公司与研发合作 - 公司与中国科学院微电子研究所、西安电子科技大学合作研发以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料器件 [1] - 公司目前拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件以及实用新型专利6件 [1] - 公司另有8个发明专利尚在申请受理中 [1] 产品进展与业务现状 - 公司目前有少量碳化硅器件的封测业务 [1] - 该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段 [1]

公司研发与合作进展 - 公司与中科院微电子研究所、西安电子科技大学合作研发以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体器件 [1] - 公司目前已拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件及实用新型专利6件 [1] - 公司另有8个相关发明专利尚在申请受理中 [1] 产品开发现状 - 公司目前有少量碳化硅器件的封测业务 [1] - 该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段 [1]

公司公告更正事件 - 公司于12月15日晚发布更正公告，修正了此前12月12日披露的《关于公司董事、高级管理人员、时任监事股份减持计划提前终止的公告》中的日期数据错误 [1] - 更正内容为：公司董事的减持截止日期应为2026年1月9日，而原公告误写为2025年1月9日，错误原因为工作人员疏忽 [1] 公司业务与治理结构 - 公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售，业务模式以IDM为主，核心竞争力在于先进的芯片技术、封装设计、制程及测试 [3] - 公司董事会秘书为张家铨，出生于1984年，拥有EMBA研究生学历，现任公司副总经理、董事会秘书、工会主席等职 [3] - 张家铨与公司董事张祖蕾系父子关系，与副总经理沈卫群系母子关系，张祖蕾为公司创始人之一，自1997年1月至今在公司就职，历任副总经理、监事会主席，现任公司董事及中创投资董事 [3]

授信与担保 - 公司及子公司向银行申请集团授信总额不超30亿元[2] - 公司为捷捷南通科技提供最高1.2亿元连带责任保证[3] - 公司为捷捷半导体提供最高6000万元连带责任保证[3] - 公司本次新增担保后在担保额度内实际使用总额为40442.90万元人民币[20] - 公司实际使用担保总额占2024年经审计合并净资产596156.65万元的6.78%[20] 子公司情况 - 捷捷南通科技2024年资产总额32.64亿元，负债总额15.26亿元，净资产17.39亿元[7] - 捷捷南通科技2024年营业收入10.15亿元，利润总额1.49亿元，净利润1.18亿元[7] - 捷捷南通科技注册资本267961.97万元，公司持股100%[5][6] - 捷捷半导体2024年资产总额15.93亿元，负债总额3.15亿元，净资产12.77亿元[10] - 捷捷半导体2024年营业收入7.25亿元，利润总额1.31亿元，净利润1.19亿元[10] - 捷捷半导体注册资本42000万元，公司持股100%[9] 担保相关说明 - 担保协议保证范围广，保证期间多为相关期限届满或提前到期之次日起三年[14][15][17] - 公司不存在为子公司以外对象、控股股东、实际控制人及其关联方提供担保的情形[20] - 公司不存在逾期担保的情形[20]

减持计划 - 公司2025年12月12日披露减持计划提前终止公告，日期数据有误[2] - 更正前张祖蕾等三人2025年10月10日至2025年1月9日有减持计划[2][3] - 更正后三人减持时间改为2025年10月10日至2026年1月9日[5]

股本情况 - 公司当前总股本832,079,919股[4] 减持情况 - 张祖蕾原计划减持不超5,293,224股，已减持147,600股[2][4] - 黎重林原计划减持不超205,875股，已减持192,375股[2][4] - 颜呈祥原计划减持不超205,875股，未减持[3][4] - 沈志鹏原计划减持不超5,925股，未减持[3][4] - 徐洋原计划减持不超21,400股，未减持[3][4] 减持后持股情况 - 张祖蕾减持后持股21,025,297股，占总股本2.5268%[7] - 黎重林减持后持股631,125股，占总股本0.0758%[7] - 颜呈祥减持后持股823,500股，占总股本0.0990%[7] - 沈志鹏减持后持股23,700股，占总股本0.0028%[7]

