN的多项目晶圆(MPW)服务 [36]