市场表现与指数动态 - 上证科创板100指数收盘强势上涨1.93%，成分股源杰科技上涨11.54%，东芯股份上涨9.70%，国盾量子上涨9.48% [1] - 科创100ETF华夏（588800）上涨1.96%，报价1.3元，盘中换手率达11.72%，成交额3.13亿元，近1周日均成交额2.82亿元 [1] - 上证科创板半导体材料设备主题指数收盘上涨1.43%，成分股神工股份上涨8.71%，晶升股份上涨7.04%，新益昌上涨6.67% [1] - 科创半导体ETF（588170）上涨1.43%，报价1.42元 [1] 个人电脑与服务器行业动态 - 联想、戴尔、惠普等主要个人电脑厂商计划涨价，涨幅最高达20% [1] - 联想已通知客户即将进行涨价调整，当前所有服务器和电脑报价将于2026年1月1日到期，届时新报价将大幅上涨 [1] - 戴尔已向客户发出涨价预警，惠普CEO警告2026年下半年“可能尤其艰难”，必要时将上调价格 [1] - 内存芯片约占一台个人电脑成本的15%至18% [1] 半导体存储行业展望 - 闪迪、美光、三星等海外存储原厂陆续发布涨价函，奠定2025年第四季度存储价格持续上涨趋势 [2] - 人工智能数据中心建设持续加码、人工智能应用深化显著拉动存储需求，且短期存储产能供给释放有限，看好2026年存储周期持续上行 [2] - 国内存储模组、存储芯片以及主控/配套芯片等产业链各个环节厂商均有望受益于周期上行带来的量价齐升 [2] 相关指数与基金产品概况 - 科创100指数是科创板第一只也是唯一一只中盘风格指数，聚焦高成长科创企业，重点覆盖半导体、医药、新能源三大行业 [2] - 上证科创板半导体材料设备主题指数囊括科创板中半导体设备（占比61%）和半导体材料（占比23%）细分领域的硬科技公司 [2] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高的属性，受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮及光刻机技术进展 [2]

公司业绩表现 - 2025年第三季度扣非净利润环比增长55% [1] - 预计2025年至2027年归母净利润分别为17.27亿元、24.52亿元、33.50亿元 [1] - 对应2025年至2027年市盈率分别为74倍、52倍、38倍 [1] 业务驱动因素 - 存储周期上行带动业绩持续向好 [1] - 存储是公司主要营收板块，DRAM产品量价齐升贡献主要业绩增量 [1] 行业与公司地位 - AI技术发展推动存储行业进入上行周期 [1] - 公司在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM及MCU领域均位居全球前列 [1] - 公司是国内领先的存储器、微控制器和传感器芯片设计公司 [1]

行业周期与核心驱动力 - 存储行业自2025年第三季度起进入由AI需求驱动的加速上行周期，供需缺口持续扩大，价格加速上涨 [2] - 本轮强上行周期主要由AI服务器、多模态应用等需求爆发推动，不同于以往由供给侧减产主导的短暂上行 [3][7] - 行业展望至2026年上半年，供需缺口或将进一步扩大，价格涨势有望延续 [4][7] 需求侧分析 - AI时代下数据中心存储需求从2020年的600EB激增至2028年的2.4ZB，核心驱动力转变为生成式AI [4][8] - 多模态应用如Sora2模型显著提升存储需求，单段10秒4K视频消耗近100MB空间，较文本的KB级需求提升数百至数千倍 [4][11] - AI推理增加对热、温、冷数据的存储需求，预计2026年全球NAND Flash位元需求增长超200EB至1237EB，SSD因性能优势有望替代HDD成为主流 [4][12] - 消费电子端需求复苏，AI PC内存容量从2024年平均12GB增至2025年至少16GB，AI手机DRAM容量从8GB增至12-16GB [16] 技术创新与趋势 - HBM4产品将于2026年批量出货，美光2026年HBM产能已售罄，接口速度达8-10Gbps [4][17][18] - 近存计算方案向边缘侧扩散，华邦电推出CUBE等定制化方案以满足边缘AI对成本、功耗和灵活性的要求 [4][20][21] - 铠侠等采用的CBA架构通过独立制造存储单元与CMOS电路并键合，提升存储密度约15%-20%，写入性能提升20%，功耗降低30% [4][23][26] - 闪迪提出的HBF方案通过NAND堆叠提升互联速度至4.8Gb/s，容量可达HBM的8-16倍，用于解决AI应用的内存墙问题 [4][27] 供给侧与资本开支 - 存储原厂资本开支聚焦HBM等高端产品，对NAND Flash扩产意愿保守，2026年NAND资本支出预计保持低位 [4][31][34] - 原厂为维持涨价和盈利主动控制产能，新建产线投产有时滞，2026年新增产能可能无法满足需求增长 [4][34] 价格表现 - 2025年10月存储价格加速上涨，DDR5价格环比涨幅达102.6%，DDR4 16G涨幅96.8%，NAND Flash Wafer涨幅42.9% [4][37][39] - 价格加速上涨源于AI服务器需求增长及原厂强烈提价意愿，行业整体加速备货 [4][37] 公司财务表现 - 海外原厂25Q3业绩亮眼：三星存储收入187亿美元创历史新高，SK海力士净利率52%创历史新高，美光毛利率45.7%超指引 [42][43] - 国内存储模组厂商25Q3毛利率和净利率环比提升，实现扭亏为盈，并在三季度增大备货力度，25Q4利润预计加速释放 [5][46] - 中国台湾模组厂如群联10月营收同比增90%，创见同比增119.6%，均受益于存储价格上涨和需求复苏 [50] 利基存储市场 - 利基DRAM（如DDR4）因海外原厂退出导致供应紧张，价格自3月起上涨，三季度加速上升，NOR和SLC NAND价格温和上涨 [53] - 国内利基存储芯片厂商如兆易创新、东芯、恒烁等毛利率和净利率逐季改善，部分厂商亏损幅度缩小，持续受益于涨价趋势 [5][58]