减持计划 - 2025年9月5日披露董监高股份减持计划预披露公告[2] - 张祖蕾等5人原计划减持股份占总股本0.6888%[2][3][4] 减持实施情况 - 张祖蕾已减持147,600股，黎重林已减持192,375股[4] - 颜呈祥、徐洋、沈志鹏未减持，减持计划提前终止[4] 减持后持股情况 - 张祖蕾减持后持股占总股本2.5268%[7] - 黎重林减持后持股占总股本0.0758%[7] 其他 - 减持未违规，未超量，不影响控制权及经营[9]

公司股东结构 - 截至2025年12月10日，公司股东总户数为87,970户，此数据不包含信用账户 [1]

公司专利与技术布局 - 公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件 [1] - 公司另有7个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中 [1] 产品研发与生产状态 - 公司目前有少量碳化硅器件的封测业务 [1] - 该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段 [1] 公司运营与信息披露 - 公司生产、销售及运营一切正常 [1] - 具体业绩情况需关注公司后续披露的定期报告 [1]

文章核心观点 - 中国高纯铟行业在经历2023年需求下滑后，于2024年恢复增长，市场规模达20亿元，同比增长6%，未来增长动力主要来自半导体、高端制造及新能源产业 [1][6] - 高纯铟是III-V族化合物半导体的核心原材料，其需求与5G、人工智能、数据中心等半导体行业增长高度相关，2024年中国半导体市场规模达6305亿美元，较2020年增长43% [5][6] - 行业发展趋势明确：再生铟供应占比提升至约30%；市场集中度提高，龙头企业优势扩大；国产替代向7N级以上超高纯产品深化，并聚焦绿色工艺 [10][11][12][13] 高纯铟行业概述与产业链 - 高纯铟是纯度达5N（99.999%）至7N8（99.999998%）的银白色金属，具有优异延展性和导电性，主要应用于制备磷化铟（InP）、锑化铟（InSb）等III-V族半导体化合物及ITO靶材 [2] - 产业链上游：原材料为原生铟和再生铟，中国是全球最大原生铟生产国，储量占全球72%，2024年原生铟产量达688吨，同比增长6.5% [4][5] - 产业链下游：应用领域包括半导体、电子、新能源（如光伏）等，其中半导体行业对材料纯度要求极其严格 [4][5] 行业发展现状与市场规模 - 2021-2022年市场规模呈上升趋势，但2023年因半导体深度去库存及消费电子低迷，需求下滑导致市场规模同比下降25% [1][6] - 2024年市场需求逐渐恢复，市场规模达到20亿元，同比上涨6% [1][6] - 预计未来在高端制造和新能源产业扩张带动下，市场规模将继续保持增长趋势 [1][6] 行业竞争格局与主要企业 - 海外企业如Dowa、Rasa起步早、技术领先；国内企业通过加强研发，技术水平已达国际先进 [6] - 国内主要企业包括株洲科能新材料、云南锡业股份、河南豫光金铅、东方电气（乐山）峨半高纯材料、广西铟泰科技等 [6][7] - **株洲科能新材料**：高纯铟现有产能20吨，待“年产500吨半导体高纯材料项目及回收项目”达产后，产能将升至60吨/年；2024年1-6月高纯铟产品营业收入为332.41万元 [8] - **云南锡业股份**：其子公司云南锡业新材料专注于半导体用高纯材料等；2025年1-9月公司实现营业收入344.17亿元，同比上涨17.81%，归母净利润17.45亿元，同比上涨35.99% [9] 行业发展趋势 - **再生铟成为关键支撑**：国内再生铟产量占比已提升至30%左右，未来占比将持续提高，企业将优化回收技术，构建完善资源循环体系 [10] - **行业集中度持续提升**：技术落后的中小企业生存空间被压缩，龙头企业通过扩产、技术迭代及参股海外矿山、签订长协等方式保障原料稳定，增强供应链韧性 [11][12] - **国产替代向深水区推进**：国内龙头企业7N级产品国际市占率已显著提升，未来将在政策支持下攻克超高纯技术瓶颈，并研发绿色工艺以降低能耗与排放 [13] 政策与行业驱动 - 政府加大对新材料研发支持力度，如2023年《关于推动能源电子产业发展的指导意见》和2024年《关于推动未来产业创新发展的实施意见》，推动基础材料、先进半导体等关键领域突破 [3] - 半导体行业是核心驱动力，随着5G通信、人工智能、数据中心、汽车电子、物联网等新兴应用领域需求推动，全球半导体市场规模呈现上升趋势 [5][6]